CN112072461A - 电吸收调制激光器及其制作方法 - Google Patents
电吸收调制激光器及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112072461A CN112072461A CN202010964555.3A CN202010964555A CN112072461A CN 112072461 A CN112072461 A CN 112072461A CN 202010964555 A CN202010964555 A CN 202010964555A CN 112072461 A CN112072461 A CN 112072461A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- active material
- region
- laser
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims abstract description 122
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 101
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 17
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 11
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 10
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 9
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1003—Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
- H01S5/1014—Tapered waveguide, e.g. spotsize converter
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
- H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种电吸收调制激光器及其制作方法，其中，该电吸收调制激光器包括：衬底；以及在衬底上依次生长的下脊波导层、中间层和上脊波导层；其中，中间层包括顺次连接的激光器有源材料区、隔离区无源材料区、调制器有源材料区和模斑转换器无源材料区，隔离区无源材料区和模斑转换器无源材料区的带隙波长均同时小于激光器有源材料区和调制器有源材料区的带隙波长。本发明提供的该电吸收调制激光器及其制作方法，可有效提高器件与光纤的耦合效率，同时有利于减少光传输损耗。
Description
技术领域
本发明涉及光电子器件领域，特别涉及一种电吸收调制激光器及其制作方法。
背景技术
随着光电子技术的快速发展，越来越多具有不同功能的激光器件逐渐深入各个领域。在相关技术中，电吸收调制激光器是一种应用于光通信的典型的半导体光电子器件。水平楔形波导模斑转换器是一种结构简单的模斑转换器，应用较为广泛。
在实现本发明构思的过程中，发明人发现相关技术中至少存在如下问题，电吸收调制激光器包括激光器及调制器两个主要功能区，两者之间通常还包括一个具有一定长度的电隔离区。电隔离区波导的核心材料通常为激光器量子阱材料或调制器量子阱材料，由于两者的带隙波长均接近器件的工作波长，光在传输通过隔离区时会产生明显的吸收损耗，恶化了器件的性能。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种电吸收调制激光器及其制作方法，以至少部分解决以上技术问题。
本发明在一方面提供了一种电吸收调制激光器，包括：衬底；以及在所述衬底上依次生长的下脊波导层、中间层和上脊波导层；其中，所述中间层包括顺次连接的激光器有源材料区、隔离区无源材料区、调制器有源材料区和模斑转换器无源材料区，所述隔离区无源材料区和所述模斑转换器无源材料区的带隙波长均同时小于所述激光器有源材料区和所述调制器有源材料区的带隙波长。
可选地，所述隔离区无源材料区和所述模斑转换器无源材料区具有相同的波导核心材料。
可选地，所述上脊波导层包括：具有渐变波导宽度的模斑转换器脊波导，设置于所述模斑转换器无源材料区之上，所述渐变波导宽度为由第一波导宽度减小至第二波导宽度，具有所述第二波导宽度的端面为激光器发光端面。
可选地，所述上脊波导层还包括：具有所述第一波导宽度的有源器件区脊波导，设置于所述激光器有源材料区、所述隔离区无源材料区和所述调制器有源材料区之上，并与所述模斑转换器脊波导的具有所述第一波导宽度的端面相连接。
可选地，所述上脊波导层的宽度小于所述下脊波导层的宽度。
