CN112216627A - 转移微型元件的方法和元件转移系统 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 46
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 21
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
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- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8312—Aligning
- H01L2224/83121—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
- H01L2224/83132—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors using marks formed outside the semiconductor or solid-state body, i.e. "off-chip"
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/83201—Compression bonding
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
- H01L2224/8382—Diffusion bonding
- H01L2224/8383—Solid-solid interdiffusion
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- H01L2224/83905—Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/838 - H01L2224/83904
- H01L2224/83907—Intermediate bonding, i.e. intermediate bonding step for temporarily bonding the semiconductor or solid-state body, followed by at least a further bonding step
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- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
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Abstract
一种转移微型元件的方法,包括:借由对准辅助机构将可拆卸转移板对准;拾取微型元件并从对准辅助机构拆下可拆卸转移板;移动具有微型元件于其上的可拆卸转移板并组装至接收基板上方的另一个对准辅助机构以形成元件转移组件;将可拆卸转移板上的微型元件与接收基板对准;以及借由另一个对准辅助机构并通过可拆卸转移板将微型元件转移到接收基板上。本发明所提出的转移微型元件的方法可提高转移微型元件的处理量。
Description
技术领域
本发明是关于转移微型元件的方法和元件转移系统。
背景技术
此处的陈述仅提供与本发明有关的背景信息,而不必然地构成现有技术。
转移元件的传统技术包括借由晶圆黏合(wafer bonding)从转移晶圆转移到接收基板。这类实施方式的一种为“直接黏合(direct bonding)”,其涉及单一步骤将元件数组从转移晶圆转移到接收基板,接着移除转移晶圆。另一种的这类实施方式为“间接黏合(indirect bonding)”,其涉及两个黏合/剥离步骤。在间接黏合中,转移头可以从供应基板拾取元件数组,然后将元件数组黏合到接收基板,接着移除转移头。
近年来,许多研究人员和专家尝试克服困难,欲使得元件巨量转移(亦即,转移百万或千万数量级的元件)在商业应用中成为可能的技术。巨量转移技术的困难点中,降低成本、时间效率和良率是其中三个重要议题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,而提出一种改进的转移微型元件的方法和元件转移组件,可提高了转移微型元件的处理量。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。
