CN112095110A - 一种abf表面处理剂及其制备方法和应用 - Google Patents
一种abf表面处理剂及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112095110A CN112095110A CN202011292043.3A CN202011292043A CN112095110A CN 112095110 A CN112095110 A CN 112095110A CN 202011292043 A CN202011292043 A CN 202011292043A CN 112095110 A CN112095110 A CN 112095110A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- abf
- polyoxyethylene ether
- agent
- defoaming agent
- surface treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 52
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 39
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 24
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 59
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 claims description 57
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 claims description 57
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 31
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 31
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 claims description 27
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 14
- 235000019387 fatty acid methyl ester Nutrition 0.000 claims description 14
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 14
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 14
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 11
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 10
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- UQDUPQYQJKYHQI-UHFFFAOYSA-N methyl laurate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OC UQDUPQYQJKYHQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 8
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- BFXAWOHHDUIALU-UHFFFAOYSA-M sodium;hydron;difluoride Chemical compound F.[F-].[Na+] BFXAWOHHDUIALU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N diglycerol Chemical compound OCC(O)COCC(O)CO GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- CYEJMVLDXAUOPN-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylphenol Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O CYEJMVLDXAUOPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- REIUXOLGHVXAEO-UHFFFAOYSA-N pentadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCO REIUXOLGHVXAEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- VBKNTGMWIPUCRF-UHFFFAOYSA-M potassium;fluoride;hydrofluoride Chemical compound F.[F-].[K+] VBKNTGMWIPUCRF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 claims description 4
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical group COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 claims description 3
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CAMHHLOGFDZBBG-UHFFFAOYSA-N epoxidized methyl oleate Natural products CCCCCCCCC1OC1CCCCCCCC(=O)OC CAMHHLOGFDZBBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HPEUJPJOZXNMSJ-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid methyl ester Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC HPEUJPJOZXNMSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 claims description 2
