CN112154369B - 显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置，属于显示技术领域。其中，显示基板，包括衬底基板、信号线和像素电极，所述信号线和像素电极异层设置在所述衬底基板上；所述显示基板还包括：位于所述像素电极与所述信号线之间的第一透明导电图形，所述第一透明导电图形的一部分位于所述像素电极的正下方，所述第一透明导电图形与所述信号线之间间隔有第一钝化层，所述第一透明导电图形与所述像素电极之间间隔有第二钝化层，所述第一透明导电图形与所述显示基板的公共电极线电连接。本公开的技术方案能够提高显示装置的开口率。

Description

显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
背景技术
目前，透明显示装置在智能家居、穿戴、车载等领域的应用越来越广泛，透明显示装置的开口率是关键指标之一。现有TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)模式的透明显示装置中，为了增加存储电容和遮挡漏光，利用金属在像素区域边缘制作遮光图形，为了保证无漏光发生，遮光图形的面积一般都比较大，会影响透明显示装置的开口率，导致透明显示装置的开口率较低。
发明内容
本公开的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
一方面，提供一种显示基板，包括衬底基板、信号线和像素电极，所述信号线和像素电极异层设置在所述衬底基板上；所述显示基板还包括：
位于所述像素电极与所述信号线之间的第一透明导电图形，所述第一透明导电图形的一部分位于所述像素电极的正下方，所述第一透明导电图形与所述信号线之间间隔有第一钝化层，所述第一透明导电图形与所述像素电极之间间隔有第二钝化层，所述第一透明导电图形与所述显示基板的公共电极线电连接。
可选地，所述第一透明导电图形盖设于所述信号线的正上方。
可选地，所述位于所述像素电极的正下方的所述第一透明导电图形的一部分的宽度不小于1.5μm。
可选地，所述宽度不大于1.75μm。
可选地，所述信号线包括栅线和数据线。
可选地，所述显示基板还包括：
设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管；
位于所述像素电极与所述薄膜晶体管之间的第二透明导电图形，所述第二透明导电图形的一部分位于所述像素电极的正下方，所述第二透明导电图形与所述像素电极和所述薄膜晶体管绝缘。
可选地，所述第二透明导电图形位于所述薄膜晶体管的正上方。
可选地，所述第二透明导电图形与所述第一透明导电图形同层同材料设置。
本公开实施例还提供了一种显示面板，包括如上所述的显示基板、与所述显示基板对盒设置的彩膜基板以及位于所述显示基板和所述彩膜基板之间的液晶层，所述彩膜基板上设置有公共电极。
可选地，所述公共电极与所述第一透明导电图形的材料相同。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
本公开实施例还提供了一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括衬底基板、信号线和像素电极，所述信号线和像素电极异层设置在所述衬底基板上；所述制作方法包括：
形成位于所述像素电极与所述信号线之间的第一透明导电图形，所述第一透明导电图形的一部分位于所述像素电极的正下方，所述第一透明导电图形与所述信号线之间间隔有第一钝化层，所述第一透明导电图形与所述像素电极之间间隔有第二钝化层，所述第一透明导电图形与所述显示基板的公共电极线电连接。
可选地，所述制作方法还包括：
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管；
形成位于所述像素电极与所述薄膜晶体管之间的第二透明导电图形，所述第二透明导电图形的一部分位于所述像素电极的正下方，所述第二透明导电图形与所述像素电极和所述薄膜晶体管绝缘。
附图说明
图1为现有液晶显示面板的示意图；
图2为现有液晶显示面板出现对位偏移的示意图；
图3为像素电极与信号线之间电场导致液晶偏转紊乱，形成暗态漏光的示意图；
图4为本公开实施例液晶显示面板的平面示意图；
图5为图4所示液晶显示面板的CC截面示意图；
图6为图4所示液晶显示面板的DD截面示意图；
图7为本公开另一实施例液晶显示面板的平面示意图。
附图标记
1 衬底基板
2 栅绝缘层
3 第一钝化层
5 像素电极
6 液晶层
7 公共电极
8 彩色滤光单元
