CN112197734A - 一种环件中滚花深度的检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种环件中滚花深度的检测方法，所述检测方法包括：对深度仪进行点检，若点检中深度仪示数为1.47‑1.54mm，开始滚花深度的检测；滚花深度检测中选择至少8个位点进行测试。本发明中，通过点检及选取合适的检测位点数，实现了环件中滚花深度的高效精确的检测，检测效率高，检测时间为6min以内，检测准确率为90％以上。
Description
技术领域
本发明涉及检测领域，具体涉及一种环件中滚花深度的检测方法。
背景技术
目前，用于溅射的真空容器中包含有溅射靶材和靠近溅射靶材处放置的磁控溅射环件。容器中的电场使惰性气体产生电离，并从靶材上撞击出原子，以将溅射靶材料沉积到晶片上。同时，溅射靶材料上被撞击出的原子为漫反射状，需要对其加以约束。磁控溅射环件就是配合平面靶材溅射使用的部件，其主要作用是通过其产生的电磁场对溅射出的靶材料原子运动进行约束，同时吸附溅射过程中有可能出现的大的颗粒。
如CN108396297A公开了一种溅射机环件，涉及半导体芯片加工技术领域，提供的溅射机环件包括环件本体，环件本体具有形成环件端口的第一端部和第二端部，其中：第一端部上设有第一导电凸起，第一导电凸起上与第一端部连接的一端为第一内端，第一导电凸起末端的周向尺寸小于第一内端的周向尺寸；第二端部上设有第二导电凸起，第二导电凸起上与第二端部连接的一端为第二内端，第二导电凸起末端的周向尺寸小于第二内端的周向尺寸。提供的溅射机环件增加了第一导电凸起和第二导电凸起末端与机台之间的距离，能够有效减小第一导电凸起和第二导电凸起接触到机台的概率。
CN201842885U公开了一种钽溅射环结构，应用于12英寸硅片的生产过程，该钽溅射环结构上具有花纹，所述花纹的大小大于80TPI，且深度大于100μm。提供的钽溅射环结构，通过增大钽溅射环结构上的花纹大小，并加深花纹深度，解决了现有技术中因钽溅射环结构的花纹过于细小，且深度浅而导致的对大角度的靶材原子吸附能力差从而导致使用寿命短的问题，实施例中的钽溅射环结构的花纹能够吸附的更多的靶材原子，进而增加了钽溅射环结构的使用次数，延长了使用寿命。
CN110670031A一种钽环及制备方法、包含钽环的溅射装置及其应用，所述钽环包括环件以及设置在环件表面的花纹，所述花纹呈锥形凹坑状；锥形凹坑状花纹具有较大的比表面积，当在用于溅射过程中，能够附着较大量的溅射源，并且具有较好的附着力，此外花纹呈现锥形凹坑状，锥形凹坑的顶部朝向环件内部，相邻两个锥形凹坑的底部相连，呈现平面状的结构，而非带有尖端的结构，因此能够避免在通电过程中出现的尖端放电的现象，从而提高钽环的使用寿命。钽环的制备方法简单，仅需滚花处理即可，无需进行表面锐化处理，即能保证得到的钽环对溅射源具有较好的吸附能力以及吸附量的前提下，不会出现尖端放电的情况。
然而在环件的使用过程中，对于表面滚花的深度要求非常高，但是目前的滚花检测方式存在检测过程复杂，检测准确度差，检测效率低等问题。
发明内容
鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种环件中滚花深度的检测方法，通过本发明的检测方法，可实现环件中滚花深度的高效精确的检测，检测效率高，检测时间为6min以内。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供了一种环件中滚花深度的检测方法，所述检测方法包括：对深度仪进行点检，若点检中深度仪示数为1.47-1.54mm，开始滚花深度的检测；
滚花深度检测中选择至少8个位点进行测试。
本发明中，通过点检及选取合适的检测位点数，实现了环件中滚花深度的高效精确的检测，检测效率高，检测时间为6min以内，检测准确率为90％以上。
本发明中，点检中深度仪示数为1.47-1.54mm，例如可以是1.47mm、1.48mm、1.49mm、1.5mm、1.51mm、1.52mm、1.53mm或1.54mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述点检包括依次进行的检测区平面归零和检测区凹槽校验。
作为本发明优选的技术方案，所述检测区平面归零为将仪器选择ON/OFF键，然后将深度仪放置于标样检测区平面处，选择ZERO/ABS键进行归零。
本发明中，通过特定的点检方式实现了检测精度及检测效率的提高。
作为本发明优选的技术方案，所述检测区凹槽校验为将测针对于标样凹槽进行测量，在1.47-1.54mm范围内，即可开始检测环件。
作为本发明优选的技术方案，当点检在1.47-1.54mm之外，说明测针出现磨损或异常，进行测针更换或修复，更换或修复后，再次进行校验，合格后开始检测环件。
