CN111290175A - 一种掩膜版 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种掩膜版，用于光配向技术，掩膜版包括遮光区域和曝光区域，掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域以及位于正常曝光区域两侧的拼接曝光区域，每侧的拼接曝光区域包括位于其上侧的上侧拼接遮光图像、位于其下侧的下侧拼接遮光图像以及上侧拼接遮光图像和下侧拼接遮光图像之间的拼接曝光图像，所述上侧拼接遮光图像和下侧拼接遮光图像相对设置且之间设有间隙。本发明掩膜版，通过调整正常曝光区域和拼接曝光区域的曝光面积来调整纵Mura不良区域的亮度，从而提升面板品质。
Description
技术领域
本发明涉及一种曝光的技术领域，尤其涉及一种掩膜版。
背景技术
UV2A(Ultra Violet Vertical Alignment)技术是一种使用紫外线(UV＝UltraViolet)进行液晶配向的VA(Vertical Alignment，垂直配向)面板技术，其名称来源于紫外线UV与液晶面板VA模式的相乘。通过导入UV2A技术后，可以省去目前在VA模式液晶面板中用于控制液晶分子配向的狭缝隙和突起，因此通过UV2A技术液晶面板的开口率、对比度和响应速度都能得到提高，并能大幅削减生产程序。
如图1所示，UV2A光配向技术光配向技术利用线性偏极的紫外线(UV)10照射在具有感光剂的高分子聚合物形成的配向膜20上，使得高分子聚合物表面的高分子主链向紫外线(UV)10照射方向倾斜，从而具有配向能力，液晶分子30就会沿着这条主链的方向倾斜；通过控制配向的角度，液晶分子30的配向精度是相对于液晶分子的长度(约2nm)成±20pm的角度。其优点为可避免玻璃基板表面的污染、可以进行小面积的配向、透过光罩可作图形的配向，利用入射光的角度与照射时间的长短，可以控制液晶单元的参数，如预倾角、表面定向强度等。
UV2A曝光时，配向曝光机由12块掩膜版41组成，6块掩膜版41位于上侧、6块掩膜版41位于下侧，上侧的掩膜版和下侧的掩膜版存在交叠的位置，这样12块掩膜版41可拼接对一个基板100进行完整的曝光，如图2所示，不同的掩膜版都由独立的灯源和光路组成。
图3为采用图2所示的12个掩膜版进行多畴配向的液晶显示面板，其中一块大基板1可以切割成6个小基板2，采用12个掩膜对大基板1进行曝光时，在灰阶画面下出现纵Mura不良，其纵条纹Mura位置与上侧掩膜版和下侧掩膜版之间的交叠位置3(图3示意了交叠位置3的长度为45mm)相符，影响液晶显示面板品质。由于不同掩膜版的灯源和光路差异，导致上侧掩膜版和下侧掩膜版之间的交叠位置3界处产生纵条纹Mura。
图4为掩膜版正常曝光区域和拼接曝光区域示意图，每块掩膜版的曝光区域由正常曝光区域和拼接曝光区域组成，其中正常曝光区域的长度为160mm，拼接曝光区域的长度为45mm。
图5为掩膜版正常曝光区域和拼接曝光区域的放大示意图，非拼接处002为正常曝光区域，拼接处001为拼接曝光区域，上侧掩膜版和下侧掩膜版的拼接曝光区域，组成一个完整的曝光。
现有掩膜版在灰阶画面下出现纵Mura不良，其纵条纹Mura位置与TFT侧掩膜版的交叠位置相符，影响面板品质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种调整正常曝光区域和拼接曝光区域的曝光面积来调整纵向Mura不良的掩膜版。
本发明提供一种掩膜版，用于光配向技术，掩膜版包括遮光区域和曝光区域，掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域以及位于正常曝光区域两侧的拼接曝光区域，每侧的拼接曝光区域包括位于其上侧的上侧拼接遮光图像、位于其下侧的下侧拼接遮光图像以及上侧拼接遮光图像和下侧拼接遮光图像之间的拼接曝光图像，所述上侧拼接遮光图像和下侧拼接遮光图像相对设置且之间设有间隙。
优选地，所述上侧拼接遮光图像和下侧拼接遮光图像呈三角形。
优选地，所述上侧拼接遮光图像和下侧拼接遮光图像呈直角三角形。
优选地，上侧拼接遮光图像靠近拼接曝光区域端部的边和下侧拼接遮光图像靠近拼接曝光区域端部的边不接触。
优选地，正常曝光区域包括位于其上侧的上侧正常遮光图像、位于其下侧的下侧正常遮光图像以及位于上侧正常遮光图像和下侧正常遮光图像之间的正常曝光图像。
优选地，上侧正常遮光图像位于两端的上侧拼接遮光图像之间，下侧正常遮光图像位于两端的下侧拼接遮光图像之间。
优选地，正常曝光区域的正常遮光图像设有遮光图像和漏光图像，其中漏光图像由半透半反掩膜版制成。
优选地，所述半透半反掩膜版的透光比率为70％～95％。