可选地，所述激光器有源材料区自所述下脊波导层至上依次包括下限制层、量子阱层、上限制层和光栅层。
可选地，所述调制器有源材料区自所述下脊波导层至上依次包括下限制层、量子阱层和上限制层。
本发明另一方面提供了一种电吸收调制激光器的制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、远场缩减层、间隔层和激光器有源材料层；在所述激光器有源材料层中确定激光器有源材料区，并将除所述激光器有源材料区之外的所述激光器有源材料层进行腐蚀，以得到所述激光器有源材料区；基于所述激光器有源材料区在所述激光器有源材料层的已腐蚀区域对接生长调制器有源材料层；在所述调制器有源材料层中确定调制器区，并将除所述调制器区之外的所述调制器有源材料层进行腐蚀，以得到所述调制器有源材料区；基于所述调制器有源材料区和所述激光器有源材料区在所述调制器有源材料层的已腐蚀区域对接生长无源波导材料，得到隔离区无源材料区和模斑转换器无源材料区；在所述激光器有源材料区内制作光栅；在所述激光器有源材料区、所述隔离区无源材料区、所述调制器有源材料区和所述模斑转换器无源材料区上生长包层和接触层；根据所述包层和所述接触层制作上脊波导；以及根据模斑转换器无源材料区中的部分所述无源波导材料，以及所述模斑转换器无源材料区下的所述间隔层、所述远场缩减层和部分的所述缓冲层制作下脊波导。
可选地，根据所述包层和所述接触层制作上脊波导还包括：在所述激光器有源材料区、所述隔离区无源材料区和所述调制器有源材料区上制作具有第一波导宽度的有源器件区脊波导；在所述模斑转换器无源材料区上制作具有渐变波导宽度的模斑转换器脊波导，其中，所述模斑转换器脊波导的渐变波导宽度为由所述第一波导宽度减小至第二波导宽度，且所述模斑转换器脊波导的具有所述第一波导宽度的端面与所述有源器件区脊波导相连接；以及将所述有源器件区脊波导和所述模斑转换器脊波导作为所述上脊波导。
可选地，所述制作下脊波导还包括：根据部分的所述激光器有源材料层、部分的所述调制器有源材料层、部分的所述无源波导材料、所述间隔层、所述远场缩减层和部分的所述缓冲层制作所述下脊波导。
本发明提供的该电吸收调制激光器及其制作方法，具有以下有益效果：
(1)器件的模斑转换器无源材料区的波导核心材料同时也可作为激光器和调制器间的隔离区无源材料区的波导核心材料，由于采用对接生长技术获得，其发光波长远离器件工作波长，有利于减少光传输损耗；
(2)通过采用集成模斑转换器的电吸收调制激光器，可以有效的提高器件与光纤的耦合效率。
附图说明
图1示意性示出了根据本发明实施例的电吸收调制激光器的三维结构示意图；
图2示意性示出了根据本发明实施例的电吸收调制激光器的截面图；以及
图3示意性示出了根据本发明实施例的电吸收调制激光器的制作方法的流程图。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本公开实施例的全面理解。然而，明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在此使用的术语仅仅是为了描述具体实施例，而并非意在限制本公开。在此使用的术语“包括”、“包含”等表明了所述特征、步骤、操作和/或部件的存在，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作或部件。
在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本领域技术人员通常所理解的含义，除非另外定义。应注意，这里使用的术语应解释为具有与本说明书的上下文相一致的含义，而不应以理想化或过于刻板的方式来解释。
电吸收调制激光器是一种应用于光通信的典型的半导体光电子器件，包括激光器及调制器两个主要功能区，并在两功能区之间通常还包括一个具有一定长度的电隔离区。
发明人在实现本发明构思的过程中发现，电隔离区波导的核心材料通常为激光器量子阱材料或调制器量子阱材料，由于两者的带隙波长均接近器件的工作波长，光在传输通过隔离区时会产生明显的吸收损耗，容易恶化器件性能。
有鉴于此，本发明公开了一种电吸收调制激光器及其制作方法，该激光器包括：衬底；以及在衬底上依次生长的下脊波导层、中间层和上脊波导层；其中，中间层包括顺次连接的激光器有源材料区、隔离区无源材料区、调制器有源材料区和模斑转换器无源材料区，隔离区无源材料区和模斑转换器无源材料区的带隙波长均同时小于激光器有源材料区和调制器有源材料区的带隙波长。
通过本发明的上述实施例，由于设置了隔离区无源材料区和模斑转换器无源材料区的带隙波长均同时小于激光器有源材料区和调制器有源材料区的带隙波长，从而得到了远离器件工作波长的激光器电隔离区，可进一步保护器件性能，有利于减少光传输损耗。
图1示意性示出了根据本发明实施例的电吸收调制激光器的三维结构示意图。
图2示意性示出了根据本发明实施例的电吸收调制激光器的截面图。