本发明的一些实施方式公开了一种转移微型元件的方法,包括借由对准辅助机构将可拆卸转移板对准承载基板,承载基板具有微型元件于其上,可拆卸转移板与对准辅助机构可拆卸地组装在一起;借由对准辅助机构使可拆卸转移板接触承载基板上的微型元件;借由可拆卸转移板从承载基板拾取微型元件;从对准辅助机构拆下具有微型元件于其上的可拆卸转移板;移动具有微型元件于其上的可拆卸转移板并组装至接收基板上方的另一个对准辅助机构以形成元件转移组件,其中微型元件面对接收基板;将可拆卸转移板上的微型元件与接收基板对准;以及借由另一个对准辅助机构并通过可拆卸转移板将微型元件转移到接收基板上。
根据本发明的一实施例,转移微型元件的方法更包括将具有微型元件于其上的可拆卸转移板放入转移板储存屉的多个储存槽当中的一个,其中每一个储存槽能够储存可拆卸转移板;将具有至少可拆卸转移板于其内的转移板储存屉移至另一个对准辅助机构附近的位置;以及从转移板储存屉卸下具有微型元件于其上的可拆卸转移板。
根据本发明的一实施例,在从对准辅助机构附近的位置移至另一个对准辅助机构期间,转移板储存屉储存有至少具有微型元件于其上的可拆卸转移板和具有其它微型元件于其上的另一个可拆卸转移板。
根据本发明的一实施例,微型元件和其它微型元件分别发出具有第一波长的光和具有第二波长的光,第一波长和第二波长为不同波长。
根据本发明的一实施例,转移微型元件的方法更包括从承载基板上拾取微型元件后,检查可拆卸转移板。
根据本发明的一实施例,转移微型元件的方法更包括在可拆卸转移板上标记微型元件错置位置或微型元件从缺位置。
根据本发明的一实施例,将具有微型元件于其上的可拆卸转移板从对准辅助机构上拆卸下来之后,检查可拆卸转移板。
根据本发明的一实施例,可拆卸转移板是由熔融石英或玻璃所制成,其上配置有胶层用以夹持微型元件。
根据本发明的一实施例,通过可拆卸转移板所施加的黏着力拾取微型元件。
根据本发明的一实施例,转移微型元件的方法更包括在转移微型元件至接收基板之前减小可拆卸转移板和微型元件之间的黏着力。
根据本发明的一实施例,转移微型元件的方法更包括在转移微型元件至接收基板的期间形成液体于微型元件和接收基板之间,使得至少一个微型元件由液体所产生的毛细力抓住。
根据本发明的一实施例,转移微型元件的方法更包括蒸发液体,使得至少一个微型元件黏附固定并贴附至接收基板。
根据本发明的一实施例,转移微型元件的方法更包括施加外部压力以在蒸发液体期间压紧微型元件和接收基板。
根据本发明的一实施例,转移微型元件的方法更包括降低接收基板的温度以冻住液体。
根据本发明的一实施例,转移微型元件的方法更包括经由安装另一个可拆卸转移板至另一个对准辅助机构以转移另一型微型元件至接收基板,其中另一个可拆卸转移板具有另一型微型元件于其上。
根据本发明的一实施例,可拆卸转移板包括拾取部分和基座部分。拾取部分具有表面,用以拾取微型元件。基座部分连接至拾取部分且在拾取部分的表面的相对侧,其中拾取部分的杨氏系数小于基座部分的杨氏系数。
根据本发明的一实施例,可拆卸转移板包括至少一个凹部于其上,至少一个凹部用以容置在承载基板上的至少一个微型元件,前述至少一个微型元件不会被拾取。
本发明的一些实施方式公开了一种元件转移系统,包括对准辅助机构和可拆卸转移板。对准辅助机构具有第一部分和第二部分,第一部分固定在一处,第二部分至少在一个轴上是可移动的。可拆卸转移板可拆卸地安装在对准辅助机构的第二部分上。可拆卸转移板用以从承载基板上拾取微型元件,或放置微型元件至接收基板。可拆卸转移板包括至少一个凹部于其上,且至少一个凹部用以容置承载基板上的另一个微型元件,前述另一个元件不会被拾取。
根据本发明的一实施例,元件转移系统更包括另一个对准辅助机构和转移板储存屉。另一个对准辅助机构用以可拆卸地安装从对准辅助机构运送来的可拆卸转移板。转移板储存屉用以储存包括可拆卸转移板在内的多个可拆卸转移板,且用以分配多个可拆卸转移板至另一个对准辅助机构。转移板储存屉至少可在对准辅助机构和另一个对准辅助机构之间移动。
根据本发明的一实施例,可拆卸转移板是由熔融石英或玻璃所制成,其上配置有胶层用以夹持微型元件。
根据本发明的一实施例,可拆卸转移板包括拾取部分和基座部分。拾取部分具有表面,用以拾取微型元件。基座部分连接至拾取部分且在拾取部分的表面的相对侧。其中拾取部分的杨氏系数小于基座部分的杨氏系数。
根据本发明的一实施例,元件转移系统更包括另一个对准辅助机构,用以可拆卸地安装从所述对准辅助机构经由输送带输送来的所述可拆卸转移板。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案,根据本发明的转移微型元件的方法和元件转移系统,由于可拆卸转移板相较于对准辅助机构在结构上更小、更轻且更简单,因而提高了转移微型元件的处理量。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合图式,详细说明如下。
附图说明
图1绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的流程示意图。