9 衬底基板
10 黑矩阵
11 数据线
12 遮光图形
13 第二钝化层
14 第一透明导电图形
15 栅线
16 第二透明导电图形
A 遮光区
B 透光区
具体实施方式
为使本公开的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
目前，透明显示装置在智能家居，穿戴，车载等领域的应用越来越广泛，透明显示装置的开口率是关键指标之一。现有的液晶显示面板的透过率一般仅有9％左右，不能满足市场需求。一种采用聚合物网络液晶(PNLC)模式的液晶显示面板透过率较高，该种液晶显示面板采用TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)模式的像素结构。如图1所示，液晶显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，彩膜基板包括衬底基板9、位于衬底基板9上的彩色滤光单元8、黑矩阵10和公共电极7；阵列基板包括位于衬底基板1上的栅绝缘层2、第一钝化层3、像素电极5和数据线11，另外为了增加存储电容和遮挡漏光，液晶显示面板还包括利用栅金属层制作的遮光图形12，遮光图形12与公共电极线连接，在液晶显示面板工作时，能够与像素电极5之间形成存储电容，另外，遮光图形12还能够屏蔽数据线11与像素电极5之间的电场，防止液晶紊乱产生的漏光。为了有效增加存储电容和遮挡漏光，遮光图形12的尺寸一般比较大，会对液晶显示面板的开口率造成影响。另外，如图2所示，由于对位精度的限制，在彩膜基板与阵列基板存在对位偏移时，遮光图形12会导致液晶显示面板的开口率的进一步降低，其中，A为遮光区，B为透光区，导致液晶显示面板无法应用于透明显示中。如果出于提高开口率的考虑，在液晶显示面板中去除遮光图形12，如图3所示，会导致存储电容过小引起闪烁，并且由于不能屏蔽数据线11与像素电极5之间的电场，将会出现严重的漏光现象，图3中虚线代表数据线11与像素电极5之间的电场。
为了解决上述问题，本公开.的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置，能够提高显示装置的开口率。
本公开的实施例提供一种显示基板，包括衬底基板、信号线和像素电极，所述信号线和像素电极异层设置在所述衬底基板上；显示基板还包括：
位于像素电极与信号线之间的第一透明导电图形，所述第一透明导电图形的一部分位于所述像素电极的正下方，第一透明导电图形与信号线之间间隔有第一钝化层，第一透明导电图形与像素电极之间间隔有第二钝化层，第一透明导电图形与显示基板的公共电极线电连接。
本实施例中，在像素电极与信号线之间设置第一透明导电图形，第一透明导电图形与显示基板的公共电极线电连接，第一透明导电图形的一部分位于像素电极的正下方，这样在显示基板显示时，第一透明导电图形与像素电极之间能够形成存储电容，从而增加显示装置的存储电容；另外，第一透明导电图形还能够屏蔽信号线上电信号对像素电极的影响，防止液晶紊乱产生暗态漏光；本实施例中，第一透明导电图形采用透明材料，不会阻挡光线透过显示基板，能够提高显示基板的开口率，使得显示基板能够应用于透明显示装置中。
值得注意的是，本实施例中，第一透明导电图形不会通过过孔与信号线和像素电极连接，第一透明导电图形与信号线和像素电极之间是绝缘的。
其中，第一透明导电图形的一部分位于像素电极的正下方，是指像素电极位于第一透明导电图形远离衬底基板的一侧，且第一透明导电图形在衬底基板上的正投影与像素电极在衬底基板上的正投影存在重叠部分。
其中，本实施例的显示基板应用在液晶显示面板中，作为液晶显示面板的阵列基板。具体地，第一透明导电图形可以与显示基板的像素电极采用相同的透明导电材料，比如ITO，这样可以采用相同的成膜设备形成像素电极材料层和第一透明导电图形的材料层。
优选地，第一透明导电图形盖设于信号线的正上方，这样第一透明导电图形能够最大程度屏蔽信号线上电信号对像素电极的影响，防止液晶紊乱产生暗态漏光。其中，第一透明导电图形盖设于信号线的正上方是指第一透明导电图形位于信号线远离衬底基板的一侧，且信号线在衬底基板上的正投影落入第一透明导电图形在衬底基板上的正投影内。
本实施例中，通过第一透明导电图形增加的存储电容的大小由位于像素电极的正下方的第一透明导电图形的一部分在垂直于自身延伸方向上的宽度决定，为了保证液晶显示面板的存储电容，避免出现画面闪烁的现象，优选地，位于像素电极的正下方的第一透明导电图形的一部分的宽度不小于1.5μm。另一方面，如果存储电容过大，末端像素会存在充电不足的现象，因此，该宽度不大于1.75μm，这样不会导致液晶显示面板的存储电容过大。
