CN112133711A - 半导体装置、其制造方法以及使用其的生物辨识设备 - Google Patents

半导体装置、其制造方法以及使用其的生物辨识设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112133711A
CN112133711A CN201910552836.5A CN201910552836A CN112133711A CN 112133711 A CN112133711 A CN 112133711A CN 201910552836 A CN201910552836 A CN 201910552836A CN 112133711 A CN112133711 A CN 112133711A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
semiconductor device
transparent substrate
shielding layer
holes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910552836.5A
Other languages
English (en)
Inventor
吕武羲
罗宗仁
廖志成
刘士豪
罗明城
钟伟纶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vanguard International Semiconductor Corp
Vanguard International Semiconductor America
Original Assignee
Vanguard International Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vanguard International Semiconductor Corp filed Critical Vanguard International Semiconductor Corp
Priority to CN201910552836.5A priority Critical patent/CN112133711A/zh
Publication of CN112133711A publication Critical patent/CN112133711A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种半导体装置、其制造方法以及使用其的生物辨识设备，该半导体装置包括一导电基板以及一封装结构。导电基板具有多个像素。封装结构设置于导电基板上，且封装结构包括至少一光准直单元。光准直单元包括一透明基板及一图案化遮光层。图案化遮光层设置于透明基板上。图案化遮光层具有对应于像素设置的多个孔洞。本发明能够避免或减少光准直单元倒塌，同时使半导体装置整体保有良好的准直效能。再者，能够降低导电基板产生翘曲的可能性，进而增加半导体装置的可靠度与一致性。此外，应用本发明的半导体装置的生物辨识设备的辨识能力能够有效提升。

Description

半导体装置、其制造方法以及使用其的生物辨识设备
技术领域
本发明实施例是有关于一种半导体装置，且特别有关于一种具有光准直(light-collimating)功能的半导体装置、其制造方法以及使用其的生物辨识设备。
背景技术
半导体装置可被使用于各种应用中。举例而言，半导体装置可被用来作为生物辨识设备(例如，指纹辨识设备、脸部辨识设备、虹膜辨识设备等的至少一部分)。生物辨识设备可由大量的光学元件组成。举例而言，上述光学元件可包括光准直器(collimator)。光准直器可用于准直(collimate)光线，以减少因光发散所导致的能量损失。因此，光准直器可被应用于生物辨识设备(例如，指纹辨识设备)中，以增加其辨识的效能。
然而，现有的光准直器及其形成方法并非在各方面皆令人满意。
发明内容
本发明实施例包括一种半导体装置。半导体装置包括一导电基板以及一封装结构。导电基板具有多个像素。封装结构设置于导电基板上，且封装结构包括至少一光准直单元。光准直单元包括一透明基板及一图案化遮光层。图案化遮光层设置于透明基板上。图案化遮光层具有对应于像素设置的多个孔洞。
本发明实施例包括一种半导体装置的制造方法。此制造方法包括将一遮光材料形成于一透明基板上。此制造方法更包括将遮光材料图案化以形成具有多个孔洞的一图案化遮光层。透明基板与图案化遮光层界定一光准直单元。此制造方法包括将光准直单元形成于一导电基板上。导电基板具有多个像素，且孔洞对应于像素设置。
本发明实施例包括一种生物辨识设备。生物辨识设备包括如前所述的半导体装置。生物辨识设备更包括一光源层以及一盖板。光源层设置于半导体装置上，盖板设置于光源层上。
本发明能够避免或减少光准直单元倒塌，同时使半导体装置整体保有良好的准直效能。再者，能够降低导电基板产生翘曲的可能性，进而增加半导体装置的可靠度与一致性。此外，应用本发明的半导体装置的生物辨识设备的辨识能力能够有效提升。
附图说明
以下将配合所附图式详述本发明实施例。应注意的是，各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，元件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本发明实施例的技术特征。
图1至图5为一系列的剖面图，其绘示出本发明一实施例的半导体装置的形成方法。
图6绘示出本发明一实施例的生物辨识设备的剖面图。