图2A绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的中间阶段的剖面示意图。
图2B绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的中间阶段的剖面示意图。
图2C绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的中间阶段的剖面示意图。
图2D绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的中间阶段的剖面示意图。
图2E绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的中间阶段中转移板储存屉的示意图。
图2F绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的中间阶段的剖面示意图。
图2G绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的中间阶段中转移板储存屉的示意图。
图2H绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的中间阶段的剖面示意图。
图2I绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的中间阶段的剖面示意图。
图2J绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的中间阶段的剖面示意图。
图3A绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的可选阶段的剖面示意图。
图3B绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的可选阶段的剖面示意图。
图3C绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的可选阶段的剖面示意图。
图4绘示本发明一些实施例中可拆卸转移板的剖面示意图。
图5A绘示本发明的一些实施例中转移微型元件的方法的可选阶段的剖面示意图。
图5B绘示本发明的一些实施例中转移微型元件的方法的可选阶段的剖面示意图。
图6绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的可选阶段的剖面示意图。
图7绘示本发明一些实施例中转移微型元件的方法的可选阶段的剖面示意图。
图8A绘示本发明一些实施例中其中一型的可拆卸转移板的示意图。
图8B绘示本发明一些实施例中其中一型的可拆卸转移板的示意图。
图9绘示本发明一些实施例中描述借由可拆卸转移板拾取微型元件的剖面示意图。
【符号说明】
1000:转移微型元件的方法
110、120、130、140、150、160、170、180、190、200:操作
2000:元件转移组件
2002:虚线箭头(移动、输送、运送)
210、210’、210”:微型元件
210A:红光微型发光二极管
210B:绿光微型发光二极管
210C:蓝光微型发光二极管
220、220’、220”:可拆卸转移板
222:胶层
222A、222B:拾取部分
222A-1、222B-1:表面
222B-2:凹部
224:基座部分
230:承载基板
240、340:对准辅助机构
2402、3402:对准辅助机构的第一部分
2404、3404:对准辅助机构的第二部分
350:接收基板
352:接触垫
400:检查装置
500:液体
600:转移板储存屉
610:储存槽
M1:错置位置
M2:从缺位置
P:外部压力
SP1:间距
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合图式及较佳实施例,对依据本发明提出的转移微型元件的方法和元件转移组件,其具体实施方式、结构、方法、步骤、特征及其功效,详细说明如后。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效,在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明,当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效更加深入且具体的了解,然而所附图式仅是提供参考与说明之用,并非用来对本发明加以限制。
为简化图式,一些现有已知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。并且,除非有其他表示,在不同图式中相同的元件符号可视为相对应的元件。这些图式的绘示是为了清楚表达这些实施方式中各元件之间的连接关系,并非绘示各元件的实际尺寸。
