CN112234363A - 壳体组件、天线组件及电子设备 - Google Patents

壳体组件、天线组件及电子设备 Download PDF

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CN112234363A CN202010062257.5A CN202010062257A CN112234363A CN 112234363 A CN112234363 A CN 112234363A CN 202010062257 A CN202010062257 A CN 202010062257A CN 112234363 A CN112234363 A CN 112234363A
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Abstract

本申请提供了一种壳体组件、天线组件及电子设备。所述壳体组件包括：介质基板、及透波结构。所述介质基板对预设频段的射频信号具有第一透过率；所述透波结构承载于所述介质基板，并至少覆盖所述介质基板的部分区域；所述壳体组件在所述透波结构对应的区域内，对所述预设频段的射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。本申请提供的壳体组件通过将所述透波结构承载于所述介质基板上，通过所述透波结构的作用使得对预设频段的射频信号的透过率提升，当所述壳体组件应用于电子设备中时，可降低所述壳体组件对于设置于所述壳体组件内部的天线模组的辐射性能的影响，从而提升所述电子设备的通信性能。

Description

壳体组件、天线组件及电子设备
技术领域
本申请涉及电子设备领域，尤其涉及一种壳体组件、天线组件及电子设备。
背景技术
随着移动通信技术的发展，传统的第四代(4th-Generation，4G)移动通信已经不能够满足人们的要求。第五代(5th-Generation，5G)移动通信由于具有较高的通信速度，可而备受用户青睐。比如，利用5G移动通信传输数据时的传输速度比4G移动通信传输数据的速度快数百倍。毫米波信号是实现5G移动通信的主要手段，然而，当毫米波天线应用于电子设备时，毫米波天线通常设置于电子设备内部的收容空间中，毫米波信号天线透过电子设备而辐射出去的透过率较低，达不到天线复审性能的要求。或者，外部的毫米波信号穿透电子设备的屏幕的透过率较低。由此可见，现有技术中，5G毫米波信号的通信性能较差。
发明内容
本申请提供一种壳体组件、天线模组和电子设备，以解决传统的毫米波信号的通信性能差的技术问题。
第一方面，本申请提供了一种壳体组件，包括：
介质基板，所述介质基板对预设频段的射频信号具有第一透过率；
透波结构，所述透波结构承载于所述介质基板，并至少覆盖所述介质基板的部分区域；
所述壳体组件在所述透波结构对应的区域内，对所述预设频段的射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。
第二方面，本申请还提供了一种天线组件，所述天线组件包括：天线模组及如所述的壳体组件，所述天线模组用于在预设方向范围内收发预设频段的射频信号，所述壳体组件中的透波结构至少位于所述预设方向内。
第三方面，本申请还提供了一种电子设备，所述电子设备包括所述的天线组件，其中，所述介质基板包括所述电子设备的电池盖或者屏幕。
第四方面，本申请还提供了一种电子设备，所述电子设备包括：
第一天线模组，所述第一天线模组用于在第一预设方向范围内收发第一频段的第一射频信号；
介质基板，所述介质基板与所述第一天线模组间隔设置，且至少部分所述介质基板位于所述第一预设方向范围内，所述介质基板位于所述第一预设方向范围内的部分对于所述第一频段的第一射频信号具有第一透过率；
第一透波结构，所述第一透波结构承载于所述介质基板，且所述第一透波结构的至少部分位于所述第一预设方向范围内，所述电子设备在所述第一透波结构对应的区域内，对所述第一频段的第一射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。
本申请提供的壳体组件通过将所述透波结构承载于所述介质基板上，通过所述透波结构的作用使得所述壳体组件对预设频段的射频信号的透过率提升，当所述壳体组件应用于电子设备中时，可降低所述壳体组件对于设置于所述壳体组件内部的天线模组的辐射性能的影响，从而提升所述电子设备的通信性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请第一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
图2为本申请第二实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
图3为本申请第三实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
图4为本申请第四实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
图5为本申请第一实施方式提供的透波结构的示意图。
图6为本申请第五实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
图7为本申请第二实施方式提供的透波结构的示意图。
图8为本申请第三实施方式提供的透波结构的示意图。
图9为本申请第四实施方式提供的透波结构剖面结构示意图。
图10为本申请第四实施方式提供的透波结构的立体示意图。
图11为本申请第四实施方式中提供的透波结构中第一透波层的结构示意图。
图12为本申请第四实施方式中提供的透波结构中第二透波层的结构示意图。
图13为本申请第四实施方式提供的透波结构的等效电路图。
图14为本申请第一实施方式提供的天线组件的结构示意图。
图15为本申请第一实施方式提供的天线组件中的天线模组的结构示意图。
图16为本申请一实施方式中的天线组件中的天线模组的结构示意图。
图17为本申请另一实施方式提供的天线组件的结构示意图。
图18为天线模组在0.7mm的传统玻璃电池盖下时在20～34GHz内的反射曲线及透射曲线示意图。
图19为天线模组在设置有透波结构的电池盖下的反射曲线示意图。
图20为天线模组在设置有透波结构的电池盖下的透射曲线示意图。
图21为本申请第一实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图22为图21中沿I-I线的剖面结构示意图。
图23为天线模组在自由空间下的驻波示意图。
图24为天线模组在自由空间下的方向图。
图25为天线模组在传统电池盖下的驻波示意图。
图26为天线模组在传统电池盖下的方向图。
