CN111146583A - 天线组件及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种天线组件及电子设备，天线组件包括：天线模组，包括相对设置的辐射部和接地部，接地部朝向辐射部的表面为用于反射射频信号的第一反射面；及天线罩，天线罩设于辐射部背离接地部的一侧，且覆盖辐射部，天线罩包括至少两层介质层，相邻的介质层之间的界面形成用于反射至少部分射频信号的第二反射面，第一反射面、第二反射面及两者之间的部分形成反射组件，反射组件用于使从第二反射面射出的多个射频信号之间的相位差为2Nπ±θ，其中，N为整数，θ≤45°；反射调节结构，至少部分反射结构设于反射组件内，反射调节结构用于调节反射组件对于射频信号的反射率。本申请提供的天线组件及电子设备能够提升天线增益。

Description

天线组件及电子设备

技术领域

本申请涉及电子技术领域，具体涉及一种天线组件及电子设备。

背景技术

第五代移动通信(5G)系统作为移动通信领域的下一个技术和标准发展的阶段，逐渐走入人们视野。近年来，5G技术被注以极高的关注度，并进入实质性研究阶段。而毫米波通信技术是5G通信中的关键技术，能够大幅提升通信速率、减少延时并提升系统容量。然而，将毫米波天线应用于电子设备中还需要面临诸多技术和设计挑战。因此，如何提高毫米波天线的增益，成为需要解决的问题。

发明内容

本申请提供了一种能够提高天线增益的天线组件及电子设备。

第一方面，本申请提供的一种天线组件，包括：

天线模组，包括相对设置的辐射部和接地部，所述辐射部用于朝向背离所述接地部的一侧辐射射频信号，所述接地部朝向所述辐射部的表面为用于反射所述射频信号的第一反射面；

天线罩，所述天线罩设于所述辐射部背离所述接地部的一侧，且覆盖所述辐射部，所述天线罩包括至少两层介质层，相邻的介质层之间的界面形成用于反射至少部分所述射频信号的第二反射面，所述第一反射面、所述第二反射面、及所述第一反射面与所述第二反射面之间的部分形成反射组件，所述反射组件用于使从所述第二反射面射出的多个射频信号之间的相位差为2Nπ±θ，其中，N为整数，θ≤45°；及

反射调节结构，至少部分所述反射调节结构设于所述反射组件内，所述反射调节结构用于调节所述反射组件对于所述射频信号的反射率。

另一方面，本申请提供的一种电子设备，包括所述的天线组件。

本申请提供的天线组件，通过设置天线罩包括至少两层介质层，使至少两层介质层之间的界面、天线模组上的接地部表面及两者之间的部分形成反射组件，反射组件将辐射部辐射的射频信号进行反射并使射出的多个射频信号之间的相位2Nπ±θ，其中，N为整数，θ≤45°，以使从反射组件中射出的多个射频信号之间发生相加叠加，进而使得天线组件的增益增加；通过在反射组件中设置反射调节结构，反射调节结构能够提高射频信号在反射组件中的反射系数，进而增大从天线罩射出的射频信号的方向性系数的最大值，进而进一步地提升天线组件的天线增益。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图2是图1中的电子设备沿X-Z面的剖面图；

图3是图2中的电子设备中的天线组件的结构示意图；

图4是图3中的电子设备中的天线模组的结构示意图；

图5是图3中的电子设备中的天线罩的结构示意图；

图6是图3中的电子设备中的第一种天线罩与天线模组的结构示意图；

图7是图6中反射组件的简易的示意图。

图8是图6中的天线组件的俯视图；

图9是图3中的电子设备中的第二种天线罩与天线模组的结构示意图；

图10是图3中的电子设备中的第一种天线组件的结构示意图；

图11是图3中的电子设备中的第二种天线组件的结构示意图；

图12是图3中的电子设备中的第三种天线组件的结构示意图；

图13是本申请实施例提供的天线组件的反射振幅图；

图14是图13中天线组件的反射相位图；

图15是图13中具有一个正方形的导电贴片的辐射部在自由空间(未设置天线罩)工作在28GHz的增益方向图；

图16是图13中具有一个正方形的导电贴片的辐射部在不具有反射调节结构的天线罩下工作在28GHz的增益方向图；

图17是图13中具有一个正方形的导电贴片的辐射部在具有反射调节结构的天线罩下工作在28GHz的增益方向图；

图18是图13中具有2*2正方形的导电贴片的辐射部在等幅同相激励下(0°方向)且在自由空间内的增益方向图；

图19是图13中具有2*2正方形的导电贴片的辐射部在等幅同相激励下(0°方向)且在不具有反射调节结构的天线罩下的增益方向图；

图20为图13中具有2*2正方形的导电贴片的辐射部在等幅同相激励下(0°方向)且在具有反射调节结构的天线罩下的增益方向图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本申请所列举的实施例之间可以适当的相互结合。

