CN110970448B - 光学感应器及其形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种光学感应器及其形成方法，包括：位于基板中的多个像素以及位于基板之上的光准直层。上述光准直层包括：遮光层、透光柱、及第一虚置透光柱。遮光层位于基板之上。透光柱穿过遮光层，对应设置于像素上。第一虚置透光柱穿过遮光层，位于光准直层的第一周边区域。第一虚置透光柱于俯视图中包围透光柱。本发明可视工艺及设计需求强化透光柱阵列结构，避免阵列边缘透光柱变形倒塌，保持透光柱的均匀度，进而提升成品率。

Description

光学感应器及其形成方法

技术领域

本发明涉及一种光学元件，尤其涉及一种光学感应器。

背景技术

光学感应器中的光学元件可包括光准直器(light collimator)、分束器、聚焦镜以及线性感测器。其中，光准直器的功能在于准直光线，以减少因光发散所导致的能量损失。举例而言，光准直器可被应用于光学感应器中，以增加指纹辨识装置的效能。

光准直器包括透光柱及包围透光柱的遮光层，以达到准直光线的效果。然而，在制作光准直器过程中，位于透光柱阵列边缘的透光柱容易因自身内聚力或遮光层的应力倒塌变形，影响光准直器的准直效果，进一步影响光学感应器的成品率。

虽然现有的光学感应器大致符合需求，但并非各方面皆令人满意，特别是提升光学感应器的光准直器的结构强度仍需进一步改善。

发明内容

本发明实施例提供一种光学感应器，用以提升光学感应器的光准直器的结构强度。

根据一实施例，本发明提供一种光学感应器，包括：像素，位于基板中；光准直(collimating)层，位于基板之上，包括：遮光层，位于基板上方；透光柱，穿过遮光层，对应设置于像素上；第一虚置透光柱，穿过遮光层，位于光准直层的第一周边区域；其中于俯视图中第一虚置透光柱包围透光柱。

根据另一实施例，本发明提供一种光学感应器的形成方法，包括：形成像素于基板中；形成光准直层于基板之上，其中光准直层的形成包括：形成透光柱及第一虚置透光柱于基板之上，其中透光柱对应设置于像素上，且第一虚置透光柱位于光准直层的第一周边区域；形成遮光层于透光柱与第一虚置透光柱之间；其中于俯视图中第一虚置透光柱包围透光柱。

综上所述，本发明实施例提供一种光学感应器，在光准直层的遮光层中，除形成像素上方对应的透光柱阵列外，另形成虚置透光柱包围透光柱阵列，可视工艺及设计需求强化透光柱阵列结构，避免阵列边缘透光柱变形倒塌，保持透光柱的均匀度，进而提升成品率。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举数个实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

以下将配合所附图式详述本发明实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明实施例的特征。

图1A、2A、3A是根据一些实施例绘示出形成光学感应器不同阶段的剖面示意图。

图1B、2B、3B是根据一些实施例绘示出形成光学感应器不同阶段的俯视图。

图4是根据另一些实施例绘示出光学感应器的俯视图。

图5是根据又一些实施例绘示出光学感应器的俯视图。

图6是根据再一些实施例绘示出光学感应器的俯视图。

图7是根据其他一些实施例绘示出光学感应器的俯视图。

附图符号：

100、200、300、400、500～光学感应器；

102～基板；

104C～中央区域；

104P～第一周边区域；

106～像素；

108～透光柱；

108D～第一虚置透光柱；

110～遮光层；

112～光准直层；

208D～第一虚置透光柱；

308D～第一虚置透光柱；

408D1～第一虚置透光柱；

408D2～第二虚置透光柱；

404P1～第一周边区域；

404P2～第二周边区域；

504P3～第三周边区域；

508D3～第三虚置透光柱；

AA’～线段；

W、DW～宽度；

P、DP～节距；

X、Y～方向；

DW1、DW2～宽度；

DP1、DP2～节距。

具体实施方式

以下公开许多不同的实施方法或是例子来实行本发明实施例的不同特征，以下描述具体的元件及其排列的实施例以阐述本发明实施例。当然这些实施例仅用以例示，且不该以此限定本发明实施例的范围。例如，在说明书中提到第一特征形成于第二特征之上，其包括第一特征与第二特征是直接接触的实施例，另外也包括于第一特征与第二特征之间另外有其他特征的实施例，亦即，第一特征与第二特征并非直接接触。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。

