CN104506174A - 一种金属封装的光mos继电器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种金属封装的光mos继电器，包括罩壳、输入组件、输出组件和基座组件；所述罩壳和基座组件将输入组件和输出组件封装于罩壳的内腔，所述输出组件固定安装于基座组件的内部引脚上，所述输入组件通过电导通柱固定在输出组件上，且所述输入组件上的发光二极管与输出组件上的光伏元件的感光表面呈面对面的空间垂直。本发明采用陶瓷电路基板B与金属管壳接触式固定，增大散热面积，使光MOS继电器具有良好的散热性；利用金属管壳内的接线脚实现对陶瓷电路基板B的固定及与金属管壳的电连接，使光MOS继电器具有较强的机械强度；采用全金属式的密封结构，使光MOS继电器具有较强抗电磁干扰能力。
Description
技术领域
本发明涉及一种继电器，具体涉及一种金属封装的光mos继电器。
背景技术
光MOS继电器是具有隔离功能的电子开关，是由发光二极管芯片、光伏阵列芯片、MOS管芯片，利用光电子和微电子技术实现输入端与输出端之间的电耦合和电隔离，其具有与逻辑电路兼容、开关速度快、体积小、寿命长和工作可靠等优点。因此，光MOS继电器也得到了越来越广泛的应用。但现阶段的光MOS继电器采用陶瓷管壳封装或塑封。中国专利ZL02291204.5介绍了一种采用塑封的光MOS继电器，此类光MOS继电器结构强度低、环境适应能力差。中国专利ZL200620001187.8介绍了一种采用陶瓷管壳封装的光MOS继电器，此类继电器机械强度较低、抗电磁干扰能力较差，散热能力较差，这两种封装的光MOS继电器存在的缺点给光MOS继电器的应用带来了不小的阻碍。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种金属封装的光mos继电器，该金属封装的光mos继电器通过采用金属管壳封装，解决了继电器机械强度较低、抗电磁干扰能力较差，散热能力较差的问题。
本发明通过以下技术方案得以实现。
本发明提供的一种金属封装的光mos继电器，包括罩壳、输入组件、输出组件和基座组件；所述罩壳和基座组件将输入组件和输出组件封装于罩壳的内腔，所述输出组件固定安装于基座组件的内部引脚上，所述输入组件通过电导通柱固定在输出组件上，且所述输入组件上的发光二极管与输出组件上的光伏元件的感光表面呈面对面的空间垂直。
所述输出组件上还固定安装有场效应管。
所述基座组件上还设置有外引脚，所述外引脚采用玻璃烧结的双列直插式结构。
所述输入组件上的陶瓷电路基板A和输出组件上的陶瓷电路基板B均为陶瓷金属化结构。
所述场效应管的数量为两个，且所述两个场效应管共源级。
所述陶瓷电路基板B上暴露的金属化层作为场效应管芯片的下电极连接点、上电极键合点和内引脚固定点。
本发明的有益效果在于：采用陶瓷基片与金属管壳接触式固定，陶瓷基片底面与金属管壳固定面完全接触，增大了散热面积，使光MOS继电器具有良好的散热性；陶瓷电路基板B安装在金属管壳内，利用金属管壳内的接线脚实现对陶瓷电路基板B的固定及与金属管壳的电连接，使光MOS继电器具有较强的机械强度；采用金属管壳封装，形成全金属式的密封结构，使光MOS继电器具有较强抗电磁干扰能力。
附图说明
图1是本发明的结构示意图；
图2是图1沿A-A的剖视图；
图3是图1去掉罩壳后的立体图；
图4是图2中输入组件的立体图；
图5是图2中输出组件的立体图；
图中：1-罩壳，2-输入组件，21-陶瓷电路基板A，22-发光二极管，23-电导通柱，3-输出组件，31-光伏元件，32-陶瓷电路基板B，33-场效应管，4-基座组件，41-外引脚。
具体实施方式