图27为天线模组在本申请的电池盖下的驻波示意图。
图28为天线模组在本申请的电池盖下的方向示意图。
图29为本申请第五实施方式提供的透波结构中的第一透波层的示意图。
图30为本申请第六实施方式提供的透波结构中第一透波层的结构示意图。
图31为本申请第七实施方式提供的透波结构中第一透波层的结构示意图。
图32为本申请第八实施方式提供的透波结构中第一透波层的结构示意图。
图33为本申请第二实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图34为图33中沿II-II线的剖面结构示意图。
图35为本申请第三实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图36为图35中沿III-III线的剖面结构示意图。
图37为本申请第四实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图38为图37中沿IV-IV线的剖面结构示意图。
图39为本申请第五实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图40为图39中沿V-V线的剖面结构示意图。
图41为本申请一实施方式中的天线模组的剖面结构示意图。
图42为本申请另一实施方式中的天线模组的剖面结构示意图。
图43为本申请一实施方式中为M×N射频天线阵列示意图。
图44为本申请一实施方式中的天线模组组成射频天线阵列时的封装结构示意图。
图45为本申请第六实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图46为本申请第七实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图47为本申请第八实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图48为本申请第九实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图49为本申请第十实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图50为本申请第十一实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图51为本申请第十二实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图52为本申请第十三实施方式提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请一并参阅图1，图1为本申请第一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。所述壳体组件100包括介质基板110及透波结构120。所述介质基板110对预设频段的射频信号具有第一透过率；所述透波结构120承载于所述介质基板110，并至少覆盖所述介质基板110的部分区域；所述壳体组件100在所述透波结构120对应的区域内，对所述预设频段的射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。
在图1中以所述透波结构120覆盖于所述介质基板110的全部区域为例进行示意。所述射频信号可以为但不仅限于为毫米波频段的射频信号或者太赫兹频段的射频信号。目前，在第五代移动通信技术(5th generation wireless systems，5G)中，根据3GPP TS38.101协议的规定，5G新空口(new radio，NR)主要使用两段频率：FR1频段和FR2频段。其中，FR1频段的频率范围是450MHz～6GHz，又叫sub-6GHz频段；FR2频段的频率范围是24.25GHz～52.6GHz，属于毫米波(mm Wave)频段。3GPP Release 15版本规范了目前5G毫米波频段包括：n257(26.5～29.5GHz),n258(24.25～27.5GHz),n261(27.5～28.35GHz)和n260(37～40GHz)。
所述透波结构120可以具有单频单极化、单频双极化、双频双极化、双频单极化、宽频单极化、宽频双极化等特性中的任意一种特性。所述透波结构120具有双频谐振响应，或者单频谐振响应，或者宽频谐振响应，或者多频谐振响应中的任意一种。所述透波结构120的材质可以为金属材质，也可以为非金属导电材质。
所述透波结构120应用于所述介质基板110上的原理解释一为：所述介质基板110上的透波结构120被所述预设频段的射频信号激励，所述透波结构120根据所述预设频段的射频信号产生与所述预设频段同频段的射频信号，且穿透所述介质基板110并辐射至自由空间中。由于所述透波结构120被激励且产生与所述预设频段同频段的射频信号，因此，透过所述介质基板110并辐射至自由空间中的预设频段的射频信号的量较多。
所述透波结构120应用于所述介质基板110上的原理解释二为：所述壳体组件100包括了透波结构120及介质基板110，因此，所述壳体组件100的介电常数可以等效为预设材料的介电常数，而所述预设材料的介电常数对所述预设频段的射频信号的透过率较高，且所述预设材料的等效波阻抗等于或者近似等于自由空间的等效波阻抗。
本申请提供的壳体组件100通过将所述透波结构120承载于所述介质基板110上，通过所述透波结构120的作用使得壳体组件100对预设频段的射频信号的透过率提升，当所述壳体组件100应用于电子设备中时，可降低所述壳体组件100对设置于所述壳体组件100内部的天线模组的辐射性能的影响，从而提升所述电子设备的通信性能。
进一步地，所述介质基板110包括相对设置的第一表面110a及第二表面110b，所述透波结构120设置在所述第一表面110a。当所述壳体组件100应用于电子设备中时，所述电子设备还包括天线模组200，所述第一表面110a相较于所述第二表面110b背离所述天线模组200设置。
请参阅图2，图2为本申请第二实施方式提供的壳体组件的结构示意图。所述壳体组件100包括介质基板110及透波结构120。所述介质基板110对预设频段的射频信号具有第一透过率；所述透波结构120承载于所述介质基板110，并至少覆盖所述介质基板110的部分区域；所述壳体组件100在所述透波结构120对应的区域内，对所述预设频段的射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。进一步地，在本实施方式中，所述透波结构120设置于所述第二表面110b。当所述壳体组件100应用于电子设备中时，所述电子设备还包括天线模组200，所述第一表面110a相较于所述第二表面110b背离所述天线模组200设置。
