CN112164766A - 有机发光显示基板的制法 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光显示基板的制法，包含以下步骤：提供衬底，所述衬底上定义有显示区、屏下器件区及位于显示区与所述屏下器件区间的阻隔区，及依序设置有第一无机层及第二无机层；施行第一蚀刻工艺，于所述隔离区内的所述第二无机层及所述第一无机层内分别形成第一开口与第二开口；施行第二蚀刻工艺，部分移除为所述第二开口所露出的第一无机层，将所述第二开口扩张成第三开口；形成挡墙于所述第三开口内，并将所述第三开口定义出靠近所述显示区的第一子开口及远离所述显示区的第二子开口；形成有机发光层于所述第二无机层、所述第一无机层、及所述挡墙上；形成有机层，填满靠近所述第一子开口；及形成第三无机层，覆盖所述有机层及所述有机发光层。

Description

有机发光显示基板的制法
技术领域
本揭示涉及显示设备技术领域，尤其涉及有机发光显示基板的制法。
背景技术
近年来有机发光二极管有机发光显示基板(Organic Light Emitting Display，OLED)已逐渐成为屏幕的首选，其具有自发光、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高等诸多优点，同时还可以保证屏幕具有一定柔性与可适应性。
随着当前对大屏占比的需求日益增长，全面屏、窄边框已经成为当前设计主流，因此需在屏幕的显示区设置开孔以将摄像头、传感器等器件内置其中。但由于开孔的设置，容易使得空气中的水氧接触显示区内发光层的有机材料并顺著暴露的发光层扩散进入显示区内，进而造成像素的显示问题并影响了有机发光显示基板的良率和品质。
发明内容
为了解决上述技术问题，本揭示提供了一种有机发光显示基板的制法，以改善邻近屏下器件区设置的显示区的封装表现，从而确保邻近屏下器件区设置的显示区内像素的显示表现，进而改善有机发光显示基板的良率和显示品质。
于部份实施例中，本揭示提供的有机发光二极体有机发光显示基板的制法包含以下步骤：
提供衬底，所述衬底上定义有显示区、屏下器件区及位于显示区与所述屏下器件区间的阻隔区，及依序设置有第一无机层及第二无机层；
施行第一蚀刻工艺，于所述隔离区内的所述第二无机层及所述第一无机层内分别形成第一开口与第二开口；
施行第二蚀刻工艺，部分移除为所述第二开口所露出的第一无机层，将所述第二开口扩张成第三开口；
形成挡墙于所述第三开口内，并将所述第三开口定义出靠近所述显示区的第一子开口及远离所述显示区的第二子开口；
形成有机发光层于所述第二无机层、所述第一无机层、及所述挡墙上；
形成有机层，填满靠近所述第一子开口；及
形成第三无机层，覆盖所述有机层及所述有机发光层。
于部份实施例中，本揭示的有机发光二极体有机发光显示基板的制法中，所述第二蚀刻工艺为湿刻，而所述第三开口为倒梯形开口。
于部份实施例中，本揭示的有机发光二极体有机发光显示基板的制法中，所述有机发光层于所述第一开口内及所述第三开口内为不连续膜层且为所述有机层所分隔。
于部份实施例中，本揭示的有机发光二极体有机发光显示基板的制法中所述第二蚀刻工艺为乾刻，而所述第三开口的形状相似于所述第一开口的形状。
于部份实施例中，本揭示的有机发光二极体有机发光显示基板的制法中所述有机发光层于所述第一开口及所述第三开口内为连续膜层。
于部份实施例中，本揭示的有机发光二极体有机发光显示基板的制法中所述第一无机层与所述第二无机层的材料为氧化硅或氮化硅，且所述第一无机层与所述第二无机层包含不同材料。
于部份实施例中，本揭示的有机发光二极体有机发光显示基板的制法中所述第三无机层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、碳氮化硅、氧化铝或氧化钛。
于部份实施例中，本揭示的有机发光二极体有机发光显示基板的制法中的所述有机层是由喷墨打印法所形成。
于部份实施例中，本揭示的有机发光二极体有机发光显示基板的制法中所述第三无机层于所述第一子开口上的平坦度高于所述第三无机层于所述第二子开口上的平坦度。
于部份实施例中，本揭示的有机发光二极体有机发光显示基板的制法，还包括薄膜晶体管器件层，设置于所述衬底上并位于所述衬底与所述第一无机层之间。
于本揭示所提供的有机发光显示基板的制法中，透过不同形状的底切开口、挡墙与有机层的设置，可使得介于显示区与屏下器件区之间的阻隔区在有机发光层完成整面沉积后，在靠近显示区的一侧的形貌变得更为平缓，可以使得作为水气阻隔层的第三无机层的成膜更加连贯且不会于其内形成裂纹(crack)、减小应力，进而有效提高有机发光显示面板的封装效果。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本揭示第一实施例的有机发光显示基板的俯视图。
图2是根据本揭示第二实施例的有机发光显示基板的制法的流程示意图。
图3-6是根据本揭示第三实施例的机发光显示基板的制法的剖面示意图。
图7-9是根据本揭示第四实施例的有机发光显示基板的制法的剖面示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[顶部]、[底部]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
以下藉由图1-9说明根据本揭示的有机发光显示基板的制法的多个实施情形，其中图1是根据本揭示第一实施例的有机发光显示基板的俯视图，图2是根据本揭示第二实施例的有机发光显示基板的制法的流程示意图，图3-6是根据本揭示第三实施例的有机发光显示基板的制法的剖面示意图，及图7-9是根据本揭示第四实施例的有机发光显示基板的制法的剖面示意图。
请参照图1，本揭示的第一实施例提供了一种有机发光显示基板10。从俯视观之，所述有机发光显示基板10包括显示区10a、屏下器件区10c、及位于显示区10a与屏下器件区10c之间的阻隔区10b，且所述阻隔区10b环绕所述屏下器件区10c。于本实施例中，屏下器件区10c为用于设置如摄像头及传感器等屏下器件(未示出)的区域，而所述摄像头及传感器等屏下器件可采用习知器件，于本揭示中不再详述其制法。
请继续参照图2-图9，以解说依据本揭示的多个实施例的有机发光显示基板的制法，并显示了沿图1中的AA直线的制作情形。
根据图2所示的本揭示第二实施例的有机发光显示基板的制法的流程示意图及根据图3-6所示的本揭示第三实施例的有机发光显示基板的制法的剖面示意图可得知，本揭示提供了一种有机发光显示基板的制法，包括以下步骤：
步骤S50:如图2及图3所示，提供衬底110，所述衬底110上定义有显示区10a、屏下器件区10c及位于显示区10a与所述屏下器件区10c间的阻隔区10b，而所述衬底110上依序设置有薄膜晶体管器件层120、第一无机层130及第二无机层140。
所述衬底110可以为柔性衬底，也可以为硬质衬底。柔性衬底的材料可以为聚酰亚胺，硬质衬底的材料可以为玻璃、金属、塑料等。
步骤S52:如图2及图3所示，接着可施行第一蚀刻工艺150，于所述隔离区10b内的所述第二无机层140及所述第一无机层130内分别形成第一开口200a与第二开口200b。在此，由于所述第一开口200a与所述第二开口200b是由所述第一蚀刻工艺150同时形成，故所述第一开口200a与所述第二开口200b具有相同形状与尺寸，并露出下方的薄膜晶体管器件层120的部分。所述第二无机层140及所述第一无机层130材料为氧化硅或氮化硅，且所述第一无机层与所述第二无机层包含不同材料，以利所述第一蚀刻工艺150及后续的第二蚀刻工艺160a操作时可于此些膜层中表现出适当的蚀刻选择比。
步骤S54:如图2及图4所示，接着施行第二蚀刻工艺160a，部分移除为所述第二开口200b(见图2)所露出的第一无机层130，将所述第二开口200b扩张成第三开口200c。在此，所述第二蚀刻工艺160a例如为湿刻，且于第二蚀刻工艺160a施行后，将所述第二开口200b横向扩张成如倒梯形开口的第三开口200c。所述第三开口200c部分位于第二无机层140下方，进而露出第二无机层140的底面。因于所述第二蚀刻工艺160a中所使用的蚀刻液(如酸液)对于第一无机层130和第二无机层140的刻蚀速度不一样，故所述蚀刻液对第一无机层130的蚀刻速度远大于对第二无机层140的蚀刻速度，进而得到倒梯形开口的第三开口200c，第三开口200c亦可称为底切开口(undercut opening)。
步骤S56:如图2及图5所示，接着形成挡墙310于所述第三开口200c内，并将所述第三开口200c定义出靠近所述显示区10a的第一子开口200c1及远离所述显示区200a且靠近所述屏下器件区10c的第二子开口200c2。在此，挡墙310大致位于所述所述第三开口200c的中央处，为无机材料所制成的结构，其高度不超过第一无机130与第二无机层140的总高度，所起的作用是防止后续形成的有机层500(见图6)的溢出。
步骤S58:如图2及图5所示，接着形成有机发光层400于所述第二无机层140、所述第一无机层130、及所述挡墙310上。在此，有机发光层400可采蒸镀工艺形成，且由于第三开口200c为倒梯形开口，如此可使得有机发光层于第三开口200c处断开，进而形成电性阻隔作用。因此，所述有机发光层400便于所述阻隔区10b内的所述第一开口200a内及所述第三开口200c内呈现不连续膜层，且可为后续形成的有机层500(见图6)所分隔，所述有机发光层400将不作为水氧入侵的连续通道。
步骤S60:如图2及图6所示，接着形成有机层500，所述有机层500填满靠近所述第一子开口200c。所述有机层500例如是由喷墨打印法所形成，其组成材料可与常用的平坦层(PLN)、像素定义层(PDL)等组成材料相同。藉由有机层500的形成，可使靠近显示区10a一侧的表面形貌变得更平坦。
步骤S62:如图2及图6所示，接着形成第三无机层600，覆盖所述有机层500及所述有机发光层400。所述第三无机层600可采用PECVD、PLD等工艺沉积而成，材料可为且不限于氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、碳氮化硅、氧化铝或氧化钛等。在远离显示区10a且靠近屏下器件区10c的一侧，有机发光层400亦为不连续无层，而第三无机层600完整覆盖在有机层500外，可有效防止外侧水氧入侵，而在靠近显示区10a一侧，第三无机层600下方的底层平坦度高，进而降低了应力集中效应并使得第三无机层600的膜厚均一性更好。如此，所述第三无机层600于所述第一子开口200c1上的平坦度高于所述第三无机层600于所述第二子开口200c2上的平坦度，进而使得靠显示区10a一侧的形貌变得更为平缓，可以使得第三无机层600成膜更加连贯且不会于其内形成裂纹(crack)、减小应力进而有效提高有机发光显示面板的封装效果。
根据图2所示的本揭示第二实施例的有机发光显示基板的制法的流程示意图及根据图7-8所示的本揭示第四实施例的有机发光显示基板的制法的剖面示意图可得知，本揭示提供了另一种有机发光显示基板的制法，其相似于图3-6的实施例，区别在于底切开口的形状不同，其余制法皆为相同，下文中仅解说两实施例之间不同的步骤：
于施行步骤S50与S52后，接着施行步骤S54:如图2及图7所示，接着施行第二蚀刻工艺160b，部分移除为所述第二开口200b(见图2)所露出的第一无机层130，将所述第二开口200b扩张成第三开口200c。在此，所述第二蚀刻工艺160b例如为乾刻，且于第二蚀刻工艺160b施行后，将所述第二开口200b横向扩张成形状相似于所述第一开口200a形状的第三开口200c。所述第三开口200d部分位于第二无机层140下方，并横向扩展了一宽度d，进而露出第二无机层140的底面，而所述宽度d可藉由第二蚀刻工艺160b的操作时间所控制。因于所述第二蚀刻工艺160a中所使用的蚀刻气体(如酸液)对于第一无机层130和第二无机层140的刻蚀速度不一样，故所述蚀刻液对第一无机层130的蚀刻速度远大于对第二无机层140的蚀刻速度，进而得到第三开口200d，第三开口200d亦可称为底切开口(undercut opening)。
步骤S56:如图2及图8所示，接着形成挡墙310于所述第三开口200d内，并将所述第三开口200d定义出靠近所述显示区10a的第一子开口200d1及远离所述显示区200a且靠近所述屏下器件区10c的第二子开口200d2。在此，挡墙310大致位于所述所述第三开口200d的中央处，为无机材料所制成的结构，其高度不超过第一无机130与第二无机层140的总高度，所起的作用是防止后续形成的有机层500(见图6)的溢出。
步骤S58:如图2及图8所示，接着形成有机发光层400于所述第二无机层140、所述第一无机层130、及所述挡墙310上。在此，有机发光层400可采蒸镀工艺形成，且由于第三开口200d的形状相似于所述第一开口200a的形状，如此可使得有机发光层400于所述第一开口200a及所述第三开口200c内为连续膜层。
步骤S60:如图2及图9所示，接着形成有机层500，所述有机层500填满靠近所述第一子开口200d1。所述有机层500例如是由喷墨打印法所形成，其组成材料可与常用的平坦层(PLN)、像素定义层(PDL)等组成材料相同。藉由有机层500的形成，可使靠近显示区10a一侧的表面形貌变得更平坦。
步骤S62:如图2及图9所示，接着形成第三无机层600，覆盖所述有机层500及所述有机发光层400。所述第三无机层600可采用PECVD、PLD等工艺沉积而成，材料可为且不限于氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、碳氮化硅、氧化铝或氧化钛等。在远离显示区10a且靠近屏下器件区10c的一侧，虽有机发光层400为连续无层，但藉由第三无机层600完整覆盖在有机层500外，可有效防止外侧水氧入侵。而在靠近显示区10a一侧，第三无机层600下方的底层平坦度高，进而降低了应力集中效应并使得第三无机层600的膜厚均一性更好。如此，所述第三无机层600于所述第一子开口200d1上的平坦度高于所述第三无机层600于所述第二子开口200d2上的平坦度，进而使得靠显示区10a一侧的形貌变得更为平缓，可以使得第三无机层600成膜更加连贯且不会于其内形成裂纹(crack)、减小应力，封装效果更好，进而有效提高有机发光显示面板的封装效果。
于前述多个实施例的有机发光显示基板的制法中，本揭示透过不同形状的底切开口、挡墙与有机层的设置，可使得介于显示区与屏下器件区之间的阻隔区在有机发光层完成整面沉积后，在靠近显示区的一侧的形貌变得更为平缓，可以使得作为水气阻隔层的第三无机层600的成膜更加连贯且不会于其内形成裂纹(crack)、减小应力，进而有效提高有机发光显示面板的封装效果。
虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种有机发光显示基板的制法，其特征在于：所述有机发光显示基板的制法包含以下步骤：
提供衬底，所述衬底上定义有显示区、屏下器件区及位于显示区与所述屏下器件区间的阻隔区，及依序设置有第一无机层及第二无机层；
施行第一蚀刻工艺，于所述隔离区内的所述第二无机层及所述第一无机层内分别形成第一开口与第二开口；
施行第二蚀刻工艺，部分移除为所述第二开口所露出的第一无机层，将所述第二开口扩张成第三开口；
形成挡墙于所述第三开口内，并将所述第三开口定义出靠近所述显示区的第一子开口及远离所述显示区的第二子开口；
形成有机发光层于所述第二无机层、所述第一无机层、及所述挡墙上；
形成有机层，填满靠近所述第一子开口；及
形成第三无机层，覆盖所述有机层及所述有机发光层。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示基板的制法，其特征在于：所述第二蚀刻工艺为湿刻，而所述第三开口为倒梯形开口。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示基板的制法，其特征在于：所述有机发光层于所述第一开口内及所述第三开口内为不连续膜层且为所述有机层所分隔。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示基板的制法，其特征在于：所述第二蚀刻工艺为乾刻，而所述第三开口的形状相似于所述第一开口的形状。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示基板的制法，其特征在于：所述有机发光层于所述第一开口及所述第三开口内为连续膜层。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示基板的制法，其特征在于：所述第一无机层与所述第二无机层的材料为氧化硅或氮化硅，且所述第一无机层与所述第二无机层包含不同材料。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示基板的制法，其特征在于：所述第三无机层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、碳氮化硅、氧化铝或氧化钛。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示基板的制法，其特征在于：所述有机层是由喷墨打印法所形成。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示基板的制法，其特征在于：所述第三无机层于所述第一子开口上的平坦度高于所述第三无机层于所述第二子开口上的平坦度。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示基板的制法，其特征在于：还包括薄膜晶体管器件层，设置于所述衬底上并位于所述衬底与所述第一无机层之间。
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