CN112136038A - 用于制造至少一个膜片装置的方法、用于微机械的传感器的膜片装置和构件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种用于制造至少一个用于量热探测气体的微机械的传感器的膜片装置的方法，其中：提供晶片状的衬底；将至少一个参考容积在形成至少局部覆盖参考容积的参考膜片的情况下通过表面或容积微机械工艺由前侧引入晶片状的衬底中；将至少一个与至少一个参考容积相邻的测量容积由晶片状的衬底的背侧或前侧在形成测量膜片的情况下引入衬底中；将晶片状的盖衬底施加到晶片状的衬底的前侧上。此外还公开一种膜片装置和构件。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于制造至少一个膜片装置的方法，所述至少一个膜片装置用于用于量热地(kalorimetrisch)探测气体的微机械的传感器，以及一种膜片装置以及具有这样的膜片装置的构件。
背景技术
对于氢气的探测可以应用基于量热原理的传感器。这样的传感器通常由膜片组成，在膜片上布置有加热元件。这样的加热元件可以以不变的电流/电压或以不变的功率通过控制电子部件来运行。由此相比于环境温度实现温度过高。这样的传感器的功能原理基于氢气的导热能力，氢气以1810μW/cmK高于空气的具有值260μW/cmK的导热能力。
如果氢气位于加热元件的环境中，那么由于氢气的较高的导热能力并与之伴随的较大的热导出而使加热元件的温度下降。在此减小加热元件的电阻。该电阻变化导致附加的加热功率，该附加的加热功率必须通过控制电子部件来施加，以便将加热元件保持在不变的温度。附加的热功率与氢气的浓度呈正比。
因为导热能力与环境温度有关，所以可以借助另一温度传感器、例如利用另一铂电阻在膜片的相邻的区域中测量环境温度。
在膜片的环境中的空气湿气在考虑空气的导热能力时同样是重要的，且必须通过附加的传感器或测量数据的更昂贵的分析处理来考虑。
由于大量要考虑的因素，使得控制电子部件的设计变得困难，因为要考虑大的测量范围和多个变量。然而，与之并行地在氢气探测中需要高的分辨率和精度。
除了应用惠斯顿电桥以便滤除环境效应，此外可以改变运行电压，以便可以区分氢气与空气湿气。该区分特别是在如下情况下是必要的：对于燃料电池车辆应——例如但是不必须——证实在燃料电池单元堆叠的废气中的氢气。在彼处存在高的空气湿气。
发明内容
本发明基于的目的可以视为提出一种制造方法和改善的膜片装置，其降低对浓度测量的外部影响。
该目的根据本发明借助独立权利要求的相应的内容解决。本发明有利的构型和扩展方案是各个从属权利要求的内容且由说明书得知。
根据本发明的一个方面，提供一种用于制造至少一个膜片装置的方法，所述至少一个膜片装置用于用于量热探测气体的微机械的传感器。
在根据本发明的解决方案的一个方法步骤中，提供晶片状的衬底。该晶片状的衬底优选可以是掺杂的或未经掺杂的半导体。优选可以将由例如氧化物、氮化物、一氧化氮(Oxid-Nitrit)或二氧化氮(Oxid-Nitrit-Oxid)或诸如此类组成的热和电绝缘的涂层施加到晶片状的衬底上。热和电绝缘的层在下文中理想地形成蚀刻停止层。有利地如此选择材料，使得空气湿气不可积聚(einlagern)到层中或者穿过层扩散。
晶片状的衬底优选已经包括用于构成热元件的能导电的结构，例如由铂、铝、钼、钨、铜、金、银、掺杂的硅或诸如此类组成，其具有或没有增附剂层(Haftvermittlerschichten)，该增附剂层由铝、钛、钽或其氧化物或氮化物以及诸如此类组成。该结构例如可以被装备、喷镀或蒸镀，这些步骤的组合同样是可能的。此外，晶片状的衬底具有另一电隔离部，其通过金属化例如由氧化物或氮化物或诸如此类组成。隔离层的另一功能是保护或分离免受环境影响、如灰尘和湿气。
在根据本发明的方法中，将至少一个参考容积在形成至少局部地覆盖参考容积的参考膜片的情况下通过表面微机械的或容积微机械的工艺由晶片状的衬底的前侧引入晶片状的衬底中。
这例如可以通过湿蚀刻或牺牲层蚀刻实现。
替代或附加地对于该方法步骤，可以将至少一个参考容积在形成至少局部覆盖参考容积的参考膜片的情况下通过PorSi工艺、借助或不借助接下来通过例如干蚀刻步骤或云沟槽(Cloudtrench)移除多孔的硅由前侧引入晶片状的衬底中。
替代地可以仅仅使用一个工艺或各个工艺的组合。
参考容积可以例如在金属层中应用惠斯顿测量电桥的情况下用作用于气体测量的参考。
参考容积可以构型成朝晶片状的衬底的两个表面的方向敞开或封闭，在敞开的实施方案中能够实现与在环境中的气体和/或气体混合物的交换。在封闭的变型中可以在参考容积中包围确定的气体和/或气体混合物。
在另一方法步骤中，将与至少一个参考容积相邻的至少一个测量容积由晶片状的衬底的背侧或前侧在形成测量膜片的情况下引入晶片状的衬底中。
测量容积同样可以如参考容积那样借助适合的表面微机械工艺引入晶片状的衬底中。此外，也可以使用由分别由各向异性的和各向同性的蚀刻方法和/或各向异性的和各向同性的蚀刻方法的组合构成的容积微机械工艺。这例如可以通过牺牲层蚀刻和/或湿蚀刻实施。
对此替代或附加地，将至少一个参考容积可以在形成至少局部覆盖测量容积的测量膜片的情况下、并且将首先封闭的测量容积通过PorSi工艺、在结合或不结合紧接着移除多孔的硅的情况下由前侧引入晶片状的衬底中。