作为本发明优选的技术方案，所述选择至少8个位点进行测试时按逆时针顺序进行，例如可以是8个、9个、10个、11个或12个等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，逆时针顺序进行中，若在该测定面的反面进行时采用顺时针，即保证测试过程中测试方向一致。
作为本发明优选的技术方案，所述至少8个位点的检测中包括在选定的位点对环件内表面和外表面进行检测。
作为本发明优选的技术方案，所述内表面检测中在选定位点处在内表面上与环件中心线相平行的直线上随机选取至少3个检测点进行测试，例如可以是3个、4个、5个、6个、7个、8个或9个等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述外表面检测中在选定位点处在外表面上与环件中心线相平行的直线上随机选取至少1个检测点进行测试，例如可以是1个、2个、3个、4个、5个、6个、7个或8个等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，通过检测位点的特定选择及检测位点处检测点的合理选择进一步加强了检测的准确性。
作为本发明优选的技术方案，所述检测方法包括：对深度仪进行点检，若点检中深度仪示数为1.47-1.54mm，开始滚花深度的检测；
滚花深度检测中选择至少8个位点进行测试；
所述点检包括依次进行的检测区平面归零和检测区凹槽校验；
当点检在1.47-1.54mm之外，说明测针出现磨损或异常，进行测针更换或修复，更换或修复后，再次进行校验，合格后开始检测环件。
本发明中，当数据出现超差较大情况，在同一点范围，进行三次自我确认复测，选取三点数据中间值，进行记录。
与现有技术方案相比，本发明至少具有以下有益效果：
本发明中，通过点检及选取合适的检测位点数，实现了环件中滚花深度的高效精确的检测，检测效率高，检测时间为6min以内，检测准确率为90％以上。
附图说明
图1是本发明实施例1中检测位点的示意图；
图2是本发明实施例1中检测位点的内表面检测点的示意图；
图3是本发明实施例1中检测位点的外表面检测点的示意图。
下面对本发明进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明的保护范围以权利要求书为准。
具体实施方式
为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，本发明的典型但非限制性的实施例如下：
实施例1
本实施例提供一种环件中滚花深度的检测方法，所述检测方法包括：对深度仪进行点检，开始滚花深度的检测；
滚花深度检测中选择8个位点进行测试，如图1所示；
所述点检包括依次进行的检测区平面归零和检测区凹槽校验；
所述检测区平面归零为将仪器选择ON/OFF键，然后将深度仪放置于标样检测区平面处，选择ZERO/ABS键进行归零；
所述检测区凹槽校验为将测针对于标样凹槽进行测量，示数为1.5mm，可开始检测环件；
所述选择8个位点进行测试时按逆时针顺序进行，所述8个位点的检测中包括在选定的位点对环件内表面和外表面进行检测，所述内表面检测中在选定位点处在内表面上与环件中心线相平行的直线上随机选取3个检测点I、II、III进行测试，如图2所示；所述外表面检测中在选定位点处在外表面上与环件中心线相平行的直线上随机选取1个检测点A进行测试，如图3所示。
检测5min即完成，检测准确率为95％。
实施例2
本实施例提供一种环件中滚花深度的检测方法，所述检测方法包括：对深度仪进行点检，开始滚花深度的检测；
滚花深度检测中选择9个位点进行测试；
所述点检包括依次进行的检测区平面归零和检测区凹槽校验；
所述检测区平面归零为将仪器选择ON/OFF键，然后将深度仪放置于标样检测区平面处，选择ZERO/ABS键进行归零；
所述检测区凹槽校验为将测针对于标样凹槽进行测量，测量值为1.7mm，说明测针出现磨损或异常，进行测针更换或修复，更换或修复后，再次进行校验，测量值为1.47，合格开始检测环件；
所述选择9个位点进行测试时按逆时针顺序进行，所述9个位点的检测中包括在选定的位点对环件内表面和外表面进行检测，所述内表面检测中在选定位点处在内表面上与环件中心线相平行的直线上随机选取4个检测点进行测试，所述外表面检测中在选定位点处在外表面上与环件中心线相平行的直线上随机选取3个检测点进行测试。
检测6min即完成，检测准确率为92％。
实施例3
本实施例提供一种环件中滚花深度的检测方法，所述检测方法包括：对深度仪进行点检，开始滚花深度的检测；
滚花深度检测中选择8个位点进行测试；
所述点检包括依次进行的检测区平面归零和检测区凹槽校验；
所述检测区平面归零为将仪器选择ON/OFF键，然后将深度仪放置于标样检测区平面处，选择ZERO/ABS键进行归零；