参考图1至图2J。图1绘示本发明一些实施例中转移微型元件210的方法1000的流程示意图。图2A至图2G绘示本发明一些实施例中转移微型元件210的方法1000的中间阶段的(剖面)示意图,其中图2E和图2G更绘示转移板储存屉600的示意图。方法1000从操作110开始,借由对准辅助机构240将可拆卸转移板220对准承载基板230。承载基板230具有微型元件210于其上。可拆卸转移板220与对准辅助机构240可拆卸地组装在一起(参考图2A)。方法1000接着进行操作120,借由对准辅助机构240使可拆卸转移板220接触承载基板230上的微型元件210(参考图2B)。方法1000接着进行操作130,借由可拆卸转移板220从承载基板230拾取微型元件210(参考图2C)。方法1000接着进行操作140,从对准辅助机构240拆下具有微型元件210于其上的可拆卸转移板220(参考图2D)。方法1000接着进行操作150,将具有微型元件210于其上的可拆卸转移板220放入转移板储存屉600的多个储存槽610当中的一个(参考图2E和图2F)。方法1000接着进行操作160,将具有至少可拆卸转移板220于其内的转移板储存屉600移至另一个对准辅助机构340附近的位置(参考图2F)。方法1000接着进行操作170,从转移板储存屉600卸下具有微型元件210于其上的可拆卸转移板220(参考图2F和图2G)。应当注意,操作150、操作160和操作170为可选的操作。在一些实施例中,可以没有操作150、操作160和操作170。在这些实施例中,可以没有图2E、图2F和图2G中的转移板储存屉600。
方法1000接着进行操作180,移动2002具有微型元件210于其上的可拆卸转移板220并组装至接收基板350上方的另一个对准辅助机构340以形成元件转移组件2000,微型元件210面对接收基板350(参考图2F和图2H)。方法1000接着进行操作190,借由另一个对准辅助机构340将可拆卸转移板220上的微型元件210与接收基板350对准,前述另一个对准辅助机构340控制可拆卸转移板220的位置(参考图2H和图2I)。方法1000接着进行操作200,借由另一个对准辅助机构340并通过可拆卸转移板220将微型元件210转移到接收基板350上(参考图2I)。接着,从可拆卸转移板220上释放微型元件210(参考图2J)。在操作180中,由于仅仅具有微型元件210于其上的可拆卸转移板220移动、传送或运送至与接收基板350对准,因而提高了转移微型元件210的处理量。其乃肇因于与相比较下,可拆卸转移板220在结构上更小、更轻且更简单。此外,可以有多个不同的可拆卸转移板,每个可拆卸转移板上都有一种类型的微型元件,这些微型元件准备用于操作180、操作190和操作200,使得在某些实施例中可以省去等待操作110、操作120、操作130和操作140完成的时间,以提高操作的效率和灵活性。
参考图3A至图3C。参考图3A至图3C绘示本发明一些实施例中转移微型元件210的方法1000的可选阶段的剖面示意图。在一些实施例中,从承载基板230上拾取微型元件210后,检查可拆卸转移板220。前述检查可包括在可拆卸转移板220上标记至少一个微型元件210的错置位置M1(参考图3B)或从缺位置M2(参考图3C)以加强质量控制。在一些实施例中,将具有微型元件210于其上的可拆卸转移板220从对准辅助机构240上拆卸下来之后,检查可拆卸转移板220。用于前述检查的检查装置400可以是光学显微镜,但不限于此。应当注意,来自相同承载基板230的微型元件210一般而言是相同类型的(例如,它们都是蓝光微型发光二极管,但不限于此)。其原因在于前面提到的微型元件210来自于相同的磊晶层,此磊晶层成长于生长基板,并接着借由像是雷射剥离(laser lift-off,LLO)的方式来除去生长基板。
参考图4。图4绘示本发明一些实施例中可拆卸转移板220的剖面示意图。在一些实施例中,可拆卸转移板220是由熔融石英(fused silica)或玻璃所制成,其上配置有胶层222用以夹持微型元件210。在一些实施例中,胶层222为紫外(ultraviolet,UV)可固化(curable)胶层或UV解胶(release)胶层,但不以此为限。在通过UV光照射胶层222之后,可减小由胶层222施加到微型元件210上的黏着力。因此,在上述实施例中,微型元件210可以通过可拆卸转移板220所施加的黏着力而被拾取,接着,在微型元件210转移至接收基板350之前减小可拆卸转移板220和微型元件210之间的黏着力。