请参照图1，图1为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。电子设备1000可以为电话、电视、平板电脑、手机、照相机、个人计算机、笔记本电脑、车载设备、耳机、手表、可穿戴设备、基站、车载雷达、客户前置设备(Customer Premise Equipment，CPE)等能够收发电磁波信号的设备。以电子设备1000为手机为例，为了便于描述，以电子设备1000处于第一视角为参照进行定义，电子设备1000的宽度方向定义为X向，电子设备1000的长度方向定义为Y向，电子设备1000的厚度方向定义为Z向。箭头所指示的方向为正向。

请参阅图2及图3，电子设备1000包括天线组件100。天线组件100用于收发射频信号，以实现电子设备1000的通讯功能。天线组件100的至少部分器件设于电子设备1000的主板200上。可以理解的，电子设备1000还包括显示屏组件300、电池盖400、中框500、电池、摄像头、麦克风、受话器、扬声器、人脸识别模组、指纹识别模组等等能够实现手机的基本功能的器件，在本实施例中不再赘述。本实施例中，天线组件100的部分与电池盖400相结合。在其他实施方式中，天线组件100的部分还可以与显示屏组件300、中框500相结合。

请参阅图2及图3，天线组件100包括天线罩10及天线模组20。天线罩10设于所述天线模组20的辐射面所在侧。天线模组20的辐射面的朝向与所述天线模组20收发射频信号的方向一致。图2及图3中的椭圆虚线表示射频信号。天线罩10用于增加天线模组20收发的射频信号的增益，以提高电子设备1000收发射频信号的方向性，进而提高电子设备1000与电子设备1000之间或电子设备1000与基站之间的数据传输速率。

天线模组20用于收发预设频段的射频信号。预设频段至少包括毫米波频段、亚毫米波频段、太赫兹波频段等。当然，本实施例提供的射频频段还可以包括2G、3G、4G频段。本实施例以预设频段为毫米波频段为例进行说明，后续不再赘述。相应地，天线模组20为毫米波天线模组，后续不再赘述。

请参阅图4，天线模组20至少包括用于收发毫米波信号的射频收发芯片21、辐射部22及电连接射频收发芯片21的馈电部23。射频收发芯片21设于电子设备1000的主板200上。辐射部22包括一个辐射单元或多个呈阵列排布的辐射单元。多个辐射单元为导电材质。所述介质基板27为绝缘材料。天线模组20还包括介质基板27。辐射部22设于介质基板27上。

所述辐射单元的形状包括但不限于正方形、矩形、圆形、十字形、圆环形、方形环等等。当辐射部22包括多个呈阵列排布的辐射单元时，辐射部22可以用于辐射毫米波波束。当辐射部22包括一个辐射单元时，辐射部22可以辐射低频段射频信号。例如，2G，3G，4G频段的信号。

馈电部23与辐射部22直接电连接或电容耦合，以将射频收发芯片21发射的毫米波信号馈入辐射部22，毫米波信号经辐射部22辐射至电子设备1000外，或者经辐射部22接收毫米波信号。辐射部22可以与射频收发芯片21相互独立地设于主板200上。具体的，辐射部22固定于主板200上且位于射频收发芯片21附近的位置。或者，辐射部22可以封装为一个整体，封装为一个整体的辐射部22可以以整体形式设于主板200上，还可以设于壳体或设于主板200与壳体之间的支架上，以使辐射部22便于安装。进一步地，所述介质基板27可以为柔性材质，以使辐射部22可弯折，便于将辐射部22固定于曲面或异形表面。或者，辐射部22还可以与射频收发芯片21封装在一起并形成模组，以模组形式安装于主板200上。

进一步地，辐射部22的材质为导电材质。具体的材质包括但不限于金属、导电氧化物(氧化铟锡ITO)、碳纳米管、石墨烯等等。

本申请对于辐射部22的天线形式不做具体的限定。辐射部22的天线形式可以为贴片天线、叠层天线、偶极子天线、磁电偶极子天线、准八木天线中的至少一种或者多种的组合。本实施例中以贴片天线为例进行说明，后续不再赘述。

本实施例中以辐射部22设于介质基板27上进行举例说明。可以理解的，辐射部22可以设于介质基板27的上表面或嵌设于介质基板27中。介质基板27可以固定于主板200上、固定于电池盖400上或固定于中框500上。本实施例中，以介质基板27固定于电池盖400上为例进行说明。可以理解的，显示屏组件300所在面为电子设备1000的正面；电池盖400为设于电子设备1000背面的壳体；中框500为设于电子设备1000厚度方向的侧面的壳体。电池盖400可以与中框500一体成型。

