CN112198478A - 一种基于lcp基板的柔性低噪声放大组件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，包括LCP基板、微带低通滤波器及低噪声放大器，LCP基板包括压合连接的若干LCP板和若干半固化片，LCP基板为柔性基板，可实现不同曲率下弯曲，在共形相控阵雷达中易于实现与天线阵面共形，微带低通滤波器包括第一金属镀层和第二金属镀层，第一金属镀层覆于上LCP板的上表面，第一金属镀层的图形与微带低通滤波器微带走线一致，第二金属镀层覆于下LCP板的下表面，作为低通滤波器微波地，微带低通滤波器基于LCP基板实现的微带滤波器，易与平面电路集成，有效实现了低噪声放大组件小型化、高集成度，低噪声放大器固定安装于容置腔内，以保证低通滤波器和低噪声放大器在同一平面上，具有很好的微波传输特性。
Description
技术领域
本发明属于相控阵雷达接收天线技术领域，尤其涉及一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件。
背景技术
随着雷达技术水平的不断发展，共形相控阵雷达已成为目前重点发展方向。所采用的共形相控阵天线具有如下特点：1)可克服雷达天线对雷达观测平台空气动力学性能的影响；2)增大雷达天线面积，提高雷达探测能力；3)改善雷达平台的隐身设计；4)有利于实现地基雷达与地面的共形。
低噪声放大组件作为接收相控阵重要组成部分，目前共形相控阵天线中采用的组件仍是传统的基于常规PCB基板实现的，难以弯曲与天线阵面完全贴合，只在天线级实现了共形，组件级并没有。
因此，如何在组件级实现共形已成为共形相控阵雷达亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，以解决现有共形相控阵雷达中组件难以实现与天线共形的问题。
为解决上述问题，本发明的技术方案为：
一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，包括LCP基板、微带低通滤波器及低噪声放大器：
所述LCP基板包括若干LCP板和若干半固化片，若干所述LCP板之间分别通过所述半固化片压合连接，将位于两端的所述LCP板分别定义为上LCP板和下LCP板，所述上LCP板的上表面开设有凹形的容置腔，所述容置腔的深度至所述下LCP板的上表面；
所述微带低通滤波器包括第一金属镀层和第二金属镀层，所述第一金属镀层覆于所述上LCP板的上表面，所述第一金属镀层的图形与所述微带低通滤波器微带走线一致，所述第二金属镀层覆于所述下LCP板的下表面，作为低通滤波器微波地；
所述低噪声放大器固定安装于所述容置腔内，所述容置腔的底部设置有若干贯通所述下LCP板的接地孔，用于所述低噪声放大器的接地，所述低通滤波器与所述低噪声放大器之间通过导线互连；
所述柔性低噪声放大组件可以在不同曲率下弯曲。
优选地，所述低噪声放大器为GaAs裸芯片。
优选地，所述低噪声放大器还包括钼铜载片，所述钼铜载片固定安装于所述容置腔的底部，所述GaAs裸芯片固定安装于所述钼铜载片的上表面。
优选地，所述钼铜载片通过环氧粘接于所述容置腔的底部，所述GaAs裸芯片通过环氧粘接于所述钼铜载片的上表面。
优选地，所述低通滤波器与所述低噪声放大器之间通过金丝键合互连。
本发明由于采用以上技术方案，使其与现有技术相比具有以下的优点和积极效果：
1)本发明提供的一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，其中低通滤波器基于LCP基板实现的微带滤波器，易与平面电路集成，有效实现了低噪声放大组件小型化、高集成度。
2)本发明提供的一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，其中LCP基板为柔性基板，可实现不同曲率下弯曲，在共形相控阵雷达中易于实现与天线阵面共形。
3)本发明提供的一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，其中LCP基板上设置用于容纳低噪声放大器的容置腔，以保证低通滤波器和低噪声放大器在同一平面上，具有很好的微波传输特性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件的拓扑框图；
图2为本发明实施例提供的一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件的剖视图；
图3为本发明实施例提供的一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件的俯视图；
图4a至图4b为本发明实施例提供的一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件的0°曲率示意图，其中图4a为三维图，图4b为图4a沿A-A方向的剖面图；
图5a至图5b为本发明实施例提供的一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件的10°曲率示意图，其中图5a为三维图，图5b为图5a沿B-B方向的剖面图；
图6a至图6b为本发明实施例提供的一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件的45°曲率示意图，其中图6a为三维图，图6b为图6a沿C-C方向的剖面图。
附图标记说明：
1：LCP基板；11：LCP板；111：上LCP板；112：下LCP板；12：半固化片；13：容置腔；14：接地孔；2：微带低通滤波器；21：第一金属镀层；22：第二金属镀层；3：低噪声放大器；31：GaAs裸芯片；32：钼铜载片；4：金丝。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。