其中，第一透明导电图形位于第一像素电极和第二像素电极之间，第一像素电极和第二像素电极为相邻的两个像素电极，第一透明导电图形包括位于第一像素电极正下方的第一部分和位于第二像素电极正下方的第二部分，第一部分的宽度为1.5-1.75μm，第二部分的宽度也同样为1.5-1.75μm。
其中，上述信号线包括栅线和数据线。在液晶显示面板进行显示时，栅线和数据线上都会加载电信号，栅线和数据线上加载的电信号都会对像素电极产生影响，一方面与像素电极之间产生电场，导致液晶紊乱，另一方面还会影响像素电极上的电信号。本实施例中，不仅在数据线和像素电极之间设置第一透明导电图形，还在栅线和像素电极之间设置第一透明导电图形，这样第一透明导电图形不仅能够避免数据线上电信号对像素电极的影响，还能避免栅线上电信号对像素电极的影响。
进一步地，显示基板还包括设置在衬底基板上的薄膜晶体管，在液晶显示面板工作时，显示基板的薄膜晶体管也会加载电信号，为了屏蔽薄膜晶体管上电信号对像素电极的影响，显示基板还包括：位于像素电极与显示基板的薄膜晶体管之间的第二透明导电图形，第二透明导电图形的一部分位于像素电极的正下方，第二透明导电图形与像素电极和薄膜晶体管绝缘，这样第二透明导电图形与像素电极之间还能够形成存储电容，能够进一步增加显示装置的存储电容。本实施例中，第二透明导电图形采用透明材料，不会阻挡光线透过显示基板，不会对显示基板的开口率造成影响。其中，第二透明导电图形的一部分位于像素电极的正下方是指像素电极位于第二透明导电图形远离衬底基板的一侧，且第二透明导电图形在衬底基板上的正投影与像素电极在衬底基板上的正投影存在重叠部分。
优选地，第二透明导电图形位于薄膜晶体管的正上方，这样第二透明导电图形能够最大程度屏蔽薄膜晶体管上电信号对像素电极的影响，防止液晶紊乱产生暗态漏光。其中，第二透明导电图形位于薄膜晶体管的正上方，是指第二透明导电图形位于薄膜晶体管远离衬底基板的一侧，且薄膜晶体管在衬底基板上的正投影落入第二透明导电图形在衬底基板上的正投影内。
优选地，第二透明导电图形与第一透明导电图形同层同材料设置，这样第二透明导电图形和第一透明导电图形可以通过同一次构图工艺形成，不需要通过两次构图工艺分别制作第一透明导电图形和第二透明导电图形，能够降低制作显示基板的构图工艺的次数，降低显示基板的制作成本。
一具体实施例中，如图4-图6所示，本公开实施例的显示基板具体包括：衬底基板1；位于衬底基板上的栅线15、公共电极线和薄膜晶体管的栅极；覆盖栅线15、公共电极线和栅极的栅绝缘层2；位于栅绝缘层2远离栅极15一侧的数据线11和薄膜晶体管的有源层、源极、漏极；覆盖数据线11、有源层、源极和漏极的第一钝化层3；位于第一钝化层3远离数据线11一侧的第一透明导电图形14；覆盖第一透明导电图形14的第二钝化层13；位于第二钝化层13远离第一透明导电图形14一侧的像素电极5。
本实施例中，相比现有的液晶显示面板去掉了采用栅金属层制作的遮光图形，在栅线15、数据线11与像素电极5之间增加第一透明导电图形14和第二钝化层13，其中，第一透明导电图形14与公共电极线连接，与像素电极5之间存在交叠部分，如图5和图6所示，d为交叠部分在垂直于自身延伸方向上的宽度，在液晶显示面板工作时，第一透明导电图形14接入公共电压信号，能够与像素电极5之间形成存储电容，从而增加显示基板的存储电容，为显示基板提供足够的存储电容；另外，第一透明导电图形14覆盖栅线15和数据线11，还能够屏蔽栅线15和数据线11，一方面避免栅线15和数据线11与像素电极5之间产生电场，另一方面还能够避免栅线15和数据线11对像素电极5上电信号的影响，防止液晶紊乱造成漏光。
如图5所示，第一透明导电图形14上方设置有两个相邻的像素电极5，第一透明导电图形14包括位于其中一像素电极5正下方的第一部分和位于另一像素电极5正下方的第二部分，第一部分和第二部分的宽度均为d，d的取值决定了通过第一透明导电图形增加的存储电容的大小，为了保证液晶显示面板的存储电容，避免出现画面闪烁的现象，d不小于1.5μm；另外，如果存储电容过大，末端像素会存在充电不足的现象，因此，d不大于1.75μm，这样不会导致液晶显示面板的存储电容过大。
进一步地，如图7所示，在显示基板的薄膜晶体管上还设置有第二透明导电图形16，第二透明导电图形16位于像素电极5和显示基板的薄膜晶体管之间，第二透明导电图形16能够屏蔽薄膜晶体管上电信号对像素电极5的影响；进一步地，第二透明导电图形16在衬底基板1上的正投影与像素电极5在衬底基板1上的正投影存在重叠部分，这样第二透明导电图形16与像素电极5之间还能够形成存储电容，能够进一步增加显示装置的存储电容。第二透明导电图形16采用透明材料，不会阻挡光线透过显示基板，不会对显示基板的开口率造成影响。