请参阅3，图3为本申请第三实施方式提供的壳体组件的结构示意图。所述壳体组件100包括介质基板110及透波结构120。所述介质基板110对预设频段的射频信号具有第一透过率；所述透波结构120承载于所述介质基板110，并至少覆盖所述介质基板110的部分区域；所述壳体组件100在所述透波结构120对应的区域内，对所述预设频段的射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。在本实施方式中，所述透波结构120内嵌于所述介质基板110内。当所述壳体组件100应用于电子设备1(参阅图17)中时，所述电子设备1还包括天线模组200，所述第一表面110a相较于所述第二表面110b背离所述天线模组200设置。
请参阅图4，图4为本申请第四实施方式提供的壳体组件的结构示意图。所述壳体组件100包括介质基板110及透波结构120。所述介质基板110对预设频段的射频信号具有第一透过率；所述透波结构120承载于所述介质基板110，并至少覆盖所述介质基板110的部分区域；所述壳体组件100在所述透波结构120对应的区域内，对所述预设频段的射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。进一步地，所述透波结构120贴附于承载膜130上，所述承载膜130贴合在所述介质基板110上。当所述透波结构120贴附于所述承载膜130上时，所述承载膜130可以为但不仅限于为塑料(Polyethylene terephthalate，PET)薄膜、柔性电路板、印刷电路板等。所述PET薄膜可以为但不仅限于为彩色膜、防爆膜等。进一步地，所述介质基板110包括相对的第一表面110a及第二表面110b，所述第一表面110a相较于所述第二表面110b背离所述天线模组200设置。在图4中以所述透波结构120通过所述承载膜130贴合于所述第二表面110b上为例进行示意，可以理解地，在其他实施方式中，所述透波结构120也可通过所述承载膜130贴合于所述第一表面110a上。
进一步地，请参阅图5，图5为本申请第一实施方式提供的透波结构的示意图。所述透波结构120包括一层或者多层透波层120a，当所述透波结构120包括多层透波层120a时，所述多层透波层120a在预设方向上层叠且间隔设置。当所述透波结构120包括多层透波层120a时，相邻的两层透波层120a之间设置有介质层110c，所有的介质层110c构成所述介质基板110。图5中以所述透波结构120包括三层透波层120a，两层介质层110c为例进行示意。进一步地，所述预设方向与所述射频信号的主瓣方向平行。所谓主瓣，是指射频信号中辐射强度最大的波束。
请一并参阅图6，图6为本申请第五实施方式提供的壳体组件的结构示意图。所述介质基板110包括相对设置的第一表面110a及第二表面110b，部分所述透波结构120设置于所述第一表面110a，剩余的所述透波结构120内嵌于所述介质基板110。当所述壳体组件100应用于电子设备中时，所述电子设备还包括天线模组200，所述第一表面110a相较于所述第二表面110b背离所述天线模组200设置。
结合前述任意实施方式提供的壳体组件100，所述透波结构120为金属材质，或者非金属导电材质。
结合前述任意实施方式提供的壳体组件100，所述介质基板110的材料为塑料、玻璃、蓝宝石、陶瓷的至少一种或者多种组合。
请参阅图7，图7为本申请第二实施方式提供的透波结构的示意图。所述透波结构120可结合到前述任意实施方式提供的壳体组件100中所述透波结构120包括多个谐振单元120b，所述谐振单元120b周期性排布。
请参阅图8，图8为本申请第三实施方式提供的透波结构的示意图。所述透波结构120可结合到前述任意实施方式提供的壳体组件100中，所述透波结构120包括多个谐振单元120b，所述谐振单元120b非周期性排布。
请一并参阅图9、图10、图11及图12，图9为本申请第四实施方式提供的透波结构剖面结构示意图；图10为本申请第四实施方式提供的透波结构的立体示意图；图11为本申请第四实施方式中提供的透波结构中第一透波层的结构示意图；图12为本申请第四实施方式中提供的透波结构中第二透波层的结构示意图。所述透波结构120可以结合到前述任意实施方式提供的壳体组件100中。所述透波结构120包括间隔设置的第一透波层121、第二透波层122、及第三透波层123，所述介质基板110包括第一介质层111及第二介质层112，所述第一透波层121、所述第一介质层111、所述第二透波层122、所述第二介质层112、及所述第三透波层123依次层叠设置。为了方便示意所述第一透波层121、所述第二透波层122、及所述第三透波层123的关系，图10中省略了第一介质层111和第二介质层112。所述第一透波层121包括阵列排布的多个第一贴片1211，所述第二透波层122包括周期性排布的网格结构1221，所述第三透波层123包括阵列排布的多个第二贴片1231。第一贴片1211或第二贴片1231的尺寸L1越小，所述预设频段往低频偏移，且带宽减小。所述第二透波层122中网格结构1221的宽度W1越小，所述预设频段往低频偏移，且带宽增大；所述透波结构120的周期P越大，所述预设频段往高频偏移，且带宽增大；所述透波结构120的厚度越大，所述预设频段往低频偏移，带宽减小；所述介质基板110的介电常数越大，所述预设频段往低频偏移，且带宽减小。在本实施方式中，一个网格结构1221对应四个第一贴片1211，且一个网格接1221对应四个第三贴片1231，并作为透波结构1221的一个周期。
请一并参阅图13，图13为本申请第四实施方式提供的透波结构的等效电路图。在此等效电路图中忽略了对预设频段影响较小的因素，比如，第一透波层121层的电感量，所述第三透波层123的电感量，以及第二透波层122的电容量。其中，第一透波层121等效为电容C1，第二透波层122等效为电容C2，所述第一透波层121与所述第二透波层122的耦合电容等效为电容C3，第三透波层123等效为电感L。另外Z0表示自由空间的阻抗，Z1表示介质基板110的阻抗，其中，Z1＝Z0/(Dk)1/2，那么，所述预设频段的中心频率f0为：f0＝1/[2π/(LC)1/2]，带宽Δf/f0正比于(L/C)1/2。由此可见，所述第一贴片1211或第二贴片1231的尺寸越小，所述预设频段往低频偏移，且带宽减小。所述第二透波层122中网格结构1221的宽度越小，所述预设频段往低频偏移，且带宽增大；所述透波层120a的周期越大，所述预设频段往高频偏移，且带宽增大；所述透波层120a的厚度越大，所述预设频段往低频偏移，带宽减小；所述介质基板110的介电常数越大，所述预设频段往低频偏移，且带宽减小。