另一可能的工艺控制是由晶片状的衬底的前侧作用的表面微机械工艺和/或容积微机械工艺以及PorSi工艺，以便同时产生参考容积和测量容积。该方法具有缩短的工艺控制的优点，且由背侧作用的容积微机械工艺可考虑用于使测量容积气体引导地敞开。在该实施方式中，可以总体上省去晶片状的盖衬底(Kappensubstrat)，其此外在下文中更准确地定义。这例如在湿蚀刻工艺中是可能的且促成晶片装置的非常有利的制造形式，因为可以进一步减少传感器的材料成本和制造时间。
在参考容积或测量容积或参考或测量空穴(Messkaverne)的制造中同时可以构成对容积进行限界的膜片。作为膜片、例如参考膜片和/或测量膜片的实施方案的优点在于：在最小化的功率消耗的情况下可以调节相对于环境的温度过高。
通过膜片装置以及作为惠斯顿电桥的电设计，几乎不可以通过变化的环境条件、例如温度和空气湿度以及芯片的老化和由此伴随的传感器的漂移来影响传感器信号。
在另一方法步骤中，将晶片状的盖衬底施加到晶片状的衬底的前侧上。将晶片状的盖衬底施加到晶片状的衬底的前侧上的优点在于提高机械稳定性和机械承载能力。晶片状的盖衬底实现固定的热边界条件，因此系统的可调整性和可重复性提高。在晶片状的盖衬底的封闭的实施方式中，在膜片以上可以实现另一空腔，该空腔例如充以不同导热的气体。特别是在导热差的气体或真空的情况下，提高所提出的测量设备的敏感度。
基于所述方法步骤可以特别是借助在气体中和/或气体混合物中的导热能力、对流或辐射的原理实现用于微机械的传感器、特别是用于具有包括的参考容积用于探测气体、特别是氢气的双膜片芯片的简化的制造方法。
在另一根据本发明的实施方式中，可以在晶片状的盖衬底中设计有通道结构，用于有目的地输送测量和参考气体。
接着可以将晶片分离成多个晶片部段。相应的晶片部段可用于传感器的制造。
根据方法的一个实施方式，晶片状的盖衬底在引入参考容积之后施加到晶片状的衬底上。由此可以将测量容积类似于参考容积通过由晶片状的衬底的前侧作用的表面微机械工艺和容积微机械工艺或PorSi工艺引入晶片状的衬底中。接着，可以将晶片状的盖衬底布置在经加工的晶片状的衬底上。
通过根据本发明的方法的该特别有利的且简化的可工艺化性(Prozessierbarkeit)，例如可以借助沟槽工艺(Trenchprozess)实现用于制造的面朝下(Face-Down)加工和/或测量容积的气体引导的敞开。晶片的前侧与固定设备的直接接触——在下文中称为Chuck，这称为面朝向加工——可以在加工期间由于不平整性和在固定设备上的颗粒导致参考膜片的损坏和/或膜片的断裂。
根据发明的另一实施方式，在引入至少一个测量容积之后，将晶片状的盖衬底施加到晶片状的衬底上。
这具有如下优点，即在例如湿蚀刻方法中不损坏接缝(Fügung)和晶片状的盖衬底。
根据方法的另一实施方式，将至少一个测量容积通过干蚀刻引入晶片状的衬底中。干蚀刻方法的优点在于，可以限定地移除之前设计的牺牲结构。因此可以产生底切部(Hinterschnitte)，其例如可以在导入要测量的气体的情况下带来流体动态的优点。
替代和/或附加地，将至少一个测量容积通过沟槽工艺引入晶片状的衬底中。借助沟槽的制造工艺的优点在于引入任意的几何结构。因此可以实现小的芯片。
替代和/或附加地，至少一个测量容积通过湿化学蚀刻方法引入晶片状的衬底中。在该情况下晶片状的衬底不位于卡盘(Chuck)上且因此可以在施加盖件(Kappe)之前已经进行该步骤。如果进一步的机械保护或晶片状的衬底的提高的稳定性不是必要的，那么可以省去该盖件。
湿化学蚀刻方法的另一优点在于，晶片状的衬底的前侧和背侧可以实现在同时的工作步骤中。因此可以在高度的工艺均匀性的情况下非常成本有利地工艺化。
因此，可以将至少一个测量容积灵活地通过多个不同的制造方法通过材料去除引入晶片状的衬底中。
根据方法的另一实施方式，晶片状的盖衬底通过粘合、钎焊、晶片接合或熔焊施加到晶片状的衬底的前侧上，其中，“晶片接合”可理解为玻璃原料接合(Glas-Frit-Bonding)、低共熔的(eutekitsch)或阳极的接合。不同的接合方法允许其他工艺控制，特别是在晶片状的衬底和晶片状的盖衬底的当前边界层上。此外，不同的接合方法具有结合可实现的结构宽度的不同的媒介阻力。
替代地，粘合步骤也可以在晶片状的盖衬底的钎焊、接合或熔焊之后实施。这可以用于晶片状的盖衬底的附加的固定或膜片装置的封装(Versiegeln)。
晶片状的盖衬底可以因此灵活地通过不同方法布置在晶片状的衬底上。
根据本发明的方法的另一实施方式，在施加晶片状的盖衬底到晶片状的衬底上的情况下，在至少一个参考膜片与晶片状的盖衬底之间和/或在至少一个测量膜片与晶片状的盖衬底之间形成至少一个朝晶片状的盖衬底的前侧的方向敞开或封闭的参考容积。为此，晶片状的盖衬底可以在至少一个参考膜片的区域中和/或在至少一个测量膜片的区域中具有在准备阶段(im Vorfeld)引入的凹槽。这些凹槽可以延伸穿过晶片状的盖衬底的厚度且因此形成穿过晶片状的盖衬底的气体通道。
替代或附加地，晶片状的盖衬底可以形成在膜片之上的附加的容积，其例如可充以参考气体。