此外，其中可能用到与空间相对用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，这些空间相对用词是为了便于描述图示中一个(些)元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系，这些空间相对用词包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及图式中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相对形容词也将依转向后的方位来解释。

在此，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。应注意的是，说明书中所提供的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。

虽然所述的一些实施例中的步骤以特定顺序进行，这些步骤亦可以其他合逻辑的顺序进行。在不同实施例中，可替换或省略一些所述的步骤，亦可于本发明实施例所述的步骤之前、之中、及/或之后进行一些其他操作。本发明实施例中的光学感应器可加入其他的特征。在不同实施例中，可替换或省略一些特征。

本发明实施例提供一种光学感应器，在准直层中除了于像素阵列上方对应设置透光柱阵列之外，另于透光柱外围设置虚置透光柱。虚置透光柱可增强透光柱阵列的结构，避免透光柱阵列边缘的透光柱变形倒塌，提高透光柱阵列均匀度，并提升工艺成品率。

图1A、2A、3A是根据一些实施例绘示出形成光学感应器100不同阶段的剖面示意图。图1B、2B、3B是根据一些实施例绘示出形成光学感应器100不同阶段的俯视图。图1A、2A、3A是图1B、2B、3B中沿线段AA’的剖面图。

如图1A及图1B所示，提供一基板102。此基板102可为半导体基板，例如硅基板。此外，上述半导体基板亦可为元素半导体，包括锗(germanium)；化合物半导体，包括氮化镓(gallium nitride，GaN)、碳化硅(silicon carbide)、砷化镓(gallium arsenide)、磷化镓(gallium phosphide)、磷化铟(indium phosphide)、砷化铟(indium arsenide)及/或锑化铟(indium antimonide)；合金半导体，包括硅锗合金(SiGe)、磷砷镓合金(GaAsP)、砷铝铟合金(AlInAs)、砷铝镓合金(AlGaAs)、砷铟镓合金(GaInAs)、磷铟镓合金(GaInP)、及/或磷砷铟镓合金(GaInAsP)、或上述材料的组合。在一些实施例中，基板102也可以是绝缘层上覆半导体(semiconductor on insulator)基板，上述绝缘层覆半导体基板可包括底板、设置于底板上的埋藏氧化层、或设置于埋藏氧化层上的半导体层。此外，基板102可为N型或P型导电型。

在一些实施例中，基板102可包括各种隔离部件(未绘示)，用以定义主动区，并电性隔离基板102之中/之上的主动区元件。在一些实施例中，隔离部件包括浅沟槽隔离(shallow trench isolation，STI)部件、局部硅氧化(local oxidation of silicon，LOCOS)部件、其他合适的隔离部件、或上述的组合。在一些实施例中，形成隔离部件可例如包括形成绝缘层于基板102之上，选择性蚀刻绝缘层及基板102以于基板102中形成沟槽，于沟槽中成长富含氮(例如氮氧化硅)的衬层，以沉积工艺于沟槽中填入绝缘材料(例如二氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅)，对沟槽中绝缘材料进行退火工艺，并以例如化学机械抛光(Chemical mechanical polishing，CMP)工艺对基板102进行平坦化工艺，以去除多余的绝缘材料，使沟槽中的绝缘材料与基板102的顶表面等高。

在一些实施例中，基板102可包括各种以如离子注入及/或扩散工艺所形成的P型掺杂区及/或N型掺杂区(未绘示)。在一些实施例中，掺杂区可形成晶体管、二极管等元件。然而，上述的元件仅为范例，本发明并不以此为限。

在一些实施例中，基板102可包括各种导电部件(例如：导线或导孔)(未绘示)。例如，上述导电部件可由铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、其他适当的导电材料、上述的合金、或上述的组合所形成。