请参阅图4，天线模组20还包括接地部24。接地部24可以为一层与电子设备1000的地极电连接的导电层。接地部24嵌设于介质基板27中或设于介质基板27的下表面(以图示4为参考)。

请参阅图4，接地部24与辐射部22相对设置。换言之，接地部24与辐射部22平行或大致平行设置。具体的，接地部24可以设于介质基板27的下表面，辐射部22设于介质基板27的中间层或介质基板27的上表面。所述辐射部22用于朝向背离所述接地部24的一侧收发射频信号。所述接地部24朝向所述辐射部22的表面为用于反射所述射频信号的第一反射面31。

请参阅图4，接地部24在所述辐射部22上的正投影完全覆盖所述辐射部22。辐射部22与接地部24相耦合。射频收发芯片21设于所述接地部24背离所述辐射部22的一侧。换言之，射频收发芯片21可以设于所述接地部24的正下方的主板200上。馈电部23设于主板200上并电连接射频收发芯片21的射频端口。天线模组20还包括过孔25及导电引线26。过孔25贯穿所述接地部24，并从接地部24贯穿至辐射部22的过孔25。导电引线26穿过所述过孔25电连接馈电部23与辐射部22。其中，导电引线26与接地部24相绝缘设置。

当然，本申请并不限于上述的天线模组20的结构，在其他实施方式中，一个辐射部22可以对应两个或两个以上的馈电部23，并分别电连接两个或两个以上的馈电部23。当馈电部23的数量为两个时，可实现两个不同的频段通过不同的馈电部23馈入一个辐射部22，以实现双频双馈。

请参阅图3，天线罩10可以与设于电子设备1000的主板200上的天线模组20相对且相间隔设置。在其他实施方式中，天线罩10的至少部分与设于电子设备1000的主板200上的天线模组20相连接或相融合为一体。

所述天线罩10设于所述辐射部22背离所述接地部24的一侧，且覆盖所述辐射部22，以使辐射部22收发的射频信号能够尽可能多地经天线罩10作用后增加增益。

请参阅图5及图6，所述天线罩10包括至少两层不同材质的介质层。具体的，所述天线罩10包括覆盖层12及填充介质13。覆盖层12与填充介质13之间的界面形成用于反射至少部分所述射频信号的第二反射面32。所述第一反射面31、所述第二反射面32及所述第一反射面31、所述第二反射面32之间的部分形成反射组件30。所述反射组件30用于使从所述第二反射面32射出的多个射频信号之间的相位差为2Nπ±θ，其中，N为整数，θ≤45°。由于覆盖层12及填充介质13为不同的介质，射频信号在经过第二反射面32时，会有部分的射频信号在天第二反射面32上发生反射。

请参阅图6及图7，辐射部22位于第一反射面31与第二反射面32之间。从辐射部22发射的射频信号投射至第二反射面32，一部分射频信号可经第二反射面32射出，另一部分射频信号经第二反射面32反射后射向接地部24的第一反射面31，然后在第一反射面31上发生反射。一般地，将接地部24当作为理想电导体，理想电导体边界是一种无损耗表面，能够100％反射入射波。换言之，射频信号能够在接地部24的第一反射面31上发生全反射。被第一反射面31全反射的射频信号从第二反射面32射出或在反射组件30内继续反射直至射出。

第一反射面31、第二反射面32及两者之间的部分形成反射组件30。如上述的射频信号在反射组件30内的反射机制，所述反射组件30用于反射所述辐射部22所辐射的射频信号，并使从所述第二反射面32射出的多个射频信号之间的相位差为2Nπ±θ，其中，N为整数，θ≤45°。那么从反射组件30中射出的多个射频信号之间发生相加叠加，进而使得反射组件30中射出的多个射频信号的增益增加。

可选的，可使所述多个射频信号之间的相位差为2Nπ。当所述多个射频信号之间的相位差为2Nπ，从反射组件30中射出的多个射频信号之间发生相加叠加效果最好，进而使得反射组件30中射出的多个射频信号的增益最大。

可以理解的，部分射频信号未经过反射组件30的反射直接射出第二反射面32。部分射频信号在反射组件30内经过一次或多次反射后射出第二反射面32，因此，从第二反射面32射出的射频信号为多个射频信号。

请参阅图5，所述天线组件100还包括反射调节结构40。至少部分所述反射调节结构40设于所述反射组件30内。所述反射调节结构40用于增加所述反射组件30对于所述射频信号的反射率，以增大从天线罩10射出的射频信号的方向性系数的最大值，从而进一步地增加天线增益。