符号说明
100～半导体装置
10～透明基板
12～遮光材料
14～图案化遮光层
16～光准直单元
18～透明基板
20～图案化遮光层
22～光准直单元
24～透明基板
26～图案化遮光层
28～光准直单元
30～封装结构
32～导电基板
32T～顶表面
34～彩色滤光层
36～光源层
38～光源
40～盖板
200～生物辨识设备
FP～指纹
L、L1～光
O1、O2、O3～孔洞
P～像素
T1、T2、T3～厚度
具体实施方式
以下的揭露内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下的揭露内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若是本发明实施例叙述了一第一特征部件形成于一第二特征部件之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征部件与上述第二特征部件是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征部件形成于上述第一特征部件与上述第二特征部件之间，而使上述第一特征部件与第二特征部件可能未直接接触的实施例。
应理解的是，额外的操作步骤可实施于所述方法之前、之间或之后，且在所述方法的其他实施例中，部分的操作步骤可被取代或省略。
此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“在……下方”、“下方”、“较低的”、“在……上方”、“上方”、“较高的”及类似的用词，这些空间相关用词是为了便于描述图示中一个(些)元件或特征部件与另一个(些)元件或特征部件之间的关系，这些空间相关用词包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及图式中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相关形容词也将依转向后的方位来解释。
在说明书中，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，或10％之内，或5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇揭露所属技术领域中相关技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。
以下所揭露的不同实施例可能重复使用相同的参考符号及/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。
图1至图5为一系列的剖面图，其绘示出本发明一实施例的半导体装置100的形成方法。应注意的是，为了简洁起见，图1至图5中可能省略部分部件。
如图1所示，提供一透明基板10。在一些实施例中，透明基板10的材料可包括玻璃、石英、聚酰亚胺(polyimide,PI)、液晶聚合物(liquid-crystal polymer,LCP)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚丙烯(polypropylene,PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate,PET)、其他合适的材料或前述材料的组合，但本发明实施例并非以此为限。
接着，将遮光材料12形成于透明基板10上。在一些实施例中，遮光材料12可包括金属，例如：铜(Cu)、银(Ag)等，但本发明实施例并非以此为限。在一些实施例中，遮光材料12可包括光刻胶(例如，黑光刻胶或其他适当的非透明的光刻胶)、油墨(例如，黑色油墨或其他适当的非透明的油墨)、模制化合物(molding compound)(例如，黑色模制化合物或其他适当的非透明的模制化合物)、防焊材料(solder mask)(例如，黑色防焊材料或其他适当的非透明的防焊材料)、环氧树脂、其他适当的材料或前述材料的组合，但本发明实施例并非以此为限。
在一些实施例中，遮光材料12可为光固化材料、热固化材料或前述材料的组合。举例而言，可使用旋转涂布工艺(spin-on coating process)将遮光材料12涂布于透明基板10之上，但本发明实施例并非以此为限。
接着，如图2所示，可进行图案化工艺将遮光材料12图案化，以形成具有多个孔洞O1的图案化遮光层14。详细而言，前述图案化工艺可移除部分的遮光材料12，以形成多个孔洞O1。在一些实施例中，前述图案化工艺可包括软烘烤(soft baking)、光罩对准(maskaligning)、曝光(exposure)、曝光后烘烤(post-exposure baking)、显影(developing)、润洗(rinsing)、干燥、其他适当的步骤或前述步骤的组合，但本发明实施例并非以此为限。在一些实施例中，透明基板10与图案化遮光层14可界定一光准直单元16(后方将称为第一光准直单元16)。
在一些实施例中，在将遮光材料12图案化之后，可对透明基板10进行研磨(lapping)，使透明基板10具有一预设的厚度(例如，80μm)，但本发明实施例并非以此为限。
如图3所示，在一些实施例中，可重复前述步骤以形成多个光准直单元。举例而言，可提供另一透明基板18并将遮光材料12形成于透明基板18上(例如，使用旋转涂布工艺)，接着，可进行图案化工艺将遮光材料12图案化，以形成具有多个孔洞O2的图案化遮光层20。透明基板18与图案化遮光层20可界定一光准直单元22(后方将称为第二光准直单元22)。类似地，在将遮光材料12图案化之后，可对透明基板18进行研磨，使透明基板18具有一预设的厚度。在一些实施例中，透明基板18的厚度可与透明基板10的厚度彼此相同或不同。在一些实施例中，图案化遮光层20的厚度也可与图案化遮光层14的厚度彼此相同或不同。