如图1A及图1B所示，在一些实施例中，光学感应器100分为中央区域104C及第一周边区域104P。如图1B的俯视图所示，第一周边区域104P包围中央区域104C。

如图1A及图1B所示，在一些实施例中，基板102中可包括像素106。像素106可包括光感测器及读出电路(read out circuit)。光感测器可包括二极管、电荷耦合元件(charged coupling device，CCD)感测器、互补式金属氧化物半导体(complimentarymetal-oxide-semiconductor，CMOS)图像感测器、主动感测器、被动感测器、其他适合的感测器、或上述的组合。读出电路可包括传输晶体管(transfer transistor)、重置晶体管(reset transistor)、源极随耦晶体管(source-follower transistor)、选择晶体管(select transistor)、一或多种其他合适的晶体管、或上述的组合。像素106可藉由光感测器将接收到的光讯号转换成电子讯号，并通过读出电路读取上述电子讯号。其中，一个像素106可对应至至少一个光感测器，例如至少一个二极管。如图1B所示，像素106在俯视图中为阵列排列，并位于基板102的中央区域104C中。值得注意的是，在图1B所绘示的像素106阵列的数量与排列方式仅为一范例，本发明实施例并不以此为限，像素106可为任意行列数目的阵列或其他的排列方式。

接着，如图2A及图2B所绘示，在基板102上形成透光柱108及第一虚置透光柱108D。在一些实施例中，可先于基板102上毯覆性地(blanketly)形成透光层。在一些实施例中，透光层可包括透光材料，其对于波长200nm至1200nm光线的透光度大于80％。透光材料可包括光固化材料、热固化材料、或上述的组合。在一些实施例中，透光材料可包括例如聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate，PMMA)、全氟环丁基(perfluorocyclobutyl，PFCB)聚合物、聚亚酰胺、环氧树脂、其他适当的材料、或上述的组合。在一些实施例中，可以旋转涂布法、化学气相沉积法、物理气相沉积法(例如蒸镀或溅镀)、电镀、原子层沉积法、其他适当的方法、或上述的组合于基板102上沉积透光材料。

接着，选择性地去除基板102的透光材料。在一些实施例中，以图案化工艺及蚀刻工艺选择性去除透光材料以在像素106上方对应形成透光柱108，并同时在第一周边区域104P中形成包围透光柱108的第一虚置透光柱108D。在一些实施例中，图案化工艺可包括光阻涂布(例如旋转涂布)、软烤(soft baking)、罩幕对准、曝光图案、曝光后烘烤(post-exposure baking)、光阻显影、清洗及干燥(例如硬烤(hard baking))、其他合适的技术、或上述的组合。蚀刻工艺可包括干蚀刻工艺(例如反应离子蚀刻(reactive ion etch，RIE)、电浆蚀刻、离子研磨(ion milling))、湿蚀刻工艺、或上述的组合。

接着，如图3A及图3B所绘示，形成遮光层110在基板102上方的透光柱108与第一虚置透光柱108D之间。在一些实施例中，遮光层110可包括遮光材料，其对于波长200nm至1200nm光线的吸收度大于80％。遮光材料可包括光固化材料、热固化材料、或上述的组合。在一些实施例中，遮光材料包括非透明的光阻、油墨、模制化合物(molding compound)、防焊材料(solder mask)、其他适当的材料、或上述的组合。在一些实施例中，可在将遮光材料设置于基板102上方的透光柱108与第一虚置透光柱108D之间，并进行固化工艺如光固化工艺、热固化工艺或上述组合以固化遮光材料并形成遮光层110。

如图3A及图3B所示，光学感应器100的光准直层112包括例如透光柱108、第一虚置透光柱108D、与遮光层110。在一些实施例中，光准直层112上方可包括其他光学元件例如彩色滤光片、玻璃、凹凸透镜等(未绘示)。入射的光线通过光准直层112上方的光学元件经过光准直层112照射像素106。其中，透光柱108与第一虚置透光柱108D的各自的高宽比(aspect ratio)介于5:1至20:1之间。若透光柱108与第一虚置透光柱108D太高，则容易变形倒塌。若透光柱108太宽，则容易接收不必要的入射光，难以达到准直效果。若第一虚置透光柱108D太宽，则容易发生负载效应(loading effect)，降低成品率。