当所述第一介质层111及所述第二介质层112的材质为玻璃时，所述玻璃的介电常数通常为6～7.6之间，当所述预设频段为20～35GHz范围的情况下，第一贴片1211的尺寸范围通常选择为0.5～0.8mm之间，第二透波结构128中网格中实体部分的宽度通常选择为0.1～0.5mm之间，一个周期通常为1.5～3.0mm，当所述透波结构120应用于电子设备的电池盖时，天线模组200的上表面到电池盖的内表面之间的间隙通常选择大于等于零即可，通常选择为0.5～1.2mm。请参阅图14，图14为本申请第一实施方式提供的天线组件的结构示意图。所述天线组件10包括：天线模组200及壳体组件100。所述天线模组200用于在预设方向范围内收发预设频段的射频信号，所述壳体组件100中的透波结构120至少位于所述预设方向内。所述壳体组件100请参阅前述各个实施方式介绍的壳体组件100，在此不再赘述。为了方便示意图，本实施方式中所示的天线组件10以第一实施方式所示的壳体组件100为例进行示意。
请参阅图15、图16及图17，图15为本申请第一实施方式提供的天线组件中的天线模组的结构示意图；图16为本申请一实施方式中的天线组件中的天线模组的结构示意图；图17为本申请另一实施方式提供的天线组件的结构示意图。在图15中示意的天线模组包括4个阵列分布的天线单元21a。图16中示意出的是一个天线模组包括一个天线单元21a，所述天线单元21a包括层叠且间隔设置的贴片21b及贴片21c，所述贴片21b相较于所述贴片21c邻近所述天线单元21a的封装面设置。所述贴片21c上具有馈电点21d，所述馈电点21d用于与射频芯片电连接，所述贴片21c与所述贴片21b耦合。图17中示意出的是部分透波结构120内嵌于所述介质基板110，部分透波结构120内嵌于所述介质基板110背离所述天线模组200的表面且与所述介质基板110背离所述天线模组200的表面平齐或者基本平齐，且部分透波结构120内嵌于所述介质基板110邻近所述天线模组200的表面且与所述介质基板110邻近所述天线模组200的表面平齐或者基本平齐。
请参阅图18，图18为天线模组在0.7mm的传统玻璃电池盖下时在20～34GHz内的反射曲线及透射曲线示意图。传统的玻璃电池盖上未设置有本申请的透波结构120。在图18中，横轴为频率，单位为GHz；纵轴为增益，单位为dB。曲线①为反射系数曲线，由曲线①可见，在20～34GHz频段内，增益均在-10dB以上，即，射频信号的反射较大，且越往高频，反射越增大。曲线②为透射系数曲线，由曲线②可见，在22～30GHz频段范围内，增益损失达到-2.3dB以上。综合曲线①及曲线②可见，天线模组在传统的玻璃电池盖下的反射较大且透射损失较大。
请一并参阅图19及图20，图19为天线模组在设置有透波结构的电池盖下的反射曲线示意图；图20为天线模组在设置有透波结构的电池盖下的透射曲线示意图。在图19中，横轴为频率，单位为GHz；纵轴为增益，单位为dB，曲线中增益小于等于-10dB以下时的频率具有较小的反射系数，因此，通常定义增益小于等于-10dB的频段为所述天线模组的工作频段。由图19中的曲线可见，所述天线模组200的工作频段为22.288～30.511GHz。在图20中，横轴为频率，单位为GHz；纵轴为增益，单位为dB，当曲线中增益大于-1dB以上的频段为天线模组200在此频段中具有良好的透射系数，由图20中的曲线可见，所述天线模组200在22.148～29.538GHz具有良好的透射系数。
请一并参阅图21及图22，图21为本申请第一实施方式提供的电子设备的结构示意图；图22为图21中沿I-I线的剖面结构示意图。所述电子设备1包括天线组件10，所述天线组件10请参前面描述，在此不再赘述。其中，所述介质基板110包括所述电子设备1的电池盖30。所述电池盖30与所述屏幕40围设成收容空间，所述收容空间用于收容所述电子设备1的功能器件。所述电子设备包括前面任意实施方式所述的天线组件10。
进一步地，请再次参阅图21及图22，当所述介质基板110包括所述电子设备1的电池盖30时，所述电子设备1的电池盖30包括背板310及自所述背板310周缘弯折延伸的边框320，所述透波结构120对应所述背板310设置。
所述电子设备1包括但不仅限于智能手机、互联网设备(mobile internetdevice，MID)、电子书、便携式播放站(Play Station Portable,PSP)或个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)等具有呼吸灯功能的电子设备1。下面对本申请所提供的电子设备1进行详细描述。
请一并参阅图23及图24，图23为天线模组在自由空间下的驻波示意图；图24为天线模组在自由空间下的方向图。图中以天线模组200为2×2阵列为例进行仿真。图23中横轴为频率，单位为GHz；纵轴为增益，单位为dB，驻波曲线中小于等于-10dB以下的频段为所述天线模组的工作频段，由图23可见，所述天线模组的工作频段为在26.71-～29.974GHz之间。由图24可见，天线模组在27GHz，28GHz以及29GHz均具有良好的增益，其中，天线模组200在27GHz的增益为9.73dB，所述天线模组200在28GHz的增益为10.1dB，述天线模组200在29GHz的增益为10.3dB。由此可见，所述天线模组200在27GHz、28GHz、及29GHz的增益较大。需要说明的是，由于2×2阵列的天线模组200的对称化设计，在自由空间中，2×2阵列的天线模组200中四个天线单元的驻波参数曲线重合了。图中所标示的S11、S22、S33、S44分别表征2×2阵列的天线模组200中四个天线单元的回波损耗。
请一并参阅图25及图26，图25为天线模组在传统电池盖下的驻波示意图；图26为天线模组在传统电池盖下的方向图。图中以天线模组200为2×2阵列为例进行仿真。图25中横轴为频率，单位为GHz；纵轴为增益，单位为dB，驻波曲线中增益小于等于-10dB以下的频段为所述天线模组的工作频段。由图25可见，在24～32GHz频段射频信号的驻波均为-10dB以上，由此可见，在24～32GHz频段射频信号反射很大。由图26可见，天线模组200在27GHz的增益为5.58dB，在28GHz的增益为6.68dB，在29GHz的增益为7.12dB，由此可见，天线模组在传统的电池盖下的反射系数较大且增益较小。
需要说明的是，由于2×2阵列的天线模组200的对称化设计，在图中，2×2阵列的天线模组200中驻波参数曲线S11和驻波参数曲线S33重合了，驻波参数曲线S22和驻波参数曲线S44重合了。图中所标示的S11、S22、S33、S44分别表征2×2阵列的天线模组200中四个天线单元的回波损耗。