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 235000013162 Cocos nucifera Nutrition 0.000 claims 1
- 244000060011 Cocos nucifera Species 0.000 claims 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 claims 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 claims 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 claims 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000247 superabsorbent polymer Polymers 0.000 abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 20
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 18
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 16
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 11
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N glyceric acid Chemical compound OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 5
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- SFNALCNOMXIBKG-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monododecyl ether Chemical compound CCCCCCCCCCCCOCCO SFNALCNOMXIBKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical group [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- 229940071160 cocoate Drugs 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013527 degreasing agent Substances 0.000 description 2
- 238000005237 degreasing agent Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N dodecyl benzenesulfonate;sodium Chemical group [Na].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002191 fatty alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229940080264 sodium dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 description 2
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- 230000009044 synergistic interaction Effects 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- XKGDWZQXVZSXAO-SFHVURJKSA-N Ricinolsaeure-methylester Natural products CCCCCC[C@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC XKGDWZQXVZSXAO-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 235000010855 food raising agent Nutrition 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002357 osmotic agent Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007719 peel strength test Methods 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- XKGDWZQXVZSXAO-UHFFFAOYSA-N ricinoleic acid methyl ester Natural products CCCCCCC(O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC XKGDWZQXVZSXAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
- C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
- C23C18/2053—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment only one step pretreatment
- C23C18/2066—Use of organic or inorganic compounds other than metals, e.g. activation, sensitisation with polymers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
本发明提供一种ABF表面处理剂及其制备方法和应用。所述ABF表面处理剂按质量百分含量计由如下组分组成：非离子型渗透剂0.5‑10%、消泡剂0.01‑2%、氟化物1‑5%，余量为水。所述ABF表面处理剂能有效去除除胶后的ABF表面的松散填料，对其进行SAP工艺处理时可增加ABF介质层和铜导电层之间的剥离强度，实现精细线路的加工。
Description
技术领域
本发明属于集成电路封装技术领域，具体涉及一种ABF表面处理剂及其制备方法和应用。
背景技术
