CN112165745B - 微波发射组件、微波加热器具、方法、装置和存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种微波发射组件、微波加热器具、方法、装置和存储介质。微波发射组件包括微波源和与微波源连接的微波天线。微波源用于产生微波。微波天线包括多个等离子体管。微波天线根据多个等离子体管的状态形成至少两种天线结构以发射微波。上述微波发射组件,可根据实际需要控制等离子体管的状态以实时切换天线结构,这样能够达到更好的微波辐射效果,并且有效避免了天线辐射效率较低,反射能量过大,影响微波源的寿命甚至损坏微波加热器具的情况发生。
Description
技术领域
本发明涉及家用电器技术领域,特别涉及一种微波发射组件、微波加热器具、方法、装置和存储介质。
背景技术
天线作为一种导行波与空间自由波之间的转换装置,在各种微波应用领域上都有着重要的作用。在微波加热器具设计领域,也涉及到对应天线的设计需求。在相关技术中,微波加热器具的天线主要针对几种常见负载进行设计,天线一旦加工完成便无法更改结构,其工作频率也就随之确定。当面对设计范围外的负载时,容易出现天线辐射效率较低,反射能量过大,影响微波源的寿命甚至损坏微波加热器具的情况。
发明内容
本发明的实施方式提供了一种微波发射组件、微波加热器具、方法、装置和存储介质。
本发明实施方式的微波发射组件,包括:
微波源,所述微波源用于产生微波;和
与所述微波源连接的微波天线,所述微波天线包括多个等离子体管,所述微波天线根据所述多个等离子体管的状态形成至少两种天线结构以发射所述微波。
上述微波发射组件,可根据实际需要控制等离子体管的状态以实时切换天线结构,这样能够达到更好的微波辐射效果,并且有效避免了天线辐射效率较低,反射能量过大,影响微波源的寿命甚至损坏微波加热器具的情况发生。
在某些实施方式中,在所述等离子体管的频率远大于所述微波的频率的情况下,所述等离子体管处于激发状态;
在所述等离子体管的频率远小于所述微波的频率的情况下,所述等离子体管处于关闭状态。
如此,通过调整等离子体管的频率,可改变微波天线的天线结构。
在某些实施方式中,所述多个等离子体管包括公共等离子体管、第一等离子体管和第二等离子体管,所述公共等离子体管包括馈电端和连接端,所述第二等离子体管与所述公共等离子体管同轴并连接所述连接端,所述第二等离子体管与所述公共等离子体管垂直并连接所述连接端,所述微波天线在所述公共等离子体管和所述第一等离子体管处于所述激发状态时形成第一天线,且在所述公共等离子体管和所述第二等离子体管处于所述激发状态时形成第二天线。
如此,微波天线可在第一天线和第二天线之间切换。
在某些实施方式中,所述第一天线为偶极子天线,所述第二天线为L型天线。
如此,微波天线可在偶极子天线和L型天线之间切换。
在某些实施方式中,所述多个等离子体管包括公共等离子体管、第二等离子体管和第三等离子体管,所述公共等离子体管包括馈电端和连接端,所述第二等离子体管与所述公共等离子体管垂直并连接所述连接端,所述第三等离子体管包括第一段和第二段,所述第一段与所述公共等离子体管垂直并连接所述连接端,所述第二段与所述公共等离子体管平行并连接所述第一段和地,所述微波天线在所述公共等离子体管和所述第二等离子体管处于所述激发状态时形成第二天线,且在所述公共等离子体管、所述第二等离子体管和所述第三等离子体管处于所述激发状态时形成第三天线。
如此,微波天线可在第二天线和第三天线之间切换。
在某些实施方式中,所述第二天线为L型天线,所述第三天线为倒F型天线。
如此,微波天线可在L型天线和倒F型天线之间切换。
在某些实施方式中,所述第二天线为L型天线,所述第三天线为倒F型天线。所述多个等离子体管包括公共等离子体管、第一等离子体管、第二等离子体管和第三等离子体管,所述公共等离子体管包括馈电端和连接端,所述第二等离子体管与所述公共等离子体管同轴并连接所述连接端,所述第二等离子体管与所述公共等离子体管垂直并连接所述连接端,所述三等离子体管包括第一段和第二段,所述第一段与所述公共等离子体管垂直并连接所述连接端,所述第二段与所述公共等离子体管平行并连接所述第一段和地,所述微波天线在所述公共等离子体管和所述第一等离子体管处于所述激发状态时形成第一天线,且在所述公共等离子体管和所述第二等离子体管处于所述激发状态时形成第二天线,以及在所述公共等离子体管、所述第二等离子体管和所述第三等离子体管处于所述激发状态时形成第三天线。
如此,微波天线可在第一天线、第二天线和第三天线之间切换。
在某些实施方式中,所述微波发射组件包括连接所述微波源和所述微波天线的微波传输装置,所述微波传输装置将所述微波源产生的所述微波传输至所述微波天线。