在一些实施例中，如图3B所示，由于透光柱108对应设置于像素106上，透光柱108在俯视图中的排列亦为一阵列。透光柱108可完全覆盖或部分覆盖所对应的像素106。如此一来，透光柱108可保护像素106并减少或避免像素106于后续工艺中受到损害及/或污染。在一些实施例中，如图3B所示，透光柱108于俯视图中形状为圆形。如此一来，透光柱108相比于等径的其他图案所涵盖面积较大，更可提高下方像素106接收的光量，并进一步保护所对应的像素106。

在一些实施例中，如图3A所示，第一虚置透光柱108D下方并未对应至任何像素106。由于透光柱108在俯视图中的排列为一阵列，在阵列边缘的透光柱108可能因透光材料分子间的内聚力或后续工艺作用而变形倒塌。藉由在透光柱108阵列边缘设置第一虚置透光柱108D作为应力缓冲，提供物理性支撑，可强化透光柱108阵列结构，避免阵列边缘透光柱108变形倒塌，保持透光柱108的均匀度，进而提升成品率。

在一些实施例中，如图3B所示，第一虚置透光柱108D于俯视图中的形状为椭圆形。然而，本发明并不以此为限，在其他实施例中，第一虚置透光柱108D可为任意大小的圆形、椭圆形、或矩形，视设计及工艺需求而定。

在一些实施例中，如图3B所示，透光柱108的宽度W小于第一虚置透光柱108D的宽度DW。如此一来，可藉由较宽的第一虚置透光柱108D更进一步强化透光柱108阵列结构。然而，本发明并不以此为限，在其他实施例中，透光柱108的宽度为W可大于或等于第一虚置透光柱108D的宽度DW，此时仍可强化透光柱108阵列结构，避免阵列边缘透光柱108变形倒塌，保持透光柱108的均匀度，进而提升成品率。

在一些实施例中，如图3B所示，透光柱108的节距(pitch)P等于第一虚置透光柱108D的节距DP。如此一来，可避免第一虚置透光柱108D彼此过于接近而倒塌变形。然而，本发明并不以此为限，在其他实施例中，若工艺能力许可，第一虚置透光柱108D的节距DP可小于透光柱108的节距P，如此一来，可藉由较密的第一虚置透光柱108D更进一步强化透光柱108阵列结构。或者，在其他实施例中，为避免第一虚置透光柱108D彼此过于接近而倒塌变形，第一虚置透光柱108D的节距DP可大于透光柱108的节距P。

在一些实施例中，透光柱108及第一虚置透光柱108D所占面积比例若太大，则可能影响光准直层112的周边元件。透光柱108及第一虚置透光柱108D所占面积比例若太小，则可感应指纹面积太小，无法有效感应指纹。

在上述实施例中，可以相同工艺同时形成透光柱108与第一虚置透光柱108D，且两者材料相同。如此一来，可节省工艺时间与成本。然而，本发明并不以此为限。在另一些实施例中，透光柱108与第一虚置透光柱108D的材料可不同。例如，可在像素106上方形成透光柱108，并在其间形成遮光层110后，利用图案化工艺在第一周边区域104P的遮光层110中形成包围透光柱108的开口，并填入不同于透光柱108的透光材料以于开口处形成第一虚置透光柱108D。接着以例如化学机械抛光工艺对透光柱108、第一虚置透光柱108D、及遮光层110进行平坦化工艺以去除多余的透光材料。藉由不同的第一虚置透光柱108D材料，更可强化透光柱108阵列结构，避免阵列边缘透光柱108变形倒塌，保持透光柱108的均匀度，进而提升成品率。