根据本发明的方法的另一实施方式，至少一个由晶片状的衬底的前侧在形成测量膜片的情况下引入晶片状的衬底中的测量容积由晶片状的衬底的背侧气体引导地敞开。在此，可以将测量容积在背侧上敞开地引入晶片状的衬底中，或者可以构型为气体引导通过附加地引入晶片状的衬底中的开口。
由前侧引入参考容积和由背侧引入测量容积的优点在于：由前侧和背侧可以输送不同的气体。例如可能的是由前侧输送空气，而由背侧输送氢气。
例如，通道和开口可以通过沟槽工艺引入至少一个测量容积的背侧壁中。开口的尺寸在此如此形成，使得气态媒介可以进入至少一个测量容积中。在此，颗粒和气溶胶基于其颗粒大小不可通过连接部进入至少一个测量容积中。
替代地，可以将至少一个测量容积通过湿化学工艺非常成本有利地敞开。
通过根据本发明由晶片状的衬底的前侧产生参考容积的工艺控制的方式，可以省去参考容积朝晶片状的衬底的背侧的方向的密封，因为产生封闭的参考容积，该参考容积不需要额外通过例如单独的基底晶片(Sockelwafer)来封闭。
根据本发明的方法的另一实施方式，将至少一个测量容积在背侧通过应用到晶片状的衬底的背侧上的蚀刻工艺气体引导地敞开。该蚀刻工艺可以是沟槽工艺、干蚀刻工艺、湿蚀刻工艺和/或各步骤的组合或诸如此类。引入晶片状的衬底中的至少一个测量容积和/或参考容积可以朝晶片状的衬底的背侧的方向通过多孔半导体技术、例如PorSi技术气体引导地修改。
参考容积在此可以通过与测量容积相同的方式仅仅由装置的前侧敞开。这具有如下优点：惠斯顿电桥基于更高的对称性可以与测量容积更容易协调一致。
在至少一个测量容积中多孔半导体结构的优点在于：半导体结构具有大的表面且可调节的孔大小，并因此可以承担对于其他气体和/或颗粒的过滤功能。多孔结构如此构型，使得颗粒、气溶胶或发光湿气基于颗粒大小不能够进入至少一个测量容积中。在利用PorSi的工艺控制中设立多孔的半导体结构，且通过工艺控制可以调节开孔性。
根据本发明的方法的另一实施方式，在晶片状的衬底的背侧上布置有密封装置。晶片状的衬底的背侧的要密封的横截面可以通过至测量容积的气体引导的输送而减小，从而借助宽的密封环——其例如用于媒介阻力——相对于湿气和其他环境影响的密封可以在至少一个测量容积的区域中在技术上更简单地实现。
所安装的密封装置的优点在于，位于测量容积之下的气体例如氢气-湿气混合物可以在排气管中与第二气体分离，该第二气体位于晶片状的衬底之上，例如环境空气。特别的优点在于，由此可以使得接合盘和接合线与对其造成损害的气体或空气的其他组成部分(湿气)分离。密封装置特别是位于背侧上，因为在彼处存在的介电层是特别潮湿稳定的。同样可以考虑的是，如果涉及其他密封功能，例如灰尘，那么将密封装置布置在前侧上。
根据本发明的方法的另一实施方式，将至少一个电阻和至少一个能导电的连接布置到至少一个参考膜片和至少一个测量膜片上，其中，与晶片状的盖衬底连接的晶片状的衬底分离成至少两个膜片装置。特别是可以由此在分离步骤之前将惠斯顿电桥电路施加到膜片装置上。由此可以技术简单地同时加工或制造多个膜片装置。
电桥电路的实现可以在单个芯片上在至少一个双膜片的实施方式中发生或者在具有膜片的芯片上发生，其中盖部提供测量和参考容积且将其相互分离。这样的传感器的传感器信号可以不由于改变的环境条件或芯片或应用的金属的老化和与之伴随的电阻的漂移而改变，因为电桥电路的所有电阻经受相同的波动且电桥电压因此不改变。
此外，在施加到膜片装置上的电阻中的制造技术波动可以影响传感器的性能，因为电桥电路的电阻相互直接靠近地布置且因此以相同的程度经受这些波动。如果在电桥电路中所有的电阻经历相同的波动，那么这对产生的电桥电压具有小的影响。
根据本发明的方法的另一实施方式，在形成至少局部覆盖参考容积的参考膜片的情况下，将至少一个参考容积通过PorSi工艺、在结合或不结合紧接着移除多孔的硅的情况下由前侧引入晶片状的衬底中。
此外，根据本发明的方法的一种实施方式，在形成至少局部覆盖参考容积的参考膜片的情况下，将至少一个参考容积通过PorSi工艺、在结合或不结合紧接着移除多孔的硅的情况下由前侧引入晶片状的衬底中，而在形成至少部分覆盖测量容积的测量膜片的情况下，将首先封闭的测量容积通过PorSi工艺、在结合或不结合紧接着移除多孔的硅的情况下由前侧引入晶片状的衬底中。
在利用PorSi的工艺控制中，可以同时或单个地引入参考容积和测量容积。接着存在如下可能：根据期望的随后的应用对于上侧和/或背侧而敞开空腔。
在利用PorSi的工艺控制中，可以省去晶片状的盖衬底，这进一步精简工艺流程。此外，可以提高参考膜片和/或测量膜片的稳定性，其方式是：由多孔结构支持稳定性，由此可以在参考容积和/或测量容积中更高的压力下进行测量。
利用PorSi工艺的工艺控制的优点在于，在至少一个参考容积和/或测量容积中有目的地通过多孔的硅实现过滤功能。多孔的半导体结构具有大的表面且具有通过工艺控制可调节的孔大小且因此可以承担相对于不期望的颗粒、气溶胶和/或发光湿气的过滤功能。不期望的组分基于微粒大小不可以进入至少一个参考容积和/或测量容积中。如果要测量的气体和/或气体混合物受到污染，那么这可以是特别有利的。