在一些实施例中，可进一步形成第三光准直单元28。第三光准直单元28包括一透明基板24及图案化遮光层26。图案化遮光层26设置于透明基板24上，且图案化遮光层26具有多个孔洞O3，但本发明实施例并非以此为限。在一些实施例中，透明基板24的厚度可与透明基板18的厚度及透明基板10的厚度彼此相同或不同。在一些实施例中，图案化遮光层26的厚度可与图案化遮光层20的厚度及图案化遮光层14的厚度彼此相同或不同。
由于透明基板10的厚度、透明基板18的厚度及透明基板24的厚度可彼此不同，而图案化遮光层14的厚度、图案化遮光层20的厚度及图案化遮光层26的厚度可彼此不同，因此，第一光准直单元16的厚度T1、第二光准直单元22的厚度T2与第三光准直单元28的厚度T3可彼此不同，但本发明实施例并非以此为限。在一些实施例中，第一光准直单元16的厚度T1、第二光准直单元22的厚度T2与第三光准直单元28的厚度T3也可彼此相同。在此，光准直单元的厚度是指透明基板的厚度及图案化遮光层的厚度总和。
在一些实施例中，同一图案化遮光层中的孔洞彼此的截面积皆相同。然而，不同的图案化遮光层中的孔洞彼此的截面积可不同。举例而言，图案化遮光层20的孔洞O2的截面积可小于图案化遮光层14的孔洞O1的截面积，而图案化遮光层14的孔洞O1的截面积可小于图案化遮光层26的孔洞O3的截面积，但本发明实施例并非以此为限。
在一些实施例中，可形成多个滤光层(未绘示)于图案化遮光层14的孔洞O1、图案化遮光层20的孔洞O2或图案化遮光层26的孔洞O3中。滤光层可由聚合物材料或其他适当的材料所形成，其用于限制使特定波长的光通过此些滤光层，其他波长的光则被隔绝，但本发明实施例并非以此为限。
如图4所示，将第一光准直单元16、第二光准直单元22与第三光准直单元28彼此堆叠并封装，以形成一封装结构30。在一些实施例中，可通过将环氧树脂、其他适当的封装材料或上述的组合形成于第一光准直单元16与第二光准直单元22之间，及第二光准直单元22与第三光准直单元28之间，以形成封装结构30，但本发明实施例并非以此为限。
在一些实施例中，图案化遮光层14的孔洞O1、图案化遮光层20的孔洞O2与图案化遮光层26的孔洞O3可彼此对应设置。要注意的是，虽然图4所示的实施例中，第二光准直单元22设置于第一光准直单元16上，而第三光准直单元28设置于第二光准直单元22上，使得图案化遮光层14可位于透明基板10与透明基板18之间，而图案化遮光层20可位于透明基板18与透明基板24之间，但本发明实施例并非以此为限。
在一些实施例中，第一光准直单元16、第二光准直单元22与第三光准直单元28可以其他的顺序堆叠并封装。此外，封装结构30的光准直单元的数量并非限制于三个。在一些实施例中，封装结构30可只包含单一个光准直单元、两个光准直单元，或者封装结构30也可包含三个以上的光准直单元。
如图5所示，将封装结构30形成于一导电基板32上，以形成半导体装置100。在一些实施例中，导电基板32可包括元素半导体(例如，硅或锗)、化合物半导体(例如，碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、砷化铟(InAs)或磷化铟(InP))、合金半导体(例如，SiGe、SiGeC、GaAsP或GaInP)、其他适当的半导体或前述的组合，但本发明实施例并非以此为限。在一些实施例中，导电基板32可为绝缘层上半导体(semiconductor-on-insulator(SOI))基板。前述绝缘层上半导体基板可包括底板、设置于前述底板上的埋藏氧化层以及设置于前述埋藏氧化层上的半导体层。在一些实施例中，导电基板32可为一半导体芯片(例如，硅芯片或其他适当的半导体芯片)。
在一些实施例中，导电基板32可包括各种以如离子注入及/或扩散工艺所形成的p型掺杂区及/或n型掺杂区。举例而言，前述掺杂区可被配置来形成晶体管、光电二极管及/或发光二极管，但本发明实施例并非以此为限。
在一些实施例中，导电基板32可包括各种隔离特征，以分隔导电基板32中不同的装置区域。举例而言，隔离特征可包括浅沟槽隔离(shallow trench isolation,STI)特征，但本发明实施例并非以此为限。在一些实施例中，形成浅沟槽隔离的步骤可包括于导电基板32中刻蚀出一沟槽，并于上述沟槽中填入绝缘材料(例如，氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅)。所填充的沟槽可具有多层结构(例如，一热氧化衬层以及填充于沟槽的氮化硅)。可进行化学机械研磨(Chemical mechanical polishing,CMP)工艺以研磨多余的绝缘材料并平坦化隔离特征的上表面。
在一些实施例中，导电基板32可包括各种导电特征(例如，导线(conductiveline)或导孔(via))。举例而言，前述导电特征可由铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、其各自的合金、其他适当的导电材料或上述的组合所形成。
在一些实施例中，导电基板32可包括多个像素P，多个像素P可排列成一阵列，但本发明实施例并非以此为限。在一些实施例中，导电基板32的一个像素P包括或对应至少一光电二极管及/或其他适当的元件，其可将所接收到的光信号转换成电流信号。