如上所述，在光学感应器的光准直层的透光柱阵列周围设置下方未对应像素的虚置透光柱，可强化透光柱阵列结构，避免阵列边缘透光柱变形倒塌，保持透光柱的均匀度，进而提升成品率。

图4是根据另一些实施例绘示出光学感应器200的俯视图。其中与前述实施例相同或相似的工艺或元件将沿用相同的元件符号，其详细内容将不再赘述。与前述实施例的差别在于，如图4所示，光学感应器200包括在第一周边区域104P包围透光柱108的多层第一虚置透光柱208D。

在一些实施例中，不同层的第一虚置透光柱208D材料相同，与透光柱108同时形成。在另一些实施例中，不同层的第一虚置透光柱208D材料不同，藉由图案化工艺在形成遮光层110后，利用多次图案化工艺形成不同材料的多层第一虚置透光柱208D。

如图4所示的实施例中，利用形成多层的虚置透光柱，更可强化透光柱阵列结构，避免阵列边缘透光柱变形倒塌，保持透光柱的均匀度，进而提升成品率。

值得注意的是，图4虚置透光柱层数仅为一范例，本发明并不以此为限。在本发明实施例中，亦可包括三层以上的虚置透光柱层，视工艺及设计需求而定。

图5是根据另一些实施例绘示出光学感应器300的俯视图。其中与前述实施例相同或相似的工艺或元件将沿用相同的元件符号，其详细内容将不再赘述。与图4的实施例的差别在于，如图5所示，光学感应器300在第一周边区域104P包围透光柱108的多层第一虚置透光柱308D彼此交错排列。此处“交错排列”是指相邻两层的第一虚置透光柱308D在X方向与Y方向均未对齐排列。

如图5所示的实施例中，利用形成多层的虚置透光柱交错排列，更可强化透光柱阵列结构，避免阵列边缘透光柱变形倒塌，保持透光柱的均匀度，进而提升成品率。

图6是根据另一些实施例绘示出光学感应器400的俯视图。其中与前述实施例相同或相似的工艺或元件将沿用相同的元件符号，其详细内容将不再赘述。与前述实施例的差别在于，如图6所示，光学感应器400除了包括在第一周边区域404P1包围透光柱108的第一虚置透光柱408D1，另包括位于第二周边区域404P2包围第一虚置透光柱408D1的第二虚置透光柱408D2。在一些实施例中，虚置透光柱在不同周边区域中的形状、尺寸、节距、排列方式至少其一不同。举例而言，第一周边区域404P1及第二周边区域404P2中的第一虚置透光柱408D1及第二虚置透光柱408D2的形状、尺寸、与排列方式不同。

在一些实施例中，如图6所示，第一虚置透光柱408D1于俯视图中的形状为圆形，第二虚置透光柱408D2于俯视图中的形状为椭圆形。然而，本发明并不以此为限，在其他实施例中，第一虚置透光柱408D1及第二虚置透光柱408D2于俯视图中可为任意大小的圆形、椭圆形、或矩形。在一些实施例中，第一虚置透光柱408D1及第二虚置透光柱408D2在俯视图中的形状可相同，在另一些实施例中，第一虚置透光柱408D1及第二虚置透光柱408D2可不同，视设计及工艺需求而定。

在一些实施例中，如图6所示，第一虚置透光柱408D1的宽度DW1小于第二虚置透光柱408D2的宽度DW2。如此一来，可藉由较宽的第二虚置透光柱408D2更进一步强化透光柱108阵列结构。然而，本发明并不以此为限，在其他实施例中，第一虚置透光柱408D1的宽度DW1可大于或等于第二虚置透光柱408D2的宽度DW2，此时仍可强化透光柱108阵列结构，避免阵列边缘透光柱108变形倒塌，保持透光柱108的均匀度，进而提升成品率。