根据本发明的另一方面提供一种用于量热地探测气体的传感器的膜片装置，其按照根据本发明的方法制造。膜片装置具有：与衬底部段连接的盖衬底部段；以及至少一个参考容积，该参考容积被引入衬底部段中并且朝盖衬底部段的方向由参考膜片至少单侧地被限界。此外，膜片装置具有至少一个测量容积，该测量容积被引入衬底部段中并且朝盖衬底部段的方向由单侧的测量膜片限界，其中，参考膜片优选至少局部朝盖衬底部段的前侧的方向流体引导地敞开。测量容积朝衬底部段的背侧的方向流体引导地构型。
根据本方法制造的用于量热地探测气体的传感器的膜片装置具有：至少一个测量容器，其包括由晶片状的衬底的背侧的气体入口；以及至少一个参考容积，其朝晶片状的衬底的背侧的方向封闭。封闭的参考容积可以用作气体测量的参考，例如在惠斯顿测量电桥在金属层中的应用中。
膜片装置例如可以用于作为双膜片芯片的构型方案，其中空穴(Kaverne)或测量容积例如由晶片状的衬底的背侧是敞开的且因此具有气体入口，其中，相邻的参考容积由该入口侧密封(参见PA 13)。
参考膜片与测量膜片的空间分离证实为特别有利的，因为其与能导电的结构协作地可以形成参考电阻，以便解耦可能的变化、例如在环境中的湿气和温度和/或其他类似物与测量信号。
参考容积的另一优点在于，可以包围限定的气体和/或气体混合物且因此可以相对于该参考容积进行测量。
根据本发明的另一方面提供一种构件，特别是传感器，其包括根据本发明的膜片装置。
膜片装置优选可以是晶片装置的部段，该晶片装置根据本发明的方法加工且接着分离成多个部段。通过测量容积和参考容积的相反引入的开口可以将气流技术简单地引导到相应的容积中。特别是可以通过盖衬底部段实现参考容积的密封的屏蔽。密封的屏蔽同样可以如下实现，其方式是：不将参考容积气体引导地敞开或者在填充参考气体之后又将其封闭。由此可以降低对测量、例如氢气浓度的外部影响，由此用于运行基于膜片装置的传感器的控制电子部件可以设计为技术上更简单且更成本高效。
附图说明
在下文中根据极其简化的示意图进一步阐明根据本发明的内容的优选实施例。其中：
图1示出根据本发明的第一实施方式的膜片装置的示意截面图；
图2示出根据本发明的第二实施方式的膜片装置的示意截面图；
图3示出根据第一实施例的用于制造膜片装置的方法的示意图。
在附图中，同样构造的元件各自具有同样的附图标记。
具体实施方式
图1示出根据本发明的第一实施方式的膜片装置1的示意截面图。膜片装置1在此是来自具有多个膜片装置1的晶片的一个部段，所述多个膜片装置1通过分离过程相互分离。
膜片装置1构型为用于双膜片芯片的装置且可以根据制造工艺用于膜片的层、例如ONO膜片(氧化物-氮化物-氧化物)——其包括至少一个包含在其中的印制导线，例如由金属铂、金、银、铜、钼、钨组成——或者非金属导电层、如多晶硅或类似材料。替代地，膜片可以由分别仅仅氧化物、仅仅氮化物或两者的混合组成。装置1具有参考膜片2，其通过表面微机械工艺或容积微机械工艺或PorSi工艺、后者必要时结合用于移除多孔的硅结构的干蚀刻步骤在晶片状的衬底4中制造。在此同时产生参考容积6，其由参考膜片2朝晶片状的衬底4的前侧V的方向限界。参考膜片2在此至少局部地敞开，从而可以发生与参考容积6的气体交换。
装置1具有晶片状的盖衬底8，其在制造参考膜片2之后施加到晶片状的衬底4上。晶片状的盖衬底8在膜片的区域2、10中具有延伸穿过晶片状的盖衬底8的缺口(Aussparung)7。区域2和10也可以相互连接。根据该实施例，缺口7具有斜的侧沿，其可以通过湿蚀刻工艺引起。缺口7然而也可以利用其他材料去除方法如例如沟槽引入晶片状的盖衬底8中。
晶片状的盖衬底8通过具有玻璃原料的晶片接合布置在晶片状的衬底4上。装置1通过晶片状的盖衬底8获得附加的稳定性。
此外，装置1具有与参考膜片2相邻的测量膜片10。将测量膜片10在利用装置1的所谓的“面朝下”定向的进一步加工中制造到晶片状的衬底4中。在此，由晶片状的衬底的背侧R应用蚀刻方法用于产生测量容积14。测量容积14构型为朝背侧R的方向敞开且因此能实现不受阻碍的气体流通至测量膜片10，但是不穿过该测量膜片。在其他类型的蚀刻工艺——其不需要面朝下加工如湿蚀刻或将装置1固定在边缘上——中，必要时也可以省去晶片状的盖衬底8。
在测量容积14的区域中，在晶片状的衬底4的背侧R处布置有以密封环(Dichtring)15形式的密封装置15。
在图2中示出根据本发明的第二实施方式的膜片装置1的示意截面图。不同于根据第一实施例的膜片装置1，在此测量容积14同样通过表面微机械工艺或容积微机械工艺或PorSi工艺由晶片状的衬底4的前侧V引入晶片状的衬底4中。在此也可以应用所谓的云沟槽。理想情况下，接着实施具有ONO膜片和所嵌入的由铂组成的金属结构的涂层。由此测量容积14朝晶片状的衬底4的前侧和背侧R封闭且通过随后的步骤、例如通过沟槽工艺或其他蚀刻工艺对于背侧R气体引导地敞开。由此测量容积14具有布置在背侧的开口16，其优选地防止颗粒和湿气不进入测量容积14中。
图3示出根据第一实施例的用于制造膜片装置1的方法18的示意图。
在第一方法步骤20中，提供晶片状的衬底4。
接下来，晶片状的衬底4可以配备有或设有电阻或能导电的连接——该连接以一个或多个涂层及其借助平板印刷(Lithographie)的结构化的形式——且将导电层由绝缘层包裹21。能导电的连接优选形成加热电阻。
接着，将至少一个参考容积6在形成至少局部地覆盖参考容积6的参考膜片2的情况下通过表面微机械工艺、容积微机械工艺或PorSi工艺结合干蚀刻步骤由前侧V引入22到晶片状的衬底4中。
替代或附加地，可以将电线路和包裹的电和热的绝缘层根据方法步骤21也在形成22参考容积6和/或测量容积14之后施加到晶片状的衬底4上。
在另一步骤23中，将晶片状的盖衬底8施加到晶片状的衬底4上且翻转24晶片装置，从而可以实施背侧R的加工。该步骤替代地可以省去。
在此在步骤25中，将与至少一个参考容积6相邻的至少一个测量容积14由晶片状的衬底4的背侧R在形成测量膜片10的情况下引入晶片状的衬底4中。如果已经制造测量容积14，那么可以在步骤25中将至测量容积14的空气入口或流体引导的连接由晶片状的衬底4的背侧R引入。
在最后的步骤26中，总将与晶片状的盖衬底8连接的晶片状的衬底4分离为至少两个膜片装置1。
Claims (14)
1.一种用于制造至少一个膜片装置(1)的方法(18)，所述至少一个膜片装置用于微机械的传感器，所述微机械的传感器用于量热地探测气体，其中：
-提供(20)晶片状的衬底(4)；
-将至少一个参考容积(6)在形成至少局部地覆盖所述参考容积(6)的参考膜片(2)的情况下通过表面微机械工艺或容积微机械工艺由前侧(V)引入(22)所述晶片状的衬底(4)中；
-将至少一个测量容积(14)由所述晶片状的衬底(4)的背侧(R)或前侧(V)在形成测量膜片(10)的情况下引入(25)所述晶片状的衬底(4)中，所述至少一个测量容积与所述至少一个参考容积(6)相邻；
-将晶片状的盖衬底(8)施加(23)到所述晶片状的衬底(4)的前侧(V)上。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在引入(22)所述参考容积(4)之后，将所述晶片状的盖衬底(8)施加(23)到所述晶片状的衬底(4)上。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在引入(25)所述至少一个测量容积(14)之后，将所述晶片状的盖衬底(8)施加(23)到所述晶片状的衬底上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，将所述至少一个测量容积(14)通过干蚀刻、沟槽工艺或湿蚀刻工艺引入(25)所述晶片状的衬底(4)中。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，将所述晶片状的盖衬底(8)通过阳极的接合或低共熔的接合、借助玻璃原料的接合、粘合、钎焊或熔焊施加(23)到所述晶片状的衬底(4)的前侧(V)上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，在将所述晶片状的盖衬底(8)施加到所述晶片状的衬底(4)上的情况下，在所述至少一个参考膜片(2)与所述晶片状的盖衬底(8)之间和/或在所述至少一个测量膜片(10)与所述晶片状的盖衬底(8)之间形成至少一个如下的参考容积(6)：所述参考容积朝所述晶片状的盖衬底(8)的前侧(V)的方向敞开或封闭。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，将至少一个如下的测量容积(14)由所述晶片状的衬底(4)的背侧(R)气体引导地敞开：所述测量容积由所述晶片状的衬底(4)的前侧(V)在形成所述测量膜片(10)的情况下引入所述晶片状的衬底(4)中。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，将所述至少一个测量容积(14)在背侧通过应用到所述晶片状的衬底(4)的背侧(R)上的材料去除或者通过在所述晶片状的衬底(4)的背侧(R)上引入的多孔的半导体结构(16)气体引导地敞开，并且必要时移除多孔的硅结构。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，在所述晶片状的衬底(4)的背侧(R)上布置有密封装置(15)。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，将至少一个电阻和至少一个能导电的连接布置(21)到所述至少一个参考膜片(2)和所述至少一个测量膜片(10)上，其中，将与所述晶片状的盖衬底(8)连接的所述晶片状的衬底(4)分离(26)成至少两个膜片装置(1)。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，在形成至少局部地覆盖所述参考容积(6)的参考膜片(2)的情况下，将至少一个参考容积(6)通过PorSi工艺、在结合或不结合紧接着移除多孔的硅的情况下由前侧(V)引入(22)到所述晶片状的衬底(4)中。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，在形成至少局部地覆盖所述参考容积(6)的参考膜片(2)的情况下，将至少一个参考容积(6)通过PorSi工艺、在结合或不结合紧接着移除所述多孔的硅的情况下由前侧(V)引入(22)所述晶片状的衬底(4)中，而在形成至少部分地覆盖所述测量容积的测量膜片(10)的情况下，将首先封闭的测量容积(14)通过PorSi工艺、在结合或不结合紧接着移除所述多孔的硅的情况下由前侧(V)引入(22)所述晶片状的衬底(4)中。
13.一种膜片装置(1)，所述膜片装置用于用于量热地探测气体的传感器并且所述膜片装置根据上述权利要求中任一项所述的方法(18)制造，所述膜片装置具有：
-盖衬底部段(8)，所述盖衬底部段与衬底部段(4)连接；
-至少一个参考容积(6)，所述至少一个参考容积被引入所述衬底部段(4)中并且朝所述盖衬底部段(8)的方向由参考膜片(2)单侧地限界；
-至少一个测量容积(14)，所述至少一个测量容积被引入所述衬底部段(4)中并且朝所述盖衬底部段(8)的方向由测量膜片(10)单侧地限界；
其中，所述参考膜片(2)至少局部地朝所述盖衬底部段(8)的前侧(V)的方向流体引导地构型，而所述测量容积(10)朝所述衬底部段(4)的背侧(R)的方向流体引导地构型。
14.一种构件，所述构件特别是传感器，所述构件具有根据权利要求13所述的膜片装置(1)。
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Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102020134366A1 (de) | 2020-12-21 | 2022-06-23 | Infineon Technologies Ag | Sensor zum Messen einer Gaseigenschaft |
| WO2024102875A1 (en) * | 2022-11-09 | 2024-05-16 | President And Fellows Of Harvard College | Microcalorimetry for high-throughput screening of bioenergetics |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0196549A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-14 | Sharp Corp | センサ素子 |
| DE4436813A1 (de) * | 1994-10-14 | 1996-04-18 | Pector Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Zusammensetzung von Gasmischungen |
| JPH09119913A (ja) * | 1996-10-18 | 1997-05-06 | Sharp Corp | マイクロキャップ及び湿度センサ |
| EP2431737A1 (en) * | 2010-08-18 | 2012-03-21 | Yokogawa Electric Corporation | Thermal conductivity detector and gas chromatograph using same |
| KR20130109513A (ko) * | 2012-03-27 | 2013-10-08 | (주)소하테크 | 필터 일체형 이산화탄소 측정장치 |
| CN104773705A (zh) * | 2014-01-14 | 2015-07-15 | 罗伯特·博世有限公司 | 微机械压力传感器装置以及相应的制造方法 |
| JP2017036936A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | アズビル株式会社 | 熱伝導式湿度センサ |
| CN206074387U (zh) * | 2016-10-07 | 2017-04-05 | 王天矢 | 在线气体比重测量传感器 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6634213B1 (en) * | 2000-02-18 | 2003-10-21 | Honeywell International Inc. | Permeable protective coating for a single-chip hydrogen sensor |
| DE10032579B4 (de) * | 2000-07-05 | 2020-07-02 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement |
| KR100379471B1 (ko) * | 2000-07-19 | 2003-04-10 | 엘지전자 주식회사 | 절대습도센서 및 이를 이용한 온/습도 검출 회로 |
| DE10144873A1 (de) * | 2001-09-12 | 2003-03-27 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanischer Wärmeleitfähigkeitssensor mit poröser Abdeckung |
| KR100523516B1 (ko) * | 2003-07-07 | 2005-10-25 | 엘지전자 주식회사 | 박막형 이산화탄소 가스 센서 |