通过本公开的技术方案，可以将显示基板的开口率提高40％以上，能够大大改善显示基板的显示效果，使得显示基板可以应用在透明显示场景中。
本公开实施例还提供了一种显示面板，包括如上的显示基板、与显示基板对盒设置的彩膜基板以及位于显示基板和彩膜基板之间的液晶层，彩膜基板上设置有公共电极。
可选地，公共电极与第一透明导电图形的材料相同。比如公共电极与第一透明导电图形均采用ITO，这样可以利用相同的成膜设备形成公共电极材料层和第一透明导电图形材料层。
本公开的技术方案中，在显示面板进行显示时，第一透明导电图形和公共电极输入相同电压的电信号，具体地，电信号的电压可以为0V。
进一步地，在显示基板还包括位于像素电极与显示基板的薄膜晶体管之间的第二透明导电图形时，在显示面板进行显示时，第二透明导电图形也与公共电极输入相同电压的电信号。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括如上的显示面板。该显示装置包括但不限于：射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解，上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定，显示装置可以包括上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。在本公开实施例中，显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
本公开实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括衬底基板、信号线和像素电极，所述信号线和像素电极异层设置在所述衬底基板上；制作方法包括：
形成位于像素电极与信号线之间的第一透明导电图形，所述第一透明导电图形的一部分位于所述像素电极的正下方，第一透明导电图形与信号线之间间隔有第一钝化层，第一透明导电图形与像素电极之间间隔有第二钝化层，第一透明导电图形与显示基板的公共电极线电连接。
本实施例中，在像素电极与信号线之间形成第一透明导电图形，第一透明导电图形与显示基板的公共电极线电连接，第一透明导电图形的一部分位于像素电极的正下方，这样在显示基板显示时，第一透明导电图形与像素电极之间能够形成存储电容，从而增加显示装置的存储电容；另外，第一透明导电图形还能够屏蔽信号线上电信号对像素电极的影响，防止液晶紊乱产生暗态漏光；本实施例中，第一透明导电图形采用透明材料，不会阻挡光线透过显示基板，能够提高显示基板的开口率，使得显示基板能够应用于透明显示装置中。
值得注意的是，本实施例中，第一透明导电图形不会通过过孔与信号线和像素电极连接，第一透明导电图形与信号线和像素电极之间是绝缘的。
其中，第一透明导电图形的一部分位于像素电极的正下方，是指像素电极位于第一透明导电图形远离衬底基板的一侧，且第一透明导电图形在衬底基板上的正投影与像素电极在衬底基板上的正投影存在重叠部分。
其中，本实施例的显示基板应用在液晶显示面板中，作为液晶显示面板的阵列基板。具体地，第一透明导电图形可以与显示基板的像素电极采用相同的透明导电材料，比如ITO，这样可以采用相同的成膜设备形成像素电极材料层和第一透明导电图形的材料层。
优选地，第一透明导电图形盖设于信号线的正上方，这样第一透明导电图形能够最大程度屏蔽信号线上电信号对像素电极的影响，防止液晶紊乱产生暗态漏光。其中，第一透明导电图形盖设于信号线的正上方是指第一透明导电图形位于信号线远离衬底基板的一侧，且信号线在衬底基板上的正投影落入第一透明导电图形在衬底基板上的正投影内。
本实施例中，通过第一透明导电图形增加的存储电容的大小由位于像素电极的正下方的第一透明导电图形的一部分的宽度决定，为了保证液晶显示面板的存储电容，避免出现画面闪烁的现象，位于像素电极的正下方的第一透明导电图形的一部分的宽度不小于1.5μm。另一方面，如果存储电容过大，末端像素会存在充电不足的现象，因此，该宽度不大于1.75μm，这样不会导致液晶显示面板的存储电容过大。
其中，第一透明导电图形位于第一像素电极和第二像素电极之间，第一像素电极和第二像素电极为相邻的两个像素，第一透明导电图形包括位于第一像素电极正下方的第一部分和位于第二像素电极正下方的第二部分，第一部分的宽度为1.5-1.75μm，第二部分的宽度也同样为1.5-1.75μm。