下面进一步描述本发明的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
如图1～图5所示的一种金属封装的光mos继电器，包括罩壳1、输入组件2、输出组件3和基座组件4；所述罩壳1和基座组件4将输入组件2和输出组件3封装于罩壳1的内腔，所述输出组件3固定安装于基座组件4的内部引脚上，所述输入组件2通过电导通柱23固定在输出组件3上，且所述输入组件2上的发光二极管22与输出组件3上的光伏元件31的感光表面呈面对面的空间垂直。实现了该继电器的内外电路连接，本结构使产品的输入、输出实现了物理隔离。
所述输出组件3上还固定安装有场效应管33；所述场效应管33的数量为两个，且所述两个场效应管33共源级。
所述基座组件4上还设置有外引脚41，所述外引脚41采用玻璃烧结的双列直插式结构。
所述输入组件2上的陶瓷电路基板A21和输出组件3上的陶瓷电路基板B32均为陶瓷金属化结构。所述陶瓷电路基板B32上暴露的金属化层作为场效应管33芯片的下电极连接点、上电极键合点和内引脚固定点。
本发明的光mos继电器在实际工作过程中，当输入端的接线脚时，有电流流经发光二极管22时，发光二极管22产生的光线照射到光伏元件31的感光面上，光伏元件31感光后，对外输出电压，其正极与场效应管33的G极连接，负极与场效应管33的S极连接，此时场效应管33芯片的D极、S极处于导通状态，即该继电器的输出端处于导通状态；当无电流通过输入端的接线脚时，输入组件2中的发光二极管22无光照射在光伏元件33的表面，光伏元件33对外无输出电压，通过内部电路，场效应管33芯片的G极、S极处于等电势,此时场效应管33芯片的D极、S极处于截止状态，即该继电器的输出端处于截止状态。
本发明由基座组件4和罩壳1构成金属管壳，由于该产品体积小，内部电路采用上下结构。采用金属管壳封装，形成全金属式的密封结构，加强了光MOS继电器的抗电磁干扰能力。陶瓷电路基板B32与金属管壳接触式固定，陶瓷电路基板B32底面与金属管壳固定面完全接触，增大了散热面积，使光MOS继电器具有良好的散热性；另外，将陶瓷电路基板B32安装在金属管壳内，利用金属管壳内的接线脚实现对陶瓷电路基板B32的固定及其与金属管壳之间的电连接，使光MOS继电器具有较强的机械强度。
Claims (6)
1.一种金属封装的光mos继电器，包括罩壳(1)、输入组件(2)、输出组件(3)和基座组件(4)，其特征在于：所述罩壳(1)和基座组件(4)将输入组件(2)和输出组件(3)封装于罩壳(1)的内腔，所述输出组件(3)固定安装于基座组件(4)的内部引脚上，所述输入组件(2)通过电导通柱(23)固定在输出组件(3)上，且所述输入组件(2)上的发光二极管(22)与输出组件(3)上的光伏元件(31)的感光表面呈面对面的空间垂直。
2.如权利要求1所述的金属封装的光mos继电器，其特征在于：所述输出组件(3)上还固定安装有场效应管(33)。
3.如权利要求1所述的金属封装的光mos继电器，其特征在于：所述基座组件(4)上还设置有外引脚(41)，所述外引脚(41)采用玻璃烧结的双列直插式结构。
4.如权利要求1所述的金属封装的光mos继电器，其特征在于：所述输入组件(2)上的陶瓷电路基板A(21)和输出组件(3)上的陶瓷电路基板B(32)均为陶瓷金属化结构。
5.如权利要求2所述的金属封装的光mos继电器，其特征在于：所述场效应管(33)的数量为两个，且所述两个场效应管(33)共源级。
6.如权利要求4所述的金属封装的光mos继电器，其特征在于：所述陶瓷电路基板B(32)上暴露的金属化层作为场效应管(33)芯片的下电极连接点、上电极键合点和内引脚固定点。
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