CN112103348A - 受光芯片及其形成方法、光电耦合器及其形成方法 - Google Patents
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Abstract
一种受光芯片及其形成方法、光电耦合器及其形成方法，所述受光芯片包括：原始受光芯片，所述原始受光芯片具有受光区域以及围绕所述受光区域的焊盘封装区域；多个焊盘，位于所述焊盘封装区域的原始受光芯片的表面；多个金属凸块，所述金属凸块与所述焊盘一一对应且固定于所述焊盘的表面。本发明可以有效满足对光电耦合器的小、轻、薄的需求。
Description
技术领域
本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种受光芯片及其形成方法、光电耦合器及其形成方法。
背景技术
在现有的光电耦合器技术中，其封装结构通常是把发光芯片和受光芯片粘贴在不同的框架上，然后这2个框架相互对准叠合在一起并间隔有预设距离，从而使得受光芯片能够接收到发光芯片的光，然后转化为电信号。
然而，现有的光电耦合器尺寸较大，难以满足需求。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种受光芯片及其形成方法、光电耦合器及其形成方法，可以有效满足对光电耦合器的小、轻、薄的需求。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种受光芯片，其特征在于，包括：原始受光芯片，所述原始受光芯片具有受光区域以及围绕所述受光区域的焊盘封装区域；多个焊盘，位于所述焊盘封装区域的原始受光芯片的表面；多个金属凸块，所述金属凸块与所述焊盘一一对应且固定于所述焊盘的表面。
可选的，所述多个金属凸块包括：多个金属柱，所述金属柱与所述焊盘一一对应；多个金属球，所述多个金属球与所述金属柱一一对应；其中，所述多个金属柱的底部分别焊接在所述多个焊盘的表面，且所述多个金属球生长或焊接在对应的金属柱的顶部表面；或者，所述多个金属球的顶部分别生长或焊接在所述多个焊盘的表面，且所述多个金属柱焊接在对应的金属球的底部表面。
可选的，所述金属柱为铜柱或金柱；和/或，所述金属球为半球状的锡球或锡合金球。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种受光芯片的形成方法，包括：提供原始受光芯片，所述原始受光芯片具有受光区域以及围绕所述受光区域的焊盘封装区域；在所述焊盘封装区域的原始受光芯片的表面形成多个焊盘；形成多个金属凸块，所述金属凸块与所述焊盘一一对应且固定于所述焊盘的表面。
可选的，形成多个金属凸块包括：在所述多个焊盘的表面生长或焊接金属柱，并在所述金属柱的表面生长或焊接金属球；或者，在所述多个焊盘的表面焊接金属球，其中，所述金属球的底部焊接有金属柱；其中，多个金属球与所述焊盘一一对应，多个金属柱与所述金属球一一对应。
可选的，所述金属柱为铜柱或金柱；和/或，所述金属球为半球状的锡球或锡合金球。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种基于上述受光芯片的光电耦合器，包括：基板，所述基板的表面形成有多个金属块，所述多个金属块与所述多个金属凸块一一对应；发光芯片，固定在所述基板的表面，且所述多个金属块围绕所述发光芯片；所述受光芯片，倒装固定在所述基板的表面，且所述受光芯片的多个金属凸块的顶部表面与所述多个金属块电连接；其中，所述受光芯片的受光面与所述发光芯片的发光面相对。
可选的，所述金属凸块的高度大于所述发光芯片的高度，且小于所述发光芯片的高度的预设倍数。
可选的，所述的受光芯片的光电耦合器还包括：硅胶，包裹所述发光芯片。