如图1和图2所示，该激光器包括衬底10、缓冲层20、远场缩减层30、间隔层40、激光器有源材料区50、隔离区无源材料区70、调制器有源材料区60、模斑转换器无源材料区71、包层80和接触层90。
根据本发明的实施例，上述隔离区无源材料区70和模斑转换器无源材料区71具有相同的波导核心材料。
根据本发明的实施例，包层80和接触层90形成具有W1和W2(W2＜W1)宽度的上脊波导，其中，位于激光器有源材料区50、隔离区无源材料区70和调制器有源材料区60之上的部分上脊波导(即有源器件区脊波导L)的波导宽度为W1，位于模斑转换器无源材料区71之上的部分上脊波导(即模斑转换器脊波导T)的波导宽度为渐变波导宽度，表现为从W1逐渐减小为W2的结构，并以具有W2宽度的面作为激光器发光端面。
根据本发明的实施例，上述部分缓冲层20、远场缩减层30、间隔层40、激光器有源材料区50的部分激光器有源材料层、调制器有源材料区60的部分调制器有源材料层以及隔离区无源材料区70和模斑转换器无源材料区71的部分无源波导材料，形成具有W3宽度的下脊波导。
需要说明的是，在该电吸收调制激光器结构中，W1、W2均小于W3。
根据本发明的实施例，上述激光器有源材料区50包括上下限制层和位于两者之间的多量子阱层，以及位于限制层之上的光栅结构。上述调制器有源材料区60包括上下限制层和位于两者之间的多量子阱层。上述隔离区无源材料区70和模斑转换器无源材料区71采用无源波导材料。
通过本发明的上述实施例，根据模斑转换器可以几乎绝热地将波导的不对称近场分布转换为对称的输入或输出近场的能力，本发明在设计激光器内部结构时引入模斑转换器的结构，有效解决了基于化合物半导体材料的波导的近场光斑小且不对称，导致远场发散角大且不对称，尤其是当半导体器件与光纤直接耦合时，由于光纤和半导体波导的模场不匹配，耦合损耗可高达10dB，同时对准容差较小，增加封装难度和成本的问题，从而既可以提高有源器件和光纤的耦合效率，又可以提高其耦合容差。
图3示意性示出了根据本发明实施例的电吸收调制激光器的制作方法的流程图。
参见图1和图3所示，该方法包括操作S301～S309。
在操作S301，在衬底上依次生长缓冲层、远场缩减层、间隔层和激光器有源材料层。
根据本发明的实施例，以InP基材料体系为例，衬底10为InP衬底，缓冲层20为InP缓冲层，远场缩减层30为InGaAsP远场缩减层，间隔层40为InP间隔层。激光器有源材料层的最上部为InGaAsP光栅层，用于制作光栅材料，激光器有源材料层的InGaAsP光栅层下为InGaAsP或InGaAlAs量子阱材料，包括上/下分别限制层及两者间的多量子阱层。
在操作S302，在激光器有源材料层中确定激光器有源材料区，并将除激光器有源材料区之外的激光器有源材料层进行腐蚀，以得到激光器有源材料区。
根据本发明的实施例，利用光刻胶或者SiO2介质掩膜保护激光器有源材料层的LD区域，选择性腐蚀去掉LD区域外的有源材料层，得到激光器有源材料区50。
在操作S303，基于激光器有源材料区在激光器有源材料层的已腐蚀区域对接生长调制器有源材料层。
根据本发明的实施例，对接生长调制器有源材料层，为InGaAsP或InGaAlAs量子阱材料，包括上/下分别限制层及两者间的多量子阱层。
在操作S304，在调制器有源材料层中确定调制器区，并将除调制器区之外的调制器有源材料层进行腐蚀，以得到调制器有源材料区。
根据本发明的实施例，利用光刻胶或者SiO2介质掩膜保护激光器有源材料层的LD区域及调制器有源材料层的EAM区域，选择性腐蚀去掉该LD区域和EAM区域以外的调制器有源材料，得到调制器有源材料区60，腐蚀掉的两块区域分别为模斑转换器SSC区和隔离IS区。
在操作S305，基于调制器有源材料区和激光器有源材料区在调制器有源材料层的已腐蚀区域对接生长无源波导材料，得到隔离区无源材料区和模斑转换器无源材料区。
根据本发明的实施例，在器件的模斑转换器SSC区及隔离IS区对接生长InGaAsP无源波导材料，其带隙波长小于调制器及激光器有源材料带隙波长，分别得到隔离区无源材料区70和模斑转换器无源材料区71。
在操作S306，在激光器有源材料区内制作光栅。
根据本发明的实施例，在激光器有源材料层(即图1所示LD区域)的InGaAsP光栅层内制作光栅。
在操作S307，在激光器有源材料区、隔离区无源材料区、调制器有源材料区和模斑转换器无源材料区上生长包层和接触层。
根据本发明的实施例，将激光器有源材料区50、隔离区无源材料区70、调制器有源材料区60、模斑转换器无源材料区71及其下的间隔层40、远场缩减层30、缓冲层20和衬底10作为基片，在基片上依次生长InP包层80及接触层90。
在操作S308，根据包层和接触层制作上脊波导。
在操作S309，根据模斑转换器无源材料区中的部分无源波导材料，以及模斑转换器无源材料区下的间隔层、远场缩减层和部分的缓冲层制作下脊波导。
根据本发明的实施例，利用间隔层40、远场缩减层30及部分缓冲层10制作下脊波导X。
