CN112160021A - 一种单晶晶片及其晶棒的制备方法 - Google Patents

一种单晶晶片及其晶棒的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112160021A
CN112160021A CN202011214927.7A CN202011214927A CN112160021A CN 112160021 A CN112160021 A CN 112160021A CN 202011214927 A CN202011214927 A CN 202011214927A CN 112160021 A CN112160021 A CN 112160021A
Authority
CN
China
Prior art keywords
single crystal
melt
crystal
necking
ending
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011214927.7A
Other languages
English (en)
Inventor
尹士平
郭晨光
黄雪丽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Zhongfei Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
First Semiconductor Materials Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by First Semiconductor Materials Co ltd filed Critical First Semiconductor Materials Co ltd
Priority to CN202011214927.7A priority Critical patent/CN112160021A/zh
Publication of CN112160021A publication Critical patent/CN112160021A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/36—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/08—Germanium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供了一种单晶晶片及其晶棒的制备方法，属于晶体生长技术领域。本发明对传统直拉法进行改进，增加空拉过程，并降低冷却速度，延长冷却时间，所得单晶晶棒制得的直径4寸以上的单晶晶片表面的亮点、波浪纹等缺陷得到有效减少，达到低LPD标准的合格率显著上升，提升了晶棒利用率，能满足市场需求，增加企业利润。