参考图5A和图5B。图5A和图5B绘示根据本发明的一些实施例中转移微型元件210的方法1000的可选阶段的剖面示意图。在一些实施例中,于转移微型元件210至接收基板350期间,液体500形成在微型元件210和接收基板350之间,使得当微型元件210放置并接近接触垫352时,微型元件210和在接收基板350上的接触垫352分别由液体500相对两面所产生的的毛细力抓在一起。液体500可以形成在接触垫352面对微型元件210的表面上,或形成在微型元件210面对接触垫352的表面上。液体500亦可形成在微型元件210的前述表面上且亦形成在接触垫352的前述表面上。在一些实施例中,毛细力大于黏着力被减少前的力值。在一些实施例中,毛细力大于黏着力被减少后的力值。在一些实施例中,降低接收基板350的温度,使得在微型元件210从可拆卸转移板220释放前冻住液体500。详细而言,冻住的液体500提供力以抓住微型元件210,微型元件210接着从可拆卸转移板220释放。在一些实施例中,冻住的液体500所提供的力大于黏着力被减少前的力值。在一些实施例中,冻住的液体500所提供的力大于黏着力被减少后的力值。
在微型元件210和接触垫352由毛细力抓在一起后,蒸发液体500,使得至少一个微型元件210黏附固定并贴附至接收基板350的接触垫352(往回参考图2I)。在一些实施例中,将微型元件210贴附至接触垫352的贴附力大于黏着力被减少前的力值。在一些实施例中,将微型元件210贴附至接触垫352的贴附力大于黏着力被减少后的力值。
参考图6。图6绘示本发明一些实施例中转移微型元件210的方法1000的可选阶段的剖面示意图。在一些实施例中,施加外部压力P以在蒸发液体500期间压紧微型元件210和接收基板350,从而更进一步帮助微型元件210与接触垫352接触,使得它们之间可以产生更好的固相黏合。外部压力P可以由元件转移组件2000的另一个对准辅助机构340施加至微型元件210,或改变环境压力以压紧微型元件210和接触垫352,但不以此为限。
参考图7。图7绘示本发明一些实施例中转移微型元件210的方法1000的可选阶段的剖面示意图。在一些实施例中,经由安装另一个可拆卸转移板220’至另一个对准辅助机构340以转移另一型微型元件210’至接收基板350,其中另一个可拆卸转移板220’具有另一型微型元件210’于其上。因此,在转移不同型的微型元件210和210’至接收基板350的接触垫352的操作中,仅需将另一个对准辅助机构340移动实质上相等于侧向方向(例如,y轴方向)排列的子像素的一个间距SP1的距离,从而节省移动另一个对准辅助机构340和将另一个对准辅助机构340对准接收基板350的时间。
参考图7至图9。图8A绘示本发明一些实施例中其中一型的可拆卸转移板220的示意图。图8B绘示本发明一些实施例中其中一型的可拆卸转移板220的示意图。图9绘示本发明一些实施例中描述借由可拆卸转移板220拾取微型元件210的剖面示意图。在一些实施例中,可拆卸转移板220包括拾取部分222A(或拾取部分222B)和基座部分224。拾取部分222A(222B)具有表面222A-1(或表面222B-1),用以拾取微型元件210。基座部分224连接至拾取部分222A(222B),且位于拾取部分222A(222B)的表面222A-1(222B-1)的相对侧。在一些实施例中,拾取部分222A(222B)的杨氏系数(Young’s module)小于基座部分224的杨氏系数。因此,由于当可拆卸转移板220接触微型元件210时拾取部分222A(222B)产生形变,微型元件210与可拆卸转移板220齐平。以这种方式,每个将要被拾取的微型元件210可与可拆卸转移板220接触,以维持存在施加在每个要被拾取的微型元件210上的夹持力。换句话说,当可拆卸转移板220接触微型元件210时,可减少可拆卸转移板220和每个将要被拾取的微型元件210之间的间隙的总体积或总数目。因此,这使得可拆卸转移板220避免了拾取微型元件210时失败,增加了拾取的成功率。此外,前述关于杨氏系数的条件避免了当微型元件210由可拆卸转移板220的拾取部分222A(222B)拾取时损坏微型元件210。图8A所描述的实施例和图8B所描述的实施例的不同点在于可拆卸转移板220的拾取部分222A(222B)的几何结构。如图8A所示的拾取部分222A包括多个隔离且岛状的部分,每一个部分皆具有表面222A-1,用以拾取微型元件210。当经由表面222A-1拾取微型元件210时,不打算由拾取部分222A拾取的元件或部件可容纳于没有拾取部分222A的位置,该容纳位置直接面对基座部分224。如图8B所示的拾取部分222B包括至少一个凹部222B-2,用以容置不打算由拾取部分222B拾取的元件或部件。在一些实施例中,凹部222B-2用以容置在承载基板230上不打算被拾取的至少一个微型元件210(参考图9)。凹部222B-2亦可用来容置原已存在于接收基板350上的物体。前述容置的功能亦可应用于图8A所描述的实施例。拾取部分222B上存在连续的表面222B-1,用于拾取微型元件210。在一些实施例中,凹部222B-2完全由拾取部分222B相对(反)于基座部分224的连续的表面222B-1所包围。在一些实施例中,如图4所描述的胶层222可形成在拾取部分222A(222B)的表面222A-1(222B-1)上(未显示于图8A和图8B)。简而言之,借由图8A和图8B所描述的可拆卸转移板220,可以选择性地拾取微型元件210。