通过本发明的上述实施例，由于采用同样的无源波导材料对接生长形成隔离区无源材料区和模斑转换器无源材料区，其发光波长远离器件工作波长，有利于减少光传输损耗。
进一步的，在一些实施例中，上述操作S308还包括：在激光器有源材料区、隔离区无源材料区和调制器有源材料区上制作具有第一波导宽度的有源器件区脊波导；在模斑转换器无源材料区上制作具有渐变波导宽度的模斑转换器脊波导，其中，模斑转换器脊波导的渐变波导宽度为由第一波导宽度减小至第二波导宽度，且模斑转换器脊波导的具有第一波导宽度的端面与有源器件区脊波导相连接；以及将有源器件区脊波导和模斑转换器脊波导作为上脊波导。
根据本发明的实施例，利用包层80及接触层90制作脊型波导，其中，激光器有源材料区50(即图1中的LD区域)、隔离区无源材料区70(即图1中的IS区域)及调制器有源材料区60(即图1中的EAM区域)上的脊波导宽度不变均为W1，模斑转换器无源材料区71(即图1中的SSC区域)的波导宽度由EAM区向器件端面S逐渐减小至W2。
进一步的，在一些实施例中，上述操作S309还包括：根据部分的激光器有源材料层、部分的调制器有源材料层、部分的无源波导材料、间隔层、远场缩减层和部分的缓冲层制作下脊波导。
需要说明的是，下脊波导X可以仅在模斑转换器区域(即模斑转换器无源材料区)制作，也可以在包括有源器件区域(即激光器有源材料区、隔离区无源材料区和调制器有源材料区)在内的整个芯片区域制作。
还需要说明的是，在本发明的电吸收调制激光器器件中，有源器件区脊波导L及模斑转换器脊波导T的宽度小于下脊波导X的宽度W3，并可位于下脊波导X中间位置。
通过本发明的上述实施例，在器件发光端面S，由于模斑转换器无源材料区的脊波导T宽度小，有效折射率减小，光场强度主要分布于下脊波导X。同时，由于远场缩减层厚度较小，下脊波导X的主要部分是厚度较大的InP间隔层，这使器件耦合端面S处波导的近场光斑较大，从而可以获得小且对称的远场发散角，提高与光纤的耦合效率。
还需要说明的是，本发明的电吸收调制激光器器件的模斑转换器无源材料区中，其波导核心InGaAsP材料同时作为激光器和调制器之间的隔离区无源材料区的波导核心材料。由于采用对接生长技术在单独的生长过程中获得，InGaAsP材料带隙波长可以实现独立的优化，当其远小于激光器及调制器有源材料的带隙波长时，光传输损耗可以得到有效的降低。
以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。本公开的范围由所附权利要求及其等同物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。
Claims (10)
1.一种电吸收调制激光器，包括：
衬底；以及
在所述衬底上依次生长的下脊波导层、中间层和上脊波导层；
其中，所述中间层包括顺次连接的激光器有源材料区、隔离区无源材料区、调制器有源材料区和模斑转换器无源材料区，所述隔离区无源材料区和所述模斑转换器无源材料区的带隙波长均同时小于所述激光器有源材料区和所述调制器有源材料区的带隙波长。
2.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述隔离区无源材料区和所述模斑转换器无源材料区具有相同的波导核心材料。
3.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述上脊波导层包括：
具有渐变波导宽度的模斑转换器脊波导，设置于所述模斑转换器无源材料区之上，所述模斑转换器脊波导的渐变波导宽度为由第一波导宽度减小至第二波导宽度，具有所述第二波导宽度的端面为激光器发光端面。
4.根据权利要求3所述的激光器，其中，所述上脊波导层还包括：
具有所述第一波导宽度的有源器件区脊波导，设置于所述激光器有源材料区、所述隔离区无源材料区和所述调制器有源材料区之上，并与所述模斑转换器脊波导的具有所述第一波导宽度的端面相连接。
5.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述上脊波导层的宽度小于所述下脊波导层的宽度。
6.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述激光器有源材料区自所述下脊波导层至上依次包括下限制层、量子阱层、上限制层和光栅层。
7.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述调制器有源材料区自所述下脊波导层至上依次包括下限制层、量子阱层和上限制层。
8.一种电吸收调制激光器的制作方法，包括：
在衬底上依次生长缓冲层、远场缩减层、间隔层和激光器有源材料层；
在所述激光器有源材料层中确定激光器有源材料区，并将除所述激光器有源材料区之外的所述激光器有源材料层进行腐蚀，以得到所述激光器有源材料区；
基于所述激光器有源材料区在所述激光器有源材料层的已腐蚀区域对接生长调制器有源材料层；