如图5所示，图案化遮光层14的孔洞O1、图案化遮光层20的孔洞O2及图案化遮光层26的孔洞O3可与像素P对应设置。换言之，图案化遮光层14的孔洞O1、图案化遮光层20的孔洞O2及图案化遮光层26的孔洞O3在导电基板32的顶表面32T上的投影，可与像素P重叠。
在本发明实施例中，半导体装置100可作为一光准直器，可依据光的路径调整图案化遮光层14的孔洞O1、图案化遮光层20的孔洞O2及图案化遮光层26的孔洞O3的大小，避免半导体装置100内的光彼此发生串扰(crosstalk)。此外，由于封装结构30可由多个光准直单元封装所形成，这些光准直单元各自的高宽比较低(例如，介于0.5至15)，藉此可避免或减少光准直单元倒塌，同时使半导体装置100整体保有良好的准直效能(即像素P所感测的解析度更进步)。
再者，由于多个光准直单元是先彼此堆叠并封装形成一封装结构30，再与导电基板32结合，能降低导电基板32产生翘曲(warpage)的可能性，并增加半导体装置100的可靠度(reliability)与一致性(uniformity)。
图6绘示出本发明一实施例的生物辨识设备200的剖面图。在此，生物辨识设备200可例如为指纹辨识设备，但本发明实施例并非以此为限。应注意的是，为了简洁起见，图6中可能省略部分部件。
如图6所示，在一些实施例中，生物辨识设备200可包含半导体装置100、彩色滤光层34以及光源层36，彩色滤光层34可设置于半导体装置100与光源层36之间。
举例而言，半导体装置100可以前述图1至图5的步骤形成。接着，可将彩色滤光层34设置于半导体装置100之上。彩色滤光层34可由聚合物材料或其他适当的材料所形成，其用于限制使特定波长的光通过彩色滤光层34，其他波长的光则被隔绝。
接着，可将光源层36设置于彩色滤光层34之上。在一些实施例中，光源层36可包含光源(例如，发光二极管)38，光源38可例如以阵列形式排列。此外，光源层36可进一步包含阻挡层、其他适当的光学元件或前述的组合(未标示)。光源层36的顶部可例如设置盖板(例如，玻璃盖板)40，以形成生物辨识设备(例如，指纹辨识设备)。应理解的是，光源层36中可能包含其他未绘示于图6中的部件。
举例而言，由光源38发出的光线可能受到外部的生物特征(例如，指纹FP)所阻挡而产生不同的反射光L通过彩色滤光层34。彩色滤光层34可限制使对应于像素P(例如，包括或对应至少一光电二极管及/或其他适当的元件)的特定波长的光L1通过，其他波长的光则被隔绝。通过彩色滤光层34后的光L1依序进入第三光准直单元28、第二光准直单元22与第一光准直单元16中。由于图案化遮光层26、图案化遮光层20与图案化遮光层14可为黑色(例如，由黑光刻胶、黑色油墨、黑色模制化合物或黑色防焊材料所形成)，且图案化遮光层14的孔洞O1、图案化遮光层20的孔洞O2与图案化遮光层26的孔洞O3的大小(或截面积)是依据光的路径所调整，因此可防止光L1彼此发生串扰，增进生物辨识设备200的辨识能力。
承上述说明，本发明实施例的半导体装置的封装结构可由多个光准直单元封装所形成，这些光准直单元各自的高宽比较低，藉此可避免或减少光准直单元倒塌，同时使半导体装置整体保有良好的准直效能。再者，由于多个光准直单元是先彼此堆叠并封装形成一封装结构，再与导电基板结合，能降低导电基板产生翘曲的可能性，并增加半导体装置的可靠度与一致性。此外，应用本发明实施例的半导体装置的生物辨识设备的辨识能力能有效提升。
以上概述多个实施例的部件，以便在本发明所属技术领域中相关技术人员可以更理解本发明实施例的观点。在本发明所属技术领域中相关技术人员应该理解，他们能以本发明实施例为基础，设计或修改其他工艺和结构以达到与在此介绍的实施例相同的目的及/或优势。在本发明所属技术领域中相关技术人员也应该理解到，此类等效的结构并无悖离本发明的精神与范围，且他们能在不违背本发明的精神和范围之下，做各式各样的改变、取代和替换。因此，本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。另外，虽然本发明已以多个较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。
整份本说明书对特征、优点或类似语言的引用并非意味可以利用本发明实现的所有特征和优点应该是或者在本发明的任何单个实施例中。相对地，涉及特征和优点的语言被理解为其意味着结合实施例描述的特定特征、优点或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因而，在整份说明书中对特征和优点以及类似语言的讨论可以但不一定代表相同的实施例。
再者，在一个或多个实施例中，可以任何合适的方式组合本发明的所描述的特征、优点和特性。根据本文的描述，所属技术领域中相关技术人员将意识到，可在没有特定实施例的一个或多个特定特征或优点的情况下实现本发明。在其他情况下，在某些实施例中可辨识附加的特征和优点，这些特征和优点可能不存在于本发明的所有实施例中。

Claims (20)

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
一导电基板，具有多个像素；以及
一封装结构，设置于所述导电基板上，该封装结构包括至少一光准直单元，其中该光准直单元包括：
一透明基板；及