参考图2A至图2J和图7。本发明上述实施例可以借由元件转移组件2000来执行,其结构特征描述如下。元件转移系统S(可参考图2F)包括对准辅助机构240、可拆卸转移板220、另一个对准辅助机构340和转移板储存屉600。转移板储存屉600用以储存多个可拆卸转移板220、220’、220”...,且用以帮助分配多个可拆卸转移板220、220’、220”至另一个对准辅助机构340。转移板储存屉600至少可在对准辅助机构240和另一个对准辅助机构340之间移动(例如,经由运送轨道移动,但不以此为限)。在一些实施例中,元件转移组件2000包括对准辅助机构240和可拆卸转移板220。对准辅助机构240具有第一部分2402和第二部分2404。第一部分2402固定在一处,第二部分2404至少在一个轴上是可移动的。详细而言,对准辅助机构240可以设置在生产在线。在一些实施例中,第一部分2402可以固定在生产在线的一处,但不以此为限。如图所示,第二部分2404至少在z轴上具有自由度。第二部分2404在x轴和y轴上可具有自由度并用以对准。可拆卸转移板220能够可拆卸地安装在对准辅助机构240的第二部分2404上。可拆卸转移板220用以借由对准辅助机构240从承载基板230上拾取微型元件210,或借由另一个对准辅助机构340放置微型元件210至接收基板350。前述另一个对准辅助机构340用以可拆卸地安装从对准辅助机构240运送来的可拆卸转移板220。在一些实施例中,可拆卸转移板220包括至少一个凹部222B-2于其上,凹部222B-2用以容置承载基板230上的另一个不会被拾取的微型元件。在一些实施例中,一些对准标记设置在可拆卸转移板220上以协助如上述操作时的对准。
在一些实施例中,元件转移组件2000更包括另一个对准辅助机构340,用以可拆卸地安装可拆卸转移板220于其上。另一个对准辅助机构340具有第一部分3402和第二部分3404。第一部分3402固定在一处,第二部分3404至少在一个轴上是可移动的,其类似于对准辅助机构240,细节不再重复。借由以上配置,对准辅助机构240和另一个对准辅助机构340可以如前述实质上固定在一处,只有(结构更小、更轻、更简单的)可拆卸转移板220从对准辅助机构240移动2002或运送2002至另一个对准辅助机构340,如图2F的虚线箭头2002所示。因此,处理量可提高。除此之外,由于携带不同型的微型元件(例如,不同波长的微型发光二极管,但不以此为限)的不同的可拆卸转移板(例如,可拆卸转移板220和可拆卸转移板220’)可以依次组装在另一个对准辅助机构340上,另一个对准辅助机构340在转移不同型的微型元件至接收基板350的接触垫352的操作中只需移动子像素的一个间距SP1,从而节省移动和对准另一个对准辅助机构340至接收基板350的时间。
上述好处可由具有多个储存槽610于其内的转移板储存屉600(参考图2E至图2H)来具体地执行。每一个储存槽610接能够储存可拆卸转移板220、220’、220”...。在一些实施例中,在从对准辅助机构240附近的位置移至另一个对准辅助机构340期间,转移板储存屉600储存有至少具有微型元件210于其上的可拆卸转移板220和具有其它微型元件210’于其上的另一个转移板220’。在一些实施例中,微型元件210(例如,红光微型发光二极管210A,但不以此为限)和前述其它微型元件210’(例如,绿光微型发光二极管210B,但不以此为限)分别发出具有第一波长(红光波长)的光和具有第二波长(绿光波长)的光,且第一波长和第二波长为不同波长。
详细而言,图2E示例已经分别储存在转移板储存屉600的四个不同储存槽610的四个转移板220’、220”。其中一个转移板220’具有微型元件210’(例如,绿光微型发光二极管210B,但不以此为限)于其上,其中一个转移板220”具有微型元件210”(例如,蓝光微型发光二极管210C,但不以此为限)于其上。具有微型元件210(例如,红光微型发光二极管210A,但不以此为限)于其上的一个转移板220准备放入转移板储存屉600的其中一个储存槽610。图2G示例从转移板储存屉600卸下具有微型元件210”于其上的其中一个可拆卸转移板220”。因此,借由转移板储存屉600,具有不同微型元件210、210’、210”...于其上的不同的转移板220、220’、220”...可相继组装至前述另一个对准辅助机构340上,而前述另一个对准辅助机构340的位置仅需在上述操作期间微调即可。