如此,微波源产生的微波可传输至天线,进而完成发射。具体地,微波传输装置包括波导管。
本发明实施方式的微波加热器具包括腔体和上述任一实施方式的微波发射组件,微波发射组件设置在腔体并用于将所述微波馈入腔体内。
上述微波加热器具,可根据实际需要控制等离子体管的状态以实时切换天线结构,这样能够达到更好的微波辐射效果,并且有效避免了天线辐射效率较低,反射能量过大,影响微波源的寿命甚至损坏微波加热器具的情况发生。
本发明实施方式的控制方法,用于微波加热器具,所述微波加热器具包括腔体和上述任一实施方式的微波发射组件,所述控制方法包括:
控制所述微波天线以不同的所述天线结构分别向所述腔体内发射第一微波并相应获取所述腔体内的微波反射信息;
根据所述微波反射信息确定所述微波天线工作的天线结构;
根据所述微波天线工作的天线结构控制所述多个等离子体管的工作状态以发射第二微波。
上述控制方法,可根据实际需要控制等离子体管的状态以实时切换天线结构,这样能够达到更好的微波辐射效果,并且有效避免了天线辐射效率较低,反射能量过大,影响微波源的寿命甚至损坏微波加热器具的情况发生。
在某些实施方式中,所述第一微波的功率低于所述第二微波的功率。
如此,可以在消耗较少的能量的情况下,确定微波天线工作的天线结构。
在某些实施方式中,根据所述微波天线工作的天线结构控制所述多个等离子体管的工作状态以发射第二微波,包括,
根据所述微波天线工作的天线结构控制所述等离子体管的频率远大于所述第二微波的频率以使对应的所述等离子体管处于激发状态,以及
控制所述等离子体管的频率远小于所述第二微波的频率以使对应的所述等离子体管处于关闭状态。
如此,微波天线以确定的工作结构发射微波,进而完成负载的加热。
在某些实施方式中,所述控制方法包括:
获取加热信息;
所述根据所述微波反射信息确定所述微波天线工作的天线结构,包括:
根据所述微波反射信息和所述加热信息确定所述微波天线工作的天线结构。
如此,可结合用户需求,选择合适的微波天线工作的天线结构。
本发明实施方式的控制装置包括一个或多个处理器和存储器,所述存储器存储有计算机程序,所述计算机程序被所述处理器执行的情况下,实现上述任一实施方式的控制方法的步骤。
上述控制装置,可根据实际需要控制等离子体管的状态以实时切换天线结构,这样能够达到更好的微波辐射效果,并且有效避免了天线辐射效率较低,反射能量过大,影响微波源的寿命甚至损坏微波加热器具的情况发生。
本发明实施方式的计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述程序被处理器执行的情况下,实现上述任一实施方式的控制方法的步骤。
上述计算机可读存储介质,可根据实际需要控制等离子体管的状态以实时切换天线结构,这样能够达到更好的微波辐射效果,并且有效避免了天线辐射效率较低,反射能量过大,影响微波源的寿命甚至损坏微波加热器具的情况发生。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是本发明实施方式的微波发射组件的微波天线的结构示意图;
图2是本发明实施方式的微波加热器具的模块示意图;
图3是本发明实施方式的控制方法的流程示意图;
图4是本发明实施方式的控制装置的模块示意图;
图5是本发明实施方式的控制方法的另一流程示意图;
图6是本发明实施方式的控制方法的又一流程示意图。
主要元件符号说明:
微波加热器具100、微波发射组件10、微波源12、微波天线14、公共等离子体管142、馈电端1422、连接端1424、第一等离子体管144、第二等离子体管146、第三等离子体管 148、第一段1482、第二段1484、微波传输装置16、腔体20、控制装置30、处理器32、存储器34、控制面板40。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式,所述实施方式的实施方式在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的实施方式的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的实施方式的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明的实施方式的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明的实施方式中的具体含义。
请参阅图1和图2,本发明实施方式的微波发射组件10包括微波源12和与微波源12连接的微波天线14。微波源12用于产生微波。微波天线14包括多个等离子体管。微波天线14根据多个等离子体管的状态形成至少两种天线结构以发射微波。