本发明还提供一种掩膜版，用于光配向技术，掩膜版包括遮光区域和曝光区域，掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域以及位于正常曝光区域两侧的拼接曝光区域，每侧的拼接曝光区域包括位于其上侧的上侧拼接遮光图像、位于其下侧的下侧拼接遮光图像以及上侧拼接遮光图像和下侧拼接遮光图像之间的拼接曝光图像，所述上侧拼接遮光图像和下侧拼接遮光图像相对设置，上侧拼接遮光图像靠近拼接曝光区域端部的边和下侧拼接遮光图像靠近拼接曝光区域端部的边接触；正常曝光区域包括位于其上侧的上侧正常遮光图像、位于其下侧的下侧正常遮光图像以及位于上侧正常遮光图像和下侧正常遮光图像之间的正常曝光图像。
本发明掩膜版，通过调整正常曝光区域和拼接曝光区域的曝光面积来调整纵Mura不良区域的亮度，从而提升面板品质。
附图说明
图1为现有UV2A光配向技术的示意图；
图2为现有技术采用12块掩膜版拼接后对一个基板进行曝光的侧视图；
图3为采用图2所示12个掩膜版进行拼接曝光纵Mura示意图；
图4为采用图2所示12个掩膜版进行正常曝光区域和拼接曝光区域示意图；
图5为图4所示掩膜版正常曝光区域和拼接曝光区域的放大示意图；
图6为本发明掩膜版第一实施例的结构示意图；
图7为本发明掩膜版第二实施例的结构示意图；
图8为本发明掩膜版第三实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
本发明提供一种掩膜版，掩膜版用于UV2A光配向技术光配向技术，图6所示为发明第一实施的结构示意图，掩膜版包括遮光区域和曝光区域，掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域10以及位于正常曝光区域10两侧的拼接曝光区域20，每侧的拼接曝光区域20包括位于其上侧的上侧拼接遮光图像21、位于其下侧的下侧拼接遮光图像21以及位于上侧拼接遮光图像21和下侧拼接遮光图像21之间的拼接曝光图像22，其中，上侧拼接遮光图像21和下侧拼接遮光图像21相对设置且均呈三角形，上侧拼接遮光图像21和下侧拼接遮光图像21之间具有间隙。
拼接遮光图像21为直角三角形，拼接遮光图像21的两个直角边分别为拼接曝光区域20的侧边和端部。也就是说，上侧拼接遮光图像21靠近拼接曝光区域20端部的边和下侧拼接遮光图像21靠近拼接曝光区域20端部的边部不接触，这样就使得位于拼接曝光区域20的拼接曝光图像22的面积增大。
通过在拼接曝光区域20设有相对的2个拼接遮光图像21，上侧拼接遮光图像21和下侧拼接遮光图像21之间具有拼接曝光图像22，这样就相当于拼接曝光区域20的拼接遮光图像21外移，以增加拼接曝光区域20的曝光面积。
图7所示为发明第二实施的结构示意图，与上述第一实施例不同的是：正常曝光区域10包括位于其上侧的上侧正常遮光图像11、位于其下侧的下侧正常遮光图像11以及位于上侧正常遮光图像11和下侧正常遮光图像11之间的正常曝光图像12，其中，上侧正常遮光图像11位于两端的上侧拼接遮光图像21之间，下侧正常遮光图像111位于两端的下侧拼接遮光图像21之间。
通过在正常曝光区域10设置挡光的正常遮光图像11，以减小正常曝光区域10的正常曝光图像12的曝光面积。
图8所示为发明三实施的结构示意图，与上述第一实施例不同的是：上侧拼接遮光图像21靠近拼接曝光区域20端部的边和下侧拼接遮光图像21靠近拼接曝光区域20端部的边接触；正常曝光区域10包括位于其上侧的上侧正常遮光图像11、位于其下侧的下侧正常遮光图像11以及位于上侧正常遮光图像11和下侧正常遮光图像11之间的正常曝光图像12，其中，上侧正常遮光图像11位于两端的上侧拼接遮光图像21之间，下侧正常遮光图像11位于两端的下侧拼接遮光图像21之间。
通过在正常曝光区域10设置挡光的正常遮光图像11，以减小正常曝光区域10的正常曝光图像12的曝光面积。
本发明四实施的结构示意图，正常曝光区域10的正常遮光图像11设有遮光图像和漏光图像，其中漏光图像由半透半反掩膜版制成，其中，半透半反掩膜版的透光比率为70％～95％。
本发明掩膜版，通过调整正常曝光区域和拼接曝光区域的曝光面积来调整纵Mura不良区域的亮度，从而提升面板品质。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换(如数量、形状、位置等)，这些等同变换均属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种掩膜版，用于光配向技术，掩膜版包括遮光区域和曝光区域，其特征在于：掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域以及位于正常曝光区域两侧的拼接曝光区域，每侧的拼接曝光区域包括位于其上侧的上侧拼接遮光图像、位于其下侧的下侧拼接遮光图像以及上侧拼接遮光图像和下侧拼接遮光图像之间的拼接曝光图像，所述上侧拼接遮光图像和下侧拼接遮光图像相对设置且之间设有间隙。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：所述上侧拼接遮光图像和下侧拼接遮光图像呈三角形。