Description

一种单晶晶片及其晶棒的制备方法
技术领域
本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种单晶晶片及其晶棒的制备方法。
背景技术
随着太阳能电池在太空太阳能系统和大规模地面聚光太阳能系统中的广泛应用，光伏行业对锗单单晶片衬底材料的需求日益增大。以锗单晶片作为衬底的砷化镓化合物多结电池具有转化效率高、相对重量和体积小、抗宇宙射线辐射性能优异等优点；该类锗单晶中的位错等晶体缺陷直接影响到砷化镓外延生长，使整个膜层表面呈现凹坑、亮斑或波浪形起伏，从而影响电池的填充因子(FF)、光电转换效率(EFF)及电池寿命等关键性能。根据本行业领域经验，当太阳能锗单晶(P型锗)的直径在4寸以上，且采用光学表面分析仪(如KLA-Tencor公司的光学表面分析仪)测试表面达到低LPD标准(面积大于0.3μm2的亮斑数量≤80颗，面积大于0.08μm2的亮斑数量≤150颗，Pics(强光下的亮点)≤10颗，并且波浪纹分布在距离圆片边缘1μm以内)的情况下，锗晶片外延效果好，可用作衬底材料而应用于卫星太阳能电池板中。根据目前现有技术，生产大尺寸太阳能锗单晶需要拉制大尺寸锗单晶晶棒，但每根晶棒达到该指标的合格率低于12％。为满足市场应用的需求，需要减少亮点及波浪纹，提高产品合格率，降低生产成本，创造更高效益。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种单晶晶片及其晶棒的制备方法，以减少单晶晶片表面出现亮点、波浪纹等缺陷，提高整根晶棒达到上述低LPD标准的合格率。
为实现上述目的，第一方面，本发明提供了一种单晶晶棒的制备方法，包括以下制备步骤：
(1)装料：将多晶和掺杂元素装入坩埚中，再合上炉盖；
(2)抽真空和检漏：启动抽真空程序，真空度达标并检漏合格后，充入保护气；
(3)化料：启动加热程序以使所述多晶和掺杂元素熔化，得到含掺杂元素的多晶熔体；
(4)引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾：把籽晶插入多晶熔体中进行引晶，然后依次进行缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾；
(5)空拉：待晶棒与多晶熔体脱离后，保持收尾结束时的炉内温度6～30h，保温同时以0.01～0.9mm/min的速度向上提拉晶棒；
(6)冷却：以0.1～3℃/min的速率降温至室温，所得晶棒即为单晶晶棒。
上述制备方法对直拉法进行改进，增加了空拉过程，使收尾后整个炉内的温度以及温度梯度长时间保持恒定，从而使晶棒在空中缓慢上拉过程中形成小范围降温趋势，进而使整个晶棒均匀冷却，防止了热应力及缺陷的增加，阻止了晶变；另外，还降低了冷却过程中的降温速度，延长了降温时间，使晶棒在冷却过程中也能均匀降温，进一步防止了热应力及缺陷的增加，阻止了晶变。由上述制备方法所得单晶晶棒制得的直径在4寸以上的单晶晶片，相比传统直拉法所得单晶晶棒制得的直径在4寸以上的单晶晶片，表面的亮点、波浪纹等缺陷大大减少，整根晶棒制得的直径在4寸以上的单晶晶片达到上述低LPD标准的合格率显著上升。
优选地，所述缩颈过程生长出的细颈单晶的长度为300～500mm。
进一步优选地，所述缩颈过程生长出的细颈单晶的长度为300mm。
优选地，所述等径生长过程生长出的单晶直径为110～160mm。
优选地，所述等径生长过程生长出的单晶长度为150～250mm。
优选地，所述多晶和所述籽晶为锗，所述掺杂元素为镓。
优选地，所述籽晶的晶相为[100]。
优选地，在所述引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾过程中，与固体单晶相接触的多晶熔体的深度保持不变。
优选地，所述制备方法在步骤(3)和步骤(4)之间还包括以下步骤：去除多晶熔体中的浮渣。直拉法生长锗单晶时，熔体表面大多存在不能挥发的浮渣，这些浮渣很容易在单晶生长过程中粘附到已经结晶的单晶体表面，影响散热和结晶，导致单晶中位错缺陷的产生，最终出现断棱和变晶，因此，有必要去除浮渣。
优选地，采用浮锅法去除多晶熔体中的浮渣。吴绪礼编著的《锗及其冶金》中记载，采用浮锅法能很好的去除多晶熔体中的浮渣。
优选地，所述步骤(1)中，依次将多晶和掺杂元素装入坩埚中。
所述保护气可选择氮气，也可选择惰性气体中的至少一种，还可以选择氮气与惰性气体的混合气。
第二方面，本发明还提供了一种单晶晶片的制备方法，包括以下步骤：将上述制备方法制得的单晶晶棒经切片、腐蚀、抛光和清洗处理，即得所述单晶晶片。
优选地，所述单晶晶片的直径在4寸以上。如4寸、5寸、6寸等。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：本发明对直拉法进行改进，增加空拉过程，并降低冷却速度，延长冷却时间，所得单晶晶棒制得的直径4寸以上的单晶晶片表面的亮点、波浪纹等缺陷得到有效减少，达到上述低LPD标准的合格率显著上升，甚至整个单晶晶棒的总合格率在60％左右，提升了晶棒利用率，能满足市场需求，增加企业利润。
具体实施方式
为更好的说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
本实施例提供了一种单晶晶棒的制备方法，所采用的石墨坩埚包括外锅和内浮锅，内浮锅置于外锅内，内浮锅底部设有小孔。本实施例单晶晶棒的制备方法包括以下步骤：
(1)装料：将70公斤高纯锗锭(区熔法所得，纯度6N的多晶)平整放入内浮锅中，再将掺杂元素高纯镓(纯度7N)置于内浮锅的中心位置，迅速合上炉盖；
(2)抽真空和检漏：启动抽真空程序，真空度达到设定值并且检漏合格后，充入氮气；
(3)化料：启动加热程序以在氮气保护下使石墨坩埚中的高纯锗锭和高纯镓熔化形成熔体；
(4)引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾：化料完毕后，保持内浮锅水平位置不变，将外锅下降以使内浮锅内的熔体裹挟浮渣完全流入外锅中，从而使内浮锅中没有浮渣，然后控制外锅上升以使内浮锅底部置于外锅熔体中，外锅熔体表面的浮渣不会进入内浮锅，而熔体会通过小孔渗入内浮锅中，整个内浮锅浮在外锅内，控制内浮锅内液面保持不变的情况下把锗籽晶插入多晶熔体中进行降温引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾工艺，其中引晶所用锗籽晶的晶相为[100]，缩颈过程生长出的细颈单晶的长度为300mm，等径生长过程生长出的单晶直径为110mm，长度为150mm，收尾，收尾过程中长出的单晶直径逐渐缩小，最后所得晶棒底部呈锥形，并与熔体脱离；