上述微波发射组件10,可根据实际需要控制等离子体管的状态以实时切换天线结构,这样能够达到更好的微波辐射效果,并且有效避免了天线辐射效率较低,反射能量过大,影响微波源12的寿命甚至损坏微波加热器具100的情况发生。
在现有技术中,微波加热器具的微波天线包括缝隙天线结构和立体天线结构。立体天线结构包括变形的倒F型天线、偶极子天线和L型天线。通常,微波天线针对几种常见的负载情况进行设计,也即是说,微波天线在加工完成后无法改变结构。在微波加热器具的使用过程中,当负载超出设计范围时,存在天线辐射效率较低、反射能量过大的问题,甚至造成降低微波源的寿命和损坏微波加热器具的不良后果。
而本发明实施方式的微波发射组件10可用于微波加热器具100中,微波天线14的结构可以根据等离子体管的状态变换,不同的天线结构可用于不同情况的负载的加热,这样在加热不同负载时,都能够达到更好的微波辐射效果。
具体地,微波源12可包括磁控管和半导体微波源。
在某些实施方式中,在等离子体管的频率远大于微波的频率的情况下,等离子体管处于激发状态;在等离子体管的频率远小于微波的频率的情况下,等离子体管处于关闭状态。
如此,通过调整等离子体管的频率,可改变微波天线14的天线结构。具体地,在等离子体管的频率大于10倍的微波的频率的情况下,等离子体管处于激发状态,处于激发状态的等离子体管等效于金属,能够发射微波;在等离子体管的频率小于1/10倍的微波的频率的情况下,等离子体管处于关闭状态,处于关闭状态的等离子体管等效于空气,不能够发射微波。
在一个例子中,微波的频率为2.45GHz,当等离子体管的频率为25GHz时,等离子体管处于激发状态,能够发射微波;当等离子体管的频率为50MHz时,等离子体管处于激发状态,不能够发射微波。
请参阅图1,在某些实施方式中,多个等离子体管包括公共等离子体管142、第一等离子体管144和第二等离子体管146。公共等离子体管142包括馈电端1422和连接端1424。第二等离子体管146与公共等离子体管142同轴并连接连接端1424。第二等离子体管146 与公共等离子体管142垂直并连接连接端1424。微波天线14在公共等离子体管142和第一等离子体管144处于激发状态时形成第一天线,且在公共等离子体管142和第二等离子体管 146处于激发状态时形成第二天线。
如此,微波天线14可在第一天线和第二天线之间切换。具体地,在某些实施方式中,第一天线为偶极子天线,第二天线为L型天线。如此,微波天线14可在偶极子天线和L型天线之间切换。
在一个例子中,微波的频率为2.45GHz,等离子体管激发状态的频率为25GHz,关闭状态的频率为50MHz。调整公共等离子体管142和第一等离子体管144的频率为25GHz,且第二等离子体管146的频率为50MHz,可形成第一天线,即偶极子天线。调整公共等离子体管142和第二等离子体管146的频率为25GHz,且第一等离子体管144的频率为50MHz,可形成第二天线,即L型天线。
请参阅图1,在某些实施方式中,多个等离子体管包括公共等离子体管142、第二等离子体管146和第三等离子体管148。公共等离子体管142包括馈电端1422和连接端1424。第二等离子体管146与公共等离子体管142垂直并连接连接端1424。第三等离子体管148 包括第一段1482和第二段1484,第一段1482与公共等离子体管142垂直并连接连接端1424,第二段1484与公共等离子体管142平行并连接第一段1482和地。微波天线14在公共等离子体管142和第二等离子体管146处于激发状态时形成第二天线,且在公共等离子体管142、第二等离子体管146和第三等离子体管148处于激发状态时形成第三天线。
如此,微波天线14可在第二天线和第三天线之间切换。具体地,在某些实施方式中,第二天线为L型天线,第三天线为倒F型天线。如此,微波天线14可在L型天线和倒F型天线之间切换。
在一个例子中,微波的频率为2.45GHz,等离子体管激发状态的频率为25GHz,关闭状态的频率为50MHz。调整公共等离子体管142和第二等离子体管146的频率为25GHz,且第一等离子体管144的频率为50MHz,可形成第二天线,即L型天线。调整公共等离子体管142、第二等离子体管146和第三等离子体管148的频率为25GHz,可形成第三天线,即倒F型天线。
请参阅图1,在某些实施方式中,多个等离子体管包括公共等离子体管142、第一等离子体管144、第二等离子体管146和第三等离子体管148。公共等离子体管142包括馈电端1422和连接端1424。第二等离子体管146与公共等离子体管142同轴并连接连接端1424。第二等离子体管146与公共等离子体管142垂直并连接连接端1424。三等离子体管包括第一段1482和第二段1484,第一段1482与公共等离子体管142垂直并连接连接端1424,第二段1484与公共等离子体管142平行并连接第一段1482和地。微波天线14在公共等离子体管142和第一等离子体管144处于激发状态时形成第一天线,且在公共等离子体管142和第二等离子体管146处于激发状态时形成第二天线,以及在公共等离子体管142、第二等离子体管146和第三等离子体管148处于激发状态时形成第三天线。