可选的，所述的受光芯片的光电耦合器还包括：第一塑封胶，包裹所述基板、发光芯片、以及受光芯片；第二塑封胶，包裹所述基板、发光芯片、受光芯片以及所述第一塑封胶；其中，所述第一塑封胶的顶部横截面面积小于所述第一塑封胶的底部横截面面积，所述第二塑封胶的顶部横截面面积小于所述第二塑封胶的底部横截面面积，所述第二塑封胶的顶部横截面面积和底部横截面面积均大于所述第一塑封胶的顶部横截面面积和底部横截面面积。
可选的，所述第一塑封胶的透光率大于等于第一预设透光率阈值；和/或，所述第二塑封胶的透光率小于等于第二预设透光率阈值；其中，所述第一预设透光率阈值大于所述第二预设透光率阈值。
可选的，所述第二塑封胶的色彩明度值小于预设明度阈值，或者，所述第二塑封胶的灰度值小于预设灰度阈值。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种基于上述的受光芯片的光电耦合器的形成方法，包括：提供基板，所述基板的表面形成有多个金属块，所述多个金属块与所述多个金属凸块一一对应；提供发光芯片，并将所述发光芯片固定在所述基板的表面，且所述多个金属块围绕所述发光芯片；将所述受光芯片倒装固定在所述基板的表面，且所述受光芯片的多个金属凸块的顶部表面与所述多个金属块电连接。
可选的，所述的受光芯片的光电耦合器的形成方法还包括：提供第一模具，基于所述第一模具对所述基板、发光芯片以及受光芯片进行第一封胶处理；提供第二模具，基于所述第二模具对所述第一封胶处理后的基板、发光芯片以及受光芯片进行第二封胶处理；其中，所述第一模具的顶部横截面面积小于所述第一模具的底部横截面面积，所述第二模具的顶部横截面面积小于所述第二模具的底部横截面面积，所述第二模具的顶部横截面面积和底部横截面面积均大于所述第一模具的顶部横截面面积和底部横截面面积。
可选的，采用第一塑封胶对所述基板、发光芯片以及受光芯片进行第一封胶处理，所述第一塑封胶的透光率大于等于第一预设透光率阈值；和/或，采用第二塑封胶对所述第一封胶处理后的基板、发光芯片以及受光芯片进行第二封胶处理，所述第二塑封胶的透光率小于等于第二预设透光率阈值；其中，所述第一预设透光率阈值大于所述第二预设透光率阈值。
可选的，所述第二塑封胶的色彩明度值小于预设明度阈值，或者，所述第二塑封胶的灰度值小于预设灰度阈值。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
在本发明实施例中，通过在受光芯片上增加金属凸块直接与基板连接，可以取代框架结构对受光芯片进行信号传递、以及在结构上给予支撑，可以实现单框架的对射式光电耦合器，相比于现有技术中受光芯片的框架结构通常尺寸较大，高度较高，占据较大的面积导致现有双框架的对射式光电耦合器的尺寸过大，采用设置有金属凸块的受光芯片，可以有效满足小、轻、薄的需求。
进一步，所述金属凸块包括金属柱和金属球，可以在形成受光芯片的过程中，通过金属化工艺形成金属柱，然后通过印刷，回流焊工艺形成锡球或锡合金球，再通过表面贴装工艺使金属凸块与基板焊盘相连接。并且相比于金属柱的截面具有边线和棱角，金属球的弧形结构更容易紧密接触到基板，从而可以更好地将光电转换的信号传输至基板。
进一步，发光芯片，固定在所述基板的表面，且所述多个金属块围绕所述发光芯片，受光芯片，倒装固定在所述基板的表面，且所述受光芯片的多个金属凸块的顶部表面与所述多个金属块电连接，所述受光芯片的受光面与所述发光芯片的发光面相对，可以实现光线从发光芯片至受光芯片之间的传输，并且有机会实现受光芯片的受光面的面积大于发光芯片的发光面的面积，从而提高光接收比例。
进一步，通过采用透光率大于等于第一预设透光率阈值的塑封胶包裹所述基板、发光芯片、以及受光芯片，相比于采用其他塑封胶，可以提高光的穿透性，更好地实现光线的接收，通过采用透光率小于等于第二预设透光率阈值的塑封胶包裹所述基板、发光芯片、受光芯片以及所述第一塑封胶，可以更好地隔绝外界与光耦器件内部之间的相互影响。