其中，上述信号线包括栅线和数据线。在液晶显示面板进行显示时，栅线和数据线上都会加载电信号，栅线和数据线上加载的电信号都会对像素电极产生影响，一方面与像素电极之间产生电场，导致液晶紊乱，另一方面还会影响像素电极上的电信号。本实施例中，不仅在数据线和像素电极之间设置第一透明导电图形，还在栅线和像素电极之间设置第一透明导电图形，这样第一透明导电图形不仅能够避免数据线上电信号对像素电极的影响，还能避免栅线上电信号对像素电极的影响。
进一步地，显示基板还包括设置在衬底基板上的薄膜晶体管，在液晶显示面板工作时，显示基板的薄膜晶体管也会加载电信号，为了屏蔽薄膜晶体管上电信号对像素电极的影响，制作方法还包括：
形成位于像素电极与显示基板的薄膜晶体管之间的第二透明导电图形，第二透明导电图形的一部分位于像素电极的正下方，第二透明导电图形与像素电极和薄膜晶体管绝缘，这样第二透明导电图形与像素电极之间还能够形成存储电容，能够进一步增加显示装置的存储电容。本实施例中，第二透明导电图形采用透明材料，不会阻挡光线透过显示基板，不会对显示基板的开口率造成影响。其中，第二透明导电图形的一部分位于像素电极的正下方是指像素电极位于第二透明导电图形远离衬底基板的一侧，且第二透明导电图形在衬底基板上的正投影与像素电极在衬底基板上的正投影存在重叠部分。
优选地，第二透明导电图形位于薄膜晶体管的正上方，这样第二透明导电图形能够最大程度屏蔽薄膜晶体管上电信号对像素电极的影响，防止液晶紊乱产生暗态漏光。其中，第二透明导电图形位于薄膜晶体管的正上方，是指第二透明导电图形位于薄膜晶体管远离衬底基板的一侧，且薄膜晶体管在衬底基板上的正投影落入第二透明导电图形在衬底基板上的正投影内。
优选地，第二透明导电图形与第一透明导电图形同层同材料设置，这样第二透明导电图形和第一透明导电图形可以通过同一次构图工艺形成，不需要通过两次构图工艺分别制作第一透明导电图形和第二透明导电图形，能够降低制作显示基板的构图工艺的次数，降低显示基板的制作成本。
一具体实施例中，本实施例的显示基板的制作方法包括以下步骤：
步骤1、提供一衬底基板1，在衬底基板1上形成栅金属层的图形；
其中，衬底基板1可为玻璃基板或石英基板。
具体地，可以采用溅射或热蒸发的方法在衬底基板1上沉积厚度约为的栅金属层，栅金属层可以是Cu、Al、Ag、Mo、Cr、Nd、Ni、Mn、Ti、Ta、W等金属以及这些金属的合金，栅金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo、Ti\Cu\Ti、Mo\Al\Mo等。在栅金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅线和栅电极的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成栅线15和薄膜晶体管的栅电极。
步骤2、在完成步骤1的基板上形成栅绝缘层2；
具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在完成步骤1的基板上沉积厚度为的栅绝缘层，栅绝缘层可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对应的反应气体是SiH4、NH3、N2或SiH2Cl2、NH3、N2。
步骤3、在完成步骤2的基板上形成有源层的图形；
具体地，在基板上沉积一层半导体材料，在半导体材料上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于有源层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于有源层的图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变，通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的半导体材料，形成有源层的图形，剥离剩余的光刻胶。
步骤4、在完成步骤3的基板上形成源漏金属层的图形；
具体地，可以在完成步骤3的基板上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为的源漏金属层，源漏金属层可以是Cu、Al、Ag、Mo、Cr、Nd、Ni、Mn、Ti、Ta、W等金属以及这些金属的合金。源漏金属层可以是单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo、Ti\Cu\Ti、Mo\Al\Mo等。在源漏金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于源电极、漏电极和数据线的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属层，剥离剩余的光刻胶，形成薄膜晶体管的漏电极、源电极以及数据线11。