请一并参阅图27及图28，图27为天线模组在本申请的电池盖下的驻波示意图；图28为天线模组在本申请的电池盖下的方向示意图。图中以天线模组200为2×2阵列为例进行仿真。图27中横轴为频率，单位为GHz；纵轴为增益，单位为dB，驻波曲线中小于等于-10dB以下的频段为所述天线模组的工作频段。由图27中的驻波曲线可见所述天线模组200具有较宽的工作频段。由图28可见，天线模组200在27GHz的增益为9.55dB，天线模组200在28GHz的增益为10.1dB，在29GHz的增益为10.6dB。由此可见，天线模组200在本申请的电池盖30下具有较宽的工作频段以及具有较好的增益，和天线模组200在自由空间中的工作频段几乎一致，且和自由空间中的增益几乎一致。
需要说明的是，由于2×2阵列的天线模组200的对称化设计，在图中，2×2阵列的天线模组200中驻波参数曲线S11和驻波参数曲线S33重合了，驻波参数曲线S22和驻波参数曲线S44重合了。图中所标示的S11、S22、S33、S44分别表征2×2阵列的天线模组200中四个天线单元的回波损耗。
请参阅图29，图29为本申请第五实施方式提供的透波结构中的第一透波层的示意图。本实施方式提供的透波结构120与第四实施方式提供的透波结构120基本相同，不同之处在于，在第四实施方式中，第一贴片1211为矩形贴片，在本实施方式中，所述第一透波层121包括阵列排布的多个第一贴片1211，所述第一贴片1211为圆形。可选地，圆形的所述第一贴片1211的直径D的范围为0.5～0.8mm。
在本实施方式中，所述第三透波层123包括阵列排布的多个第二贴片1231，所述第二贴片1231为圆形。可选地，所述圆形的所述第二贴片1231的直径D的范围为0.5～0.8mm。可以理解地，所述第三透波层123的结构可与所述第一透波层121的结构相同。
请参阅图30，图30为本申请第六实施方式提供的透波结构中第一透波层的结构示意图。本实施方式提供的透波结构120与第四实施方式提供的透波结构120基本相同，不同之处在于，在第四实施方式中，所述第一贴片1211为矩形贴片，在本实施方式中，所述第一透波层121包括阵列排布的多个第一贴片1211，所述第一贴片1211为圆环形。当所述第一贴片1211的材质为金属时，所述第一贴片1211为圆环形从而可以提升所述透波结构120的透明度。所述圆环形的第一贴片1211的尺寸的直径Do通常为0.5～0.8mm，圆环形的所述第一贴片1211的内径Di，通常而言，Do-Di的值越小，所述透波结构120的透明度越高，但是插入损耗越大。为了兼顾所述透波结构120的透明度及插入损耗，所述Do-Di的取值通常为：Do-Di≥0.5mm。可以理解地，所述第三透波层123的结构可与所述第一透波层121的结构相同。
请参阅图31，图31为本申请第七实施方式提供的透波结构中第一透波层的结构示意图。本实施方式提供的透波结构120与第四实施方式提供的透波结构120基本相同，不同之处在于，在第四实施方式中，所述第一贴片1211为矩形贴片，在本实施方式中，所述第一透波层121包括阵列排布的多个第一贴片1211，所述第一贴片1211为正方形环状贴片。所述正方形的第一贴片1211的边长为Lo通常为0.5～0.8mm，正方形环状贴片的内变成为Li，通常而言，Lo-Li的值越小，透明度越高，但是插入损耗越大。为了兼顾所述透波结构120的透明度及插入损耗，所述Do-Di的取值通常为：Lo-Li≥0.5mm。可以理解地，所述第三透波层123的结构可与所述第一透波层121的结构相同。
请参阅图32，图32为本申请第八实施方式提供的透波结构中第一透波层的结构示意图。本实施方式提供的透波结构120包括阵列排布的多个第一贴片1211，每个第一贴片1211均为正方形的金属网格贴片(mesh grid)。具体地，所述第一贴片1211包括多个第一分支1212以及多个第二分支1213，所述多个第一分支1212间隔排布，所述多个第二分支1213间隔排布，且所述第二分支1213与所述第一分支1212交叉设置且连接。可选地，所述第一分支1212沿着第一方向延伸且所述多个第一分支1212沿所述第二方向间隔排布。可选地，所述第二分支1213与所述第一分支1212垂直交叉。可选地，所述第一贴片1211的边长为：0.5～0.8mm。
请一并参阅图33及图34，图33为本申请第二实施方式提供的电子设备的结构示意图；图34为图33中沿II-II线的剖面结构示意图。所述电子设备1包括天线组件10，所述天线组件10请参前面描述，在此不再赘述。其中，所述介质基板110包括所述电子设备1的电池盖30。所述电子设备1的电池盖30包括背板310及自所述背板310周缘弯折延伸的边框320，所述透波结构120对应所述边框320设置。
请一并参阅图35及图36，图35为本申请第三实施方式提供的电子设备的结构示意图；图36为图35中沿III-III线的剖面结构示意图。所述电子设备1包括天线组件10，所述天线组件10请参前面描述，在此不再赘述。在本实施方式中，所述介质基板110包括所述电子设备1的屏幕40。
进一步地，当所述介质基板110包括所述电子设备1的屏幕40时，所述屏幕40包括屏幕主体410及自所述屏幕主体410周缘弯曲延伸的延伸部420，所述透波结构120对应所述屏幕主体410设置。
请参阅图37及图38，图37为本申请第四实施方式提供的电子设备的结构示意图；图38为图37中沿IV-IV线的剖面结构示意图。所述电子设备1包括天线组件10，所述天线组件10请参前面描述，在此不再赘述。在本实施方式中，所述介质基板110包括所述电子设备1的屏幕40。所述屏幕40包括屏幕主体410及自所述屏幕主体410周缘弯曲延伸的延伸部420，所述透波结构120对应所述延伸部420设置。
请参阅图39及图40，图39为本申请第五实施方式提供的电子设备的结构示意图；图40为图39中沿V-V线的剖面结构示意图。所述电子设备1包括天线组件10，所述天线组件10请参前面描述，在此不再赘述。所述电子设备1包括电池盖30及保护套50，所述保护套50覆盖在所述电池盖30的表面以对所述电池盖30进行保护，所述介质基板110包括所述保护套50。所述透波结构120对应所述保护套50设置。