目前为止，几乎所有的IC载板（Integrated Circuit，简称IC）都采用ABF（Ajinomoto Build-up Film）作为增层材料。ABF是由Intel主导研发的材料，用于导入FlipChip等高阶载板的生产。ABF材质可做线路较细、适合高脚数高传输的IC，多用于CPU、GPU和晶片组等大型高端芯片。ABF作为增层材料，采用半加成法（Semi-Additive Process，简称SAP），可以制作线宽/线距达到10-30 µm的IC载板。SAP工艺是在整面ABF膜上进行化学沉铜，沉铜前需要对全板ABF表面进行整体性的膨松和咬蚀，形成均匀的、纳米尺度的粗糙度，以确保基底与铜层的结合力。
另外，ABF材料为了达到一定的电性能和机械性能要求，含有大量的以SiO2为主要成分的球形填料。ABF表面的树脂经过膨松、咬蚀处理后，填料与树脂之间的结合面变小，导致表面填料变得松散且裸露的面积增加，这就造成两个重要隐患。一是，化学沉铜层沉积在松散的填料表面，松散填料在后续制程中存在与ABF树脂分离的风险，导致介质层（ABF）和导电层（铜）之间的剥离强度差；二是，与ABF树脂材料相比，SiO2填料表面进行化学沉铜时存在覆盖性差的问题，存在漏镀风险。
CN106893642A公开了一种水基清洗剂，所述水基清洗剂按重量百分比包括如下组分：表面活性剂4-10%；油溶性溶剂8-20%；助洗剂3-7%；消泡剂0.2-1.2%；去离子水至100%；所述表面活性剂由脂肪酸甲酯乙氧基化物，与直链或支链的脂肪醇聚氧乙烯醚中的任意1种或至少2种复配而成。该发明虽然通过复配不同的表面活性剂，配合油溶性溶剂、助洗剂、消泡剂等组分，能够有效去除电路板的灰尘、离子残留、油污和蜡性杂质，但对于SiO2等填料的去除效果较差。
CN111074285A公开了一种金属除油剂及其制备方法，涉及金属除油技术领域。该除油剂其为水基弱碱性清洗剂，包括阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、助剂以及溶剂；助剂至少包括渗透除油剂和溶解除油剂，且渗透除油剂用于与阴离子表面活性剂以及非离子表面活性剂配合以增加其活性成分的渗透能力，以使得表面活性剂的分子在油水界面紧密排列，溶解除油剂用于与阴离子表面活性剂以及非离子表面活性剂配合以增加其活性成分的溶解能力。该处理剂虽然具有很好的除油性能，但同样对于SiO2等填料的去除效果较差，且其为提高清洗能力，添加有大量阴离子表面活性剂，其容易对ABF介质层和铜导电层造成损害。
因此，开发一种可有效去除ABF除胶后表面裸露的松散填料的处理剂是本领域研究的重点。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种ABF表面处理剂及其制备方法和应用，所述ABF表面处理剂能有效去除除胶后的ABF表面的松散填料，增加介质层（ABF）和导电层（铜）之间的剥离强度，实现精细线路的加工。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供一种ABF表面处理剂，所述ABF表面处理剂按质量百分含量计由如下组分组成：非离子型渗透剂0.5-10%、消泡剂0.01-2%、氟化物1-5%，余量为水。
本发明由特定配比的非离子型渗透剂、消泡剂和氟化物组成，各组分相互配合，能有效去除除胶后的ABF表面的松散的SiO2等填料，从而增加介质层（ABF）和导电层（铜）之间的剥离强度，实现精细线路的加工，且本发明不添加阴离子表面活性剂，避免对ABF介质层和铜导电层造成损害。
以所述ABF表面处理剂的质量为100%计，所述非离子型渗透剂的添加量为0.5-10%，例如可以是0.5%、0.6%、0.7%、0.8%、1%、1.5%、2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%等。
以所述ABF表面处理剂的质量为100%计，所述消泡剂的添加量为0.01-2%，例如可以是0.01%、0.02%、0.04%、0.06%、0.08%、0.1%、0.2%、0.4%、0.6%、0.8%、1%、1.2%、1.4%、1.6%、1.8%、2%等。
以所述ABF表面处理剂的质量为100%计，所述氟化物的添加量为1-5%，例如可以是1%、1.5%、2%、2.5%、3%、3.5%、4%、4.5%、5%等。
优选地，所述非离子型渗透剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚或脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚中的任意一种或至少两种的组合。
在本发明中，以脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚作为非离子型渗透剂作为复合渗透剂，三者相互配合，发挥协同增效作用，能够更好地渗透到松散填料下面，从而进一步增加所述ABF表面处理剂与填料的接触面积，进一步减小润湿角，使SiO2等填料更容易从表面流下来。
优选地，所述非离子型渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚中的组合，所述脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚的质量比为(8-12):(4-6):(1-5)。
其中，“8-12”可以是8、8.5、9、9.5、10、10.5、11、11.5、12等；
其中，“4-6”可以是4、4.2、4.4、4.6、4.8、5、5.2、5.4、5.6、5.8、6等；
其中，“1-5” 可以是1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5、5等。
优选地，所述脂肪醇聚氧乙烯醚选自异构十醇聚氧乙烯醚、异构十五醇聚氧乙烯醚或月桂醇聚氧乙烯醚中的任意一种或至少两种的组合，优选为月桂醇聚氧乙烯醚。
优选地，所述烷基酚聚氧乙烯醚选自壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基酚聚氧乙烯醚中的任意一种或至少两种的组合，优选为十二烷基酚聚氧乙烯醚；
优选地，所述脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚选自椰油酸甲酯聚氧乙烯醚、硬脂酸甲酯聚氧乙烯醚、蓖麻油酸甲酯聚氧乙烯醚或月桂酸甲酯聚氧乙烯醚中的任意一种或至少两种的组合，优选为月桂酸甲酯聚氧乙烯醚。
优选地，所述消泡剂选自有机硅类消泡剂、聚醚类消泡剂或聚醚改性聚硅氧烷类消泡剂中的任意一种或至少两种的组合。
在本发明中，以有机硅类消泡剂、聚醚类消泡剂和聚醚改性聚硅氧烷类消泡剂作为复合消泡剂，三者相互配合，具有协同增效的作用，能够进一步对起泡介质起到优异的起泡和抑泡性能；还能结合二氧化硅作为活性载体，从而进一步提高消泡速率，且能更稳定地结合在SiO2等填料的沉淀上，促进其脱落。
优选地，所述消泡剂为有机硅类消泡剂、聚醚类消泡剂和聚醚改性聚硅氧烷类消泡剂的组合，所述有机硅类消泡剂、聚醚类消泡剂和聚醚改性聚硅氧烷类消泡剂的质量比为(5-8):(2-5):(1-4)。
其中，“5-8”例如可以是5、5.5、6、6.5、7、7.5、8等；
其中，“2-5”例如可以是2、2.5、3、3.5、4、4.5、5等；
其中，“1-4”例如可以是1、1.5、2、2.5、3、3.5、4等。
优选地，所述有机硅类消泡剂为聚二甲基硅氧烷。
优选地，所述聚二甲基硅氧烷的粘度为0.8-1.0 Pa·s，例如可以是0.8 Pa·s、0.85 Pa·s、0.9 Pa·s、0.95 Pa·s、1.0 Pa·s等。
优选地，所述聚醚类消泡剂为聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚。
优选地，所述聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚的数均分子量为2000-3000，例如可以是2000、2200、2400、2600、2800、3000等。
优选地，所述聚醚改性聚硅氧烷类消泡剂为聚醚改性硅油。
优选地，所述聚醚改性硅油选自BYK301、BYK331或BYK341中的任意一种或至少两种的组合。
优选地，所述氟化物选自氟化钠、氟化钾、氟氢化钠、氟氢化钾中的任意一种或至少两种的组合，优选为氟氢化钠和/或氟氢化钾。
第二方面，本发明提供一种如第一方面所述的ABF表面处理剂的制备方法，所述制备方法为：将非离子型渗透剂、消泡剂、氟化物和水混合，搅拌分散，得到所述ABF表面处理剂。
优选地，所述搅拌分散的温度为20-30℃，例如可以是20℃、22℃、24℃、26℃、28℃、30℃等，搅拌分散的转速为400-600 rpm，例如可以是400 rpm、450 rpm、500 rpm、550rpm、600 rpm等，搅拌分散的时间为10-20 min，例如可以是10 min、12 min、14 min、16min、18 min、20 min等。
第三方面，本发明提供一种如第一方面所述的ABF表面处理剂在化学沉铜工艺中的应用。
第四方面，本发明提供一种ABF介质层化学沉铜工艺，所述沉铜工艺包括表面处理，所述表面处理为：使用第一方面所述的ABF表面处理剂对ABF介质层进行处理。
优选地，所述表面处理的温度为30-60℃，例如可以是30℃、35℃、40℃、45℃、50℃、55℃、60℃等，优选为45-55℃，所述表面处理的时间30-120 s，例如可以是30 s、40 s、50 s、60 s、70 s、80 s、90 s、100 s、120 s等，优选为50-80 s。
优选地，所述沉铜工艺具体包括以下步骤：膨松、咬蚀、中和还原、表面处理、除油、微蚀、预浸、活化、活化还原、化学沉铜。
优选地，所述膨松的温度为60-90℃，例如可以是60℃、65℃、70℃、75℃、80℃、85℃、90℃等，优选为75-80℃，所述膨松的时间60-360 s，例如可以是60 s、70 s、80 s、90 s、100 s、120 s、140 s、160 s、180 s、200 s、220 s、240 s、260 s、280 s、300 s、330 s、360s，优选为120-240 s。
优选地，所述咬蚀的温度为75-95℃，例如可以是75℃、80℃、85℃、90℃、95℃等，优选为80-90℃，所述咬蚀的时间120-600 s，例如可以是120 s、140 s、160 s、180 s、200s、240 s、260 s、280 s、300 s、350 s、450 s、500 s、600 s等，优选为240-480 s。
优选地，所述中和还原的温度为30-60℃，例如可以是30℃、35℃、40℃、45℃、50℃、55℃、60℃等，优选为35-50℃，所述中和还原的时间30-120 s，例如可以是30 s、40 s、50 s、60 s、70 s、80 s、90 s、100 s、110 s、120 s等，优选为50-80 s。
优选地，所述除油的温度为40-60℃，例如可以是40℃、45℃、50℃、55℃、60℃等，优选为45-55℃，所述除油的时间30-150 s，例如可以是30 s、40 s、60 s、80 s、100 s、120s、140 s、150 s等，优选为60-100 s。
优选地，所述微蚀采用酸性微蚀液，所述酸性微蚀液选自硫酸和过硫酸钠的混合微蚀液或硫酸和双氧水的混合微蚀液。
优选地，所述微蚀的温度为25-35℃，例如可以是25℃、27℃、29℃、31℃、33℃、35℃等，所述微蚀的时间为30-120 s，例如可以是30 s、40 s、60 s、80 s、100 s、120 s等，所述微蚀的微蚀量为0.3-1.5 μm，例如可以是0.3 μm、0.4 μm、0.5 μm、0.6 μm、0.7 μm、0.8 μm、0.9 μm、1.0 μm、1.2 μm、1.4 μm、1.5 μm等。
优选地，所述预浸的温度为10-30℃，例如可以是10℃、15℃、20℃、25℃、30℃等，所述预浸的时间为10-60 s，例如可以是10 s、20 s、30 s、40 s、50 s、60 s等。
优选地，所述活化的温度为35-60℃，例如可以是35℃、40℃、45℃、50℃、55℃、60℃等，优选为45-55℃，所述活化的时间30-120 s，例如可以是30 s、40 s、60 s、80 s、100s、120 s等，优选为50-80 s。
优选地，所述活化还原的温度为30-40℃，例如可以是30℃、32℃、34℃、36℃、38℃、40℃等，所述活化还原的时间为20-90 s，例如可以是20 s、30 s、40 s、50 s、60 s、70s、80 s、90 s等，优选为40-60 s。
优选地，所述化学沉铜的温度为28-40℃，例如可以是28℃、30℃、32℃、34℃、36℃、38℃、40℃等，优选为30-37℃，所述化学沉铜的时间6-20 min，例如可以是6 min、8min、10 min、12 min、14 min、16 min、18 min、20 min等。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
（1）本发明所述ABF表面处理剂能有效去除除胶后的ABF表面的松散填料，增加介质层（ABF）和导电层（铜）之间的剥离强度，实现精细线路的加工；
（2）本发明在所述沉铜工艺中和还原和除油步骤间，添加所述的ABF表面处理剂对ABF介质层进行处理的步骤，能够使介质层（ABF）和导电层（铜）之间的剥离强度提高至1.0kgf/cm以上。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
本实施例提供一种ABF表面处理剂，所述ABF表面处理剂按质量百分含量计由如下组分组成：
非离子型渗透剂 4%
消泡剂 1%
氟化物 3%
去离子水 92%；
其中，所述非离子型渗透剂为质量比为10:5:3的月桂醇聚氧乙烯醚、十二烷基酚聚氧乙烯醚和月桂酸甲酯聚氧乙烯醚的混合物；所述消泡剂为质量比为6:3:1的聚二甲基硅氧烷（粘度为0.9 Pa·s）、聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚（数均分子量为2000）和聚醚改性硅油（BYK301）的混合物；所述氟化物为氟氢化钠。
本实施例所述ABF表面处理剂的制备方法为：将上述配方量的非离子型渗透剂、消泡剂、氟化物和去离子水混合，在25℃下以500 rpm的转速搅拌分散15 min，得到所述ABF表面处理剂。
实施例2
本实施例提供一种ABF表面处理剂，所述ABF表面处理剂按质量百分含量计由如下组分组成：
非离子型渗透剂 5%
消泡剂 0.8%
氟化物 2.2%
去离子水 92%；
其中，所述非离子型渗透剂为质量比为9:5:4的月桂醇聚氧乙烯醚、十二烷基酚聚氧乙烯醚和月桂酸甲酯聚氧乙烯醚的混合物；所述消泡剂为质量比为7:2:1的聚二甲基硅氧烷（粘度为0.9 Pa·s）、聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚（数均分子量为2000）和聚醚改性硅油（BYK331）的混合物；所述氟化物为氟氢化钾。
本实施例所述ABF表面处理剂的制备方法为：将上述配方量的非离子型渗透剂、消泡剂、氟化物和去离子水混合，在25℃下以500 rpm的转速搅拌分散15 min，得到所述ABF表面处理剂。
实施例3
本实施例提供一种ABF表面处理剂，所述ABF表面处理剂按质量百分含量计由如下组分组成：
非离子型渗透剂 6%
消泡剂 2%
氟化物 2%
去离子水 90%；
其中，所述非离子型渗透剂为质量比为11:5:2的月桂醇聚氧乙烯醚、十二烷基酚聚氧乙烯醚和月桂酸甲酯聚氧乙烯醚的混合物；所述消泡剂为质量比为5:3:2的聚二甲基硅氧烷（粘度为0.9 Pa·s）、聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚（数均分子量为2000）和聚醚改性硅油（BYK341）的混合物；所述氟化物为氟氢化钠。
本实施例所述ABF表面处理剂的制备方法为：将上述配方量的非离子型渗透剂、消泡剂、氟化物和去离子水混合，在25℃下以500 rpm的转速搅拌分散15 min，得到所述ABF表面处理剂。
实施例4
本实施例提供一种ABF表面处理剂，与实施例1的区别仅在于，将所述非离子型渗透剂替换为质量比为2:1的月桂醇聚氧乙烯醚和十二烷基酚聚氧乙烯醚的混合物，实施例4提供的渗透剂的总量仍为4%，其他组分含量及制备方法同实施例1。
实施例5
本实施例提供一种ABF表面处理剂，与实施例1的区别仅在于，将所述非离子型渗透剂替换为质量比为2:1的月桂醇聚氧乙烯醚和月桂酸甲酯聚氧乙烯醚的混合物，实施例5提供的渗透剂的总量仍为4%，其他组分含量及制备方法同实施例1。
实施例6
本实施例提供一种ABF表面处理剂，与实施例1的区别仅在于，将所述非离子型渗透剂替换为质量比为2:1的月桂醇聚氧乙烯醚和十二烷基酚聚氧乙烯醚的混合物，实施例6提供的渗透剂的总量仍为4%，其他组分含量及制备方法同实施例1。
实施例7
本实施例提供一种ABF表面处理剂，与实施例1的区别仅在于，月桂醇聚氧乙烯醚、十二烷基酚聚氧乙烯醚和月桂酸甲酯聚氧乙烯醚的质量比为1:1:1，实施例7提供的渗透剂的总量仍为4%，其他组分含量及制备方法同实施例1，其他组分含量及制备方法同实施例1。
实施例8
本实施例提供一种ABF表面处理剂，与实施例1的区别仅在于，将所述非离子型渗透剂替换为质量比为10:5:3的异构十醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚和椰油酸甲酯聚氧乙烯醚的混合物，实施例8提供的渗透剂的总量仍为4%，其他组分含量及制备方法同实施例1，其他组分含量及制备方法同实施例1。
实施例9
本实施例提供一种ABF表面处理剂，与实施例1的区别仅在于，所述消泡剂为质量比为1:1的聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚（数均分子量为2000）和聚醚改性硅油（BYK301）的混合物，实施例9提供的消泡剂的总量仍为1%，其他组分含量及制备方法同实施例1，其他组分含量及制备方法同实施例1。
实施例10
本实施例提供一种ABF表面处理剂，与实施例1的区别仅在于，所述消泡剂为质量比为1:1的聚二甲基硅氧烷（粘度为0.9 Pa·s）和聚醚改性硅油（BYK301）的混合物，实施例10提供的消泡剂的总量仍为1%，其他组分含量及制备方法同实施例1，其他组分含量及制备方法同实施例1。
实施例11
本实施例提供一种ABF表面处理剂，与实施例1的区别仅在于，所述消泡剂为质量比为1:1的聚二甲基硅氧烷（粘度为0.9 Pa·s）和聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚（数均分子量为2000）的混合物，实施例11提供的消泡剂的总量仍为1%，其他组分含量及制备方法同实施例1，其他组分含量及制备方法同实施例1。
实施例12
本实施例提供一种ABF表面处理剂，与实施例1的区别仅在于，聚二甲基硅氧烷、聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚和聚醚改性硅油的质量比为1:1:1，实施例12提供的消泡剂的总量仍为1%，其他组分含量及制备方法同实施例1，其他组分含量及制备方法同实施例1。
实施例13
本实施例提供一种ABF表面处理剂，与实施例1的区别仅在于，将所述氟化物替换为等质量的氟化钠，其他组分含量及制备方法同实施例1，其他组分含量及制备方法同实施例1。
对比例1
本对比例提供一种ABF表面处理剂，所述ABF表面处理剂按质量百分含量计由如下组分组成：
离子型渗透剂 4%
消泡剂 1%
氟化物 3%
去离子水 92%；
其中，所述离子型渗透剂为十二烷基苯磺酸钠；所述消泡剂为质量比为6:3:1的聚二甲基硅氧烷（粘度为0.9 Pa·s）、聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚（数均分子量为2000）和聚醚改性硅油（BYK301）的混合物；所述氟化物为氟氢化钠。
本对比例所述ABF表面处理剂的制备方法同实施例1。
对比例2
本对比例提供一种ABF表面处理剂，所述ABF表面处理剂按质量百分含量计由如下组分组成：
离子型渗透剂 2%
非离子型渗透剂 2%
消泡剂 1%
氟化物 3%
去离子水 92%；
其中，所述离子型渗透剂为十二烷基苯磺酸钠；所述非离子型渗透剂为质量比为10:5:3的月桂醇聚氧乙烯醚、十二烷基酚聚氧乙烯醚和月桂酸甲酯聚氧乙烯醚的混合物；所述消泡剂为质量比为6:3:1的聚二甲基硅氧烷（粘度为0.9 Pa·s）、聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚（数均分子量为2000）和聚醚改性硅油（BYK301）的混合物；所述氟化物为氟氢化钠。
本对比例所述ABF表面处理剂的制备方法同实施例1。
对比例3
本对比例提供一种ABF表面处理剂，所述ABF表面处理剂按质量百分含量计由如下组分组成：
非离子型渗透剂 7%
消泡剂 1%
去离子水 92%；
其中，所述非离子型渗透剂为质量比为10:5:3的月桂醇聚氧乙烯醚、十二烷基酚聚氧乙烯醚和月桂酸甲酯聚氧乙烯醚的混合物；所述消泡剂为质量比为6:3:1的聚二甲基硅氧烷（粘度为0.9 Pa·s）、聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚（数均分子量为2000）和聚醚改性硅油（BYK301）的混合物。
本对比例所述ABF表面处理剂的制备方法同实施例1。
对比例4
本对比例提供一种ABF表面处理剂，所述ABF表面处理剂按质量百分含量计由如下组分组成：
非离子型渗透剂 4%
消泡剂 1%
碱盐 5%
去离子水 90%；
其中，所述非离子型渗透剂为质量比为10:5:3的月桂醇聚氧乙烯醚、十二烷基酚聚氧乙烯醚和月桂酸甲酯聚氧乙烯醚的混合物；所述消泡剂为质量比为6:3:1的聚二甲基硅氧烷（粘度为0.9 Pa·s）、聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚（数均分子量为2000）和聚醚改性硅油（BYK301）的混合物；所述碱盐为碳酸钠。
性能测试
分别将上述实施例1-13提供的ABF表面处理剂和对比例1-4提供的ABF表面处理剂应用于ABF介质层化学沉铜工艺中，所述化学沉铜工艺具体包括以下步骤：
S1、将6 cm ×10 cm的表面贴好ABF的测试板浸入膨松液中膨松处理180 s，膨松液由SkyChem公司生产的膨松剂剂SkySecure 303S配制而成，开缸量为200 mL/L，处理温度为80℃，膨松后用DI水冲洗1 min。
S2、将S1处理后的测试板浸入咬蚀液中咬蚀360 s，咬蚀液由SkyChem公司生产的咬蚀剂SkySecure 305P配制而成，开缸量250 mL/L，处理温度为90℃，咬蚀后用DI水冲洗1min。
S3、将S2处理后的测试板浸入中和还原液中中和还原60 s，中和还原液由SkyChem公司生产的中和还原剂SkySecure 312C配制而成，开缸量100 mL/L，处理温度为50°C，中和还原后用DI水冲洗1 min。
S4、将S3处理后的测试板分别浸入上述中实施例1-13提供的ABF表面处理剂和对比例1-4提供的ABF表面处理剂中处理60 s，处理温度为50°C，表面处理后用DI水冲洗1min。
S5、将S4处理后的测试板浸入除油液中除油90 s，除油液由SkyChem公司生产的除油剂SkyClean 321C配制而成，开缸量为40 mL/L，处理温度为50°C。除油后用DI水冲洗1min。
S6、将S5处理后的测试板浸入微蚀液中微蚀1 min，微蚀液成分为：100 g/L过硫酸钠+50 g/L硫酸，处理温度为28°C，微蚀后用DI水冲洗1 min。
S7、将S6处理后的测试板浸入预浸液中预浸20 s，预浸液由SkyChem公司生产的预浸剂SkyCat 330C配制而成，开缸量为10 mL/L，温度为常温（28°C）。
S8、将S7处理后的测试板浸入活化液中活化60s，活化液由SkyChem公司生产的离子钯活化剂SkyCat 335C配制而成，开缸量为200 mL/L（钯离子浓度为100 ppm），温度为50°C。活化后用DI水冲洗1 min。
S9、将S8处理后的测试板浸入活化还原液中还原40 s，活化还原液由SkyChem公司生产的活化还原剂SkyCat 336R配制而成，开缸量为10 mL/L，温度为35°C。活化还原后用DI水冲洗1 min。
S10、将S9处理后的测试板浸入化学铜电镀液中施镀10 min，化学沉铜液为SkyChem公司生产的SkyCopp 365化学沉铜液，温度为34°C。化学沉铜后用DI水冲洗1 min，再用热风吹干，即完成化学沉铜工艺。
S11、通过上述S1~S10步骤得到测试板，经过必要的酸洗和除油后，再进行电镀加厚铜。电镀液为SkyChem公司生产的SkyPlate Cu616，电流密度2.0 ASD，电镀时间50 min。
S12、将S11处理后的测试板进行6次无铅回流焊，检测剥离强度。
剥离强度测试参考IPC-TM-650的方法。设备包括剥离强度测试仪（鼎麓）、美工刀、钢尺、手术刀。
检测剥离强度的具体步骤如下所示：
（1）用美工刀和钢尺在测试板中间部位划出长度≥75 mm，宽度为3.2 mm的线条；
（2）用手术刀从线条一端剥起长约12.7 mm的铜皮；
（3）垂直夹住剥起的铜皮，以速率为50.8 mm/min，垂直剥起至少25 mm长；
（4）记录最小负荷（读数），并测量实际线宽，计算出剥离强度；
（5）每个样品测试3个线条，取平均值。
具体测试结果如表1所示：
表1
由表1测试数据可知，本发明在所述沉铜工艺中和还原和除油步骤间，添加所述的ABF表面处理剂对ABF介质层进行处理的步骤，能够使介质层（ABF）和导电层（铜）之间的剥离强度提高至1.0 kgf/cm以上，说明本发明所述ABF表面处理剂能有效去除除胶后的ABF表面的松散填料，加介质层（ABF）和导电层（铜）之间的剥离强度，实现精细线路的加工。
由实施例1和实施例4-8的对比可知，以特定比例的脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚作为非离子型渗透剂作为复合渗透剂，三者相互配合，发挥协同增效作用，能够更好地渗透到松散填料下面，从而进一步增加所述ABF表面处理剂与填料的接触面积，进一步减小润湿角，使SiO2等填料更容易从表面流下来。
由实施例1和实施例9-12的对比可知，以特定比例的有机硅类消泡剂、聚醚类消泡剂和聚醚改性聚硅氧烷类消泡剂作为复合消泡剂，三者相互配合，具有协同增效的作用，能够进一步对起泡介质起到优异的起泡和抑泡性能；还能结合二氧化硅作为活性载体，从而进一步提高消泡速率，且能更稳定地结合在SiO2等填料的沉淀上，促进其脱落。
由实施例1和对比例1-2的对比可知，将渗透剂全部替换为离子型渗透剂，或部分替换为离子型渗透剂，容易对ABF介质层和铜导电层造成损害，反而会造成SiO2填料表面进行化学沉铜时存在覆盖性差的问题，存在漏镀风险。由实施例1和对比例3-4的对比可知，不添加氟化物，或添加碱盐代替氟化钠，即使提高其含量，也很难进一步提高松散的SiO2等填料的去除率，因此剥离强度较低。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明所述ABF表面处理剂及其制备方法和应用，但本发明并不局限于上述实施例，即不意味着本发明必须依赖上述实施例才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (9)
1.一种ABF表面处理剂，其特征在于，所述ABF表面处理剂按质量百分含量计由如下组分组成：非离子型渗透剂0.5-10%、消泡剂0.01-2%、氟化物1-5%，余量为水；
所述非离子型渗透剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚或脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚中的任意一种或至少两种的组合；
所述消泡剂选自有机硅类消泡剂、聚醚类消泡剂或聚醚改性聚硅氧烷类消泡剂中的任意一种或至少两种的组合；
所述氟化物选自氟化钠、氟化钾、氟氢化钠、氟氢化钾中的任意一种或至少两种的组合。
2.根据权利要求1所述的ABF表面处理剂，其特征在于，所述非离子型渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚中的组合，所述脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚的质量比为(8-12):(4-6):(1-5)。
3.根据权利要求1或2所述的ABF表面处理剂，其特征在于，所述脂肪醇聚氧乙烯醚选自异构十醇聚氧乙烯醚、异构十五醇聚氧乙烯醚或月桂醇聚氧乙烯醚中的任意一种或至少两种的组合；所述烷基酚聚氧乙烯醚选自壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基酚聚氧乙烯醚中的任意一种或至少两种的组合；所述脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚选自椰油酸甲酯聚氧乙烯醚、硬脂酸甲酯聚氧乙烯醚、蓖麻油酸甲酯聚氧乙烯醚或月桂酸甲酯聚氧乙烯醚中的任意一种或至少两种的组合。
4.根据权利要求1所述的ABF表面处理剂，其特征在于，所述消泡剂为有机硅类消泡剂、聚醚类消泡剂和聚醚改性聚硅氧烷类消泡剂的组合，所述有机硅类消泡剂、聚醚类消泡剂和聚醚改性聚硅氧烷类消泡剂的质量比为(5-8):(2-5):(1-4)。
5.根据权利要求1所述的ABF表面处理剂，其特征在于，所述有机硅类消泡剂为聚二甲基硅氧烷，所述聚醚类消泡剂为聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚，所述聚醚改性聚硅氧烷类消泡剂为聚醚改性硅油。
6. 根据权利要求5所述的ABF表面处理剂，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷的粘度为0.8-1.0 Pa·s，所述聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚的数均分子量为2000-3000，所述聚醚改性硅油选自BYK301、BYK331或BYK341中的任意一种或至少两种的组合。
7. 根据权利要求1-6中任一项所述的ABF表面处理剂的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：将非离子型渗透剂、消泡剂、氟化物和水混合，搅拌分散，得到所述ABF表面处理剂，所述搅拌分散的温度为20-30℃，搅拌分散的转速为400-600 rpm，搅拌分散的时间为10-20 min。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的ABF表面处理剂在化学沉铜工艺中的应用。
9. 一种ABF介质层化学沉铜工艺，其特征在于，所述沉铜工艺包括表面处理，所述表面处理为：使用权利要求1-6中任一项所述的ABF表面处理剂对ABF介质层进行处理，所述表面处理的温度为30-60℃，所述表面处理的时间30-120 s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011292043.3A CN112095110B (zh) | 2020-11-18 | 2020-11-18 | 一种abf表面处理剂及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011292043.3A CN112095110B (zh) | 2020-11-18 | 2020-11-18 | 一种abf表面处理剂及其制备方法和应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112095110A true CN112095110A (zh) | 2020-12-18 |
| CN112095110B CN112095110B (zh) | 2021-03-12 |
Family
ID=73785296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011292043.3A Active CN112095110B (zh) | 2020-11-18 | 2020-11-18 | 一种abf表面处理剂及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112095110B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113186542A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-07-30 | 重庆勃润防锈技术有限公司 | 一种免漂洗的工业清洗剂及其制备和使用方法 |
| CN115125526A (zh) * | 2022-07-19 | 2022-09-30 | 上海天承化学有限公司 | 一种在玻璃表面进行化学镀铜的方法 |
| CN115198279A (zh) * | 2022-08-11 | 2022-10-18 | 深圳市板明科技股份有限公司 | 一种适用于ic载板闪蚀方法的除油剂及其应用 |
| CN115198256A (zh) * | 2022-07-13 | 2022-10-18 | 上海天承化学有限公司 | 一种用于聚酰亚胺薄膜的化学镀铜用还原液及其制备方法和应用 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101409982A (zh) * | 2007-10-09 | 2009-04-15 | 南亚电路板股份有限公司 | 电路板的制造方法 |
| CN104419918A (zh) * | 2013-09-09 | 2015-03-18 | 上村工业株式会社 | 用于化学镀的前处理剂和印刷电路板的前处理方法及其制备方法 |
| CN105386048A (zh) * | 2015-11-26 | 2016-03-09 | 深圳市瑞世兴科技有限公司 | 纳米二氧化硅-环氧树脂复合材料的镀金方法 |
| CN109563623A (zh) * | 2016-08-10 | 2019-04-02 | 上村工业株式会社 | 与还原处理同时使用的化学镀用前处理液及印刷电路板的制备方法 |
| CN110662855A (zh) * | 2017-05-25 | 2020-01-07 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含聚合物体和金属镀层的制品 |
-
2020
- 2020-11-18 CN CN202011292043.3A patent/CN112095110B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101409982A (zh) * | 2007-10-09 | 2009-04-15 | 南亚电路板股份有限公司 | 电路板的制造方法 |
| CN104419918A (zh) * | 2013-09-09 | 2015-03-18 | 上村工业株式会社 | 用于化学镀的前处理剂和印刷电路板的前处理方法及其制备方法 |
| CN105386048A (zh) * | 2015-11-26 | 2016-03-09 | 深圳市瑞世兴科技有限公司 | 纳米二氧化硅-环氧树脂复合材料的镀金方法 |
| CN109563623A (zh) * | 2016-08-10 | 2019-04-02 | 上村工业株式会社 | 与还原处理同时使用的化学镀用前处理液及印刷电路板的制备方法 |
| CN110662855A (zh) * | 2017-05-25 | 2020-01-07 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含聚合物体和金属镀层的制品 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113186542A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-07-30 | 重庆勃润防锈技术有限公司 | 一种免漂洗的工业清洗剂及其制备和使用方法 |
| CN115198256A (zh) * | 2022-07-13 | 2022-10-18 | 上海天承化学有限公司 | 一种用于聚酰亚胺薄膜的化学镀铜用还原液及其制备方法和应用 |
| CN115125526A (zh) * | 2022-07-19 | 2022-09-30 | 上海天承化学有限公司 | 一种在玻璃表面进行化学镀铜的方法 |
| CN115198279A (zh) * | 2022-08-11 | 2022-10-18 | 深圳市板明科技股份有限公司 | 一种适用于ic载板闪蚀方法的除油剂及其应用 |
| CN115198279B (zh) * | 2022-08-11 | 2023-09-19 | 深圳市板明科技股份有限公司 | 一种适用于ic载板闪蚀方法的除油剂及其应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112095110B (zh) | 2021-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112095110B (zh) | 一种abf表面处理剂及其制备方法和应用 | |
| CN104498951B (zh) | 一种双氧水系铜钼合金膜用蚀刻液 | |
| CN1733879B (zh) | 半导体基板洗涤液以及半导体基板的洗涤方法 | |
| CN110004449A (zh) | 稳定型化学机械抛光后清洗液、其制备方法和应用 | |
| EP2812422A1 (en) | A post chemical-mechanical-polishing (post-cmp) cleaning composition comprising a specific sulfur-containing compound and a sugar alcohol or a polycarboxylic acid | |
| CN113736584A (zh) | 一种晶圆用聚酰亚胺除胶剂组合物及其制备方法 | |
| CN116607149B (zh) | 一种ic载板的铜面微蚀粗化液及其制备方法与应用 | |
| CN117144367B (zh) | 一种ic封装载板用线路蚀刻溶液及其制备方法与应用 | |
| JP2023162285A (ja) | 金属表面を洗浄するための、ポリオキシアルキレン非イオン性界面活性剤の混合物を含有する洗浄溶液 | |
| CN115198279B (zh) | 一种适用于ic载板闪蚀方法的除油剂及其应用 | |
| CN110158107A (zh) | 一种用于金属抛光件的除蜡水及其制备工艺 | |
| CN113667546A (zh) | 一种硅片加工后清洗剂组合物 | |
| CN115216772B (zh) | 一种适用于铜表面的环保型粗化处理液及其应用 | |
| CN115820029B (zh) | 一种选择性干膜/油墨的去膜剂及其制备方法与应用 | |
| CN114574863B (zh) | 一种低损黑孔微蚀液及其制备方法和应用 | |
| CN114774937B (zh) | 一种线路板电镀用环保型无机酸性除油剂和除油方法 | |
| KR101432389B1 (ko) | 포토 솔더 레지스트 전처리용 탈지제 및 이를 이용한 탈지방법 | |
| CN111320982A (zh) | 一种晶圆硅片表面微蚀刻粗糙处理剂及其处理方法 | |
| CN112680288A (zh) | 一种用于清洁半导体芯片洗涤剂及其制备方法 | |
| CN118653152B (zh) | 一种酸性铜蚀刻液及其制备方法 | |
| WO2013118042A1 (en) | A post chemical-mechanical-polishing (post-cmp) cleaning composition comprising a specific sulfur-containing compound and comprising no significant amounts of specific nitrogen-containing compounds | |
| CN114806726B (zh) | 一种用于led制程的去蜡液 | |
| CN115058294B (zh) | 一种洗碗机用低泡无浊点漂洗剂 | |
| CN117872693B (zh) | 正胶剥离液、正胶剥离液的制备方法及其应用 | |
| CN117925325A (zh) | 一种高吸附性半导体芯片清洗剂及制备方法与应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220727 Address after: 201599 block s, room 359, unit 5, building 1, 688 Qiushi Road, Jinshanwei Town, Jinshan District, Shanghai Patentee after: Shanghai Tiancheng Chemical Co.,Ltd. Address before: Building 4, No. 1088, Yinzhong South Road, Hedong Industrial Park, Wuzhong Economic Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee before: SUZHOU SKYCHEM LTD. |