应当注意,在上述实施例中,可拆卸转移板(例如,可拆卸转移板220、220’...等等)的数量可以不同于对准辅助机构(对准辅助机构240、340)的数量。举例而言,当有三种或更多型的微型元件(例如,红光微型发光二极管、绿光微型发光二极管和蓝光微型发光二极管...等等)时,元件转移组件2000可包括有相对应的三个或更多可拆卸转移板,从而增加转移微型元件的处理量。进一步说,在一些实施例中可省略等待操作110、120、130和140完成的时间,以提高操作的效率和灵活性。
综上所述,本发明的实施例提供转移微型元件的方法和元件转移系统,其仅由较小、较轻且结构较简单的可拆卸转移板从承载基板移至接收基板,因此增加了转移微型元件的处理量并减少对准所需的时间。
在另一些可替换的实施例中,上述节省移动和对准另一个对准辅助机构340至接收基板350的时间的好处可以由例如输送带的方式在生产在线输送2002可拆卸转移板220、220’...。如先前已提过的,这些实施例中并没有操作150、操作160和操作170,且不使用转移板储存屉600。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (22)
1.一种转移微型元件的方法,其特征在于,包括:
借由对准辅助机构将可拆卸转移板对准承载基板,所述承载基板具有微型元件于其上,所述可拆卸转移板与所述对准辅助机构可拆卸地组装在一起;
借由所述对准辅助机构使所述可拆卸转移板接触所述承载基板上的所述微型元件;
借由所述可拆卸转移板从所述承载基板拾取所述微型元件;
从所述对准辅助机构拆下具有所述微型元件于其上的所述可拆卸转移板;
移动具有所述微型元件于其上的所述可拆卸转移板并组装至接收基板上方的另一个对准辅助机构以形成元件转移组件,其中所述微型元件面对所述接收基板;
将所述可拆卸转移板上的所述微型元件与所述接收基板对准;以及
借由所述另一个对准辅助机构并通过所述可拆卸转移板将所述微型元件转移到所述接收基板上。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,更包括:
将具有所述微型元件于其上的所述可拆卸转移板放入转移板储存屉的多个储存槽当中的一个,其中每一个所述储存槽能够储存所述可拆卸转移板;
将具有至少所述可拆卸转移板于其内的所述转移板储存屉移至所述另一个对准辅助机构附近的位置;以及
从所述转移板储存屉卸下具有所述微型元件于其上的所述可拆卸转移板。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,在从所述对准辅助机构附近的位置移至所述另一个对准辅助机构期间,所述转移板储存屉储存有至少所述具有所述微型元件于其上的所述可拆卸转移板和具有其它微型元件于其上的另一个可拆卸转移板。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述微型元件和所述其它微型元件分别发出具有第一波长的光和具有第二波长的光,所述第一波长和所述第二波长为不同波长。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,更包括:
从所述承载基板上拾取所述微型元件后,检查所述可拆卸转移板。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,更包括:
在所述可拆卸转移板上标记微型元件错置位置或微型元件从缺位置。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,将具有所述微型元件于其上的所述可拆卸转移板从所述对准辅助机构上拆卸下来之后,检查所述可拆卸转移板。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述可拆卸转移板是由熔融石英或玻璃所制成,其上配置有胶层用以夹持所述微型元件。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,通过所述可拆卸转移板所施加的黏着力拾取微型元件。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,更包括:
在转移所述微型元件至所述接收基板之前减小所述可拆卸转移板和所述微型元件之间的所述黏着力。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,更包括:
在转移所述微型元件至所述接收基板的期间形成液体于所述微型元件和所述接收基板之间,使得至少一个所述微型元件由所述液体所产生的毛细力抓住。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,更包括:
蒸发所述液体,使得至少一个所述微型元件黏附固定并贴附至所述接收基板。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,更包括:
施加外部压力以在蒸发所述液体期间压紧所述微型元件和所述接收基板。
14.如权利要求11所述的方法,其特征在于,更包括:
降低所述接收基板的温度以冻住所述液体。
15.如权利要求1所述的方法,其特征在于,更包括:
经由安装另一个可拆卸转移板至所述另一个对准辅助机构以转移另一型微型元件至所述接收基板,其中所述另一个可拆卸转移板具有所述另一型微型元件于其上。
16.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述可拆卸转移板包括:
拾取部分,具有表面,所述表面用以拾取所述微型元件;以及
基座部分,连接至所述拾取部分且在所述拾取部分的所述表面的相对侧,其中所述拾取部分的杨氏系数小于所述基座部分的杨氏系数。
17.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述可拆卸转移板包括至少一个凹部于其上,所述至少一个凹部用以容置在所述承载基板上的至少一个微型元件,所述至少一个微型元件不会被拾取。
18.一种元件转移系统,其特征在于,包括:
对准辅助机构,具有第一部分和第二部分,所述第一部分固定在一处,所述第二部分至少在一个轴上是可移动的;以及
可拆卸转移板,可拆卸地安装在所述对准辅助机构的所述第二部分上,且用以从承载基板上拾取微型元件,或放置所述微型元件至接收基板,其中所述可拆卸转移板包括至少一个凹部于其上,且所述至少一个凹部用以容置所述承载基板上的另一个微型元件,所述另一个元件不会被拾取。
19.如权利要求18所述的元件转移系统,其特征在于,更包括:
另一个对准辅助机构,用以可拆卸地安装从所述对准辅助机构运送来的所述可拆卸转移板;以及
转移板储存屉,用以储存包括所述可拆卸转移板在内的多个可拆卸转移板,且用以分配所述多个可拆卸转移板至所述另一个对准辅助机构,其中所述转移板储存屉至少可在所述对准辅助机构和所述另一个对准辅助机构之间移动。
20.如权利要求18所述的元件转移系统,其特征在于,所述可拆卸转移板是由熔融石英或玻璃所制成,其上配置有胶层用以夹持所述微型元件。
21.如权利要求18所述的元件转移系统,其特征在于,所述可拆卸转移板包括:
拾取部分,具有表面,所述表面用以拾取所述微型元件;以及
基座部分,连接至所述拾取部分且在所述拾取部分的所述表面的相对侧,其中所述拾取部分的杨氏系数小于所述基座部分的杨氏系数。
22.如权利要求18所述的元件转移系统,其特征在于,更包括:
另一个对准辅助机构,用以可拆卸地安装从所述对准辅助机构经由输送带输送来的所述可拆卸转移板。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/507,056 US10756053B1 (en) | 2019-07-10 | 2019-07-10 | Method of transferring micro devices and device transfer assembly |
US16/507,056 | 2019-07-10 | ||
US16/708,374 US10910239B1 (en) | 2019-07-10 | 2019-12-09 | Method of transferring micro devices and device transfer system |
US16/708,374 | 2019-12-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112216627A true CN112216627A (zh) | 2021-01-12 |
CN112216627B CN112216627B (zh) | 2023-10-20 |
Family
ID=74058587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010066351.8A Active CN112216627B (zh) | 2019-07-10 | 2020-01-20 | 转移微型元件的方法和元件转移系统 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10910239B1 (zh) |
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