3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于：所述上侧拼接遮光图像和下侧拼接遮光图像呈直角三角形。
4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于：上侧拼接遮光图像靠近拼接曝光区域端部的边和下侧拼接遮光图像靠近拼接曝光区域端部的边不接触。
5.根据权利要求1至4任一所述的掩膜版，其特征在于：正常曝光区域包括位于其上侧的上侧正常遮光图像、位于其下侧的下侧正常遮光图像以及位于上侧正常遮光图像和下侧正常遮光图像之间的正常曝光图像。
6.根据权利要求5所述的掩膜版，其特征在于：上侧正常遮光图像位于两端的上侧拼接遮光图像之间，下侧正常遮光图像位于两端的下侧拼接遮光图像之间。
7.根据权利要求1至4任一所述的掩膜版，其特征在于：正常曝光区域的正常遮光图像设有遮光图像和漏光图像，其中漏光图像由半透半反掩膜版制成。
8.根据权利要求7所述的掩膜版，其特征在于：所述半透半反掩膜版的透光比率为70％～95％。
9.一种掩膜版，用于光配向技术，掩膜版包括遮光区域和曝光区域，其特征在于：掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域以及位于正常曝光区域两侧的拼接曝光区域，每侧的拼接曝光区域包括位于其上侧的上侧拼接遮光图像、位于其下侧的下侧拼接遮光图像以及上侧拼接遮光图像和下侧拼接遮光图像之间的拼接曝光图像，所述上侧拼接遮光图像和下侧拼接遮光图像相对设置，上侧拼接遮光图像靠近拼接曝光区域端部的边和下侧拼接遮光图像靠近拼接曝光区域端部的边接触；正常曝光区域包括位于其上侧的上侧正常遮光图像、位于其下侧的下侧正常遮光图像以及位于上侧正常遮光图像和下侧正常遮光图像之间的正常曝光图像。
10.根据权利要求9所述的掩膜版，其特征在于：上侧正常遮光图:位于两端的上侧拼接遮光图像之间，下侧正常遮光图像位于两端的下侧拼接遮光图像之间。
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|---|---|---|---|---|
| TW200905333A (en) * | 2007-07-26 | 2009-02-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Manufacturing method of photo alignment film and alignment solution |
| WO2012102104A1 (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-02 | シャープ株式会社 | 露光装置、液晶表示装置及びその製造方法 |
| CN102687078A (zh) * | 2010-01-25 | 2012-09-19 | 夏普株式会社 | 曝光装置、液晶显示装置及其制造方法 |
| CN104977758A (zh) * | 2015-07-31 | 2015-10-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种适用于psva型液晶显示面板的配向方法 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200905333A (en) * | 2007-07-26 | 2009-02-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Manufacturing method of photo alignment film and alignment solution |
| CN102687078A (zh) * | 2010-01-25 | 2012-09-19 | 夏普株式会社 | 曝光装置、液晶显示装置及其制造方法 |
| WO2012102104A1 (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-02 | シャープ株式会社 | 露光装置、液晶表示装置及びその製造方法 |
| CN104977758A (zh) * | 2015-07-31 | 2015-10-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种适用于psva型液晶显示面板的配向方法 |
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