CN112068396A - 一种掩膜版 - Google Patents

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李淑君
祝宏勋
孔施琴
张丽洁
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    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Abstract

本发明揭示一种掩膜版，用于光配向技术，其包括遮光区域和曝光区域，掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域以及位于正常曝光区域两侧的拼接曝光区域，所述拼接曝光区域包括远离所述正常曝光区域的全遮光区域和靠近所述正常曝光区域的部分遮光区域，所述全遮光区域与所述部分遮光区域连接。本发明掩膜版，通过调整拼接曝光区域的形状，使得一半以上的拼接曝光区域由全遮光区域形成，增加了开口率，改善了面板的纵条纹Mura。

Description

一种掩膜版
技术领域
本发明涉及一种曝光的技术领域，尤其涉及一种掩膜版。
背景技术
UV2A(Ultra Violet Vertical Alignment)技术是一种使用紫外线(UV＝UltraViolet)进行液晶配向的VA(Vertical Alignment，垂直配向)面板技术，其名称来源于紫外线UV与液晶面板VA模式的相乘。通过导入UV2A技术后，可以省去目前在VA模式液晶面板中用于控制液晶分子配向的狭缝隙和突起，因此通过UV2A技术液晶面板的开口率、对比度和响应速度都能得到提高，并能大幅削减生产程序。
如图1所示，UV2A光配向技术光配向技术利用线性偏极的紫外线(UV)10照射在具有感光剂的高分子聚合物形成的配向膜20上，使得高分子聚合物表面的高分子主链向紫外线(UV)10照射方向倾斜，从而具有配向能力，液晶分子30就会沿着这条主链的方向倾斜；通过控制配向的角度，液晶分子30的配向精度是相对于液晶分子的长度(约2nm)成±20pm的角度。其优点为可避免玻璃基板表面的污染、可以进行小面积的配向、透过光罩可作图形的配向，利用入射光的角度与照射时间的长短，可以控制液晶单元的参数，如预倾角、表面定向强度等。
UV2A曝光时，配向曝光机由12块掩膜版41组成，6块掩膜版41位于上侧、6块掩膜版41位于下侧，上侧的掩膜版和下侧的掩膜版存在交叠的位置，这样12块掩膜版41可拼接对一个基板100进行完整的曝光，如图2所示，不同的掩膜版都由独立的灯源和光路组成。
图3为采用图2所示的12个掩膜版进行多畴配向的液晶显示面板，其中一块大基板1可以切割成6个小基板2，采用12个掩膜对大基板1进行曝光时，在灰阶画面下出现纵Mura不良，其纵条纹Mura位置与上侧掩膜版和下侧掩膜版之间的交叠位置3(图3示意了交叠位置3的长度为45mm)相符，影响液晶显示面板品质。由于不同掩膜版的灯源和光路差异，导致上侧掩膜版和下侧掩膜版之间的交叠位置3界处产生纵条纹Mura。
图4为掩膜版正常曝光区域和拼接曝光区域示意图，每块掩膜版的曝光区域由正常曝光区域和拼接曝光区域组成，其中正常曝光区域的长度为160mm，拼接曝光区域的长度为45mm，拼接区域采用正余弦波形结构。
图5为掩膜版正常曝光区域和拼接曝光区域的放大示意图，非拼接处002为正常曝光区域，拼接处001为拼接曝光区域，上侧掩膜版和下侧掩膜版的拼接曝光区域，组成一个完整的曝光。
现有掩膜版在灰阶画面下出现纵Mura不良，其纵条纹Mura位置与TFT侧掩膜版的交叠位置相符，影响面板品质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种调整拼接曝光区域的形状且改善纵条纹Mura的掩膜版。
本发明揭示一种掩膜版，用于光配向技术，其包括遮光区域和曝光区域，掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域以及位于正常曝光区域两侧的拼接曝光区域，所述拼接曝光区域包括远离所述正常曝光区域的全遮光区域和靠近所述正常曝光区域的部分遮光区域，所述全遮光区域与所述部分遮光区域连接。
进一步地，所述全遮光区域的形状为矩形，所述部分遮光区域的形状为正余弦波形。
进一步地，所述全遮光区域的宽度大于部分遮光区域的宽度2倍以上。
进一步地，全遮光区域的宽度为40mm，部分遮光区域的宽度为5mm。
本发明还提供一种掩膜版，用于光配向技术，其包括遮光区域和曝光区域，掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域以及位于正常曝光区域两侧的拼接曝光区域，所述拼接曝光区域包括远离所述正常曝光区域的全遮光区域和靠近所述正常曝光区域的部分正常曝光区域，所述全遮光区域与所述部分正常曝光区域连接。
进一步地，所述全遮光区域的形状为矩形，所述部分正常曝光区域与所述正常曝光区域结构相同。
进一步地，所述全遮光区域的宽度大于部分遮光区域的宽度2倍以上。
进一步地，全遮光区域的宽度为40mm，部分遮光区域的宽度为5mm。