请参阅图41，图41为本申请一实施方式中的天线模组的剖面结构示意图。所述天线模组200包括射频芯片230、绝缘基板240、及一个或多个第一天线辐射体250。所述射频芯片230用于产生激励信号(也称为射频信号)。所述射频芯片230相较于所述一个或多个第一天线辐射体250背离所述带透波结构120设置，所述绝缘基板240用于承载所述一个或多个第一天线辐射体250，所述射频芯片230通过内嵌于所述绝缘基板240中的传输线与所述一个或多个第一天线辐射体250电连接。具体地，所述绝缘基板240包括相背的第三表面240a和第四表面240b，所述绝缘基板240用于承载所述一个或多个第一天线辐射体250包括所述绝缘基板240设置在所述第三表面240a，或者，所述一个或多个第一天线辐射体250内嵌于所述绝缘基板240内。在图41中以所述一个或多个第一天线辐射体250设置于所述第三表面240a，所述射频芯片230设置于所述第四表面240b为例进行示意。所述射频芯片230产生的所述激励信号通过内嵌于所述绝缘基板240中的传输线传输与所述一个或多个第一天线辐射体250电连接。所述射频芯片230可焊接在所述绝缘基板240上，以将所述激励信号经由内嵌于绝缘基板240中的传输线传输至第一天线辐射体250。所述第一天线辐射体250接收所述激励信号，并根据所述激励信号产生毫米波信号。所述第一天线辐射体250可以为但不仅限于为贴片天线。
进一步地，所述射频芯片230相较于所述第一天线辐射体250背离所述透波结构120，且所述射频芯片230输出所述激励信号的输出端位于所述绝缘基板240背离所述透波结构120的一侧。即，所述射频芯片230邻近所述绝缘基板240的第四表面240b而远离所述绝缘基板240的第三表面240a设置。
进一步地，每一个所述第一天线辐射体250包括至少一个馈电点251，每一个所述馈电点251均通过所述传输线与所述射频芯片230电连接，每一个所述馈电点251与所述馈电点251对应的第一天线辐射体250的中心之间的距离大于预设距离。调整所述馈电点251的位置可以改变所述第一天线辐射体250的输入阻抗，本实施方式中通过设置每一个所述馈电点251与对应的第一天线辐射体250的中心之间的距离大于预设距离，从而调整所述第一天线辐射体250的输入阻抗。调整所述第一天线辐射体250的输入阻抗以使得所述第一天线辐射体250的输入阻抗与所述射频芯片230的输出阻抗匹配，当所述第一天线辐射体250与所述射频芯片230的输出阻抗匹配时，所述射频信号产生的激励信号的反射量最小。
请参阅图42，图42为本申请另一实施方式中的天线模组的剖面结构示意图。本实施方式提供的天线模组200与第一实施方式中的天线模组200描述中提供的天线模组200基本相同。不同之处在于，在本实施方式中，所述天线模组200还包括第二天线辐射体260。即，在本实施方式中，所述天线模组200包括射频芯片230、绝缘基板240、一个或多个第一天线辐射体250、及第二天线辐射体260。所述射频芯片230用于产生激励信号。所述绝缘基板240包括相背设置的第三表面240a和第四表面240b，所述一个或多个第一天线辐射体250设置于所述第三表面240a，所述射频芯片230设置于所述第四表面240b。所述射频芯片230产生的所述激励信号经由内嵌于所述绝缘基板240中的传输线与所述一个或多个第一天线辐射体250电连接。所述射频芯片230可焊接在所述绝缘基板240上，以将所述激励信号经由内嵌于绝缘基板240中的传输线传输至第一天线辐射体250。所述第一天线辐射体250接收所述激励信号，并根据所述激励信号产生毫米波信号。
进一步地，所述射频芯片230相较于所述第一天线辐射体250背离所述透波结构120，且所述射频芯片230输出所述激励信号的的输出端位于所述绝缘基板240背离所述透波结构120的一侧。
进一步地，每一个所述第一天线辐射体250包括至少一个馈电点251，每一个所述馈电点251均通过所述传输线与所述射频芯片230电连接，每一个所述馈电点251与所述馈电点251对应的第一天线辐射体250的中心之间的距离大于预设距离。
在本实施方式中，所述第二天线辐射体260内嵌在所述绝缘基板240内，所述第二天线辐射体260与所述第一天线辐射体250间隔设置，且所述第二天线辐射体260及所述第一天线辐射体250通过耦合作用而形成叠层天线。当所述第二天线辐射体260与所述第一天线辐射体250通过耦合作用而形成叠层天线时，所述第一天线辐射体250与所述射频芯片230电连接且所述第二天线辐射体260未与所述射频芯片230电连接，第二天线辐射体260耦合所述第一天线辐射体250辐射的毫米波信号，并且所述第二天线辐射体260根据耦合到的所述第一天线辐射体250辐射的毫米波信号而产生新的毫米波信号。
具体地，下面以所述天线模组200采用高密度互联工艺制备而成为例进行说明。所述绝缘基板240包括核心层241、以及多个层叠设置在所述核心层241相对两侧的布线层242。所述核心层241为绝缘层，各个布线层242之间通常设置绝缘层243。位于所述核心层241邻近所述透波结构120一侧且距离所述核心层241最远的布线层242的外表面构成所述绝缘基板240的第三表面240a。位于在所述核心层241背离所述透波结构120一侧且距离所述核心层241最远的布线层242的外表面构成所述绝缘基板240的第四表面240b。所述第一天线辐射体250设置于所述第三表面240a。所述第二天线辐射体260内嵌在所述绝缘基板240内，即，所述第二天线辐射体260可设置在其他的用于布局天线辐射体的布线层242上，且所述第二天线辐射体260未设置在所述绝缘基板240的表面。
在本实施方式中，以所述绝缘基板240为8层结构为例进行示意，可以理解地，在其他实施方式中，所述绝缘基板240也可以为其他层数。所述绝缘基板240包括核心层241以及第一布线层TM1、第二布线层TM2、第三布线层TM3、第四布线层TM4、第五布线层TM5、第六布线层TM6、第七布线层TM7、及第八布线层TM8。所述第一布线层TM1、所述第二布线层TM2、所述第三布线层TM3、及所述第四布线层TM4依次层叠设置在所述核心层241的同一表面，且所述第一布线层TM1相对于所述第四布线层TM4背离所述核心层241设置，所述第一布线层TM1背离所述核心层241的表面为所述绝缘基板240的第三表面240a。所述第五布线层TM5、所述第六布线层TM6、所述第七布线层TM7、及所述第八布线层TM8依次层叠在所述核心层241的同一表面，且所述第八布线层TM8相对于所述第五布线层TM5背离所述核心层241设置，所述第八布线层TM8背离所述核心层241的表面为所述绝缘基板240的第四表面240b。通常情况下，所述第一布线层TM1、所述第二布线层TM2、所述第三布线层TM3、及第四布线层TM4为可设置天线辐射体的布线层；所述第五布线层TM5为设置地极的地层；所述第六布线层TM6、所述第七布线层TM7、及所述第八布线层TM8为天线模组200中的馈电网络及控制线布线层。在本实施方式中，所述第一天线辐射体250设置在所述第一布线层TM1背离所述核心层241的表面，所述第二天线辐射体260设置在可设置在所述第三布线层TM3。在图42中以第一天线辐射体250设置在所述第一布线层TM1的表面、所述第二天线辐射体260设置在所述第三布线层TM3为例进行示意。可以理解地，在其他实施方式中，所述第一天线辐射体250可设置在所述第一布线层TM1背离所述核心层241的表面，所述第二天线辐射体260可设置在所述第二布线层TM2，或者所述第二天线辐射体260可设置在所述第四布线层TM4。