附图说明
图1是现有技术中一种光电耦合器的剖面结构示意图；
图2是本发明实施例中一种光电耦合器的剖面结构示意图；
图3是本发明实施例中另一种光电耦合器的剖面结构示意图；
图4是本发明实施例中一种受光芯片的仰视图。
具体实施方式
如前所述，在现有的光电耦合器技术中，其封装结构通常是把发光芯片和受光芯片粘贴在不同的框架上，然后这2个框架相互对准叠合在一起并间隔有预设距离，从而让受光芯片能够接收到发光芯片的光，然后转化为电信号。
参照图1，图1是现有技术中一种光电耦合器的剖面结构示意图。所述光电耦合器包括受光芯片110、发光芯片120、第一框架101以及第二框架102。
其中，所述受光芯片110被粘贴在第一框架101上，所述发光芯片120被粘贴在第二框架102上，第一框架101与第二框架102相互对准叠合在一起并间隔有预设距离，从而使得受光芯片110能够接收到发光芯片120发出的光，然后转化为电信号，并通过第一框架101导出。
然而，图1示出的光电耦合器尺寸较大，难以满足需求。
本发明的发明人经过研究发现，在现有技术中，由于第一框架101和第二框架102往往是预先制备好的，对于芯片尺寸较小的情况，并不会定制提供高度较低的框架，导致形成的光电耦合器高度过高，难以满足用户对于光电耦合器的小、轻、薄的需求。
在本发明实施中，通过在受光芯片上增加金属凸块直接与基板连接，可以取代框架结构对受光芯片进行信号传递、以及在结构上给予支撑，可以实现单框架的对射式光电耦合器，相比于现有技术中受光芯片的框架结构通常尺寸较大，高度较高，占据较大的面积导致现有双框架的对射式光电耦合器的尺寸过大，采用设置有金属凸块的受光芯片，可以有效满足小、轻、薄的需求。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
结合参照图2和图3，图2是本发明实施例中一种光电耦合器的剖面结构示意图，图3是本发明实施例中另一种光电耦合器的剖面结构示意图。
其中，所述光电耦合器可以包括基板200、受光芯片21、发光芯片220。
进一步地，所述受光芯片21可以包括原始受光芯片210、焊盘211、金属凸块212。
其中，所述原始受光芯片210具有受光区域以及围绕所述受光区域的焊盘封装区域。
如图2示出的受光区域A可以仅为中心区域，焊盘封装区域B可以为围绕中心区域的外围区域，然而在本发明实施例的另一种具体实施方式中，所述焊盘封装区域可以仅为多个焊盘所在的位置占据的区域，所述受光区域可以为除焊盘所在位置之外的全部芯片区域，可以理解的是，所述受光区域以及围绕所述受光区域的焊盘封装区域还可以有其他适当的划分方式，本发明实施例对此不做限制。
需要指出的是，所述原始受光芯片210可以是在半导体衬底的基础上完成受光器件的制备的芯片，例如已经完成掺杂区、金属互连、钝化等工艺的芯片。
所述多个焊盘（Pad）211可以位于所述焊盘封装区域B的原始受光芯片210的表面。
进一步地，所述焊盘211的材料可以为金属材料或其他适当的用于引出电信号的材料，例如可以为金属铝。
所述金属凸块212与所述焊盘211一一对应且固定于所述焊盘211的表面。
进一步地，所述多个金属凸块212可以包括：多个金属柱213，所述金属柱213与所述焊盘211一一对应；多个金属球214，所述多个金属球214与所述金属柱213一一对应；其中，所述多个金属柱213的底部分别生长或焊接在所述多个焊盘211的表面，且所述多个金属球214生长或焊接在对应的金属柱213的顶部表面及焊接在对应的金属块201的上表面。