可以理解的，本申请中反射调节结构40用于调节所述反射组件30对于所述射频信号的反射率。换言之，本申请中的反射调节结构40能够透过射频信号及反射射频信号。

请参阅图5，所述反射调节结构40包括多个相间隔设置的反射调节单元410。所述反射调节单元410的形状包括颗粒状、块状或片状中的至少一者。本实施例中，所述反射调节单元410为片状。

所述反射调节单元410的材质包括但不限于金属、石墨烯、氧化锡铟等导电材质或介电常数较大的陶瓷材质，以增加反射调节单元410对射频信号的反射率。

本申请中以反射调节单元410为导电贴片为例进行说明。所述反射调节单元410可等效为谐振电感，相邻的反射调节单元410之间的间距可等效为谐振电容，多个反射调节单元410排布形成等效谐振电路。通过设计反射调节单元410的大小及相邻的反射调节单元410之间的间距，以调整谐振电路的谐振频率与射频信号的中心频率的匹配度，进而调整射频信号形成电谐振的效率，调节射频信号透过天线罩10的反射率和相位改变量。

本申请实施例通过调控反射调节单元410的大小及调节相邻的反射调节单元410之间的尺寸，从而增加射频信号在反射组件30中的反射率，进而提高射频信号的增益。

所述反射调节单元410的外径尺寸小于或等于2mm，相邻两个所述反射调节单元410之间的间距范围为0.2～0.8mm。

通过增加射频信号在反射组件30中的反射率，提高射频信号的增益的原理如下。

通常，可采用射频信号的方向性系数表征射频信号的增益，方向性系数越大，增益越高。根据射频信号的方向性系数公式：

其中，D为射频信号的方向性系数，P_T辐射部22的辐射功率，P₀辐射部22输入端接收到的功率，R为射频信号在第二反射面32上的反射系数，

为从第二反射面32射出的射频信号的相位差。

为了使天线组件100射出的射频信号的方向性系数最大，即使天线组件100射出的射频信号的增益最大，根据公式(1)可知，当

的取值为2Nπ时，D可取最大值Dmax。其中，N为整数。Dmax为

由上可知，Dmax的取值与R相关，当R小于1时，Dmax随着R值的增加而增大。通过在反射组件30中设置反射调节结构40，通过调节反射调节单元410的尺寸和间距，使得R增加，进而使得D的最大值的取值增大，进一步增加天线罩10射出天线信号的增益。

本申请提供的天线组件100，通过设置天线罩10包括覆盖层12及填充介质13，使覆盖层12及填充介质13之间的界面与天线模组20上的接地部24表面之间形成反射组件30，反射组件30将辐射部22辐射的射频信号进行反射并使射出的多个射频信号之间的相位2Nπ±θ，其中，N为整数，θ≤45°，以使从反射组件30中射出的多个射频信号之间发生相加叠加，可以增强电磁波(即射频信号)波束的方向性及增益效果，以补偿电磁波在无线传输的损耗，而达到较长的无线传播距离，从而提升天线组件100的整体性能，并可减少常规设计所需的面积与电路复杂度及对应的成本，以提升电子设备1000整体的竞争力；通过在反射组件30中设置反射调节结构40，反射调节结构40能够将提高射频信号在反射组件30中的反射系数，进而增大从天线罩10射出的射频信号的方向性系数的最大值，进而进一步地提升天线组件100的天线增益。

可选的，所述反射调节结构40可以设于所述天线罩10上，也可以设于天线模组上，还可以设于天线罩10与天线模组之间。反射调节结构40设于天线罩10上，以使辐射天线辐射的射频信号在天线罩10上具有一定的反射率，以增加从天线罩10射出的射频信号的方向性系数的最大值，进而增加天线增益。

当天线罩10与天线模组20相间隔设置或相贴合但不连接时，反射调节结构40可以以独立的形式设于天线罩10与天线模组20之间，以便于能够随时调节或更换反射调节结构40，以调节反射组件30对于射频信号的反射率。

可选的，当所述反射调节结构40设于天线罩10上时，所述反射调节结构40可以设于所述覆盖层12的表面或嵌设于所述覆盖层12内；或者，所述反射调节结构40设于所述填充介质13的表面或嵌设于所述填充介质13内；或者，所述反射调节结构40的一部分设于所述覆盖层12中，另一部分设于所述填充介质13中。

可选的，请参阅图6，所述反射调节结构40在所述辐射部22上的正投影完全覆盖所述辐射部22，以使辐射部22所辐射的射频信号皆可以受到反射调节结构40的调节作用。

可选的，请参阅图8，多个所述反射调节单元410排列形成一层或多层结构。每一层的反射调节单元410铺展在X-Y平面上。每一层的反射调节单元410可以周期性排列或非周期性排列。例如，每层中的所述反射调节单元410呈阵列排布。每一层的反射调节单元410可以呈n*m阵列排布，其中，n大于或等于1，m大于或等于1，(n+m)大于或等于2。