本发明掩膜版，通过调整拼接曝光区域的形状，使得一半以上的拼接曝光区域由全遮光区域形成，增加了开口率，改善了面板的纵条纹Mura。
附图说明
图1为现有UV2A光配向技术的示意图；
图2为现有技术采用12块掩膜版拼接后对一个基板进行曝光的侧视图；
图3为采用图2所示12个掩膜版进行拼接曝光纵Mura示意图；
图4为采用图2所示12个掩膜版进行正常曝光区域和拼接曝光区域示意图；
图5为图4所示掩膜版正常曝光区域和拼接曝光区域的放大示意图；
图6为本发明掩膜版第一实施例的结构示意图；
图7为本发明掩膜版第二实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
本发明提供一种掩膜版，掩膜版用于UV2A光配向技术光配向技术，图6所示为发明第一实施的结构示意图，掩膜版包括遮光区域和曝光区域，掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域10以及位于正常曝光区域10两侧的拼接曝光区域20。
拼接曝光区域20包括远离正常曝光区域10的全遮光区域201和靠近正常曝光区域10的部分遮光区域202，全遮光区域201与所述部分遮光区域202连接。
全遮光区域201的形状为矩形，其宽度大于部分遮光区域201的宽度2倍以上；部分遮光区域201的形状为正余弦波形。部分遮光区域201的宽度较小。在本实施例中，拼接曝光区域20的宽度为45mm，全遮光区域201的宽度为40mm，部分遮光区域201的宽度为5mm，也就是使得重复曝光区域(即拼接曝光区域)的宽度变为5mm，通过减小此5mm区域对应的面板显示区域像素的黑色矩阵的幅宽，增加其开口率，以改善面板的纵条纹Mura。
图7所示为发明第一实施的结构示意图，拼接曝光区域20包括远离正常曝光区域10的全遮光区域201和靠近正常曝光区域10的部分正常曝光区域201，全遮光区域201与部分正常曝光区域201连接。
全遮光区域201的形状为矩形，其宽度大于部分正常曝光区域201的宽度2倍以上；部分正常曝光区域201与正常曝光区域10结构相同。部分正常曝光区域201的宽度较小。在本实施例中，拼接曝光区域20的宽度为45mm，全遮光区域201的宽度为40mm，部分正常曝光区域201的宽度为5mm，也就是使得重复曝光区域(即拼接曝光区域)的宽度变为5mm，通过减小此5mm区域对应的面板显示区域像素的黑色矩阵的幅宽，增加其开口率，以改善面板的纵条纹Mura。
本发明掩膜版，通过调整拼接曝光区域的形状，使得一半以上的拼接曝光区域由全遮光区域形成，增加了开口率，改善了面板的纵条纹Mura。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换(如数量、形状、位置等)，这些等同变换均属于本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种掩膜版，用于光配向技术，其包括遮光区域和曝光区域，掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域以及位于正常曝光区域两侧的拼接曝光区域，其特征在于：所述拼接曝光区域包括远离所述正常曝光区域的全遮光区域和靠近所述正常曝光区域的部分遮光区域，所述全遮光区域与所述部分遮光区域连接。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：所述全遮光区域的形状为矩形，所述部分遮光区域的形状为正余弦波形。
3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述全遮光区域的宽度大于部分遮光区域的宽度2倍以上。
4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，全遮光区域的宽度为40mm，部分遮光区域的宽度为5mm。
5.一种掩膜版，用于光配向技术，其包括遮光区域和曝光区域，掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域以及位于正常曝光区域两侧的拼接曝光区域，其特征在于：所述拼接曝光区域包括远离所述正常曝光区域的全遮光区域和靠近所述正常曝光区域的部分正常曝光区域，所述全遮光区域与所述部分正常曝光区域连接。
6.根据权利要求5所述的掩膜版，其特征在于：所述全遮光区域的形状为矩形，所述部分正常曝光区域与所述正常曝光区域结构相同。
7.根据权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述全遮光区域的宽度大于部分遮光区域的宽度2倍以上。
8.根据权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，全遮光区域的宽度为40mm，部分遮光区域的宽度为5mm。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2012102104A1 (ja) * 2011-01-24 2012-08-02 シャープ株式会社 露光装置、液晶表示装置及びその製造方法
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