在所述调制器有源材料层中确定调制器区，并将除所述调制器区之外的所述调制器有源材料层进行腐蚀，以得到所述调制器有源材料区；
基于所述调制器有源材料区和所述激光器有源材料区在所述调制器有源材料层的已腐蚀区域对接生长无源波导材料，得到隔离区无源材料区和模斑转换器无源材料区；
在所述激光器有源材料区内制作光栅；
在所述激光器有源材料区、所述隔离区无源材料区、所述调制器有源材料区和所述模斑转换器无源材料区上生长包层和接触层；
根据所述包层和所述接触层制作上脊波导；以及
根据模斑转换器无源材料区中的部分所述无源波导材料，以及所述模斑转换器无源材料区下的所述间隔层、所述远场缩减层和部分的所述缓冲层制作下脊波导。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其中，根据所述包层和所述接触层制作上脊波导还包括：
在所述激光器有源材料区、所述隔离区无源材料区和所述调制器有源材料区上制作具有第一波导宽度的有源器件区脊波导；
在所述模斑转换器无源材料区上制作具有渐变波导宽度的模斑转换器脊波导，其中，所述模斑转换器脊波导的渐变波导宽度为由所述第一波导宽度减小至第二波导宽度，且所述模斑转换器脊波导的具有所述第一波导宽度的端面与所述有源器件区脊波导相连接；以及
将所述有源器件区脊波导和所述模斑转换器脊波导作为所述上脊波导。
10.根据权利要求8所述的制作方法，其中，所述制作下脊波导还包括：
根据部分的所述激光器有源材料层、部分的所述调制器有源材料层、部分的所述无源波导材料、所述间隔层、所述远场缩减层和部分的所述缓冲层制作下脊波导。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010964555.3A CN112072461A (zh) | 2020-09-14 | 2020-09-14 | 电吸收调制激光器及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010964555.3A CN112072461A (zh) | 2020-09-14 | 2020-09-14 | 电吸收调制激光器及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112072461A true CN112072461A (zh) | 2020-12-11 |
Family
ID=73695326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010964555.3A Pending CN112072461A (zh) | 2020-09-14 | 2020-09-14 | 电吸收调制激光器及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112072461A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1430313A (zh) * | 2001-12-30 | 2003-07-16 | 中国科学院半导体研究所 | 光电子器件和自对准模斑转换器集成的选区外延方法 |
| CN1790846A (zh) * | 2004-12-13 | 2006-06-21 | 中国科学院半导体研究所 | 激光器－电吸收调制器－模斑转换器单片集成的制作方法 |
| CN1909309A (zh) * | 2005-08-04 | 2007-02-07 | 中国科学院半导体研究所 | 电吸收调制激光器和模斑转换器的集成方法 |
| CN1937335A (zh) * | 2005-09-22 | 2007-03-28 | 中国科学院半导体研究所 | 可调谐电吸收调制分布布拉格反射激光器的制作方法 |
| CN109256675A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-22 | 武汉电信器件有限公司 | 电吸收调制集成激光器芯片及其制作方法 |
| CN109687284A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-04-26 | 武汉电信器件有限公司 | 一种激光器芯片及其制作方法 |
| CN111244756A (zh) * | 2020-03-12 | 2020-06-05 | 中国科学院半导体研究所 | 半导体激光器及其制作方法 |
-
2020
- 2020-09-14 CN CN202010964555.3A patent/CN112072461A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1430313A (zh) * | 2001-12-30 | 2003-07-16 | 中国科学院半导体研究所 | 光电子器件和自对准模斑转换器集成的选区外延方法 |