一图案化遮光层，设置于所述透明基板上，且该图案化遮光层具有对应于所述多个像素设置的多个孔洞。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每个所述像素包括或对应至少一光电二极管。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述封装结构包括多个光准直单元，该多个光准直单元彼此堆叠。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述多个光准直单元的厚度彼此不同。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述封装结构包括：
一第一光准直单元，包括一第一透明基板及一第一图案化遮光层，该第一图案化遮光层设置于该第一透明基板上，且该第一图案化遮光层具有多个第一孔洞；及
一第二光准直单元，包括一第二透明基板及一第二图案化遮光层，该第二图案化遮光层设置于该第二透明基板上，且该第二图案化遮光层具有多个第二孔洞；
其中所述第一图案化遮光层位于所述第一透明基板与第二透明基板之间。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述多个第一孔洞、所述多个第二孔洞与所述多个像素对应设置。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，每个所述第一孔洞的截面积与每个所述第二孔洞的截面积不同。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第一透明基板的厚度与第二透明基板的厚度不同。
9.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第一图案化遮光层的厚度与该第二图案化遮光层的厚度不同。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述透明基板的材料包括玻璃、石英、聚酰亚胺、液晶聚合物、聚碳酸酯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述图案化遮光层的材料包括金属、光刻胶、油墨、模制化合物、防焊材料、环氧树脂或前述材料的组合。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述光准直单元更包括：
多个滤光层，设置于所述多个孔洞中。
13.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
将一遮光材料形成于一透明基板上；
将所述遮光材料图案化以形成具有多个孔洞的一图案化遮光层，其中所述透明基板与该图案化遮光层界定一光准直单元；以及
将所述光准直单元形成于一导电基板上，其中该导电基板具有多个像素，且所述多个孔洞对应于所述多个像素设置。
14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括：
形成多个光准直单元；
将所述多个光准直单元彼此堆叠并封装以形成一封装结构，所述多个光准直单元中的孔洞彼此对应设置；及
将所述封装结构形成于该导电基板上。
15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述多个光准直单元的厚度彼此不同。
16.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括：
研磨该透明基板。
17.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述遮光材料涂布于该透明基板上。
18.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括：
形成多个滤光层于所述多个孔洞中。
19.一种生物辨识设备，其特征在于，包括：权利要求1至12中的任一项所述的半导体装置；
一光源层，设置于所述半导体装置上；以及
一盖板，设置于所述光源层上。
20.根据权利要求19所述的生物辨识设备，其特征在于，更包括：
一彩色滤光层，设置于所述半导体装置与所述盖板之间。
CN201910552836.5A 2019-06-25 2019-06-25 半导体装置、其制造方法以及使用其的生物辨识设备 Pending CN112133711A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910552836.5A CN112133711A (zh) 2019-06-25 2019-06-25 半导体装置、其制造方法以及使用其的生物辨识设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910552836.5A CN112133711A (zh) 2019-06-25 2019-06-25 半导体装置、其制造方法以及使用其的生物辨识设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112133711A true CN112133711A (zh) 2020-12-25

Family

ID=73849649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910552836.5A Pending CN112133711A (zh) 2019-06-25 2019-06-25 半导体装置、其制造方法以及使用其的生物辨识设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112133711A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170220840A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-03 Synaptics Incorporated Compound collimating system using apertures and collimators