进一步地，所述绝缘基板240中的第一布线层TM1、第二布线层TM2、第三布线层TM3、第四布线层TM4、所述第六布线层TM6、所述第七布线层TM7、及所述第八布线层TM8均电连接至所述第五布线层TM5中的地层。具体地，所述绝缘基板240中的第一布线层TM1、第二布线层TM2、第三布线层TM3、第四布线层TM4、所述第六布线层TM6、所述第七布线层TM7、及所述第八布线层TM8均开设通孔，通孔里设置金属材料以电连接所述第五布线层TM5中的地层，以将各个布线层242中设置的器件接地。
进一步地，所述第七布线层TM7及所述第八布线层TM8还设置有电源线271、及控制线272，所述电源线271及所述控制线272分别与所述射频芯片230电连接。所述电源线271用于为所述射频芯片230提供所述射频芯片230所需要的电能，所述控制线272用于传输控制信号至所述射频芯片230，以控制所述射频芯片230工作。
进一步地，请参阅图43，图43为本申请一实施方式中为M×N射频天线阵列示意图。所述电子设备1包括M×N个天线组件10构成的射频天线阵列，其中，M为正整数，N为正整数。在图中示意出来的是4×1个天线组件10构成的天线阵列。在在所述天线组件10中的所述天线模组200中，所述绝缘基板240还包括多个金属化过孔栅格244，所述金属化过孔栅格244围绕每一个所述第一天线辐射体250设置，以提升相邻的两个所述第一天线辐射体250之间的隔离度。请继续参阅图44，图44为本申请一实施方式中的天线模组组成射频天线阵列时的封装结构示意图。当所述金属化过孔栅格244用于在多个天线模组200形成射频天线阵列时，所述金属化过孔栅格244用于提升相邻天线模组200之间的隔离度，以减少甚至避免各个天线模组200产生的毫米波信号的干扰。
前面描述的天线模组200中以天线模组200为贴片天线、叠层天线为例进行描述，可以理解地，所述天线模组200还可以包括偶极子天线、磁电偶极子天线、准八木天线等。所述天线组件10可包括贴片天线、叠层天线、偶极子天线、磁电偶极子天线、准八木天线中的至少一种或者多种的组合。进一步地，所述M×N个天线组件10中的介质基板110可相互连接为一体结构。
请参阅图45，图45为本申请第六实施方式提供的电子设备的结构示意图。所述电子设备1包括：第一天线模组210、介质基板110、及第一透波结构127。所述第一天线模组210用于在第一预设方向范围内收发第一频段的第一射频信号。所述介质基板110与所述第一天线模组210间隔设置，且至少部分所述介质基板110位于所述第一预设方向范围内，所述介质基板110位于所述第一预设方向范围内的部分对于所述第一频段的第一射频信号具有第一透过率。所述第一透波结构127承载于所述介质基板110，且所述第一透波结构127的至少部分位于所述第一预设方向范围内，所述电子设备1在所述第一透波结构127对应的区域内，对所述第一频段的第一射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。在图45中以虚线a1及虚线b1之间的范围示意为第一预设方向范围。
进一步地，请参阅图46，图46为本申请第七实施方式提供的电子设备的结构示意图。所述电子设备1还包括第二天线模组220及第二透波结构128。所述第二天线模组220与所述第一天线模组210间隔设置且所述第二天线模组220位于所述第一预设方向范围之外，所述第二天线模组220用于在第二预设方向范围内收发第二频段的第二射频信号。所述介质基板110还与所述第二天线模组220间隔设置，至少部分所述介质基板110位于所述第二预设方向范围内，所述介质基板110位于所述第二预设方向范围内的部分对于所述第二频段的第二射频信号具有第三透过率。所述第二透波结构128被承载与所述介质基板110，且所述第二透波结构128的至少部分位于所述第二预设方向范围内，所述电子设备1在所述第二透波结构128对应的区域内，对所述第一频段的第二射频信号具有第四透过率，其中，所述第四透过率大于所述第三透过率。在图46中以虚线a1及虚线b1之间的范围示意为第一预设方向范围。以虚线a2及虚线b2之间的范围示意为第二预设方向范围。
请参阅图47，图47为本申请第八实施方式提供的电子设备的结构示意图。所述介质基板110包括所述电子设备1的电池盖30时，所述电子设备1的电池盖30包括背板310及自所述背板310周缘弯折延伸的边框320，其中，所述第一天线模组210及所述第二天线模组220均对应所述背板310设置。相应地，所述所述第一透波结构127及所述第二透波结构128均对应所述背板310设置。
请参阅图48，图48为本申请第九实施方式提供的电子设备的结构示意图。第九实施方式提供的电子设备1与第八实施方式提供的电子设备1基本相同，不同之处在于，在第九实施方式中，所述第一天线模组210及所述第二天线模组220均对应所述边框320设置。相应地，所述第一透波结构127及所述第二透波结构128均对应所述边框320设置。在图中以所述第一透波结构127及所述第二透波结构128相对设置为例进行示意。
请参阅图49，图49为本申请第十实施方式提供的电子设备的结构示意图。第十实施方式提供的电子设备1与第八实施方式提供的电子设备1基本相同，不同之处在于，在第十实施方式中，所述第一天线模组210对应所述背板310设置且所述第二天线模组220对应所述边框320设置。相应地，所述第一透波结构127对应所述背板310设置，所述第二透波结构128对应所述边框320设置。
请参阅图50，图50为本申请第十一实施方式提供的电子设备的结构示意图。当所述介质基板110包括所述电子设备1的屏幕40时，所述屏幕40包括屏幕主体410和及自所述屏幕主体410周缘弯曲延伸的延伸部420，其中，所述第一天线模组210及所述第二天线模组220均对应所述屏幕主体410设置。相应地，所述第一透波结构127及所述第二透波结构128均对应所述屏幕主体410设置。
请参阅图51，图51为本申请第十二实施方式提供的电子设备的结构示意图。所述第一天线模组210及所述第二天线模组220均对应所述延伸部420设置。相应地，所述第一透波结构127及所述第二透波结构128均对应所述延伸部420设置。
请参阅图52，图52为本申请第十三实施方式提供的电子设备的结构示意图。所述第一天线模组210对应所述屏幕主体410设置，所述第二天线模组220对应所述延伸部420设置。相应地，所述第一透波结构127对应所述屏幕主体410设置，所述第二透波结构128对应所述延伸部420设置。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (20)