在一些实施例中，如图6所示，第一虚置透光柱408D1的节距DP1等于第二虚置透光柱408D2的节距DP2。如此一来，可避免第二虚置透光柱408D2彼此过于接近而倒塌变形。然而，本发明并不以此为限，在其他实施例中，若工艺能力许可，第二虚置透光柱408D2的节距DP2可小于第一虚置透光柱108D的节距DP1，如此一来，可藉由较密的第二虚置透光柱408D2更进一步强化透光柱108阵列结构。或者，为避免第二虚置透光柱408D2彼此过于接近而倒塌变形，第二虚置透光柱408D2的节距DP2可大于第一虚置透光柱108D的节距DP1。

在一些实施例中，可以相同工艺同时形成透光柱108、第一虚置透光柱408D1、以及第二虚置透光柱408D2，且三者材料相同。如此一来，可节省工艺时间与成本。然而，本发明并不以此为限。在另一些实施例中，透光柱108与第一虚置透光柱408D1及第二虚置透光柱408D2的材料可彼此不同。例如，可在像素106上方形成透光柱108，并在其间形成遮光层110后，利用图案化工艺在第一周边区域404P1的遮光层110中形成包围透光柱108的开口，并填入不同于透光柱108的透光材料以于开口处形成第一虚置透光柱408D1。接着以例如化学机械抛光工艺对透光柱108、第一虚置透光柱408D1、及遮光层110进行平坦化工艺以去除多余的透光材料。接着，再利用图案化工艺在第二周边区域404P2的遮光层110中形成包围第一虚置透光柱408D1的开口，并填入与第一虚置透光柱408D1不同的透光材料以于开口处形成第二虚置透光柱408D2。接着，以例如化学机械抛光工艺对透光柱108、第一虚置透光柱408D1、第二虚置透光柱408D2、及遮光层110进行平坦化工艺以去除多余的透光材料。

藉由不同的第一虚置透光柱408D1及第二虚置透光柱408D2材料，更可强化透光柱108阵列结构，避免阵列边缘透光柱108变形倒塌，保持透光柱108的均匀度，进而提升成品率。

在一些实施例中，第一虚置透光柱408D1及第二虚置透光柱408D2可为单层排列，亦可为多层排列。在一些实施例中，第一虚置透光柱408D1及第二虚置透光柱408D2总层数介于3层至5层之间。第一虚置透光柱408D1及第二虚置透光柱408D2可对齐排列，亦可交错排列，视工艺及设计需求而定。

藉由在透光柱阵列周围形成相同或不同形状、宽度、节距、材料、排列方式的第一虚置透光柱及第二虚置透光柱，更可强化透光柱阵列结构，避免阵列边缘透光柱变形倒塌，保持透光柱的均匀度，进而提升成品率。

值得注意的是，图6中的周边区域数目仅为一范例，本发明并不以此为限。例如，如图7所示的本发明另一些实施例中，光学感应器500可包括第一周边区域404P1、第二周边区域404P2、及第三周边区域504P3，在透光柱阵列周围形成第一虚置透光柱408D1、第二虚置透光柱408D2、及第三虚置透光柱508D3，其中第一虚置透光柱408D1、第二虚置透光柱408D2、及第三虚置透光柱508D3可为不同形状(例如圆形、椭圆形、或矩形)，亦可为相同形状，视工艺及设计需求而定。

藉由在透光柱阵列周围形成相同或不同形状、宽度、节距、材料、层数、排列方式的三个以上虚置透光柱层，更可强化透光柱阵列结构，避免阵列边缘透光柱变形倒塌，保持透光柱的均匀度，进而提升成品率。

综上所述，本发明实施例提供一种光学感应器，在光准直层的遮光层中，除形成像素上方对应的透光柱阵列外，另形成虚置透光柱包围透光柱阵列。视工艺需求调整虚置透光柱的几何形状、尺寸、排列方式、材料。如此一来，可视工艺及设计需求强化透光柱阵列结构，避免阵列边缘透光柱变形倒塌，保持透光柱的均匀度，进而提升成品率。

应注意的是，虽然以上描述了本发明一些实施例的优点与功效，但并非各个实施例都需要达到所有的优点与功效。

上述内容概述许多实施例的特征，因此任何本领域相关人员，可更加理解本发明实施例的各方面。任何本领域相关人员，可能无困难地以本发明实施例为基础，设计或修改其他工艺及结构，以达到与本发明实施例相同的目的及/或得到相同的优点。任何本领域相关人员，在不脱离本发明实施例的精神和范围内做不同改变、代替及修改，如此等效的创造并没有超出本发明实施例的精神及范围。