当所述反射调节结构40为多层时，相邻层中的至少两个所述反射调节单元410的位置相对应。相邻层中的至少两个所述反射调节单元410的位置相对应，即在天线罩10的厚度方向上，相邻层的上下两个反射调节单元410的正投影至少部分重合。进一步地，相邻层的上下两个反射调节单元410相正对。换言之，相邻层的上下两个反射调节单元410的中心正对。

进一步地，相邻层中的每个反射调节单元410的位置一一对应。

当反射调节单元410为片状时，所述反射调节单元410的结构包括但不限于圆形、方形、菱形、环形、十字形等等。

同一层和相邻层的反射调节单元410的尺寸可以相同或不同。

请参阅图6，反射调节结构40包括分别设置在两侧的第一反射调节结构41和第二反射调节结构42。所述第一反射调节结构41包括多个周期性排列的金属贴片。第一反射调节结构41设于覆盖层12朝向填充介质13的表面。第二反射调节结构42整体上与第一反射调节结构41平行或近似平行。第二反射调节结构42中的金属贴片可以与第一反射调节结构41的金属贴片的形状相同，且第二反射调节结构42的金属贴片的位置与第一反射调节结构41中的金属贴片的位置一一对应。第二反射调节结构42设于填充介质13内，并位于辐射部22与第一反射调节结构41之间。

第一反射调节结构41形成第一层反射调节结构，第二反射调节结构42形成第二层反射调节结构。当然，本申请中包括但不限于两层反射调节结构40。在其他实施方式中，还可以为三层或四层反射调节结构40。通过设置多层反射调节结构40，能够增加天线组件100辐射天线信号的带宽。

对于现有的谐振腔高增益天线而言，天线罩10到接地部24之间的距离在半波长左右。例如，当频率为30GHz时，根据λ＝c/30GHz，可计算得到谐振腔高增益天线的厚度至少为5mm。再例如，当频率为20GHz时，根据λ＝c/20GHz，可计算得到谐振腔高增益天线的厚度至少为7.5mm。随着手机的轻薄化发展，现有的谐振腔高增益天线的厚度限制其直接应用于手机等轻薄化的电子设备1000中，因为手机等轻薄化的电子设备1000的厚度可能为5mm-1cm。所以现有的谐振腔高增益天线无法适用于手机等轻薄化的电子设备1000环境。

本实施例提供的天线组件100及电子设备1000，对天线罩10的结构和厚度进行合理的设计，以使天线组件100适用于安装于手机等轻薄化的电子设备1000中。

请参阅图6，所述覆盖层12完全覆盖所述天线模组20。所述填充介质13设于所述覆盖层12朝向所述辐射部22的一侧。所述覆盖层12和所述填充介质13的厚度及介电常数用于调节从所述第二反射面32射出的多个射频信号之间的相位差。

本实施例中，覆盖层12和填充介质13为不同的材质。当天线组件100应用于电子设备1000中时，覆盖层12可以为电子设备1000的电池盖400、中框500及显示屏组件300，以使天线罩10的部分组件可以与电子设备1000原有的电池盖400、中框500或显示屏组件300相结合，以使天线组件100能够更好地融合于电子设备1000中，使天线组件100在电子设备1000内占据的空间小，促进电子设备1000的小型化。

当所述覆盖层12为所述电池盖400或所述中框500时，所述填充介质13可以为设于所述覆盖层12上的注塑塑胶。具体的，注塑塑胶为覆盖层12上原本就设有的结构，该注塑塑胶用于在电池盖400或中框500上形成不同的分区，以将不同的器件分别设于不同的分区。

将电子设备1000中原有的电池盖400或中框500等结构形成天线罩10的覆盖层12，将电子设备1000中原有的注塑塑胶形成填充介质13，能够增加将天线罩10与电子设备1000的原有结构之间的契合度，实现了电子设备1000原有结构的复用，减少了电子设备1000的总的器件的数量，及节省了电子设备1000内的空间，简化了工艺制程，还节约成本。

本申请实施例以覆盖层12与电池盖400相结合为例进行说明。

本实施例中，覆盖层12和填充介质13的材质皆为绝缘材质。进一步地，覆盖层12的材质包括但不限于塑胶、陶瓷、玻璃等等。填充介质13的材质可以为塑胶。

请参阅图6，覆盖层12完全覆盖天线模组20，填充介质13可以完全覆盖天线模组20的辐射部22。进一步地，填充介质13可以完全覆盖辐射部22及接地部24。

可选的，请参阅图9，填充介质13可以包括多层层叠设置的填充层130。相邻层之间的填充层130之间的材质不同。填充层130以契合电子设备1000的电池盖400上设置多种涂层，例如，底漆，电镀银层、色漆等等，从而提高天线罩10与电子设备1000中的电池盖400的契合度。