| US6988826B2 (en) * | 2004-05-17 | 2006-01-24 | General Electric Company | Nano-calorimeter device and associated methods of fabrication and use |
| US7021821B2 (en) * | 2004-05-28 | 2006-04-04 | Honeywell International Inc. | Differential thermal sensors |
| DE102004043356A1 (de) * | 2004-09-08 | 2006-03-09 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement mit getrenchter Kaverne |
| DE102005031604A1 (de) * | 2005-07-06 | 2007-01-11 | Robert Bosch Gmbh | Sensor |
| EP1775259A1 (en) | 2005-10-14 | 2007-04-18 | STMicroelectronics S.r.l. | Wafer level package for sensor devices |
| JP5352049B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2013-11-27 | 株式会社ミクニ | 水素センサ |
| US20080154433A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Galloway Douglas B | Catalytic Alloy Hydrogen Sensor Apparatus and Process |
| US20080153174A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Galloway Douglas B | Catalytic alloy hydrogen sensor apparatus and process |
| US20080154432A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Galloway Douglas B | Catalytic alloy hydrogen sensor apparatus and process |
| DE102007003544A1 (de) * | 2007-01-24 | 2008-07-31 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Bauteils und Sensorelement |
| US20100084333A1 (en) * | 2007-03-07 | 2010-04-08 | Lifecare As | Fabrication of reinforced nanoporous membranes |
| EP2015057B1 (de) * | 2007-07-12 | 2019-03-06 | HOPPECKE Batterien GmbH & Co. KG | Vorrichtung und Verfahren zur Detektion von Wasserstoff |
| DE102008002332B4 (de) * | 2008-06-10 | 2017-02-09 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Membranstruktur mit Zugang von der Substratrückseite |
| KR101096548B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2011-12-20 | 주식회사 비에스이 | 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법 |
| US8435821B2 (en) * | 2010-06-18 | 2013-05-07 | General Electric Company | Sensor and method for fabricating the same |
| JP5748211B2 (ja) * | 2011-05-26 | 2015-07-15 | フィガロ技研株式会社 | ガス検出装置とガス検出方法 |
| FR3018916B1 (fr) * | 2014-03-19 | 2017-08-25 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de mesure de pression differentielle microelectromecanique et/ou nanoelectromecanique |