如此,微波天线14可在第一天线、第二天线和第三天线之间切换。具体地,在某些实施方式中,第一天线为偶极子天线,第二天线为L型天线,第三天线为倒F型天线。如此,微波天线14可在偶极子天线、L型天线和倒F型天线之间切换。
在其它实施方式中,微波天线14可以不限于形成上述讨论的天线结构,而可以根据需要对等离子体管结构和连接关系进行设置,通过排列组合多个等离子管形成具有其他天线结构的微波天线,例如,微波天线还可具有八木天线的天线结构。
在一个例子中,微波的频率为2.45GHz,等离子体管激发状态的频率为25GHz,关闭状态的频率为50MHz。调整公共等离子体管142和第一等离子体管144的频率为25GHz,且第二等离子体管146的频率为50MHz,可形成第一天线,即偶极子天线。调整公共等离子体管142和第二等离子体管146的频率为25GHz,且第一等离子体管144的频率为50MHz,可形成第二天线,即L型天线。调整公共等离子体管142、第二等离子体管146和第三等离子体管148的频率为25GHz,可形成第三天线,即倒F型天线。
请参阅图2,在某些实施方式中,微波发射组件10包括连接微波源12和微波天线14的微波传输装置16。微波传输装置16将微波源12产生的微波传输至微波天线14。
如此,微波源12产生的微波可传输至天线,进而完成发射。具体地,微波传输装置16 包括波导管。
请参阅图2,本发明实施方式的微波加热器具100包括腔体20和上述任一实施方式的微波发射组件10,微波发射组件10设置在腔体20并用于将微波馈入腔体20内。
上述微波加热器具100,可根据实际需要控制等离子体管的状态以实时切换天线结构,这样能够达到更好的微波辐射效果,并且有效避免了天线辐射效率较低,反射能量过大,影响微波源12的寿命甚至损坏微波加热器具100的情况发生。
具体地,微波发射组件10包括微波源12、微波传输装置16和微波天线14。微波源12产生微波,微波传输装置16将微波传输到微波天线14,微波天线14接收微波传输装置16 传输的微波,并将微波馈入腔体20。
请参阅图2-图4,本发明实施方式的控制方法,用于微波加热器具100,微波加热器具 100包括腔体20和上述任一实施方式的微波发射组件10,控制方法包括:
步骤S12:控制微波天线14以不同的天线结构分别向腔体20内发射第一微波并相应获取腔体20内的微波反射信息;
步骤S14:根据微波反射信息确定微波天线14工作的天线结构;
步骤S16:根据微波天线14工作的天线结构控制多个等离子体管的工作状态以发射第二微波。
本发明实施方式的控制方法可由本发明实施方式的控制装置30实现。具体地,微波加热器具100包括控制装置30,控制装置30包括一个或多个处理器32和存储器34,存储器34存储有计算机程序。控制装置30用于控制微波天线14以不同的天线结构分别向腔体20内发射第一微波并相应获取腔体20内的微波反射信息,及用于根据微波反射信息确定微波天线14工作的天线结构,以及用于根据微波天线14工作的天线结构控制多个等离子体管的工作状态以发射第二微波。需要指出的是,在图4所示的实施方式中,处理器32的数量为一个,在其它实施方式中,处理器32的数量可为多个。
上述控制方法和控制装置30,可根据实际需要控制等离子体管的状态以实时切换天线结构,这样能够达到更好的微波辐射效果,并且有效避免了天线辐射效率较低,反射能量过大,影响微波源12的寿命甚至损坏微波加热器具100的情况发生。
具体地,在步骤S12中,微波天线14的天线结构包括偶极子天线、L型天线和倒F型天线,并且微波天线14可以在偶极子天线、L型天线和倒F型天线之间来回切换。天线结构可影响微波天线14发射出的微波的分布,即在微波源12产生微波的功率一定的情况下,单位时间内不同结构的微波天线14发射的微波能量固定,而不同结构的微波天线14发射出的微波的分布不同。处于微波分布密集的区域,负载在单位时间内可吸收的能量更多;处于微波分布稀疏的区域,负载在单位时间内可吸收的能量更少。腔体20内的微波反射信息可包括单位时间内腔体20内微波反射能量的多少。微波反射信息的获取可通过一个测试点获取,也可通过多个测试点获取,在通过多个测试点获取微波反射信息的情况下,获取到的微波反射量可以是基于多个测试点的多个独立值,也可以是基于多个测试点的一个平均值。