相邻的两个所述填充层130之间的界面也可以形成所述第二反射面32。换言之，相邻的填充层130之间的界面可以与第一反射面31形成反射组件30。通过调节多层填充层130的厚度和介电常数，以调节从相邻的填充层130之间的界面从射出的多个射频信号的相位差，如此，可以调节从天线罩10射出的多个射频信号之间的相位差，以使从天线罩10射出的多个射频信号之间的相位差为2Nπ±θ，其中，N为整数，θ≤45°。可以理解的，多个射频信号之间的相位差为多个射频信号中相邻两个射频信号之间的相位差。

请参阅图7，将辐射部22发射的射频信号从第二反射面32上直接射出的射频信号的相位定义为

将辐射部22发射的射频信号经第二反射面32反射及第一反射面31全反射之后射出的射频信号的相位定义为

则

由于将接地部24设为完全导电体，射频信号从接地部24的第一反射面31上全反射之后会产生-π的相位差，因此对于当满足以下条件的时候，天线模组20加载天线罩10的天线达到共振条件：

其中，

为第一反射面31的反射相位差，λ为射频信号在反射组件30中的波长，

请参阅图7，h为第一反射面31与所述第二反射面32之间的距离。其中，(2π/λ)*2h为射频信号从第一反射面31到第二反射面32之间传输两次的相位改变量。

若想要将公式(2)中的

取值为2Nπ，需使得

与(2π/λ)*2h满足以下的条件：

将N取0，-1得到，

取值为±π。换言之，需使得

在实际应用过程中，通过调节反射调节单元410的尺寸和间距，可调节反射调节结构40的等效电路，从而调节谐振电路的谐振频率，以调节谐振电路与射频信号的电谐振的匹配度，进而调节射频信号透过天线罩10的反射率和相位改变量。所以，通过调节反射调节单元410的尺寸和间距，可调节

值。

通过调节覆盖层12的厚度和介电常数，也可以有效地调节

值。通过调节填充层130的厚度和介电常数，可以调节(2π/λ)*2h-π。换言之，通过调节反射调节单元410的尺寸和间距，及调节覆盖层12和填充层130的厚度和介电常数，可以调节

和(2π/λ)*2h-π，从而使

取值为±π，进而使得

的取值为2Nπ。通过对

的取值范围进行扩大，确定

取值为±π±α，其中，α≤45°。

可选的，所述覆盖层12的介电常数范围大于或等于4，所述覆盖层12的厚度为0.2mm～1mm。

可选的，所述填充介质13的介电常数范围为2～6，所述填充介质13的厚度为0.1mm～4mm。

本实施例中，通过调节覆盖层12的厚度和介电常数，及调节填充介质13的厚度和介电常数，通过三维全波电磁场仿真软件可以计算多层介质层反射和透射，在x、y方向上设置周期性边界条件，-z方向即设置open边界条件，z方向设置open(add space)边界条件，根据仿真结果可以确定当所述覆盖层12的介电常数范围大于或等于4，所述覆盖层12的厚度为0.2mm～1mm，及所述填充介质13的介电常数范围为2～6，所述填充介质13的厚度为0.1mm～4mm时，得到

取值为±π±α，其中，α≤45°，进而使得所述多个射频信号之间的相位差为2Nπ±θ，其中，N为整数，θ≤45°。

通过对天线罩10进行合理的厚度设计，以使天线罩10的厚度小于5mm，还可以取值为1mm以下，极大地减小了天线罩10的厚度，使天线组件100适合安装于手机等轻薄化的电子设备1000中。

本实施例提供的天线组件100，一方面通过将天线罩10与手机等电子设备1000原有的结构相结合，另一方面，通过对天线罩10的厚度进行合理的设计，以使天线罩10的厚度完全可以适合安装于电子设备1000中，增加电子设备1000中天线组件100的增益，而又不会增加电子设备1000的厚度。

天线罩10与天线模组20之间的结构包括但不限于以下的举例。

可选的，请参阅图10，所述辐射部22嵌设于所述填充介质13中。所述接地部24贴合于所述填充介质13背离所述覆盖层12的表面或嵌设于所述填充介质13中。

具体的，天线模组20中的介质基板27可以与填充介质13的材质相同，且相互融合成一体结构。换言之，天线模组20的接地部24、辐射部22与天线罩10为一体结构，利于器件的集成化，减小厚度。

可选的，请参阅图11，所述天线模组20的介质基板27具有相背设置的第一表面271和第二表面272。所述第一表面271朝向所述天线罩10。所述辐射部22设于所述第一表面271或设于靠近所述第一表面271的位置。所述接地部24设于所述第二表面272或设于所述辐射部22与所述第二表面272之间。所述第一表面271贴合于所述填充介质13上背离所述覆盖层12的表面。