(5)空拉：待晶棒与熔体脱离后，保持收尾结束时的炉内温度2h，保温同时以0.01mm/min的速度向上提拉晶棒；
(6)冷却：以0.1℃/min的速率降温至室温，所得晶棒即为单晶晶棒。
将本实施例所得单晶晶棒切片至4寸，然后经腐蚀、抛光和清洗，得到单晶晶片，对所得单晶晶片进行测试，发现整根单晶晶棒中有61％(该数值为达到上述低LPD标准的单晶晶片对应的单晶晶棒的长度与整根单晶晶棒长度的比值，下同)制得的单晶晶片达到上述低LPD标准。
实施例2
本实施例提供了一种单晶晶棒的制备方法，所采用的设备与实施例1相同。本实施例单晶晶棒的制备方法包括以下步骤：
(1)将70公斤高纯锗锭(区熔法所得，纯度6N的多晶)平整放入内浮锅中，再将掺杂元素高纯镓(纯度7N)置于内浮锅的中心位置，迅速合上炉盖；
(2)抽真空和检漏：启动抽真空程序，真空度达到设定值并且检漏合格后，充入氮气；
(3)化料：启动加热程序以在氮气保护下使石墨坩埚中的高纯锗锭和高纯镓熔化形成熔体；
(4)引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾：化料完毕后，保持内浮锅水平位置不变，将外锅下降以使内浮锅内的熔体裹挟浮渣完全流入外锅中，从而使内浮锅中没有浮渣，然后控制外锅上升以使内浮锅底部置于外锅熔体中，外锅熔体表面的浮渣不会进入内浮锅，而熔体会通过小孔渗入内浮锅中，整个内浮锅浮在外锅内，控制内浮锅内液面保持不变的情况下把锗籽晶插入多晶熔体中进行降温引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾工艺，其中引晶所用锗籽晶的晶相为[100]，缩颈过程生长出的细颈单晶的长度为300mm，等径生长过程生长出的单晶直径为150mm，长度为200mm，收尾，收尾过程中单晶直径逐渐缩小，最后底部呈锥形与熔体脱离；
(5)空拉：待晶棒与熔体脱离后，保持收尾结束时的炉内温度6h，保温同时以0.25mm/min的速度向上提拉晶棒；
(6)冷却：以2℃/min的速率降温至室温，所得晶棒即为单晶晶棒。
将本实施例所得单晶晶棒切片至4寸，然后经腐蚀、抛光和清洗，得到单晶晶片，对所得单晶晶片进行测试，发现整根单晶晶棒中有60％制得的单晶晶片达到上述低LPD标准。
实施例3
本实施例提供了一种单晶晶棒的制备方法，所采用的设备与实施例1相同。本实施例单晶晶棒的制备方法包括以下步骤：
(1)装料：将70公斤高纯锗锭(区熔法所得，纯度6N的多晶)平整放入内浮锅中，再将掺杂元素高纯镓(纯度7N)置于内浮锅的中心位置，迅速合上炉盖；
(2)抽真空和检漏：启动抽真空程序，真空度达到设定值并且检漏合格后，充入氮气；
(3)化料：启动加热程序以在氮气保护下使石墨坩埚中的高纯锗锭和高纯镓熔化形成熔体；
(4)引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾：化料完毕后，保持内浮锅水平位置不变，将外锅下降以使内浮锅内的熔体裹挟浮渣完全流入外锅中，从而使内浮锅中没有浮渣，然后控制外锅上升以使内浮锅底部置于外锅熔体中，外锅熔体表面的浮渣不会进入内浮锅，而熔体会通过小孔渗入内浮锅中，整个内浮锅浮在外锅内，控制内浮锅内液面保持不变的情况下把锗籽晶插入多晶熔体中进行降温引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾工艺，其中引晶所用锗籽晶的晶相为[100]，缩颈过程生长出的细颈单晶的长度为300mm，等径生长过程生长出的单晶直径为160mm，长度为250mm，收尾，收尾过程中单晶直径逐渐缩小，最后底部呈锥形与熔体脱离；
(5)空拉：待晶棒与熔体脱离后，保持收尾结束时的炉内温度30h，保温同时以0.9mm/min的速度向上提拉晶棒；
(6)冷却：以0.1℃/min的速率降温至室温，所得晶棒即为单晶晶棒。
将本实施例所得单晶晶棒切片至4寸，然后经腐蚀、抛光和清洗，得到单晶晶片，对所得单晶晶片进行测试，发现单晶晶片达到上述低LPD标准的合格率为60％。
对比例
本对比例提供了一种单晶晶棒的制备方法所采用的设备与实施例1相同。本对比例单晶晶棒的制备方法包括以下步骤：
(1)装料：将70公斤高纯锗锭(区熔法所得，纯度6N的多晶)平整放入内浮锅中，再将掺杂元素高纯镓(纯度7N)置于内浮锅的中心位置，迅速合上炉盖；
(2)抽真空和检漏：启动抽真空程序，真空度达到设定值并且检漏合格后，充入氮气；
(3)化料：启动加热程序以在氮气保护下使石墨坩埚中的高纯锗锭和高纯镓熔化形成熔体；
(4)引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾：化料完毕后，保持内浮锅水平位置不变，将外锅下降以使内浮锅内的熔体裹挟浮渣完全流入外锅中，从而使内浮锅中没有浮渣，然后控制外锅上升以使内浮锅底部置于外锅熔体中，外锅熔体表面的浮渣不会进入内浮锅，而熔体会通过小孔渗入内浮锅中，整个内浮锅浮在外锅内，控制内浮锅内液面保持不变的情况下把锗籽晶插入多晶熔体中进行降温引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾工艺，其中引晶所用锗籽晶的晶相为[100]，缩颈过程生长出的细颈单晶的长度为300mm，等径生长过程生长出的单晶直径为160mm，长度为250mm，收尾，收尾过程中长出的单晶直径逐渐缩小，最后所得晶棒底部呈锥形，并与熔体脱离；
(5)冷却：以20℃/min的速率降温至室温，所得晶棒即为单晶晶棒。
将本对比例所得单晶晶棒切片至4寸，然后经腐蚀、抛光和清洗，得到单晶晶片，对所得单晶晶片进行测试，发现整根单晶晶棒中有12％制得的单晶晶片达到上述低LPD标准。与对比例1相比，实施例1在制备单晶晶片过程中，增加空拉处理，降低冷却过程的降温速率，其他步骤以及工艺参数均相同，但所得单晶晶片的合格率远远高于对比例，显著提升了晶棒利用率。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (10)