步骤5、在完成步骤4的基板上形成第一钝化层3；
具体地，可以在完成步骤4的基板上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为的第一钝化层，第一钝化层可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，具体地，第一钝化层材料可以是SiNx、SiOx或Si(ON)x，钝化层还可以使用Al2O3。第一钝化层可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构。其中，硅的氧化物对应的反应气体可以为SiH4、N2O；氮化物或者氧氮化合物对应气体可以是SiH4、NH3、N2或SiH2Cl2、NH3、N2。
步骤6、在完成步骤5的基板上形成第一透明导电图形14和第二透明导电图形16；
具体地，在完成步骤5的基板上通过溅射或热蒸发的方法沉积厚度约为的透明导电层，透明导电层可以是ITO、IZO或者其他的透明金属氧化物，在透明导电层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于第一透明导电图形14和第二透明导电图形16的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的透明导电层薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成第一透明导电图形14和第二透明导电图形16。如图4-图7所示，第一透明导电图形14在衬底基板1上的正投影完全覆盖栅线15和数据线11在衬底基板1上的正投影，第二透明导电图形16在衬底基板1上的正投影完全覆盖薄膜晶体管在衬底基板1上的正投影。
步骤7、在完成步骤6的基板上形成第二钝化层13；
具体地，可以在完成步骤6的基板上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为的第二钝化层，第二钝化层可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，具体地，第二钝化层材料可以是SiNx、SiOx或Si(ON)x，钝化层还可以使用Al2O3。第二钝化层可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构。其中，硅的氧化物对应的反应气体可以为SiH4、N2O；氮化物或者氧氮化合物对应气体可以是SiH4、NH3、N2或SiH2Cl2、NH3、N2。
步骤8、在完成步骤7的基板上形成像素电极5。
具体地，在完成步骤7的基板上通过溅射或热蒸发的方法沉积厚度约为的透明导电层，透明导电层可以是ITO、IZO或者其他的透明金属氧化物，在透明导电层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于像素电极5的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的透明导电层薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成像素电极5。
经过上述步骤即可制作得到本实施例的显示基板。本实施例中，相比现有的液晶显示面板去掉了栅金属层制作的遮光图形，在栅线15、数据线11与像素电极5之间增加第一透明导电图形14和第二钝化层13，其中，第一透明导电图形14与公共电极线连接，与像素电极5之间存在交叠部分，其中，d为交叠部分在垂直于自身延伸方向上的宽度，在液晶显示面板工作时，第一透明导电图形14接入公共电压信号，能够与像素电极5之间形成存储电容，从而增加显示基板的存储电容，为显示基板提供足够的存储电容；另外，第一透明导电图形14覆盖栅线15和数据线11，还能够屏蔽栅线15和数据线11，一方面避免栅线15和数据线11与像素电极5之间产生电场，另一方面还能够避免栅线15和数据线11对像素电极5上电信号的影响，防止液晶紊乱造成漏光。