本实施方式中的天线模组20与天线罩10相互独立设置，天线模组20的第一表面271可以贴合但不连接于或连接于填充介质13上背离所述覆盖层12的表面，一方面便于独立制备天线模组20和天线罩10，以简化工艺难度；另一方面，利于减小天线模组20和天线罩10的整体厚度。

可选的，请参阅图12，所述辐射部22与所述填充介质13间隔设置。

本实施方式中的天线模组20与天线罩10相互独立设置，天线模组20与天线罩10相间隔设置。可选的，所述辐射部22与所述填充介质13之间间隔距离L为0.1mm～1mm。本实施方式可使得天线组件100的频偏减少。

本申请通过以下实施例的仿真结果以说明天线组件100的增益提升。

覆盖层12的材质为玻璃，覆盖层12的介电常数为Dk＝6.86，覆盖层12的介电损耗为Df＝0.03，覆盖层12的厚度为0.55mm。填充介质13的材质为塑胶，填充介质13的介电常数为Dk＝3.5，填充介质13的介电损耗为Df＝0.01，覆盖层12的厚度为3.4mm。辐射部22与填充介质13之间有0.5mm的空气间隙腔。辐射部22具有两种情形，其中一种为一个正方形的导电贴片。另一种为包括2*2个阵列排布的正方形的导电贴片。

请参阅图13及图14，图13及图14是本实施例所提供的天线组件100的反射振幅和反射相位图。可以看到本实施例所提供的天线组件100工作在28GHz的反射相位在180°附近。换言之，

取值为π。可知，本实施例提供的天线罩10射出的多个射频信号之间的相位差为2Nπ，进而实现天线组件100的增益增加。

请参阅图15，图15是本实施例中的天线模组20在自由空间(未设置天线罩10)工作在28GHz的增益方向图。此时，辐射部22包括一个正方形的导电贴片，导电贴片的尺寸为2.65×2.65mm。

请参阅图16，图16是本实施例中的天线组件100(具有天线罩10，天线罩10中没有反射调节结构40)工作在28GHz的增益方向图。此时，辐射部22包括一个正方形的导电贴片，导电贴片的尺寸为2.65×2.65mm。

请参阅图17，图17是本实施例中的天线组件100(具有天线罩10，天线罩10中具有反射调节结构40)工作在28GHz的增益方向图。此时，辐射部22包括一个正方形的导电贴片，导电贴片的尺寸为2.65×2.65mm。

从图15至图17对比可以看到，在设置不具有反射调节结构40的天线罩10之后，峰值增益从5.1dB提升到6.8dB。在设置具有反射调节结构40的天线罩10之后，峰值增益从6.8dB提升到10dB。可以理解的，方向性系数为增益值与总效率之和。图15中天线组件100的辐射总效率为1.8dB，图16中天线组件100的辐射总效率为1.38dB。图17中天线组件100的辐射总效率为3.1dB。所以，在设置不具有反射调节结构40的天线罩10之后，方向性系数从6.9dB提升到8.18dB。在设置具有反射调节结构40的天线罩10之后，方向性系数从8.18dB提升到13.1dB。

从图15和图16对比可以看到，本申请中的天线组件100通过对于天线罩10的介电常数和厚度进行调控，可以提升天线组件100的方向性和增益，从图16和图17对比可以看到，本申请中的天线组件100通过在天线罩10中设置反射调节结构40，可以进一步提升天线组件100的方向性和增益。

请参阅图18至图20，图18是本实施例中具有2*2正方形的导电贴片的辐射部22在等幅同相激励下(0°方向)且在自由空间内的增益方向图。图19是本实施例中具有2*2正方形的导电贴片的辐射部22在等幅同相激励下(0°方向)在不具有反射调节结构40的天线罩10下的增益方向图。图20是本实施例中具有2*2正方形的导电贴片的辐射部22在等幅同相激励下(0°方向)在具有反射调节结构40的天线罩10下的增益方向图。

从图18和图19相比可以看到，相比于自由空间，不包括反射调节结构40的天线罩10形成的天线组件100在0°方向下的增益和方向图都得到了极大的提升。具体的，在0°方向，从自由空间到不包括反射调节结构40的天线罩10的情况下，天线组件100的峰值增益从9.17dB提升到9.58dB，天线组件100的方向性系数从10.8dB提升到11dB。

从图19和图20相比可以看到，相比于不包括反射调节结构40的天线罩10，具有反射调节结构40的天线罩10形成的天线组件100在0°方向下的增益和方向图都得到了极大的提升。具体的，在0°方向，从不包括反射调节结构40的天线罩10到包括反射调节结构40的天线罩10的情况下，天线组件100的峰值增益从9.58dB提升到11.3dB，天线组件100的方向性系数从11dB提升到15.1dB。