在步骤S14中,在负载和馈入腔体20的微波能量一定的情况下,由于不同区域的负载需要吸收的微波能量不同,不同区域的负载反射的微波能量也不同,且负载吸收的微波能量与反射的微波能量成反比,例如,在负载和馈入腔体20的微波能量一定的情况下,蔬菜区域需要吸收的微波能量少于肉类区域,则蔬菜区域反射的微波能量多于肉类区域;液态区域需要吸收的微波能量少于固态区域,则液态区域反射的微波能量多于固态区域;质量小的区域需要吸收的微波能量少于质量大的区域,则质量小的区域反射的微波能量多于质量大的区域等。当微波天线14发射出的微波的分布与负载在不同区域的分布基于微波能量匹配时,腔体20内的微波反射能量达到最少,选择此时的天线结构作为微波天线14工作的天线结构。
在步骤S16中,使用微波天线14工作的天线结构发射第二微波,可在提高腔体20内负载的加热效率的同时,减少腔体20内的反射能量,从而延长微波源12和微波加热器具100的使用寿命。
在一个例子中,腔体20内待加热的负载分为左右两个区域,其中,左侧区域为青菜,右侧区域为牛排,根据微波反射信息,确定倒F型天线为微波天线14工作的天线结构,则控制倒F型天线对应的等离子体管处于工作状态,并发射第二微波对负载进行加热。
在某些实施方式中,第一微波的功率低于第二微波的功率。
如此,可以在消耗较少的能量的情况下,确定微波天线14工作的天线结构。具体地,第一微波的功率可为微波加热器具100出厂前设定的固定值,也可为微波加热器具100出厂后用户自行设定的固定值或用户每次使用微波加热器具100前随机设定的数值。第二微波的功率可由用户在每次使用微波加热器具100前自行设定。
请参阅图5,在某些实施方式中,步骤S16包括,
步骤S162:根据微波天线14工作的天线结构控制等离子体管的频率远大于第二微波的频率以使对应的等离子体管处于激发状态,以及控制等离子体管的频率远小于第二微波的频率以使对应的等离子体管处于关闭状态。
本发明实施方式的控制方法可由本发明实施方式的控制装置30实现。具体地,控制装置30用于根据微波天线14工作的天线结构控制等离子体管的频率远大于微波的频率以使对应的等离子体管处于激发状态,以及控制等离子体管的频率远小于微波的频率以使对应的等离子体管处于关闭状态。
如此,微波天线14以确定的工作结构发射微波,进而完成负载的加热。
请参阅图6,在某些实施方式中,控制方法包括:
步骤S11:获取加热信息;
步骤S14包括:
步骤S142:根据微波反射信息和加热信息确定微波天线14工作的天线结构。
本发明实施方式的控制方法可由本发明实施方式的控制装置30实现。具体地,控制装置30用于获取加热信息,以及用于根据微波反射信息和加热信息确定微波天线14工作的天线结构。
如此,可结合用户需求,选择合适的微波天线14工作的天线结构。具体地,微波加热器具100包括控制面板40,用户可通过控制面板40输入加热信息。加热信息可包括第一微波的功率、第二微波的功率和加热时长。进一步地,在加热过程中,控制装置30可每隔预设时长检测微波反射信息,并实时切换天线结构,以满足负载在不同加热阶段对微波能量的需求,同时节约电能及延长微波加热器具100的使用寿命。预设时长可以是微波加热器具100出厂前已经设定的,也可以是用户每次使用时通过控制面板40自行设定的。
本发明实施方式的计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,程序被处理器32执行的情况下,实现上述任一实施方式的控制方法的步骤。
例如,程序被处理器32执行的情况下,实现以下控制方法的步骤:
步骤S12:控制微波天线14以不同的天线结构分别向腔体20内发射第一微波并相应获取腔体20内的微波反射信息;
步骤S14:根据微波反射信息确定微波天线14工作的天线结构;
步骤S16:根据微波天线14工作的天线结构控制多个等离子体管的工作状态以发射第二微波。
上述计算机可读存储介质,可根据实际需要控制等离子体管的状态以实时切换天线结构,这样能够达到更好的微波辐射效果,并且有效避免了天线辐射效率较低,反射能量过大,影响微波源12的寿命甚至损坏微波加热器具100的情况发生。
具体地,计算机可读存储介质可设置在微波加热器具100,也可设置在服务器等终端,微波加热器具100能够与终端进行通讯来获取到相应的程序。