进一步地，如图7所示，在显示基板的薄膜晶体管上还设置有第二透明导电图形16，第二透明导电图形16位于像素电极5和显示基板的薄膜晶体管之间，第二透明导电图形16能够屏蔽薄膜晶体管上电信号对像素电极5的影响；进一步地，第二透明导电图形16在衬底基板1上的正投影与像素电极5在衬底基板1上的正投影存在重叠部分，这样第二透明导电图形16与像素电极5之间还能够形成存储电容，能够进一步增加显示装置的存储电容。第二透明导电图形16采用透明材料，不会阻挡光线透过显示基板，不会对显示基板的开口率造成影响。
通过本公开的技术方案，可以将显示基板的开口率提高40％以上，能够大大改善显示基板的显示效果，使得显示基板可以应用在透明显示场景中。
在本公开各方法实施例中，各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本公开的保护范围之内。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板，包括衬底基板、信号线和像素电极，所述信号线和像素电极异层设置在所述衬底基板上；其中，所述显示基板还包括：
位于所述像素电极与所述信号线之间的第一透明导电图形，所述第一透明导电图形位于所述信号线远离所述衬底基板的一侧，所述第一透明导电图形位于所述像素电极靠近所述衬底基板的一侧，所述第一透明导电图形与所述信号线之间间隔有第一钝化层，所述第一透明导电图形与所述像素电极之间间隔有第二钝化层，所述第一透明导电图形与所述显示基板的公共电极线电连接；
所述第一透明导电图形在所述衬底基板的正投影与所述像素电极在所述衬底基板的正投影存在交叠部分，所述交叠部分的宽度不小于1.5μm且不大于1.75μm；
所述信号线包括栅线，所述栅线在所述衬底基板上的正投影落入所述第一透明导电图形在所述衬底基板上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述信号线还包括数据线。
3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括：
设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管；
位于所述像素电极与所述薄膜晶体管之间的第二透明导电图形，所述第二透明导电图形的一部分位于所述像素电极的正下方，所述第二透明导电图形与所述像素电极和所述薄膜晶体管绝缘。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述第二透明导电图形位于所述薄膜晶体管的正上方。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述第二透明导电图形与所述第一透明导电图形同层同材料设置。
6.一种显示面板，其中，包括如权利要求1-5中任一项所述的显示基板、与所述显示基板对盒设置的彩膜基板以及位于所述显示基板和所述彩膜基板之间的液晶层，所述彩膜基板上设置有公共电极。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述公共电极与所述第一透明导电图形的材料相同。
8.一种显示装置，其中，包括如权利要求6或7所述的显示面板。
9.一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括衬底基板、信号线和像素电极，所述信号线和像素电极异层设置在所述衬底基板上；其中，所述制作方法包括：
形成位于所述像素电极与所述信号线之间的第一透明导电图形，位于所述信号线远离所述衬底基板的一侧，所述第一透明导电图形位于所述像素电极靠近所述衬底基板的一侧，所述第一透明导电图形与所述信号线之间间隔有第一钝化层，所述第一透明导电图形与所述像素电极之间间隔有第二钝化层，所述第一透明导电图形与所述显示基板的公共电极线电连接；
所述第一透明导电图形在所述衬底基板的正投影与所述像素电极在所述衬底基板的正投影存在交叠部分，所述交叠部分的宽度不小于1.5μm且不大于1.75μm；
所述信号线包括栅线，所述栅线在所述衬底基板上的正投影落入所述第一透明导电图形在所述衬底基板上的正投影内。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制作方法，其中，所述制作方法还包括：
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管；
形成位于所述像素电极与所述薄膜晶体管之间的第二透明导电图形，所述第二透明导电图形的一部分位于所述像素电极的正下方，所述第二透明导电图形与所述像素电极和所述薄膜晶体管绝缘。
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