以上的实施方式表明，本申请通过对覆盖层12和填充介质13的介电常数和厚度进行设计，可以使得天线组件100辐射的多个射频信号相位差接近2Nπ，进而增加了天线组件100的增益；通过在天线罩10中设置反射调节结构40，能够使得天线组件100的增益和方向性得到进一步的提升；本申请对于天线罩10的厚度和介电常数的调控，无论对于单个辐射单元还是多个阵列排布的辐射单元都能够提升天线增益，换言之，对于天线罩10的厚度和介电常数的调控，既适用于毫米波天线信号也适用于2G、3G、4G天线信号。

以上所述是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (15)

1.一种天线组件，其特征在于，包括：

天线模组，包括相对设置的辐射部和接地部，所述辐射部用于朝向背离所述接地部的一侧辐射射频信号，所述接地部朝向所述辐射部的表面为用于反射所述射频信号的第一反射面；

天线罩，所述天线罩设于所述辐射部背离所述接地部的一侧，且覆盖所述辐射部，所述天线罩包括至少两层不同材质的介质层，相邻的介质层之间的界面形成用于反射至少部分所述射频信号的第二反射面，所述第一反射面、所述第二反射面、及所述第一反射面与所述第二反射面之间的部分形成反射组件，所述反射组件用于使从所述第二反射面射出的多个射频信号之间的相位差为2Nπ±θ，其中，N为整数，θ≤45°；及

反射调节结构，至少部分所述反射调节结构设于所述反射组件内，所述反射调节结构用于调节所述反射组件对于所述射频信号的反射率。

2.如权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述反射调节结构设于所述天线罩上，且所述反射调节结构在所述辐射部上的正投影完全覆盖所述辐射部。

3.如权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述反射调节结构包括多个相间隔设置的反射调节单元，所述反射调节单元的形状包括颗粒状、块状或片状中的至少一者。

4.如权利要求3所述的天线组件，其特征在于，多个所述反射调节单元排列形成一层或多层结构，每层中的所述反射调节单元呈阵列排布；当所述反射调节结构为多层时，相邻层中的至少两个所述反射调节单元的位置相对应。

5.如权利要求4所述的天线组件，其特征在于，所述反射调节单元为片状，所述反射调节单元的外径尺寸小于或等于2mm，相邻两个所述反射调节单元之间的间距范围为0.2～0.8mm。

6.如权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述至少两层介质层包括相贴合的覆盖层及填充介质，所述覆盖层与所述填充介质之间的界面形成所述第二反射面，所述填充介质设于所述覆盖层朝向所述辐射部的一侧，所述覆盖层和所述填充介质的厚度及介电常数用于调节从所述第二反射面射出的多个射频信号之间的相位差。

7.如权利要求6所述的天线组件，其特征在于，所述反射调节结构设于所述覆盖层的表面或嵌设于所述覆盖层内；或者，所述反射调节结构设于所述填充介质的表面或嵌设于所述填充介质内；或者，所述反射调节结构的一部分设于所述覆盖层中，另一部分设于所述填充介质中。

8.如权利要求6所述的天线组件，其特征在于，所述辐射部嵌设于所述填充介质中，所述接地部贴合于所述填充介质背离所述覆盖层的表面或嵌设于所述填充介质中。

9.如权利要求6所述的天线组件，其特征在于，所述天线模组还包括介质基板，所述介质基板具有相背设置的第一表面和第二表面，所述第一表面朝向所述天线罩，所述辐射部设于所述第一表面或设于靠近所述第一表面的位置；所述接地部设于所述第二表面或设于所述辐射部与所述第二表面之间；所述第一表面贴合于所述填充介质上背离所述覆盖层的表面。

10.如权利要求6所述的天线组件，其特征在于，所述辐射部与所述填充介质间隔设置。

11.如权利要求6所述的天线组件，其特征在于，所述覆盖层的介电常数范围大于或等于4，所述覆盖层的厚度为0.2mm～1mm，所述填充介质的介电常数范围为2～6，所述填充介质的厚度为0.1mm～4mm。

12.如权利要求6所述的天线组件，其特征在于，所述填充介质包括多层层叠设置的填充层，相邻的两个所述填充层之间的界面形成所述第二反射面。

13.如权利要求6～12任意一项所述的天线组件，其特征在于，所述覆盖层为电子设备的电池盖或中框，所述填充介质为设于所述覆盖层上的注塑塑胶。

14.如权利要求1～12任意一项所述的天线组件，其特征在于，所述射频信号包括毫米波频段、亚毫米波频段及太赫兹波频段中的至少一者。

15.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1～14任意一项所述的天线组件。

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