可以理解,在本发明中,计算机程序包括计算机程序代码。计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。存储器34可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非易失性存储器,例如硬盘、内存、插接式硬盘,智能存储卡(SmartMedia Card,SMC),安全数字(Secure Digital,SD)卡,闪存卡(Flash Card)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。处理器32可以是中央处理单元(CentralProcessing Unit,CPU),还可以是其他通用处理器、数字信号处理器 (Digital SignalProcessor,DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit, ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为,表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分,并且本发明的优选实施方式的范围包括另外的实现,其中可以不按所示出或讨论的顺序,包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序,来执行功能,这应被本发明的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤,例如,可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表,可以具体实现在任何计算机可读介质中,以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理模块的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用,或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言,"计算机可读介质"可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下:具有一个或多个布线的电连接部 (电子装置),便携式计算机盘盒(磁装置),随机存取存储器(RAM),只读存储器(ROM),可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器),光纤装置,以及便携式光盘只读存储器 (CDROM)。另外,计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质,因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描,接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序,然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解,本发明的实施方式的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中,多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如,如果用硬件来实现,和在另一实施方式中一样,可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现:具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路,具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路,可编程门阵列(PGA),现场可编程门阵列(FPGA)等。
本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成,所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中,程序在执行时,包括方法实施例的步骤之一或其组合。
此外,在本发明的各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能模块的形式实现。所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。
上述提到的存储介质可以是只读存储器,磁盘或光盘等。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施方式进行变化、修改、替换和变型。
Claims (14)
1.一种微波发射组件,其特征在于,包括:
微波源,所述微波源用于产生微波;和
与所述微波源连接的微波天线,所述微波天线包括多个等离子体管,所述微波天线根据所述多个等离子体管的状态形成至少两种天线结构以发射所述微波;