所述检测区凹槽校验为将测针对于标样凹槽进行测量，测量值为1.2mm，即测针出现磨损或异常，进行测针更换或修复，更换或修复后，再次进行校验，测量值为1.51mm，合格并开始检测环件；
所述选择8个位点进行测试时按逆时针顺序进行，所述8个位点的检测中包括在选定的位点对环件内表面和外表面进行检测，所述内表面检测中在选定位点处在内表面上与环件中心线相平行的直线上随机选取3个检测点进行测试，所述外表面检测中在选定位点处在外表面上与环件中心线相平行的直线上随机选取2个检测点进行测试。
检测5min即完成，检测准确率为97％。
实施例4
本实施例提供一种环件中滚花深度的检测方法，所述检测方法包括：对深度仪进行点检，开始滚花深度的检测；
滚花深度检测中选择10个位点进行测试；
所述点检包括依次进行的检测区平面归零和检测区凹槽校验；
所述检测区平面归零为将仪器选择ON/OFF键，然后将深度仪放置于标样检测区平面处，选择ZERO/ABS键进行归零；
所述检测区凹槽校验为将测针对于标样凹槽进行测量，测量值为1mm，即测针出现磨损或异常，进行测针更换或修复，更换或修复后，再次进行校验，测量值为1.52mm，合格并开始检测环件；
所述选择10个位点进行测试时按逆时针顺序进行，所述10个位点的检测中包括在选定的位点对环件内表面和外表面进行检测，所述内表面检测中在选定位点处在内表面上与环件中心线相平行的直线上随机选取5个检测点进行测试，所述外表面检测中在选定位点处在外表面上与环件中心线相平行的直线上随机选取4个检测点进行测试。
检测6min即完成，检测准确率为98％。
对比例1
与实施例1的区别仅在于不进行点检，检测缓慢，检测准确率为50％。
对比例2
与实施例1的区别仅在于选取6个位点进行测试，检测5min即完成，检测准确率为80％。
对比例3
与实施例1区别仅在于内表面的检测点为2个，检测5min即完成，检测准确率为85％。通过上述实施例和对比例的结果可知，本发明中，通过点检及选取合适的检测位点数，实现了环件中滚花深度的高效精确的检测，检测效率高，检测时间为6min以内，检测准确率为90％以上。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征，但本发明并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (10)
1.一种环件中滚花深度的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：对深度仪进行点检，若点检中深度仪示数为1.47-1.54mm，开始滚花深度的检测；
滚花深度检测中选择至少8个位点进行测试。
2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述点检包括依次进行的检测区平面归零和检测区凹槽校验。
3.如权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述检测区平面归零为将仪器选择ON/OFF键，然后将深度仪放置于标样检测区平面处，选择ZERO/ABS键进行归零。
4.如权利要求2或3所述的检测方法，其特征在于，所述检测区凹槽校验为将测针对于标样凹槽进行测量，在1.47-1.54mm范围内，即可开始检测环件。
5.如权利要求1-4任一项所述的检测方法，其特征在于，当点检在1.47-1.54mm之外，说明测针出现磨损或异常，进行测针更换或修复，更换或修复后，再次进行校验，合格后开始检测环件。
6.如权利要求1-5任一项所述的检测方法，其特征在于，所述选择至少8个位点进行测试时按逆时针顺序进行。
7.如权利要求1-6任一项所述的检测方法，其特征在于，所述至少8个位点的检测中包括在选定的位点对环件内表面和外表面进行检测。
8.如权利要求7所述的检测方法，其特征在于，所述内表面检测中在选定位点处在内表面上与环件中心线相平行的直线上随机选取至少3个检测点进行测试。
9.如权利要求7所述的检测方法，其特征在于，所述外表面检测中在选定位点处在外表面上与环件中心线相平行的直线上随机选取至少1个检测点进行测试。
10.如权利要求1-9任一项所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：对深度仪进行点检，若点检中深度仪示数为1.47-1.54mm，开始滚花深度的检测；
滚花深度检测中选择至少8个位点进行测试；
所述点检包括依次进行的检测区平面归零、检测区凹槽校验；
当点检在1.47-1.54mm之外，说明测针出现磨损或异常，进行测针更换或修复，更换或修复后，再次进行校验，合格后开始检测环件。
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