| CN1790846A (zh) * | 2004-12-13 | 2006-06-21 | 中国科学院半导体研究所 | 激光器－电吸收调制器－模斑转换器单片集成的制作方法 |
| CN1909309A (zh) * | 2005-08-04 | 2007-02-07 | 中国科学院半导体研究所 | 电吸收调制激光器和模斑转换器的集成方法 |
| CN1937335A (zh) * | 2005-09-22 | 2007-03-28 | 中国科学院半导体研究所 | 可调谐电吸收调制分布布拉格反射激光器的制作方法 |
| CN109256675A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-22 | 武汉电信器件有限公司 | 电吸收调制集成激光器芯片及其制作方法 |
| CN109687284A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-04-26 | 武汉电信器件有限公司 | 一种激光器芯片及其制作方法 |
| CN111244756A (zh) * | 2020-03-12 | 2020-06-05 | 中国科学院半导体研究所 | 半导体激光器及其制作方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 江山: "单片光子集成关键技术与宽带可调谐半导体激光器研究", 《中国博士学位论文全文库》, pages 1 - 120 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102241137B1 (ko) | 반도체 광 소자 | |
| EP0816908B1 (en) | Coupling of strongly and weakly guiding waveguides for compact integrated Mach Zehnder modulators | |
| US8965153B2 (en) | Optical semiconductor device and optical waveguide | |
| US8380032B2 (en) | Semiconductor optical amplifier module | |
| US10345522B2 (en) | Multi-core silicon waveguide in a mode-converting silicon photonic edge coupler | |
| JP3991615B2 (ja) | 半導体光アンプおよび半導体レーザ | |
| JP5545847B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| US20100142885A1 (en) | Optical module | |
| CN113777708B (zh) | 模变换器 | |
| JPH05249331A (ja) | 導波路形ビームスポット変換素子およびその製造方法 | |
| JP5718007B2 (ja) | 半導体光導波路素子の製造方法 | |
| JPH11511911A (ja) | ディープリッジ型ウェーブガイドを有する光半導体構成要素 | |
| CN112072470B (zh) | 多波长激光器阵列及其制作方法 | |
| CN112072462A (zh) | 半导体光子器件及其制作方法 | |
| US20150185582A1 (en) | Mask design and method of fabricating a mode converter optical semiconductor device | |
| JPH07168146A (ja) | スポット変換光導波路 | |
| CN112072461A (zh) | 电吸收调制激光器及其制作方法 | |
| CN114649745A (zh) | 掩埋结构半导体激光器及其制备方法 | |
| JP4842983B2 (ja) | 半導体光集積素子及びその作製方法 | |
| JPH04283704A (ja) | 半導体光導波路 | |
| JP2011258785A (ja) | 光導波路およびそれを用いた光半導体装置 | |
| JP2009094410A (ja) | 半導体光集積素子及びその作製方法 | |
| JP2010080707A (ja) | 半導体光機能デバイス | |
| JP3116912B2 (ja) | 半導体光集積素子及びそれを用いた光通信用モジュール並びに光通信システムとその製造方法 | |
| JP7308948B2 (ja) | レーザー素子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20201211 |