| DE102014224063B3 (de) * | 2014-11-26 | 2016-03-17 | Robert Bosch Gmbh | MEMS-Bauelement mit einer deformierbaren Membran |
| DE102016200270A1 (de) | 2016-01-13 | 2017-07-13 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Detektieren eines Fluids |
| EP3301072B1 (en) * | 2016-09-30 | 2024-02-21 | Sciosense B.V. | Semiconductor device and method for forming a semiconductor device |
| EP3301425B1 (en) * | 2016-09-30 | 2021-01-20 | Sciosense B.V. | Pressure sensor device and method for forming a pressure sensor device |
| US10436731B2 (en) * | 2017-07-28 | 2019-10-08 | Apple Inc. | Low heat transfer encapsulation for high sensitivity and low power environmental sensing applications |
| DE102018118519A1 (de) * | 2017-08-02 | 2019-02-07 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Gassensor |
| DE102017215527A1 (de) * | 2017-09-05 | 2019-03-07 | Robert Bosch Gmbh | Gassensor zum Messen einer Konzentration eines Analysegases |
| US10859523B2 (en) * | 2017-09-15 | 2020-12-08 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Gas sensor |
| DE102019130755A1 (de) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | Tdk Corporation | Sensorvorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer Sensorvorrichtung und Sensorbaugruppe |
-
2018
- 2018-05-17 DE DE102018207689.8A patent/DE102018207689B4/de active Active
-
2019
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0196549A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-14 | Sharp Corp | センサ素子 |
| DE4436813A1 (de) * | 1994-10-14 | 1996-04-18 | Pector Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Zusammensetzung von Gasmischungen |
| JPH09119913A (ja) * | 1996-10-18 | 1997-05-06 | Sharp Corp | マイクロキャップ及び湿度センサ |
| EP2431737A1 (en) * | 2010-08-18 | 2012-03-21 | Yokogawa Electric Corporation | Thermal conductivity detector and gas chromatograph using same |
| KR20130109513A (ko) * | 2012-03-27 | 2013-10-08 | (주)소하테크 | 필터 일체형 이산화탄소 측정장치 |
| CN104773705A (zh) * | 2014-01-14 | 2015-07-15 | 罗伯特·博世有限公司 | 微机械压力传感器装置以及相应的制造方法 |
| JP2017036936A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | アズビル株式会社 | 熱伝導式湿度センサ |
| CN206074387U (zh) * | 2016-10-07 | 2017-04-05 | 王天矢 | 在线气体比重测量传感器 |
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