在图3示出的另一种光电耦合器中，所述多个金属凸块312包括：多个金属柱313，所述金属柱313与所述焊盘211一一对应；多个金属球314，所述多个金属球314与所述金属柱313一一对应；所述多个金属球314的顶部分别焊接在所述多个焊盘211的表面，且所述多个金属柱313焊接在对应的金属球314的底部表面及生长或焊接在对应的金属块201的上表面。
在本发明实施例中，所述金属凸块212包括金属柱213和金属球214，可以在形成受光芯片的过程中，通过金属化工艺形成金属柱213，然后通过印刷，回流焊工艺形成锡球或锡合金球，再通过表面贴装工艺使金属凸块212与基板焊盘相连接，并且相比于金属柱213的截面具有边线和棱角，金属球214的弧形结构更容易紧密接触到基板，从而可以更好地将光电转换的信号传输至基板200。
更进一步地，所述金属柱213、金属柱313可以为铜柱或金柱，和/或，所述金属球214、金属球314可以为半球状的锡球或锡合金球。
在本发明实施例中，所述金属柱213、金属柱313可以为铜柱或金柱，和/或，所述金属球214、金属球314可以为半球状的锡球或锡合金球，可以在通过金属化工艺形成金属柱，然后通过焊接工艺形成金属球的过程中，降低工艺难度。
在本发明实施例中，通过在受光芯片21上增加金属凸块212直接与基板连接，可以取代框架结构对受光芯片21进行信号传递、以及在结构上给予支撑，可以实现单框架的对射式光电耦合器，相比于现有技术中受光芯片的框架结构通常尺寸较大，高度较高，占据较大的面积导致现有双框架的对射式光电耦合器的尺寸过大，采用设置有金属凸块212的受光芯片21，可以有效满足小、轻、薄的需求。
在本发明实施例中，还公开了一种受光芯片的形成方法，其特征在于，包括：提供原始受光芯片210，所述原始受光芯片210具有受光区域A以及围绕所述受光区域的焊盘封装区域B；在所述焊盘封装区域B的原始受光芯片210的表面形成多个焊盘211；形成多个金属凸块212，所述金属凸块212与所述焊盘211一一对应且固定于所述焊盘211的表面。
进一步地，形成多个金属凸块212包括：在所述多个焊盘211的表面生长或焊接金属柱213，并在所述金属柱213的表面生长或焊接金属球214；或者，在所述多个焊盘211的表面焊接金属球314，其中，所述金属球314的底部表面焊接有金属柱313；其中，多个金属柱213与所述焊盘211一一对应（参照图2），多个金属球314与所述焊盘211一一对应（参照图3），多个金属球214与所述金属柱213一一对应（参照图2），多个金属柱313与金属球314一一对应（参照图3）。
更进一步地，在具体实施中，如图3所示，可以先形成所述金属柱313，再在所述金属柱313的表面形成金属球314，然后在所述多个焊盘211的表面焊接所述金属球314与金属柱313。
进一步地，所述金属柱213、金属柱313为铜柱或金柱；和/或，所述金属球214、金属球314为半球状的锡球或锡合金球。
在本发明实施例中，通过在受光芯片21的周边增加金属凸块212直接与基板连接，可以取代框架结构对受光芯片21进行信号传递、以及在结构上给予支撑，可以实现单框架的对射式光电耦合器，相比于现有技术中受光芯片的框架结构通常尺寸较大，高度较高，占据较大的面积导致现有双框架的对射式光电耦合器的尺寸过大，采用设置有金属凸块212的受光芯片21，可以有效满足小、轻、薄的需求。
进一步地，在图2示出的光电耦合器中，所述基板200的表面可以形成有多个金属块201，所述多个金属块201与所述多个金属凸块212一一对应。
需要指出的是，所述金属块201可以通过生长、焊接等方式固定到基板上，又可以称为基板焊盘（Substrate Pad）。
所述发光芯片220固定在所述基板200的表面，且所述多个金属块201围绕所述发光芯片220。