Claims (19)

1.一种光学感应器，其特征在于，包括：

多个像素，位于一基板中；

一光准直层，位于该基板之上，包括：

一遮光层，位于该基板上方；

多个透光柱，穿过该遮光层，对应设置于所述像素上；以及

多个第一虚置透光柱，穿过该遮光层，位于该光准直层的一第一周边区域，其中所述第一虚置透光柱于该光准直层中彼此分隔设置；

其中于一俯视图中所述第一虚置透光柱包围所述透光柱。

2.如权利要求1所述的光学感应器，其特征在于，所述第一虚置透光柱未对应至任何所述像素。

3.如权利要求1所述的光学感应器，其特征在于，所述透光柱在该俯视图中的形状为圆形。

4.如权利要求1所述的光学感应器，其特征在于，所述第一虚置透光柱在该俯视图中的形状为圆形、椭圆形、或矩形。

5.如权利要求1所述的光学感应器，其特征在于，所述第一虚置透光柱的宽度等于所述透光柱的宽度。

6.如权利要求1所述的光学感应器，其特征在于，所述第一虚置透光柱的宽度不等于所述透光柱的宽度。

7.如权利要求1所述的光学感应器，其特征在于，所述透光柱在该俯视图中的排列为一阵列。

8.如权利要求1所述的光学感应器，其特征在于，所述第一虚置透光柱在该俯视图中的排列为多层排列。

9.如权利要求8所述的光学感应器，其特征在于，所述第一虚置透光柱在该俯视图中彼此交错排列。

10.如权利要求1所述的光学感应器，其特征在于，所述第一虚置透光柱及所述透光柱的高宽比介于5:1至20:1之间。

11.如权利要求1所述的光学感应器，其特征在于，该光准直层更包括：

多个第二虚置透光柱，穿过该遮光层，位于该光准直层的一第二周边区域中，其中该第二周边区域包围该第一周边区域；

其中于该俯视图中所述第二虚置透光柱包围所述第一虚置透光柱。

12.如权利要求11项所述的光学感应器，其特征在于，所述第二虚置透光柱的宽度不等于所述第一虚置透光柱的宽度。

13.如权利要求11所述的光学感应器，其特征在于，所述第二虚置透光柱的宽度等于所述第一虚置透光柱的宽度。

14.如权利要求11所述的光学感应器，其特征在于，所述第二虚置透光柱在该俯视图中的形状为圆形、椭圆形、或矩形。

15.一种光学感应器的形成方法，其特征在于，包括：

形成多个像素于一基板中；

形成一光准直层于该基板之上，其特征在于，该光准直层的形成包括：

形成多个透光柱及多个第一虚置透光柱于该基板之上，其中所述透光柱对应设置于所述像素上，且所述第一虚置透光柱位于该光准直层的一第一周边区域，其中所述第一虚置透光柱于该光准直层中彼此分隔设置；以及

形成一遮光层于所述透光柱与所述第一虚置透光柱之间；

其中于一俯视图中所述第一虚置透光柱包围所述透光柱。

16.如权利要求15所述的光学感应器的形成方法，其特征在于，所述第一虚置透光柱未对应至任何所述像素。

17.如权利要求15所述的光学感应器的形成方法，其特征在于，所述第一虚置透光柱在该俯视图中的排列为多层排列。

18.如权利要求15所述的光学感应器的形成方法，其特征在于，所述第一虚置透光柱在该俯视图中彼此交错排列。

19.如权利要求15所述的光学感应器的形成方法，其特征在于，该光准直层更包括：

多个第二虚置透光柱，穿过该遮光层，位于该光准直层的一第二周边区域，其中该第二周边区域包围该第一周边区域；

其中于该俯视图中所述第二虚置透光柱包围所述第一虚置透光柱。

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