CN112201646A - 一种led芯片测试驱动电路、制作方法及芯片测试方法 - Google Patents
一种led芯片测试驱动电路、制作方法及芯片测试方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112201646A CN112201646A CN202011041118.0A CN202011041118A CN112201646A CN 112201646 A CN112201646 A CN 112201646A CN 202011041118 A CN202011041118 A CN 202011041118A CN 112201646 A CN112201646 A CN 112201646A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- led chip
- led
- driving circuit
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000010998 test method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 58
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 19
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明涉及一种LED芯片测试驱动电路、制作方法及芯片测试方法。LED芯片测试驱动电路包括若干P电极层、若干N电极层、若干P电极电路及若干N电极电路,用于将LED芯片阵列中同列芯片的P电极电连接并引出统一接线端以及同行LED芯片的N电极电连接并引出统一接线端。本发明通过在完成LED芯片制作的LED晶圆上直接制作LED芯片测试驱动电路,可通过外接无源选址驱动扫描电信号、以无源选址驱动模式快速逐点测试LED晶圆上的LED芯片,不需要点测机,可节约巨额的设备投资,极大的降低芯片测试成本,同时大幅度提高芯片测试能力、芯片测试速度,进而可大幅度降低芯片生产成本、提高芯片生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片技术领域,特别是一种LED芯片测试驱动电路、制作方法及芯片测试方法。
背景技术
目前,现有技术中LED芯片测试主要采用探针台,将钨质探针压在芯片的电极上,完成探针与芯片的电气连接,加电进行光电性能测试。目前一张4寸LED晶圆上的芯片根据芯片尺寸的不同,芯片数量在几百至几十万粒不等,每个芯片都需要加电测量光、电参数,当前LED芯片测试采用的探针机械运动物理接触芯片电极测试方法,主流探针测试设备的测试能力为10万粒芯片/台机/小时,测试效率低,每台设备价格约在30万元人民币,一般每个芯片厂需购置几百到几千台点测机设备,芯片测试设备成本高,导致LED芯片生产效率低、生产成本高。
发明内容
本发明的主要目的是克服现有技术的缺点,提供一种可极大的提升芯片测试效率、降低芯片测试成本,进而大幅度降低芯片生产成本、提高芯片生产效率的LED芯片测试驱动电路、制作方法及芯片测试方法。
本发明采用如下技术方案:
一种LED芯片测试驱动电路,设置于LED晶圆上,LED晶圆上分布有制作完成的LED芯片阵列,LED芯片测试电路包括若干P电极层、若干N电极层、若干P电极电路及若干N电极电路,P电极层复合于各LED芯片的P电极上并与P电极电连接,N电极层复合于各LED芯片的N电极上并与N电极电连接,P电极电路与LED芯片阵列中同一列的LED芯片对应的若干P电极层电连接、用于将整列LED芯片的P电极电连接并引出统一接线端,N电极电路与LED芯片阵列中同一行的LED芯片对应的若干N电极层电连接、用于将整行LED芯片的N电极电连接并引出统一接线端,P电极电路与N电极电路之间绝缘设置。
进一步地,所述P电极层与P电极电路一体成型,N电极层与N电极电路一体成型。
进一步地,所述P电极电路与N电极电路之间通过设置绝缘层或形成一定间隙绝缘设置。
一种LED芯片测试驱动电路制作方法,依次包括以下步骤:
①在完成LED芯片制作的LED晶圆上通过涂覆感光胶、曝光、显影工艺,显影出LED芯片的P电极和P电极电路区域;
②在步骤①得到的产品表面镀膜第一金属层,并去除显影区域以外部分的第一金属层;
③去除步骤②得到的产品上的感光胶;
④在步骤③得到的产品表面通过涂覆感光胶、曝光、显影工艺,显影出LED芯片的N电极和N电极电路区域;
⑤在步骤④得到的产品表面镀膜第二金属层,并去除显影区域以外部分的第二金属层;即完成LED芯片测试驱动电路的制作。
进一步地,所述步骤①中,先在完成LED芯片制作的LED晶圆上涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片P电极对应区域曝光,然后显影露出LED芯片P电极;再次涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片P电极对应区域和P电极电路区域曝光,然后显影露出LED芯片P电极和P电极电路区域。
进一步地,所述步骤④中,先在步骤③得到的产品表面涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片N电极对应区域曝光,然后显影露出LED芯片N电极;然后再次涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片N电极对应区域和N电极电路区域曝光,然后显影露出LED芯片N电极和N电极电路区域。
进一步地,所述镀膜第一金属层、镀膜第二金属层采用蒸镀镀膜或溅射镀膜工艺。
进一步地,所述步骤③中,通过将步骤②得到的产品置入去胶剂中去除感光胶。
进一步地,对于P电极、N电极位于同侧的LED芯片,在步骤⑤工艺前,在步骤④得到的产品的P电极电路与N电极电路交叉处设置绝缘隔层。
一种LED芯片测试方法,包括有如下步骤:
a.在完成LED芯片制作的LED晶圆上通过上述的LED芯片测试驱动电路制作方法制作LED芯片测试驱动电路;
b.通过LED芯片测试驱动电路外接无源选址驱动扫描电信号、以无源选址驱动模式逐点测试LED晶圆上的待测试LED芯片,即将LED芯片阵列中每一列的LED芯片的P电极通过统一接线端连接到列扫描线,将LED芯片阵列中每一行的LED芯片的N电极通过统一接线端连接到行扫描线,一列扫描线、一行扫描线同时选通,对应LED芯片阵列中一LED芯片的光、电性能测试,逐点扫描即可实现LED芯片阵列中所有LED芯片的测试;
c.测试完成后,将LED芯片测试驱动电路从LED晶圆上去除。
由上述对本发明的描述可知,与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明通过在完成LED芯片制作的LED晶圆上直接制作LED芯片测试驱动电路,可通过外接无源选址驱动扫描电信号、以无源选址驱动模式快速逐点测试LED晶圆上的LED芯片,不采用机械探针接触芯片电极,不需要点测机,可以节约巨额的点测机设备投资,根据芯片尺寸不同,芯片点测成本每个晶圆下降为5-30元不等,同时,芯片测试能力可达到几十万粒芯片/分钟,芯片测试速度可达到当前点测机设备的百倍以上,可极大的提升芯片测试效率、降低芯片测试成本,进而大幅度降低芯片生产成本、提高芯片生产效率。
附图说明
图1是本发明实施例1的LED晶圆及LED芯片测试驱动电路的俯视结构示意图;
图2是本发明实施例2的LED晶圆及LED芯片测试驱动电路的俯视结构透视图。
图中:1.LED晶圆,2.P电极层,3.N电极层,4.P电极电路,5.N电极电路,6.LED芯片。
具体实施方式
以下通过具体实施方式对本发明作进一步的描述。
实施例1
参照图1,本发明的一种LED芯片测试驱动电路,设置于LED晶圆1上,LED晶圆1上分布有制作完成的正装结构的LED芯片阵列,LED芯片测试电路包括若干P电极层2、若干N电极层3、若干P电极电路4及若干N电极电路5,P电极层2复合于各LED芯片6的P电极上并与P电极电连接,N电极层3复合于各LED芯片6的N电极上并与N电极电连接,P电极电路4与LED芯片阵列中同一列的LED芯片6对应的若干P电极层2电连接、用于将整列LED芯片6的P电极电连接并引出统一接线端,N电极电路5与LED芯片阵列中同一行的LED芯片6对应的若干N电极层3电连接、用于将整行LED芯片6的N电极电连接并引出统一接线端,P电极电路4与N电极电路5之间通过设置绝缘层绝缘设置。P电极层2与P电极电路4一体成型,N电极层3与N电极电路5一体成型。
本发明的一种LED芯片测试驱动电路制作方法,依次包括以下步骤:
①先在完成LED芯片6制作的LED晶圆1上涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片6的P电极对应区域曝光,然后显影露出LED芯片P电极;
再次涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片6的P电极对应区域和P电极电路4区域曝光,然后显影露出LED芯片P电极和P电极电路4区域;
②在步骤①得到的产品表面采用蒸镀镀膜工艺镀膜第一金属层,并去除显影区域以外部分的第一金属层,剩余一体成型的P电极层2和P电极电路4;
③将步骤②得到的产品置入去胶剂中去除感光胶;
④先在步骤③得到的产品表面涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片6的N电极对应区域曝光,然后显影露出LED芯片N电极;
然后再次涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片6的N电极对应区域和N电极电路5区域曝光,然后显影露出LED芯片N电极和N电极电路区域;
⑤先在步骤④得到的产品的P电极电路4与N电极电路5交叉处设置绝缘隔层,绝缘隔层可通过模具镀设于P电极电路4表面;然后在步骤④得到的产品表面采用蒸镀镀膜工艺镀膜第二金属层,并去除显影区域以外部分的第二金属层,剩余一体成型的N电极层3和N电极电路5;即完成LED芯片测试驱动电路的制作。
其中,第一金属层、第二金属层可采用铜或铝。感光胶、去胶剂及曝光、显影工艺均采用本领域现有技术中任意可实现对应效果的实施方案。
本发明的一种LED芯片测试方法,包括有如下步骤:
a.在完成LED芯片制作的LED晶圆上通过上述的LED芯片测试驱动电路制作方法制作LED芯片测试驱动电路;
b.通过LED芯片测试驱动电路外接无源选址驱动扫描电信号、以无源选址驱动模式逐点测试LED晶圆上的待测试LED芯片6,即将LED芯片阵列中每一列的LED芯片6的P电极通过统一接线端连接到列扫描线,将LED芯片阵列中每一行的LED芯片6的N电极通过统一接线端连接到行扫描线,当某一特定的第Y列扫描线和第X行扫描线被选通时,LED阵列中与其交叉点(X,Y)对应的LED像素即会被点亮,即实现对该LED芯片6的光、电性能测试,以此方式进行高速逐点扫描即可实现LED芯片阵列中所有LED芯片6的测试;
c.测试完成后,将LED芯片测试驱动电路从LED晶圆1上去除。
本发明的LED芯片测试方法,芯片测试能力可达几十万粒芯片/分钟,根据芯片尺寸不同,芯片点测成本每个LED晶圆下降5-30元不等。
实施例2
参照图2,本实施例与实施例1的区别在于:
本实施例的一种LED芯片测试驱动电路,设置于LED晶圆1上,LED晶圆1上分布有制作完成的垂直结构的LED芯片阵列。在LED晶圆1上首先制作P电极电路4,然后将LED晶圆衬底剥离,再在剥离衬底后的LED晶圆1上制作N电极电路5,P电极电路4和N电极电路5分别设置于剥离衬底后的LED晶圆1的正、反两面。P电极电路4与N电极电路5之间形成一定间隙实现绝缘。
本实施例的一种LED芯片测试驱动电路制作方法,依次包括以下步骤:
①先在完成LED芯片6制作的LED晶圆1上涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片6的P电极对应区域曝光,然后显影露出LED芯片P电极;
再次涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片6的P电极对应区域和P电极电路4区域曝光,然后显影露出LED芯片P电极和P电极电路4区域;
②在步骤①得到的产品表面采用蒸镀镀膜工艺镀膜第一金属层,并去除显影区域以外部分的第一金属层,剩余一体成型的P电极层2和P电极电路4;
③将步骤②得到的产品置入去胶剂中去除感光胶;然后利用激光剥离技术剥离LED晶圆1的衬底;
④先在步骤③得到的产品的远离P电极层2和P电极电路4面的表面涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片6的N电极对应区域曝光,然后显影露出LED芯片N电极;
然后再次涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片6的N电极对应区域和N电极电路5区域曝光,然后显影露出LED芯片N电极和N电极电路区域;
⑤在步骤④得到的产品表面采用蒸镀镀膜工艺镀膜第二金属层,并去除显影区域以外部分的第二金属层,剩余一体成型的N电极层3和N电极电路5;即完成LED芯片测试驱动电路的制作。
实施例3
本实施例与实施例1的区别在于:本实施例的一种LED芯片测试驱动电路制作方法中,镀膜第一金属层、镀膜第二金属层采用溅射镀膜工艺。
上述仅为本发明的三个具体实施方式,但本发明的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动,均应属于侵犯本发明保护范围的行为。
Claims (10)
1.一种LED芯片测试驱动电路,其特征在于:设置于LED晶圆上,LED晶圆上分布有制作完成的LED芯片阵列,LED芯片测试电路包括若干P电极层、若干N电极层、若干P电极电路及若干N电极电路,P电极层复合于各LED芯片的P电极上并与P电极电连接,N电极层复合于各LED芯片的N电极上并与N电极电连接,P电极电路与LED芯片阵列中同一列的LED芯片对应的若干P电极层电连接、用于将整列LED芯片的P电极电连接并引出统一接线端,N电极电路与LED芯片阵列中同一行的LED芯片对应的若干N电极层电连接、用于将整行LED芯片的N电极电连接并引出统一接线端,P电极电路与N电极电路之间绝缘设置。
2.如权利要求1所述的一种LED芯片测试驱动电路,其特征在于:所述P电极层与P电极电路一体成型,N电极层与N电极电路一体成型。
3.如权利要求1所述的一种LED芯片测试驱动电路,其特征在于:所述P电极电路与N电极电路之间通过设置绝缘层或形成一定间隙绝缘设置。
4.一种LED芯片测试驱动电路制作方法,其特征在于:依次包括以下步骤:
①在完成LED芯片制作的LED晶圆上通过涂覆感光胶、曝光、显影工艺,显影出LED芯片的P电极和P电极电路区域;
②在步骤①得到的产品表面镀膜第一金属层,并去除显影区域以外部分的第一金属层;
③去除步骤②得到的产品上的感光胶;
④在步骤③得到的产品表面通过涂覆感光胶、曝光、显影工艺,显影出LED芯片的N电极和N电极电路区域;
⑤在步骤④得到的产品表面镀膜第二金属层,并去除显影区域以外部分的第二金属层;即完成LED芯片测试驱动电路的制作。
5.如权利要求4所述的一种LED芯片测试驱动电路制作方法,其特征在于:所述步骤①中,先在完成LED芯片制作的LED晶圆上涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片P电极对应区域曝光,然后显影露出LED芯片P电极;再次涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片P电极对应区域和P电极电路区域曝光,然后显影露出LED芯片P电极和P电极电路区域。
6.如权利要求4所述的一种LED芯片测试驱动电路制作方法,其特征在于:所述步骤④中,先在步骤③得到的产品表面涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片N电极对应区域曝光,然后显影露出LED芯片N电极;然后再次涂覆感光胶,使用光罩将LED芯片N电极对应区域和N电极电路区域曝光,然后显影露出LED芯片N电极和N电极电路区域。
7.如权利要求4所述的一种LED芯片测试驱动电路制作方法,其特征在于:所述镀膜第一金属层、镀膜第二金属层采用蒸镀镀膜或溅射镀膜工艺。
8.如权利要求4所述的一种LED芯片测试驱动电路制作方法,其特征在于:所述步骤③中,通过将步骤②得到的产品置入去胶剂中去除感光胶。
9.如权利要求4所述的一种LED芯片测试驱动电路制作方法,其特征在于:对于P电极、N电极位于同侧的LED芯片,在步骤⑤工艺前,在步骤④得到的产品的P电极电路与N电极电路交叉处设置绝缘隔层。
10.一种LED芯片测试方法,其特征在于:包括有如下步骤:
a.在完成LED芯片制作的LED晶圆上通过权利要求4至9任一所述的LED芯片测试驱动电路制作方法制作LED芯片测试驱动电路;
b.通过LED芯片测试驱动电路外接无源选址驱动扫描电信号、以无源选址驱动模式逐点测试LED晶圆上的待测试LED芯片,即将LED芯片阵列中每一列的LED芯片的P电极通过统一接线端连接到列扫描线,将LED芯片阵列中每一行的LED芯片的N电极通过统一接线端连接到行扫描线,一列扫描线、一行扫描线同时选通,对应LED芯片阵列中一LED芯片的光、电性能测试,逐点扫描即可实现LED芯片阵列中所有LED芯片的测试;
c.测试完成后,将LED芯片测试驱动电路从LED晶圆上去除。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011041118.0A CN112201646A (zh) | 2020-09-28 | 2020-09-28 | 一种led芯片测试驱动电路、制作方法及芯片测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011041118.0A CN112201646A (zh) | 2020-09-28 | 2020-09-28 | 一种led芯片测试驱动电路、制作方法及芯片测试方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112201646A true CN112201646A (zh) | 2021-01-08 |
Family
ID=74007720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011041118.0A Pending CN112201646A (zh) | 2020-09-28 | 2020-09-28 | 一种led芯片测试驱动电路、制作方法及芯片测试方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112201646A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113763877A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-12-07 | 南京观海微电子有限公司 | 一种硅基oled显示矩阵和驱动电路分开的制作方法 |
CN115241359A (zh) * | 2022-08-12 | 2022-10-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 半导体器件及其制作方法、显示面板 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5929845A (en) * | 1996-09-03 | 1999-07-27 | Motorola, Inc. | Image scanner and display apparatus |
US20070252005A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-01 | Konicek Jeffrey C | Active matrix emissive display and optical scanner system, methods and applications |
CN202332837U (zh) * | 2011-09-09 | 2012-07-11 | 贵州大学 | 倒装阵列led芯片 |
CN103579461A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-12 | 中国科学院半导体研究所 | 制备晶圆级全彩led显示阵列的方法 |
CN104465485A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-03-25 | 中国科学院半导体研究所 | 一种制备小间距led全彩显示阵列的方法 |
CN205452353U (zh) * | 2016-04-12 | 2016-08-10 | 中山大学 | 一种大面积电极led阵列 |
CN110491895A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-11-22 | 北京工业大学 | NP电极共平面倒装Micro-LED微显示阵列及制作方法 |
CN111108613A (zh) * | 2017-09-13 | 2020-05-05 | 夏普株式会社 | Led单元、图像显示元件及其制造方法 |
CN112086546A (zh) * | 2020-09-28 | 2020-12-15 | 申广 | 一种led产品封装结构及封装方法 |
CN212967737U (zh) * | 2020-09-28 | 2021-04-13 | 申广 | 一种led产品封装结构 |
-
2020
- 2020-09-28 CN CN202011041118.0A patent/CN112201646A/zh active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5929845A (en) * | 1996-09-03 | 1999-07-27 | Motorola, Inc. | Image scanner and display apparatus |
US20070252005A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-01 | Konicek Jeffrey C | Active matrix emissive display and optical scanner system, methods and applications |
CN202332837U (zh) * | 2011-09-09 | 2012-07-11 | 贵州大学 | 倒装阵列led芯片 |
CN103579461A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-12 | 中国科学院半导体研究所 | 制备晶圆级全彩led显示阵列的方法 |
CN104465485A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-03-25 | 中国科学院半导体研究所 | 一种制备小间距led全彩显示阵列的方法 |
CN205452353U (zh) * | 2016-04-12 | 2016-08-10 | 中山大学 | 一种大面积电极led阵列 |
CN111108613A (zh) * | 2017-09-13 | 2020-05-05 | 夏普株式会社 | Led单元、图像显示元件及其制造方法 |
US20200259055A1 (en) * | 2017-09-13 | 2020-08-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Led unit, image display element, and method of manufacturing the same |
CN110491895A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-11-22 | 北京工业大学 | NP电极共平面倒装Micro-LED微显示阵列及制作方法 |
CN112086546A (zh) * | 2020-09-28 | 2020-12-15 | 申广 | 一种led产品封装结构及封装方法 |
CN212967737U (zh) * | 2020-09-28 | 2021-04-13 | 申广 | 一种led产品封装结构 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113763877A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-12-07 | 南京观海微电子有限公司 | 一种硅基oled显示矩阵和驱动电路分开的制作方法 |
CN115241359A (zh) * | 2022-08-12 | 2022-10-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 半导体器件及其制作方法、显示面板 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6218203B1 (en) | Method of producing a contact structure | |
US6420884B1 (en) | Contact structure formed by photolithography process | |
KR100508419B1 (ko) | 마이크로 제조 프로세스에 의해 형성된 접점 구조물 | |
US20010026166A1 (en) | Probe contactor and production method thereof | |
CN100576531C (zh) | 半导体封装及其制造方法 | |
CN112201646A (zh) | 一种led芯片测试驱动电路、制作方法及芯片测试方法 | |
CN100565231C (zh) | 测试设备 | |
KR20090012242A (ko) | 전자 부품을 구비한 프로브 구조 | |
CN101154609B (zh) | 凸块测试单元、装置及测试方法 | |
JPH11265916A (ja) | 半導体ウェーハの構造及び半導体チップの製造方法 | |
CN111398773A (zh) | 可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法 | |
US6249114B1 (en) | Electronic component continuity inspection method and apparatus | |
US20130029500A1 (en) | Connector and fabrication method thereof | |
CN101358999B (zh) | 探针组合体 | |
CN1397804A (zh) | 具有接触块的接触结构 | |
CN101017182A (zh) | 晶片级老化和测试 | |
CN1604309A (zh) | 生产多芯片模块的方法和多芯片模块 | |
JPH10132855A (ja) | Ic検査用プローブカード | |
US6432291B1 (en) | Simultaneous electroplating of both sides of a dual-sided substrate | |
CN217034159U (zh) | 一种新型半导体光电器件测试板 | |
CN217034160U (zh) | 一种集成扫描式半导体电路测试板 | |
CN215910593U (zh) | 一种适于场效应管老炼试验的老炼板 | |
CN113945864B (zh) | 治具、检测系统、基板检测方法 | |
CN112858875B (zh) | 一种pcb板caf测试模块设计方法 | |
CN104299959A (zh) | 倒装芯片的测试结构、倒装芯片和倒装芯片的制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
TA01 | Transfer of patent application right | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20220823 Address after: 1104-E21, 11th Floor, Life Insurance Building, No. 1001, Fuzhong 1st Road, Fuzhong Community, Lianhua Street, Futian District, Shenzhen, Guangdong 518000 Applicant after: Shenzhen Rewo Micro Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: 116000 3-3-1, 48 Heishijiao street, Shahekou District, Dalian City, Liaoning Province Applicant before: Shen Guang |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210108 |