所述受光芯片21倒装固定在所述基板200的表面，且所述受光芯片21的多个金属凸块212的顶部表面与所述多个金属块201电连接；其中，所述受光芯片21的受光面与所述发光芯片220的发光面相对。需要指出的是，所述受光芯片21的多个金属凸块212可以与所述多个金属块201通过表面贴装工艺连接，以实现所述电连接。
需要指出的是，所述受光芯片21可以通过焊接的方式，倒装固定在所述基板200的表面，所述发光芯片220可以通过胶合的方式，固定在所述基板200的表面。
在本发明实施例中，发光芯片220固定在所述基板200的表面，且所述多个金属块201围绕所述发光芯片220，受光芯片21倒装焊接固定在所述基板200的表面，且所述受光芯片21的多个金属凸块212的顶部表面与所述多个金属块201电连接，所述受光芯片21的受光面与所述发光芯片220的发光面相对，可以实现光线从发光芯片220至受光芯片21之间的传输，并且有机会实现受光芯片21的受光面的面积大于发光芯片220的发光面的面积，从而提高光接收比例。
更进一步地，所述金属凸块212的高度可以大于所述发光芯片220的高度，且小于所述发光芯片220的高度的N倍；其中，N＞1。
需要指出的是，所述金属凸块212的高度对光电耦合器的高度具有重要的影响，所述金属凸块212的高度不应当过高，否则难以达到满足光电耦合器小、轻、薄的需求；所述金属凸块212的高度不应当过低，否则不能实现放置发光芯片220的需要。
作为一个非限制性的例子，可以设置所述金属凸块212的高度大于所述发光芯片220的高度，且小于所述发光芯片220的高度的N倍，其中，N＞1，例如可以设置N选自5~10，例如设置N=2.5，即为所述金属凸块212的高度大于所述发光芯片220的高度，且小于所述发光芯片220的高度的2.5倍，例如可以采用金属凸块212为所述发光芯片220的高度的2.4倍。
进一步地，所述光电耦合器还可以包括：硅胶221，包裹所述发光芯片220。
在本发明实施例中，通过设置硅胶221，可以对发光芯片220进行有效保护，提高光电转换效果。
进一步地，所述受光芯片的光电耦合器还可以包括：第一塑封胶231，包裹所述基板200、发光芯片220、以及受光芯片210；第二塑封胶232，包裹所述基板200、发光芯片220、受光芯片210以及所述第一塑封胶231；其中，所述第一塑封胶231的顶部横截面面积小于所述第一塑封胶231的底部横截面面积，所述第二塑封胶232的顶部横截面面积小于所述第二塑封胶232的底部横截面面积，所述第二塑封胶232的顶部横截面面积和底部横截面面积均大于所述第一塑封胶231的顶部横截面面积和底部横截面面积。
在本发明实施例中，通过设置塑封胶的顶部横截面面积小于所述底部横截面面积，可以更容易地去除模具。
更进一步地，所述第一塑封胶231的透光率大于等于第一预设透光率阈值；和/或，所述第二塑封胶232的透光率小于等于第二预设透光率阈值；其中，所述第一预设透光率阈值大于所述第二预设透光率阈值。
具体地，通过设置第一塑封胶231的透光率大于等于第一预设透光率阈值，可以设置第一塑封胶231更加接近于透明塑封胶，例如白色第一塑封胶；通过设置所述第二塑封胶232的透光率小于等于第二预设透光率阈值，可以设置第二塑封胶232更加接近于非透明塑封胶，例如黑色第二塑封胶。
更进一步地，所述第二塑封胶232的色彩明度值小于预设明度阈值，或者，所述第二塑封胶232的灰度值小于预设灰度阈值。
具体地，通过设置第二塑封胶232的色彩明度值小于预设明度阈值，可以设置第二塑封胶232为颜色较深的彩色塑封胶，例如接近于黑色的深蓝、深红、深紫色塑封胶等；通过设置所述第二塑封胶232的灰度值小于预设灰度阈值，可以设置第二塑封胶232为颜色较深的黑白色塑封胶，例如黑色、深灰色塑封胶等。