1.一种壳体组件，其特征在于，包括：
介质基板，所述介质基板对预设频段的射频信号具有第一透过率；
透波结构，所述透波结构承载于所述介质基板，并至少覆盖所述介质基板的部分区域；
所述壳体组件在所述透波结构对应的区域内，对所述预设频段的射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。
2.如权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述介质基板包括相对设置的第一表面及第二表面，所述透波结构设置在所述第一表面；或者，所述透波结构设置于所述第二表面；或者，所述透波结构内嵌于所述介质基板内。
3.如权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述透波结构贴附于承载膜上，所述承载膜贴合在所述介质基板上。
4.如权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述透波结构包括一层或者多层透波层，当所述透波结构包括多层透波层时，所述多层透波层在预设方向上层叠且间隔设置。
5.如权利要求1-4任意一项所述的壳体组件，其特征在于，所述介质基板包括相对设置的第一表面及第二表面，部分所述透波结构设置于所述第一表面，剩余的所述透波结构内嵌于所述介质基板。
6.如权利要求1-4任意一项所述的壳体组件，其特征在于，所述透波结构为金属材质，或者非金属导电材质。
7.如权利要求1-4任意一项所述的壳体组件，其特征在于，所述介质基板的材料为塑料、玻璃、蓝宝石、陶瓷的至少一种或者多种组合。
8.如权利要求1-4任意一项所述的壳体组件，其特征在于，所述透波结构包括多个谐振单元，所述谐振单元周期性排布，或者非周期性排布。
9.如权利要求1-4任意一项所述的壳体组件，其特征在于，所述透波结构包括间隔设置的第一透波层、第二透波层、及第三透波层，所述介质基板包括第一介质层及第二介质层，所述第一透波层、所述第一介质层、所述第二透波层、所述第二介质层、及所述第三透波层依次层叠设置，所述第一透波层包括阵列排布的多个第一贴片，所述第二透波层包括周期性排布的网格结构，所述第三透波层包括阵列排布的多个第二贴片；第一贴片或第二贴片的尺寸越小，所述预设频段往低频偏移，且带宽减小；所述第二透波层中网格结构的宽度越小，所述预设频段往低频偏移，且带宽增大；所述透波结构的周期越大，所述预设频段往高频偏移，且带宽增大；所述透波结构的厚度越大，所述预设频段往低频偏移，带宽减小；所述介质基板的介电常数越大，所述预设频段往低频偏移，且带宽减小。
10.一种天线组件，其特征在于，所述天线组件包括：天线模组及如权利要求1-9任意一项所述的壳体组件，所述天线模组用于在预设方向范围内收发预设频段的射频信号，所述壳体组件中的透波结构至少位于所述预设方向内。
11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求10所述的天线组件，其中，所述介质基板包括所述电子设备的电池盖或者屏幕。
12.如权利要求11所述的电子设备，其特征在于，当所述介质基板包括所述电子设备的电池盖时，所述电子设备的电池盖包括背板及自所述背板周缘弯折延伸的边框，所述透波结构对应所述背板设置，或者所述透波结构对应所述边框设置。
13.如权利要求11所述的电子设备，其特征在于，当所述介质基板包括所述电子设备的屏幕时，所述屏幕包括屏幕主体及自所述屏幕主体周缘弯曲延伸的延伸部，所述透波结构对应所述屏幕主体设置，或者，所述透波结构对应所述延伸部设置。
14.如权利要求11所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备包括电池盖及保护套，所述保护套覆盖在所述电池盖的表面以对所述电池盖进行保护，所述介质基板包括所述保护套。
15.如权利要求11-14任意一项所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备包括M×N个天线组件构成的射频天线阵列，其中，M为正整数，N为正整数。
16.如权利要求15所述的电子设备，其特征在于，所述M×N个天线组件中的介质基板相互连接为一体结构。
17.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
第一天线模组，所述第一天线模组用于在第一预设方向范围内收发第一频段的第一射频信号；
介质基板，所述介质基板与所述第一天线模组间隔设置，且至少部分所述介质基板位于所述第一预设方向范围内，所述介质基板位于所述第一预设方向范围内的部分对于所述第一频段的第一射频信号具有第一透过率；
第一透波结构，所述第一透波结构承载于所述介质基板，且所述第一透波结构的至少部分位于所述第一预设方向范围内，所述电子设备在所述第一透波结构对应的区域内，对所述第一频段的第一射频信号具有第二透过率，所述第二透过率大于所述第一透过率。
18.如权利要求17所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括：
第二天线模组，所述第二天线模组与所述第一天线模组间隔设置且所述第二天线模组位于所述第一预设方向范围之外，所述第二天线模组用于在第二预设方向范围内收发第二频段的第二射频信号；
所述介质基板还与所述第二天线模组间隔设置，至少部分所述介质基板位于所述第二预设方向范围内，所述介质基板位于所述第二预设方向范围内的部分对于所述第二频段的第二射频信号具有第三透过率；
第二透波结构，所述第二透波结构被承载与所述介质基板，且所述第二透波结构的至少部分位于所述第二预设方向范围内，所述电子设备在所述第二透波结构对应的区域内，对所述第一频段的第二射频信号具有第四透过率，其中，所述第四透过率大于所述第三透过率。
19.如权利要求18所述的电子设备，其特征在于，所述介质基板包括所述电子设备的电池盖时，所述电子设备的电池盖包括背板及自所述背板周缘弯折延伸的边框，其中，所述第一天线模组及所述第二天线模组均对应所述背板设置；或者，所述第一天线模组及所述第二天线模组均对应所述边框设置；或者，所述第一天线模组对应所述背板设置且所述第二天线模组对应所述边框设置。
20.如权利要求18所述的电子设备，其特征在于，当所述介质基板包括所述电子设备的屏幕时，所述屏幕包括屏幕主体和及自所述屏幕主体周缘弯曲延伸的延伸部，其中，所述第一天线模组及所述第二天线模组均对应所述屏幕主体设置；或者，所述第一天线模组及所述第二天线模组均对应所述延伸部设置；或者，所述第一天线模组对应所述屏幕主体设置，所述第二天线模组对应所述延伸部设置。
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