参看图1至图3所示，本发明提供了一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，包括LCP基板1、微带低通滤波器2及低噪声放大器3：
参看图2所示，LCP基板1包括若干LCP板11和若干半固化片12，若干LCP板11之间分别通过半固化片12压合连接，将位于两端的LCP板11分别定义为上LCP板111和下LCP板112，上LCP板111的上表面开设有凹形的容置腔13，容置腔13的深度至下LCP板112的上表面，在本发明中，LCP基板1包括四片LCP板11和三片半固化片12；
微带低通滤波器2包括第一金属镀层21和第二金属镀层22，第一金属镀层21覆于上LCP板111的上表面，参看图3所示，第一金属镀层21的图形与微带低通滤波器微带走线一致，第二金属镀层22覆于下LCP板112的下表面，第二金属镀层22为一整片大面积金属，作为低通滤波器微波地，微带低通滤波器2的厚度与LCP基板1的厚度一致；
低噪声放大器3固定安装于容置腔13内，容置腔13的底部设置有若干贯通下LCP板112的接地孔，用于低噪声放大器3的接地，微带低通滤波器2与低噪声放大器3之间通过导线互连。在本实施例中，低噪声放大器3为GaAs裸芯片31，低噪声放大器3还包括钼铜载片32，钼铜载片32通过环氧粘接于容置腔13的底部，GaAs裸芯片31通过环氧粘接于钼铜载片32的上表面，钼铜载片32可以用于保护GaAs裸芯片31，避免GaAs裸芯片31直接贴装于LCP基板1上，由于芯片一般较脆，进而防止LCP基板1在弯曲时，导致GaAs裸芯片31碎裂，同时钼铜载片32用于增高GaAs裸芯片31的贴装高度，保证微带低通滤波器2与低噪声放大器3在同一平面上，参看图2所示，在本实施例中，微带低通滤波器2的第一金属镀层21与GaAs裸芯片31之间用金丝键合相连，将GaAs裸芯片31的贴装高度尽量与第一金属镀层21齐平，有利于二者之间的键合质量；
柔性低噪声放大组件可以在不同曲率下弯曲，参看图4a至4b、图5a至5b、图6a至6b，分别展示了柔性低噪声放大组件在0°、10°和45°曲率下的示意图。
本发明提供了一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，包括LCP基板1、微带低通滤波器2及低噪声放大器3，LCP基板1包括若干LCP板11和若干半固化片12，若干LCP板11之间分别通过半固化片12压合连接，LCP基板1为柔性基板，可实现不同曲率下弯曲，在共形相控阵雷达中易于实现与天线阵面共形，微带低通滤波器2包括第一金属镀层21和第二金属镀层22，第一金属镀层21覆于上LCP板111的上表面，第一金属镀层21的图形与微带低通滤波器微带走线一致，第二金属镀层22覆于下LCP板112的下表面，作为低通滤波器微波地，微带低通滤波器2基于LCP基板实现的微带滤波器，易与平面电路集成，有效实现了低噪声放大组件小型化、高集成度，低噪声放大器3固定安装于容置腔13内，以保证低通滤波器和低噪声放大器在同一平面上，具有很好的微波传输特性。
上面结合附图对本发明的实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式。即使对本发明作出各种变化，倘若这些变化属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则仍落入在本发明的保护范围之中。
Claims (5)
1.一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，其特征在于，包括LCP基板、微带低通滤波器及低噪声放大器：
所述LCP基板包括若干LCP板和若干半固化片，若干所述LCP板之间分别通过所述半固化片压合连接，将位于两端的所述LCP板分别定义为上LCP板和下LCP板，所述上LCP板的上表面开设有凹形的容置腔，所述容置腔的深度至所述下LCP板的上表面；
所述微带低通滤波器包括第一金属镀层和第二金属镀层，所述第一金属镀层覆于所述上LCP板的上表面，所述第一金属镀层的图形与所述微带低通滤波器微带走线一致，所述第二金属镀层覆于所述下LCP板的下表面，作为低通滤波器微波地；
所述低噪声放大器固定安装于所述容置腔内，所述容置腔的底部设置有若干贯通所述下LCP板的接地孔，用于所述低噪声放大器的接地，所述低通滤波器与所述低噪声放大器之间通过导线互连；
所述柔性低噪声放大组件可以在不同曲率下弯曲。
2.根据权利要求1所述的基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，其特征在于，所述低噪声放大器为GaAs裸芯片。
3.根据权利要求2所述的基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，其特征在于，所述低噪声放大器还包括钼铜载片，所述钼铜载片固定安装于所述容置腔的底部，所述GaAs裸芯片固定安装于所述钼铜载片的上表面。
4.根据权利要求3所述的基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，其特征在于，所述钼铜载片通过环氧粘接于所述容置腔的底部，所述GaAs裸芯片通过环氧粘接于所述钼铜载片的上表面。
5.根据权利要求3所述的基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，其特征在于，所述低通滤波器与所述低噪声放大器之间通过金丝键合互连。
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