在本发明实施例中，通过采用透光率大于等于第一预设透光率阈值的塑封胶包裹所述基板200、发光芯片220、以及受光芯片210，相比于采用其他塑封胶，可以提高光的穿透性，更好地实现光线的接收；通过采用透光率小于等于第二预设透光率阈值的塑封胶包裹所述基板200、发光芯片220、受光芯片210以及所述第一塑封胶231，可以更好地隔绝外界与光耦器件内部之间的相互影响。
在本发明实施例中，还公开了一种光电耦合器的形成方法，包括：提供基板200，所述基板200的表面可以形成有多个金属块201，所述多个金属块201与所述多个金属凸块212一一对应；提供发光芯片220，并将所述发光芯片220固定在所述基板200的表面，且所述多个金属块201围绕所述发光芯片220；将所述受光芯片210倒装焊接固定在所述基板200的表面，且所述受光芯片210的多个金属凸块212的顶部表面与所述多个金属块201电连接。
进一步地，所述方法还包括：提供第一模具（图未示），基于所述第一模具对所述基板200、发光芯片220、以及受光芯片210进行第一封胶处理；提供第二模具（图未示），基于所述第二模具对所述第一封胶处理后的基板200、发光芯片220、受光芯片210进行第二封胶处理；其中，所述第一模具的顶部横截面面积小于所述第一模具的底部横截面面积，所述第二模具的顶部横截面面积小于所述第二模具的底部横截面面积，所述第二模具的顶部横截面面积和底部横截面面积均大于所述第一模具的顶部横截面面积和底部横截面面积。
更进一步地，在封胶处理时，所述第二模具与第一模具的放置中心位置重合。
进一步地，采用第一塑封胶231对所述基板200、发光芯片220、以及受光芯片210进行第一封胶处理；和/或，采用第二塑封胶232对所述第一封胶处理后的基板200、发光芯片220、以及受光芯片210进行第二封胶处理。
需要指出的是，可以在发光芯片220和受光芯片210之间导入低介电常数去耦隔离膜降低耦合电容。
参照图4，图4是本发明实施例中一种受光芯片的仰视图。所述受光芯片可以包括原始受光芯片210以及多个焊盘211。
可以理解的是，虽然在图4中采用4个焊盘211进行示例，然而本发明实施例对于具体的焊盘211个数不做限制。
需要指出的是，在对本发明实施例中公开的光电耦合器进行后续封装的过程中，可以适用多种封装形式，例如栅格阵列封装（Land Grid Array， LGA），插针网格阵列封装（Pin Grid Array，PGA）形式等，本发明实施例对此不做限制。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (16)
1.一种受光芯片，其特征在于，包括：
原始受光芯片，所述原始受光芯片具有受光区域以及围绕所述受光区域的焊盘封装区域；
多个焊盘，位于所述焊盘封装区域的原始受光芯片的表面；
多个金属凸块，所述金属凸块与所述焊盘一一对应且固定于所述焊盘的表面。
2.根据权利要求1所述的受光芯片，其特征在于，所述多个金属凸块包括：
多个金属柱，所述金属柱与所述焊盘一一对应；
多个金属球，所述多个金属球与所述金属柱一一对应；
其中，所述多个金属柱的底部分别生长或焊接在所述多个焊盘的表面，且所述多个金属球生长或焊接在对应的金属柱的顶部表面；
或者，
所述多个金属球的顶部分别焊接在所述多个焊盘的表面，且所述多个金属柱焊接在对应的金属球的底部表面。
3.根据权利要求2所述的受光芯片，其特征在于，
所述金属柱为铜柱或金柱；
和/或，
所述金属球为半球状的锡球或锡合金球。
4.一种受光芯片的形成方法，其特征在于，包括：
提供原始受光芯片，所述原始受光芯片具有受光区域以及围绕所述受光区域的焊盘封装区域；
在所述焊盘封装区域的原始受光芯片的表面形成多个焊盘；
形成多个金属凸块，所述金属凸块与所述焊盘一一对应且固定于所述焊盘的表面。
5.根据权利要求4所述的受光芯片的形成方法，其特征在于，形成多个金属凸块包括：
在所述多个焊盘的表面生长或焊接金属柱，并在所述金属柱的表面生长或焊接金属球；
或者，