CN206657364U (zh) * 2017-03-24 2017-11-21 敦捷光电股份有限公司 用于生物辨识装置的光准直元件及生物辨识装置
US20180373945A1 (en) * 2014-08-26 2018-12-27 Gingy Technology Inc. Bio-sensing apparatus
US20190180072A1 (en) * 2017-12-12 2019-06-13 Synaptics Incorporated Optical sensor with ambient light filter

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180373945A1 (en) * 2014-08-26 2018-12-27 Gingy Technology Inc. Bio-sensing apparatus
US20170220840A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-03 Synaptics Incorporated Compound collimating system using apertures and collimators
CN206657364U (zh) * 2017-03-24 2017-11-21 敦捷光电股份有限公司 用于生物辨识装置的光准直元件及生物辨识装置
US20190180072A1 (en) * 2017-12-12 2019-06-13 Synaptics Incorporated Optical sensor with ambient light filter

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6344664B1 (en) Electro-optical transceiver system with controlled lateral leakage and method of making it
US10424540B2 (en) Chip package and method for forming the same
CN105789228B (zh) 半导体结构及其制造方法
US10651218B1 (en) Optical sensor structure and method for forming the same
US11538840B2 (en) Color filters disposed in holes of a light collimator, manufacturing method of the same and biometric identification apparatus using the same
US11271024B2 (en) Semiconductor device and method for forming the same
US20190386048A1 (en) Semiconductor device and method for forming the same
TWI706573B (zh) 半導體裝置、其製造方法以及使用其之生物辨識設備
CN112133711A (zh) 半导体装置、其制造方法以及使用其的生物辨识设备
TW202111794A (zh) 半導體裝置及其形成方法
US10763288B1 (en) Semiconductor device and method for forming the same
TW202011083A (zh) 光學感應器及其形成方法
US11049771B2 (en) Semiconductor device and fingerprint identification device
US11637139B2 (en) Semiconductor device including light-collimating layer and biometric device using the same
CN110379883B (zh) 半导体装置及其形成方法
CN111199167B (zh) 光学感测结构及其形成方法
TWI740196B (zh) 半導體裝置及其形成方法
TWI692857B (zh) 半導體裝置與生物辨識裝置
CN111552090A (zh) 半导体装置
CN111274844B (zh) 半导体装置及其形成方法
CN110970448B (zh) 光学感应器及其形成方法
TW202018925A (zh) 光學感測結構及其形成方法
TWI703349B (zh) 半導體裝置及其形成方法
CN112466894A (zh) 半导体装置及其形成方法
US11482552B2 (en) Semiconductor devices and methods for forming the same

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination