CN112088322B - 反射镜，特别是微光刻投射曝光系统的反射镜 - Google Patents

Abstract

本发明涉及反射镜，特别是微光刻投射曝光设备的反射镜。根据一个方面，根据本发明的反射镜具有反射镜基板(12)；反射层堆叠体(21)，用于反射在光学有效表面(11)上入射的电磁辐射；以及至少一个压电层(16)，该压电层布置在反射镜基板与反射层堆叠体之间，并且通过位于压电层面向反射层堆叠体的一侧的第一电极组件以及通过位于压电层面向反射镜基板的一侧的第二电极组件，能够向该压电层施加用于产生局部可变形变的电场；其中，第一电极组件和第二电极组件二者都具有多个电极(20a，20b)，能够通过供应线(19a，19b)向多个电极中的每一个施加相对于相应的另一个电极组件的电压；其中，所述电极组件中的每一个被分配分离的介体层(17a，17b)，用于沿相关电极组件设置电势的连续曲线；并且其中，所述介体层的平均电阻彼此相差至少1.5倍。

Description

反射镜，特别是微光刻投射曝光系统的反射镜

本申请要求2018年5月8日提交的德国专利申请DE 10 2018 207 146.2的优先权。该德国申请的全部内容通过引用还并入在本申请文本中。

发明背景

技术领域

本发明涉及反射镜，特别是微光刻投射曝光设备的反射镜。

背景技术

微光刻用于制造诸如集成电路或LCD的微结构部件。在包括照明装置和投射镜头的称为光刻曝光设备中进行微光刻工艺。在此将通过照明装置照明的掩模(＝掩模母版)的图像通过投射镜头投射至基板(例如硅晶片)上，该基板涂有感光层(＝光刻胶)且设置在投射镜头的像平面中，以便将掩模结构转印至基板的感光涂层。

在对EUV范围(即在例如大约13nm或大约7nm的波长处)设计的投射镜头中，由于缺少可用的合适的光透射的折射材料，因而反射镜用作成像过程的光学部件。

在这种情况下，还已知将EUV系统的一个或多个反射镜配置为具有由压电材料构成的致动器层的自适应反射镜，其中通过向关于压电层的两侧布置的电极施加电压，在该压电层上生成具有局部变化强度的电场。在压电层局部形变的情况下，自适应反射镜的反射层堆叠体也会形变，因此通过适当地驱动电极可以至少部分地补偿成像像差(可能地还有时域可变的成像像差)。

图5示出了传统的自适应反射镜50的构造，该构造原则上可以是示意图。反射镜50特别地包括反射镜基板52以及反射层堆叠体61，并且在示例中具有由锆钛酸铅(Pb(Zr，Ti)O₃，PZT)制成的压电层56。电极布置分别位于压电层56的上方和下方，通过该电极布置能够向反射镜50施加用于产生局部可变形变的电场。在所述电极布置中，面向基板52的第二电极布置配置为恒定厚度的连续平面电极54，而第一电极布置具有多个电极60，通过导线59能够向多个电极60中的每一个施加相对于电极54的电压。将电极60嵌入到公共平滑层58中，该平滑层例如由石英(SiO₂)制成，并且用于使由电极60形成的电极布置水平化。此外，反射镜50具有在反射镜基板52与面向反射镜基板52的底部电极54之间的粘合层53(例如，由钛Ti构成)和缓冲层55(例如，由LaNiO₃构成)，该缓冲层55布置在面向基板52的电极布置54与压电层56之间，而且该缓冲层55还支持PZT以最佳的晶体结构生长并在使用寿命内确保压电层的一致偏振性质。

在操作反射镜50或包括所述反射镜50的光学系统期间，通过形成的电场向电极54和60施加电压，导致压电层56的偏转。以这种方法，例如对于例如由于EUV辐射入射在光学有效表面51上的热形变而引起的光学像差的补偿，可以实现反射镜50的致动。

根据图5，反射镜50还具有介体层57。所述介体层57与电极60直接电接触(仅出于阐明目的在图1中以平面图图示)。所述介体层57用于在电极60之间在电势方面进行“介导”，其中介体层仅具有低电导率(优选地小于200西门子/米(S/m))，因此在相邻的电极60之间存在的电势差在介体层57之上实质降低。

从图6中的图可以明显看出由于介体层57的存在而获得的优点，该图中，绘制作为电极60的数目的函数的杂散光比例。根据图6，为了低于杂散光比例的阈值上限，所述阈值上限根据示例性规范被预定义，在不存在介体层57的情况下，在所选择的示例中，在两个相互垂直的空间方向中的一个方向上需要数目为六十的电极，也就是说总数为60*60＝3600个电极，而如果存在介体层57，则在两个相互垂直的空间方向中的一个上可以将所述数目减少到少于十个电极，因此由电极60形成的电极布置的可实现性显著简化。

因为向自适应反射镜中的电极布置施加上述电压导致在介体层57中产生电流并因此通过由此生成的电功率导致不期望的热量释放，所以原则上期望通过设置介体层的足够高电阻(例如，的100kΩ)来限制所述电功率。虽然这样的配置可能适合于使用自适应反射镜的指定场景，例如，适合于校正由于辐射吸收而热诱导的光学元件(诸如反射镜或透镜元件)的形变的影响，但是实际中还存在以下场景，其中必须以明显更短的时间尺度(例如在毫秒(ms)内)实现对自适应反射镜的期望表面形状的设置。

这样的场景(其中，电势在具有限制电功率的上述高电阻的介体层中传播太慢)包括，例如，考虑光刻过程中热诱导的掩模变形，在这种情况下，由于在数量级上吸收了超过30％的EUV光，掩模形成了不规则的“山区”，最终导致焦点在光刻成像过程中发生变化。

必须在已经扫描操作期间的光刻过程中(例如，在数量级上持续100ms)并因此以相对较小的毫秒(ms)的时间尺度通过对自适应反射镜进行对应的设置来考虑掩模的表面形状的上述变化。虽然能够容易地实现自适应反射镜中电极的对应驱动，但是提及的较小时间常数的实际实现方式被证明对于介体层是有问题的，因为减少介体层的电阻继而导致由于在该方面电功率呈倒数相关的热问题。

关于现有技术，作为示例仅参考DE 10 2013 219 583 A1和DE 10 2015 213 273A1。

发明内容

本发明的目的是提供一种反射镜，特别是微光刻投射曝光设备的反射镜，其基于压电层的局部可变形变的原理，能够尽可能最佳地校正各种类型的像差，同时在光学系统中生成尽可能少的热量。

该目的根据独立权利要求的特征来实现。

根据本发明的反射镜包括：

-光学有效表面；

-反射镜基板；

-反射层堆叠体，用于反射在光学有效表面上入射的电磁辐射；以及

-至少一个压电层，该压电层布置在反射镜基板与反射层堆叠体之间，并且通过位于压电层面向反射层堆叠体的一侧的第一电极布置以及通过位于压电层面向反射镜基板的一侧的第二电极布置，能够向该压电层施加用于产生局部可变形变的电场；

-其中，第一电极布置和第二电极布置二者都具有多个电极，能够通过导线向多个电极中的每一个施加相对于相应的另一个电极布置的电压；

-其中，所述电极布置中的每一个分别被分配分离的介体层，用于沿相应电极布置设置电势的连续分布；并且

-其中所述介体层的平均电阻彼此相差至少1.5倍。

本发明特别是基于以下构思，特别是在包括压电层的自适应反射镜的情况下，能够通过电极布置向该压电层施加用于产生局部可变形变的电场，用于达到在电极布置的相应电极之间进行电势介导、不使用电导率相对较低的单个介体层、而是使用前述的两个分离介体层的目的，因此通过划分下面描述的任务——在实际操作中发生的不同需求或不同场景可以在各个情况下以针对性方式来考虑，而不需要接收不期望的折衷(例如关于热问题)。

特别地，在此本发明包括以下设计构思，即两个分离且不同的介体层中的一个用于在具有相对较低电阻(例如，具有1千殴(kΩ)的电阻，用于实现关于电势的切换时间为100ms)的介体层内实现相对较快的电势传播，以及第二个分离介体层具有明显较高的电阻(例如，100kΩ)，以便在该方面尽可能地限制电功率的生成并且在此以便相对于各个情况下在介体层中建立的电势，接受相对较长的切换时间(例如，在数量级上10s或更长的切换时间)。

根据本发明的上述构思是基于其他考虑，即在首先提及的介体层的典型应用场景中，该介体层具有相对较低的电阻并且因此能够相对于电势或相对于自适应反射镜的效果快速切换，诸如在光刻过程中考虑到热诱导的掩模形变的应用中，通常所需的(形变)振幅相对较小，仅作为示例，其数量级约为1nm。

相比之下，在使用场景——同样地如上所述——校正由辐射吸收热诱导的光学元件(诸如反射镜或透镜元件)的形变影响的场景中典型地所需的(形变)振幅相对较大，并且可以是例如10nm的数量级。

因此，在不同的使用场景下各自要设置的形变振幅的数量级之间呈现的差异现在可以在本发明的上下文中使用，以实现校正例如反射镜的热诱导的形变的影响。虽然相关介体层的一部分需要相对较大的电压梯度(具有相对较高的阻抗)，但是还可以接受明显较高的电阻，因为相对较多的时间可用于在相应电势之间进行切换。相比之下，对于在光刻过程中考虑到热诱导的掩模形变的应用场景，可以使用具有相对较低阻抗(例如，具有1kΩ的电阻)的介体层，因为在该方面，需要仅相对较小的形变振幅以及因此较小的电压梯度，并且因此从一开始就显著地限制了伴随电流流动的热量的释放。

总之，根据本发明的一个方面，实现在两个相互分离的介体层之间进行功能划分，其中一个介体层设计为“快速操作”(即，以例如数量级为1ms的相对较短的时间尺度在不同电势之间进行切换)以及小振幅(例如，数量级为1nm)，并且另一个介体层设计为相对“慢操作”(例如，以数量级为10s的较长时间尺度在不同电势之间进行切换)以及相对较大振幅(例如，10nm)。

介体层二者相对于电压可彼此独立地驱动，其中，通过两个介体层设置的电势之间的电势差对于压电层中设置的局部变化的形变再次是至关重要的。

换言之，在取决于旨在通过自适应反射镜的设置的局部可变形变精确地校正的效果来操作根据本发明的自适应反射镜期间，一个介体层或另一个介体层(可选地还有合适的组合)用于产生对应的形变。

在这种情况下，由于对于根据本发明所使用的两个介体层二者都需要在各个情况下结构化的电极布置的情况，因此例如从制造工程的角度来看，本发明有意地接受例如与常规构造相比更高的费用，该常规构造仅具有一个介体层，例如根据图5(其中一个电极布置可以实施为平面电极，且因此仅需要一个结构化的电极布置)。

本发明接受该缺点，以便反过来通过关于根据本发明的两个介体层的上述任务划分，从而能够有针对性地满足在不同应用场景中各自存在的需求，并且从而因此在此在光学系统中实现尽可能最佳地校正像差，同时生成尽可能少的热量。

根据一个实施例，介体层的平均电阻彼此相差至少3倍，特别是至少5倍。

根据一个实施例，介体层的平均厚度彼此不同(其中特别是在将相同的材料用于介体层的情况下，可以通过不同的厚度来提供不同的电阻)。

根据一个实施例，介体层在它们的化学计量方面彼此不同(其中，特别是具有相同的厚度，可以通过对介体层使用不同的材料来提供不同的电阻)。在这种情况下，特别地，即使在相同材料和相同厚度的情况下，通过在沉积期间改变背景压力，通过改变氧分压或通过改变沉积温度，还可以产生化学计量的差异。

根据一个实施例，至少一个介体层的材料包括二氧化钛(TiO₂)、LaCoO₃、LaMnO₃、LaCaMnO₃或LaNiO₃。

根据其他方面，本发明还涉及一种反射镜，特别是微光刻投射曝光设备的反射镜，其中，该反射镜具有光学有效表面，该反射镜包括：

-反射镜基板，

-反射层堆叠体，用于反射在光学有效表面上入射的电磁辐射；

-至少一个压电层，该压电层布置在反射镜基板与反射层堆叠体之间，并且通过位于压电层面向反射层堆叠体的一侧的第一电极布置以及通过位于压电层面向反射镜基板的一侧的第二电极布置，能够向该压电层施加用于产生局部可变形变的电场；

-其中，所述电极布置中的至少一个被分配具有可控电导率的介体层，用于沿相应电极布置时域可变地设置电势的连续分布。

根据一个实施例，反射镜具有至少一个控制电极，特别是多个相互独立可操作的控制电极，用于控制介体层的电导率。

通过该构造，可以以时域可变的方式设置介体层的电压。在这种情况下，相对较高的电导率或较低的平均电阻可以用于以较小的时间尺度设置相对较小的形变振幅，然而出于以较长时间尺度设置相对较高形变振幅的目的则可以对应地降低电导率。

反射镜可以特别是微光刻投射曝光设备的反射镜。然而，本发明不限于此。在其他应用中，根据本发明的反射镜还可以例如在掩模计量的设备中使用或利用。

根据一个实施例，反射镜设计用于小于30nm、特别地小于15nm的操作波长。然而，本发明不限于此，并且因此本发明还可以有利地在具有操作波长在VUV范围(例如小于200nm)的光学系统的其他应用中实现。

根据本发明的为了实现上述任务的划分而使用两个分离的介体层的构思不限于实现在同一个自适应反射镜中。而是，根据本发明所使用的两个介体层还可以存在于两个分离的自适应反射镜上，则其中在这方面类似于图5，这些介体层中的每一个可以被分配结构化的电极布置以及设计为平面电极的电极布置。在这种情况下，优选地，包括具有校对较低的电阻的介体层的自适应反射镜(用于快速设置相对较小的形变振幅，例如用于校正热诱导的掩模形变)定位在光学系统的近场平面中，然而包括具有校对较高的电阻的介体层的自适应反射镜(用于较大形变振幅的相对较慢设置，例如用于校正热诱导的反射镜形变)定位在近光瞳位置中。

根据其他方面，本发明因此还涉及光学系统，特别是微光刻投射曝光设备的照明装置或投射镜头，该光学系统包括至少两个反射镜，其中，所述反射镜中的每一个具有光学有效表面、反射镜基板以及用于反射在光学有效表面上入射的电磁辐射的反射层堆叠体，

-其中，所述反射镜中的每一个具有压电层，该压电层在各个情况下布置在反射镜基板与反射层堆叠体之间，并且通过位于压电层面向反射层堆叠体的一侧的第一电极布置以及通过位于压电层面向反射镜基板的一侧的第二电极布置，能够向该压电层施加用于产生局部可变形变的电场，

-其中，所述反射镜中的每一个在各个情况下具有用于设置电势的连续分布的介体层，并且

-其中，所述介体层的平均电阻彼此相差至少1.5倍。

此外，本发明涉及微光刻投射曝光设备的光学系统，特别是照明装置或投射镜头，该光学系统包括至少一个具有上述特征的反射镜，并且还涉及微光刻投射曝光设备。

可以从说明书和从属权利要求获得本发明的其他配置。

下面基于附图中所示的示例性实施例更详细地解释本发明。

附图说明

附图中：

图1示出了用于阐明根据本发明的一个实施例的自适应反射镜的构造的示意图；

图2-3示出了用于阐明根据本发明的其他实施例的自适应反射镜的构造的示意图；

图4示出了用于阐明对于EUV中操作所设计的微光刻投射曝光设备的可能构造的示意图；

图5示出了用于阐明常规自适应反射镜的可能构造的示意图；以及

图6示出了用于阐明根据图5的常规自适应反射镜中的介体层的影响的图。

具体实施方式

图1示出了用于阐明根据本发明的一个示例性实施例的反射镜的构造的示意图。反射镜10包括特别是反射镜基板12，其由任何期望的合适反射镜基板材料来制造。合适的反射镜基板材料是例如掺杂二氧化钛(TiO₂)的石英玻璃，其中该材料仅作为示例可使用(而不是本发明受限于此)，这些以商品名称

(来自康宁公司)或

(来自Schott AG)出售。

此外，反射镜10具有(原则上在本身已知的方式下)反射层堆叠体21，该反射层堆叠体在所图示的实施例中作为示例仅包括钼-硅(Mo-Si)层堆叠体。在本发明不受限于该层堆叠体的指定配置的情况下，仅作为示例的一个合适构造可以包括层系统的近似50片层或层分组，该层系统包括具有层厚度各为2.4nm的钼(Mo)层和具有层厚度各为3.3nm的硅(Si)层。

反射镜10可以特别是光学系统的EUV反射镜、特别是投射镜头的EUV反射镜或者微光刻投射曝光设备的照明装置的EUV反射镜。

在操作光学系统期间电磁EUV辐射在反射镜10的光学有效表面11上的照射(由图1中的箭头指示)可以由于由光学有效表面11上不均匀入射的辐射的吸收而产生的温度分布，因而导致反射镜基板12的不均匀体积改变。为了校正这样的不期望体积改变或者以便于校正在操作微光刻投射曝光设备期间发生的其他像差，反射镜10具有自适应设计，如下文更详细地解释。在该方面，根据本发明的反射镜10具有压电层16，其在示例性实施例中由锆钛酸铅(Pb(Zr，Ti)O₃，PZT)制成。在其他实施例中，压电层16还可以由一些其他合适的材料(例如氮化铝(AlN)、氮化铝钪(A1ScN)、铌酸铅镁(PbMgNb)或钒掺杂的氧化锌(ZnO))制成。压电层16的厚度可以例如小于5μm、更特别地在1μm至4μm的范围内。在实施例中，可以通过在层堆叠体的合适位置处引入铌酸钙层(CaNbO₃层)来提高压电层16的性能。在此，通过优选在[001]晶体方向上生长的压电层16来实现性能的提高。

能够通过具有电极20b(其连接到导线19b)的第一电极布置以及通过具有电极20a(其连接到导线19a)的第二电极布置，向压电层16施加用于产生局部可变形变的电场，所述第一电极布置位于压电层16面向反射层堆叠体21的一侧，所述第二电极布置位于压电层16面向反射镜基板12的一侧。

电极20a和20b分别被嵌入到平滑层18a和18b中，该平滑层在示例性实施例中由石英(SiO₂)制成的，并且用于使分别由电极20a和20b形成的电极布置水平化。此外，电极20a和20b分别具有——本发明不限于此——六边形的几何形状，其中，它们特别是还可以实质在宽区域之上且通过相对较窄的沟槽以彼此隔离的方式进行布置。本发明总体上不限于电极的指定几何形状或电极之间的距离(其中电极之间的距离还可以例如是几毫米(mm)或几厘米(cm))。

根据图1，导线19a和19b分别各具有垂直于反射层堆叠体21的堆叠方向延伸的第一区段以及在反射层堆叠体21的堆叠方向上延伸的第二区段(也称为“通孔”或“镀通孔”)。其他类型的接触也是可能的，其中例如在其他实施例中的导线还可以仅通过垂直于堆叠方向延伸的一个区段(在二维设计中且不需要“通孔”)来实现。

此外，根据图1的反射镜10在反射镜基板12与由电极20a构成并面向反射镜基板12的底部电极布置之间具有可选的粘合层13(例如由钛Ti构成)。此外，存在于压电层16的两侧的缓冲层分别由“15a”和“15b”指定。相同的缓冲层15a、15b用于还支持PZT以最佳的晶体结构生长，并且用于确保在使用寿命内压电层16的一致偏振性质，并且可以例如由LaNiO₃制成。

在操作反射镜10或包括所述反射镜10的光学系统期间，通过在压电层16的区域中形成的电场分别向由电极20a和20b形成的电极布置施加电压，导致所述压电层16的偏转。以这种方式，可以实现反射镜10的致动以补偿光学像差。

与在参考图5的引言中描述的自适应反射镜的常规构造相比，在根据图1的根据本发明的反射镜10的情况下，位于压电层16的相对侧的电极布置在各个情况下分别被分配分离的介体层17a和17b，用于沿着相应的电极布置来设置电势的连续分布。

在这种布置中，则介体层17a和17b二者分别——如果它们由LaNiO₃制成)——还可以用作压电层16的PZT的缓冲层，在这种情况下则可以省去分离的缓冲层15a、15b。相比之下，如果介体层由与LaNiO₃不同的材料制成，则如图所示，在压电层16的PZT的两侧都设置缓冲层15a、15b。

此外，与图5中的常规布置相比，不是将例如两个电极布置中的一个实施为平面连续电极，而是位于压电层16的彼此相对的两侧的电极布置二者都包括电极20a、20b，能够通过分离的导线在各个情况下向电极20a、20b施加电压。

介体层17a和17b没有实施为彼此相同，而是在它们的平均电阻方面彼此相差至少1.5倍(在其他实施方式中相差至少3倍，特别是相差至少5倍)。为此，介体层17a、17b具有相互不同的化学计量和/或相互不同的平均厚度。可以例如在沉积期间通过不同的分压、不同的背景压力或不同的温度来实现不同的化学计量。将不同材料用于介体层同样是可能的。

介体层17a、17b相对于它们相应的电阻的不同配置具有以下结果：具有相对较低的电阻的介体层使得相应的电势能够在操作反射镜10或相关联的光学系统期间相对较快地或以较短的时间尺度“切换”，然而由于所生成的电功率对电阻呈倒数相关，因而具有相对较高阻抗的介体层在操作反射镜10或相关联的光学系统期间导致相对较低的热负载。

如上所述，这些不同的特性性质可以再次用于以下效果：分配到具有相对较低的平均电阻的介体层的电极布置用于施加电压，以在以相对较短的时间尺度设置相对较小的形变振幅的场景下达到压电层16的局部可变形变的目的。一个这样的示例性实施例特别是在光刻操作期间补偿热诱导的掩模形变。相比之下，分配到具有相对较高电阻的介体层的电极布置用于以较长的时间尺度设置相对较大的形变振幅。为此的一种示例性场景是补偿在光学系统中热诱导的反射镜形变或由此引起的像差。

例如，在一个指定的示例性实施例中，介体层17b可以具有100kΩ的平均电阻，并且可以用范围为100V的电压驱动，以便可以以数量级为10s的时间尺度在10nm的形变振幅之间切换，其中所提供的自适应反射镜的形变适合于补偿光学系统中的上述热诱导的反射镜形变。

相比之下，仅作为示例，介体层17a可以具有1kΩ的平均电阻，并且可以通过具有约10V的振幅的电压来驱动，以便以约100ms的数量级在1nm的形变振幅之间切换，其中由此引起的自适应反射镜10的形变适合于在光刻操作期间补偿热诱导的掩模形变(同样地如上所述)。

在其他实施例(未示出)中，上述分离介体层(其在它们的平均电阻方面彼此不同)还可以在不同的分离反射镜中实现，以便在各个情况下以有针对性的方式考虑上述使用场景，或者以便在操作光学系统期间实现关于不同像差的补偿的上述任务划分。为此，优选地，将具有相对较低阻抗的介体层且用于补偿热诱导的掩模形变的自适应反射镜定位在近场平面中，而具有相对较高阻抗的介体层且用于补偿热诱导的反射镜形变的自适应反射镜定位在近光瞳平面中。

在下面参考图2和图3描述的其他实施例中，根据本发明的自适应反射镜中的介体层还可以被设计成使得介体层的电导率是可控制的，或者可以在操作期间以时域可变的方式设置。

在一个示例性实施例中，仅在图2中示意性地示出，“27”表示具有FET结构的介体层，其例如可以由掺杂的半导体材料制成，并且其电导率通过以连续方式配置的控制电极30来控制(能够通过导线33向该控制电极施加电场)。在图2中，“32”表示用于控制压电层(图2中未示出)的偏转的电极，其中这些电极32通过绝缘体31与控制电极30电绝缘。

通过图2中所示的配置，可以以时域可变的方式设置介体层27的电压。在这种情况下，类似于参考图1的上述实施例，相对较高的电导率或较低的平均电阻可以用于以较小的时间尺度设置相对较小的形变振幅，然而出于以较长时间尺度设置相对较高形变振幅的目的则可以对应地降低电导率。

在图2中的布置的示例性操作期间，可以在第一步中预定义最大允许的热量释放，其中，从各个情况下期望的或要针对的形变轮廓出发，然后在第二步中选择FET控制电压，使得恰好介体层的最大电导率出现，这导致所述最大热量释放。以这种方式，在任何时间点上都可以关于设置各个情况下期望的电势而实现最大速度。在此，最大热量释放可以通过全局值或局部峰值来表征。如果所达到的设置速度低于关于形变图案或争取的电势所期望的设置速度，则替代地可以按比例“缩小”形变振幅，使得获得期望的设置速度和最大的热量释放。替代地或附加地，还可以实现对外部的闭环控制环路的反馈，这确保合适的折衷，用于考虑到关于设置速度和热量释放的要求来确保最佳可能的校正。

图3示出了其他实施例，其中与图2相比较类似地或实质上功能相同的部件由增加“10”的附图标记来指定。与图2相比，在图3的实施例的情况下，用于控制介体层37的电导率的分离控制电极30a、30b、30c…(能够通过导线43向分离控制电极施加电场)能够以彼此电绝缘的方式提供，其中，再次类似于图2来呈现的用于控制压电层的偏转的电极42以通过绝缘体41独立地绝缘的方式位于这些电极区段30a、30b、30c…内。对于能够根据图3实现的FET控制电压设置局部不同值能够进一步提高布置的灵活性。以这种方式，例如，在预定义的时间点，可以将指定形变图案的期望的快速设置限制在自适应反射镜的中央区域，然而例如在反射镜的径向外部区域中，可以以较长的时间尺度或以较低的设置速度实现相对较大的形变振幅。为此，例如进一步径向朝内布置的控制电极30a、30b、30c…可以设置介体层37的相对较高的电导率，而相对较低的电导率可以通过进一步径向朝外布置的控制电极来预定义。

图4示出了设计为在EUV中操作并其中可以实现本发明的投射曝光设备的示意图。

根据图4，针对EUV所设计的投射曝光设备400中的照明装置包括场分面反射镜403和光瞳分面反射镜404。来自包括等离子体光源401和集光器反射镜402的光源单元的光被指引到场分面反射镜403上。第一望远镜反射镜405和第二望远镜反射镜406布置在光瞳分面反射镜404下游的光路径中。偏转反射镜407布置在光路的下游，所述偏转反射镜将入射其上的辐射指引到包括六个反射镜451-456的投射镜头的物平面中的物场上。在物场的位置处，反射结构承载的掩模421布置在掩模台420上，借助于投射镜头将所述掩模成像到像平面中，其中涂有感光层(光刻胶)的基板461位于晶片台460上。

仅作为示例，在投射镜头的反射镜451-456中，可以以根据本发明的方式来配置反射镜451和452——关于光束路径布置在投射镜头的初始区域中，因为在所述反射镜451、452处由于总反射损耗仍然相对较低并且因此光强度相对较高则对热形变所实现的补偿效果特别明显。

虽然已经基于指定实施例描述本发明，但是例如通过组合和/或交换单独实施例的特征，许多的变型和替代性实施例对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，对于本领域技术人员而言更不用说，本发明还涵盖这样的变型和替代性实施例，并且本发明的范围仅受限于所附的专利权利要求及其等同的含义内。

Claims (19)

1.一种反射镜，其中，所述反射镜具有光学有效表面(11)，所述反射镜包括：

·反射镜基板(12)；

·反射层堆叠体(21)，用于反射在所述光学有效表面(11)上入射的电磁辐射；以及

·至少一个压电层(16)，所述压电层布置在所述反射镜基板(12)与所述反射层堆叠体(21)之间，并且通过位于所述压电层(16)面向所述反射层堆叠体(21)的一侧的第一电极布置以及通过位于所述压电层(16)面向所述反射镜基板(12)的一侧的第二电极布置，能够向所述压电层施加用于产生局部可变形变的电场；

·其中，所述第一电极布置和所述第二电极布置二者都具有多个电极(20a，20b)，能够通过导线(19a，19b)向所述多个电极中的每一个施加相对于相应的另一个电极布置的电压；

·其中，所述电极布置中的每一个分别被分配分离的介体层(17a，17b)，用于沿相应电极布置设置电势的连续分布；并且

·其中所述介体层(17a，17b)的平均电阻彼此相差至少1.5倍。

2.根据权利要求1所述的反射镜，其特征在于，所述介体层(17a，17b)的平均电阻彼此相差至少3倍。

3.根据权利要求1所述的反射镜，其特征在于，所述介体层(17a，17b)的平均电阻彼此相差至少5倍。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的反射镜，其特征在于，所述介体层(17a，17b)的平均厚度彼此不同。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的反射镜，其特征在于，所述介体层(17a，17b)在它们的化学计量方面彼此不同。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的反射镜，其特征在于，所述介体层(17a，17b)中的至少一个介体层的材料包括二氧化钛(TiO₂)、LaCoO₃、LaMnO₃、LaCaMnO₃或LaNiO₃。

7.一种反射镜，其中所述反射镜具有光学有效表面，包括：

·反射镜基板；

·反射层堆叠体，用于反射在所述光学有效表面上入射的电磁辐射；以及

·至少一个压电层，所述压电层布置在所述反射镜基板与所述反射层堆叠体之间，并且通过位于所述压电层面向所述反射层堆叠体的一侧的第一电极布置以及通过位于所述压电层面向所述反射镜基板的一侧的第二电极布置，能够向所述压电层施加用于产生局部可变形变的电场；

·其中，所述电极布置中的至少一个被分配具有可控电导率的介体层(27，37)，用于沿相应电极布置时域可变地设置电势的连续分布。

8.根据权利要求7所述的反射镜，其特征在于，所述反射镜具有至少一个控制电极(30，30a，30b，30c，…)，用于控制介体层(27，37)的电导率。

9.根据权利要求7所述的反射镜，其特征在于，所述反射镜具有多个可相互独立操作的控制电极(30a，30b，30c，…)，用于控制介体层(27，37)的电导率。

10.根据权利要求1至3以及7至9中任一项所述的反射镜，其特征在于，所述反射镜设计用于小于30nm的操作波长。

11.根据权利要求1至3以及7至9中任一项所述的反射镜，其特征在于，所述反射镜设计用于小于15nm的操作波长。

12.根据权利要求1至3以及7至9中任一项所述的反射镜，其特征在于，所述反射镜是微光刻投射曝光设备的反射镜。

13.一种光学系统，其特征在于，所述光学系统具有如权利要求1至12中任一项所述的反射镜。

14.根据权利要求13所述的光学系统，其特征在于，所述光学系统是微光刻投射曝光设备的照明装置或投射镜头。

15.一种光学系统，所述光学系统包括至少两个反射镜，其中，所述反射镜中的每一个具有光学有效表面、反射镜基板以及用于反射在所述光学有效表面上入射的电磁辐射的反射层堆叠体；

·其中，所述反射镜中的每一个具有压电层，所述压电层在各个情况下布置在所述反射镜基板与所述反射层堆叠体之间，并且通过位于所述压电层面向所述反射层堆叠体的一侧的第一电极布置以及通过位于所述压电层面向所述反射镜基板的一侧的第二电极布置，能够向所述压电层施加用于产生局部可变形变的电场；

·其中，所述反射镜中的每一个在各个情况下具有用于设置电势的连续分布的介体层，并且

·其中所述介体层的平均电阻彼此相差至少1.5倍。

16.根据权利要求15所述的光学系统，其特征在于，所述光学系统是微光刻投射曝光设备的照明装置或投射镜头。

17.根据权利要求15所述的光学系统，其特征在于，所述介体层的平均电阻彼此相差至少3倍。

18.根据权利要求15所述的光学系统，其特征在于，所述介体层的平均电阻彼此相差至少5倍。

19.一种微光刻投射曝光设备(400)，包括照明装置和投射镜头，其特征在于，所述投射曝光设备具有如权利要求15至18中任一项所述的光学系统。

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