1.一种单晶晶棒的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)装料：将多晶和掺杂元素装入坩埚中，再合上炉盖；
(2)抽真空和检漏：启动抽真空程序，真空度达标并检漏合格后，充入保护气；
(3)化料：启动加热程序以所述多晶和掺杂元素熔化，得到含掺杂元素的多晶熔体；
(4)引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾：把籽晶插入多晶熔体中进行引晶，然后依次进行缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾；
(5)空拉：待晶棒与多晶熔体脱离后，保持收尾结束时的炉内温度6～30h，保温同时以0.01～0.9mm/min的速度向上提拉晶棒；
(6)冷却：以0.1～3℃/min的速率降温至室温，所得晶棒即为单晶晶棒。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述缩颈过程生长出的细颈单晶的长度为300～500mm。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述缩颈过程生长出的细颈单晶的长度为300mm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述等径生长过程生长出的单晶直径为110～160mm，所述等径生长过程生长出的单晶长度为150～250mm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多晶和所述籽晶为锗，所述掺杂元素为镓。
6.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述籽晶的晶相为[100]。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾过程中，与固体单晶相接触的多晶熔体的深度保持不变。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法在步骤(3)和步骤(4)之间还包括以下步骤：去除多晶熔体中的浮渣。
9.一种单晶晶片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：将如权利要求1～8中任一项所述的制备方法制得的单晶晶棒经切片、腐蚀、抛光和清洗处理，即得所述单晶晶片。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述单晶晶片的直径在4寸以上。
CN202011214927.7A 2020-11-03 2020-11-03 一种单晶晶片及其晶棒的制备方法 Pending CN112160021A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011214927.7A CN112160021A (zh) 2020-11-03 2020-11-03 一种单晶晶片及其晶棒的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011214927.7A CN112160021A (zh) 2020-11-03 2020-11-03 一种单晶晶片及其晶棒的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112160021A true CN112160021A (zh) 2021-01-01