在所述等离子体管的频率大于10倍的所述微波的频率的情况下,所述等离子体管处于激发状态,其中,处于所述激发状态的等离子体管用于发射所述微波;
在所述等离子体管的频率小于1/10倍的所述微波的频率的情况下,所述等离子体管处于关闭状态,其中,处于所述关闭状态的等离子体管无法发射所述微波。
2.根据权利要求1所述的微波发射组件,其特征在于,所述多个等离子体管包括公共等离子体管、第一等离子体管和第二等离子体管,所述公共等离子体管包括馈电端和连接端,所述第二等离子体管与所述公共等离子体管同轴并连接所述连接端,所述第二等离子体管与所述公共等离子体管垂直并连接所述连接端,所述微波天线在所述公共等离子体管和所述第一等离子体管处于所述激发状态时形成第一天线,且在所述公共等离子体管和所述第二等离子体管处于所述激发状态时形成第二天线。
3.根据权利要求2所述的微波发射组件,其特征在于,所述第一天线为偶极子天线,所述第二天线为L型天线。
4.根据权利要求1所述的微波发射组件,其特征在于,所述多个等离子体管包括公共等离子体管、第二等离子体管和第三等离子体管,所述公共等离子体管包括馈电端和连接端,所述第二等离子体管与所述公共等离子体管垂直并连接所述连接端,所述第三等离子体管包括第一段和第二段,所述第一段与所述公共等离子体管垂直并连接所述连接端,所述第二段与所述公共等离子体管平行并连接所述第一段和地,所述微波天线在所述公共等离子体管和所述第二等离子体管处于所述激发状态时形成第二天线,且在所述公共等离子体管、所述第二等离子体管和所述第三等离子体管处于所述激发状态时形成第三天线。
5.根据权利要求4所述的微波发射组件,其特征在于,所述第二天线为L型天线,所述第三天线为倒F型天线。
6.根据权利要求1所述的微波发射组件,其特征在于,所述多个等离子体管包括公共等离子体管、第一等离子体管、第二等离子体管和第三等离子体管,所述公共等离子体管包括馈电端和连接端,所述第二等离子体管与所述公共等离子体管同轴并连接所述连接端,所述第二等离子体管与所述公共等离子体管垂直并连接所述连接端,所述第三等离子体管包括第一段和第二段,所述第一段与所述公共等离子体管垂直并连接所述连接端,所述第二段与所述公共等离子体管平行并连接所述第一段和地,所述微波天线在所述公共等离子体管和所述第一等离子体管处于所述激发状态时形成第一天线,且在所述公共等离子体管和所述第二等离子体管处于所述激发状态时形成第二天线,以及在所述公共等离子体管、所述第二等离子体管和所述第三等离子体管处于所述激发状态时形成第三天线。
7.根据权利要求1所述的微波发射组件,其特征在于,所述微波发射组件包括连接所述微波源和所述微波天线的微波传输装置,所述微波传输装置将所述微波源产生的所述微波传输至所述微波天线。
8.一种微波加热器具,其特征在于,所述微波加热器具包括腔体和权利要求1-7任一项所述的微波发射组件,微波发射组件设置在腔体并用于将所述微波馈入腔体内。
9.一种控制方法,用于微波加热器具,其特征在于,所述微波加热器具包括腔体和权利要求1-7任一项所述的微波发射组件,所述控制方法包括:
控制所述微波天线以不同的所述天线结构分别向所述腔体内发射第一微波并相应获取所述腔体内的微波反射信息;
根据所述微波反射信息确定所述微波天线工作的天线结构;
根据所述微波天线工作的天线结构控制所述多个等离子体管的工作状态以发射第二微波。
10.根据权利要求9所述的控制方法,其特征在于,所述第一微波的功率低于所述第二微波的功率。
11.根据权利要求9所述的控制方法,其特征在于,根据所述微波天线工作的天线结构控制所述多个等离子体管的工作状态以发射第二微波,包括,
根据所述微波天线工作的天线结构控制所述等离子体管的频率大于10倍的所述第二微波的频率以使对应的所述等离子体管处于激发状态,以及
控制所述等离子体管的频率小于1/10倍的所述第二微波的频率以使对应的所述等离子体管处于关闭状态。
12.根据权利要求9所述的控制方法,其特征在于,所述控制方法包括:
获取加热信息;
所述根据所述微波反射信息确定所述微波天线工作的天线结构,包括:
根据所述微波反射信息和所述加热信息确定所述微波天线工作的天线结构。
13.一种控制装置,其特征在于,所述控制装置包括一个或多个处理器和存储器,所述存储器存储有计算机程序,所述计算机程序被所述处理器执行的情况下,实现权利要求9-12任一项所述的控制方法的步骤。
14.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述程序被处理器执行的情况下,实现权利要求9-12任一项所述的控制方法的步骤。
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