在所述多个焊盘的表面焊接金属球，其中，所述金属球的底部焊接有金属柱；
其中，多个金属球与所述焊盘一一对应，多个金属柱与所述金属球一一对应。
6.根据权利要求5所述的受光芯片的形成方法，其特征在于，
所述金属柱为铜柱或金柱；
和/或，
所述金属球为半球状的锡球或锡合金球。
7.一种基于权利要求1至3任一项所述的受光芯片的光电耦合器，其特征在于，包括：
基板，所述基板的表面形成有多个金属块，所述多个金属块与所述多个金属凸块一一对应；
发光芯片，固定在所述基板的表面，且所述多个金属块围绕所述发光芯片；
所述受光芯片，倒装固定在所述基板的表面，且所述受光芯片的多个金属凸块的顶部表面与所述多个金属块电连接；
其中，所述受光芯片的受光面与所述发光芯片的发光面相对。
8.根据权利要求7所述的受光芯片的光电耦合器，其特征在于，
所述金属凸块的高度大于所述发光芯片的高度，且小于所述发光芯片的高度的N倍；
其中，N＞1。
9.根据权利要求7所述的受光芯片的光电耦合器，其特征在于，还包括：
硅胶，包裹所述发光芯片。
10.根据权利要求7所述的受光芯片的光电耦合器，其特征在于，还包括：
第一塑封胶，包裹所述基板、发光芯片、以及受光芯片；
第二塑封胶，包裹所述基板、发光芯片、受光芯片以及所述第一塑封胶；
其中，所述第一塑封胶的顶部横截面面积小于所述第一塑封胶的底部横截面面积，所述第二塑封胶的顶部横截面面积小于所述第二塑封胶的底部横截面面积，所述第二塑封胶的顶部横截面面积和底部横截面面积均大于所述第一塑封胶的顶部横截面面积和底部横截面面积。
11.根据权利要求10所述的受光芯片的光电耦合器，其特征在于，
所述第一塑封胶的透光率大于等于第一预设透光率阈值；
和/或，
所述第二塑封胶的透光率小于等于第二预设透光率阈值；
其中，所述第一预设透光率阈值大于所述第二预设透光率阈值。
12.根据权利要求11所述的受光芯片的光电耦合器，其特征在于，
所述第二塑封胶的色彩明度值小于预设明度阈值，或者，所述第二塑封胶的灰度值小于预设灰度阈值。
13.一种基于权利要求1至3任一项所述的受光芯片的光电耦合器的形成方法，其特征在于，包括：
提供基板，所述基板的表面形成有多个金属块，所述多个金属块与所述多个金属凸块一一对应；
提供发光芯片，并将所述发光芯片固定在所述基板的表面，且所述多个金属块围绕所述发光芯片；
将所述受光芯片倒装固定在所述基板的表面，且所述受光芯片的多个金属凸块的顶部表面与所述多个金属块电连接。
14.根据权利要求13所述的受光芯片的光电耦合器的形成方法，其特征在于，还包括：
提供第一模具，基于所述第一模具对所述基板、发光芯片以及受光芯片进行第一封胶处理；
提供第二模具，基于所述第二模具对所述第一封胶处理后的基板、发光芯片以及受光芯片进行第二封胶处理；
其中，所述第一模具的顶部横截面面积小于所述第一模具的底部横截面面积，所述第二模具的顶部横截面面积小于所述第二模具的底部横截面面积，所述第二模具的顶部横截面面积和底部横截面面积均大于所述第一模具的顶部横截面面积和底部横截面面积。
15.根据权利要求14所述的受光芯片的光电耦合器的形成方法，其特征在于：
采用第一塑封胶对所述基板、发光芯片以及受光芯片进行第一封胶处理，所述第一塑封胶的透光率大于等于第一预设透光率阈值；
和/或，
采用第二塑封胶对所述第一封胶处理后的基板、发光芯片以及受光芯片进行第二封胶处理，所述第二塑封胶的透光率小于等于第二预设透光率阈值；
其中，所述第一预设透光率阈值大于所述第二预设透光率阈值。
16.根据权利要求15所述的受光芯片的光电耦合器的形成方法，其特征在于，
所述第二塑封胶的色彩明度值小于预设明度阈值，或者，所述第二塑封胶的灰度值小于预设灰度阈值。
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