Family

ID=73865724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011214927.7A Pending CN112160021A (zh) 2020-11-03 2020-11-03 一种单晶晶片及其晶棒的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112160021A (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6096596A (ja) * 1983-10-28 1985-05-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 単結晶引上げ軸
CN1422988A (zh) * 2001-12-06 2003-06-11 浙江大学 一种微量掺锗直拉硅单晶
CN103938270A (zh) * 2014-04-09 2014-07-23 云南北方驰宏光电有限公司 镓重掺杂低位错锗单晶的生长方法
CN106676621A (zh) * 2017-02-21 2017-05-17 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司 直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法
CN106715765A (zh) * 2014-12-24 2017-05-24 胜高股份有限公司 单晶的制造方法及硅晶片的制造方法
CN108998829A (zh) * 2017-06-07 2018-12-14 上海新昇半导体科技有限公司 冷却装置、单晶炉和晶棒的冷却方法
CN110205672A (zh) * 2019-06-17 2019-09-06 常州常晶科技有限公司 一种类单晶硅晶体生长方法和热场结构

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6096596A (ja) * 1983-10-28 1985-05-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 単結晶引上げ軸
CN1422988A (zh) * 2001-12-06 2003-06-11 浙江大学 一种微量掺锗直拉硅单晶
CN103938270A (zh) * 2014-04-09 2014-07-23 云南北方驰宏光电有限公司 镓重掺杂低位错锗单晶的生长方法
CN106715765A (zh) * 2014-12-24 2017-05-24 胜高股份有限公司 单晶的制造方法及硅晶片的制造方法
CN106676621A (zh) * 2017-02-21 2017-05-17 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司 直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法
CN108998829A (zh) * 2017-06-07 2018-12-14 上海新昇半导体科技有限公司 冷却装置、单晶炉和晶棒的冷却方法
CN110205672A (zh) * 2019-06-17 2019-09-06 常州常晶科技有限公司 一种类单晶硅晶体生长方法和热场结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8591851B2 (en) Methods and apparatuses for manufacturing cast silicon from seed crystals
KR100676459B1 (ko) Ｇａ첨가 ＣＺ 단결정 및 웨이퍼 그리고 그 제조방법
US20100193031A1 (en) Methods and Apparatuses for Manufacturing Cast Silicon From Seed Crystals
US9637391B2 (en) Crystalline silicon ingot including nucleation promotion layer
US20060194417A1 (en) Polycrystalline sillicon substrate
SG190514A1 (en) Crystalline silicon ingot and method of fabricating the same
US20090090295A1 (en) Method for growing silicon ingot
US20180347071A1 (en) Systems and methods for low-oxygen crystal growth using a double-layer continuous czochralski process
JP7321929B2 (ja) ＺｎドープＩｎＰ単結晶基板の製造方法
JP6749309B2 (ja) 化合物半導体ウエハ、および光電変換素子
CN110202419B (zh) 锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途
CN114016122A (zh) 一种提高大尺寸n型硅片转换效率的方法
CN114592236B (zh) 一种p型掺镓硅单晶的生长方法
CN112160021A (zh) 一种单晶晶片及其晶棒的制备方法
Gaspar et al. Silicon growth technologies for PV applications
US10087080B2 (en) Methods of fabricating a poly-crystalline silcon ingot from a nucleation promotion layer comprised of chips and chunks of silicon-containing particles
US20210310155A1 (en) Gallium arsenide single crystal substrate
US6752976B2 (en) Inp single crystal substrate
CN116219531A (zh) 一种低氧含量12吋硅棒的生产方法及其应用
JP4200690B2 (ja) ＧａＡｓウェハの製造方法
US10065863B2 (en) Poly-crystalline silicon ingot having a nucleation promotion layer comprising a plurality of chips and chunks of poly-crystalline silicon on the bottom
JP2010030847A (ja) 半導体単結晶の製造方法
JP5981356B2 (ja) 化合物半導体単結晶、化合物半導体ウエハ、および化合物半導体単結晶の製造方法
CN113774490A (zh) 一种大尺寸<211>晶向低位错密度锑化铟InSb晶体及其生长方法
JP2005047797A (ja) ＩｎＰ単結晶、ＧａＡｓ単結晶、及びそれらの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20210706

Address after: 239000 100 Nanjing Road, Langya Economic Development Zone, Chuzhou City, Anhui Province

Applicant after: Anhui Zhongfei Technology Co.,Ltd.

Address before: 511517 area B, no.27-9 Baijia Industrial Park, Qingyuan high tech Zone, Guangdong Province

Applicant before: FIRST SEMICONDUCTOR MATERIALS Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210101

RJ01 Rejection of invention patent application after publication