CN112049269A - 一种组合频带式吸声复合结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种组合频带式吸声复合结构，由左侧板、右侧板、中立板、第一蜗壳板、第二蜗壳板、底板、第一低频吸声材料块、第二低频吸声材料块、中高频吸声板、第一封板、第二封板、第一低频声衍射陷阱、第二低频声衍射陷阱组成。所述结构拥有两个吸声优势频带不同的吸声面，分别用于吸收低频声波和中高频声波，组合后获得全频带吸声效果。该吸声复合结构相对于传统的空间吸声体具有更低的吸声频率下限、更薄的整体尺寸，节省安装空间。

Description

一种组合频带式吸声复合结构
技术领域
本发明涉及吸声结构，尤其涉及一种组合频带式吸声复合结构。
背景技术
吸声材料或吸声结构通常指平均吸声系数超过0.2的材料或结构，按其吸声机理可分为多孔性吸声材料和共振吸声结构两大类。多孔性吸声材料内部有大量微小的连通的孔隙，声波沿着这些孔隙深入材料内部，与材料发生摩擦作用，将声能转化为热能，该机理决定了低频(长波)声波较难与孔隙发生作用，因而低频吸声系数差，通常要在多孔性吸声材料后部保留一定深度的空腔，提高低频吸声系数。共振吸声结构原理是将材料按一定的声学要求进行设计安装，使其形成具有“暖水瓶”式的小口大肚结构，材料外部空间与内部腔体通过窄的瓶颈连接，颈部空气形成声质量M、腔内空气形成声容C，二者存在声共振(也称共鸣)频率，声波入射时，颈部的空气与内部空间之间产生剧烈的共振作用损耗了声能，颈口越细越长、腔体越大越深则共振频率越低，典型的共振吸声结构有穿孔板或微穿孔板，其变体形式包括薄膜共振吸声结构、薄板共振吸声结构等。
多孔性材料或共振吸声结构，均存在技术及应用局限性。一方面，多孔性材料一般只适用于中高频吸声、共振吸声结构只适用于中低频吸声，因此很难使用单一吸声材料或结构，实现全频带吸声降噪效果。另一方面，传统吸声材料或结构的尺寸决定了可吸收声波的频率下限，期望的低频吸声系数越大，吸声材料或装置所需的厚度越大，最终导致吸声装置体积庞大，工程应用中易受空间容量限制、技术经济代价高，特别是对于50～250Hz低频噪声，鲜有可工程化的专用高性能吸声装置。
发明内容
为了克服现有技术中的缺点，本发明提供一种整体厚度小、有效频带较宽的组合频带式吸声复合结构，用于吸收宽频范围内的噪声。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种组合频带式吸声复合结构，包括框架、第一封板、第二封板、第一低频吸声材料块和第二低频吸声材料块，所述框架外形轮廓呈扁平状长方体形，包括长度相同的U形板、中立板、第一蜗壳板和第二蜗壳板，其中：
所述U形板由左侧板、底板和右侧板依次连接而成，左、右侧板平行且与底板垂直；所述中立板安装在所述底板中部且与两个侧板平行；所述第一蜗壳板和第二蜗壳板分别安装在中立板两侧；
所述第一蜗壳板和第二蜗壳板均具有U形截面，第一蜗壳板由第一面板、第一导声板和第一延伸板依次垂直连接而成，第二蜗壳板由第二面板、第二导声板和第二延伸板依次垂直连接而成；每一蜗壳板的面板、延伸板均与所述底板平行，面板宽度大于延伸板且远离底板；所述第二蜗壳板的U形开口朝向中立板，第二面板远离第二导声板一侧与中立板连接；第一蜗壳板与第二蜗壳板的U形开口方向一致，第一面板远离第一导声板一侧与右侧板连接；
所述第一封板、第二封板分别封住所述U形板的相对的两个开口处，分别与第一蜗壳板和右侧板以及第二蜗壳板和中立板围成第一吸声腔和第二吸声腔；
所述第一低频吸声材料块和第二低频吸声材料块，分别填充在第一吸声腔和第二吸声腔内；
所述第一蜗壳板与所述中立板和底板之间的间隙构成第一低频声衍射陷阱；
所述第二蜗壳板与所述左侧板和底板之间的间隙构成第二低频声衍射陷阱。
优选的是，所述左、右侧板分别向所述底板背面方向延伸，然后向两侧板的相对方向延伸，形成左角板和右角板，左角板、右角板与所述底板围成第三吸声腔，在第三吸声腔内安装有中高频吸声板；所述第一封板、第二封板分别封住所述第三吸声腔的相对的两个开口。
优选的是，第一蜗壳板的总宽度为第二蜗壳板总宽度的1.3-3倍，第一低频声衍射陷阱的截面面积为第二低频声衍射陷阱截面面积的50％至80％。
所述第一导声板与中立板的间距W13a为15mm～60mm，第一延伸板与底板的间距H13b为15mm～60mm，第一延伸板的右边缘与右侧板的距离W13c为15mm～80mm，从而保证第一低频声衍射陷阱有足够宽阔的截面容许低频声波能量流向第一蜗壳板内。
所述第二导声板与左侧板的间距W14a为25mm～80mm，第二延伸板与底板的间距H14b为25mm～80mm，第二延伸板的右边缘与中立板的距离W14c为25mm～100mm，从而保证第二低频声衍射陷阱有足够宽阔的截面容许低频声波能量流向第二蜗壳板内。
设所述左侧板、右侧板、中立板、第一蜗壳板、第二蜗壳板、底板、第一封板、第二封板的厚度依次为t1,t2,t3,t4,t5,t6,t10,t11(单位：m)，材料密度依次为ρ1,ρ2,ρ3,ρ4,ρ5,ρ6,ρ10,ρ11(单位：kg/m3)，为保持结构的坚固性和不因自身重力作用变形，则：t6ρ6≥ρ1t1＝ρ2t2＝ρ10t10＝ρ11t11≥ρ3t3≥ρ4t4＝ρ5t5；设所述吸声复合结构的预期吸声系数能够达到0.4的频率下限为f，为了避免低频声波直接穿透框架，所选取的材料具有较大的面密度，则：系ρi·ti·f>200(i＝1，2，3，4，5，6，10，11)。
所述第一低频吸声材料块由多孔性吸声材料制成，其流阻率R7和厚度H7满足以下公式：
100≤R7·H7≤500
其中：
R7：单位为Pa·s/m2；
H7：单位为m，H7为第一导声板的高度H4b的10％～100％；
所述第二低频吸声材料块由多孔性吸声材料制成，流阻率为R8、厚度H8满足以下公式：
200≤R8·H8≤600；
其中：
R8：单位为Pa·s/m2，
H8：单位为m，H8为第二导声板的高度H5b的10％～100％。
优选的是，所述左角板的底边宽度W1和右角板的底边宽度W2均为10mm～30mm；所述中高频吸声板紧贴底板或与其保持一定间距；中高频吸声板由多孔性吸声材料制成，或采用共振吸声结构、超结构，且满足500Hz以上吸声系数不低于0.4、1000Hz以上吸声系数不低于0.7；当中高频吸声板由多孔性吸声材料制成时，设其流阻率为R9，单位：Pa·s/m2，厚度为H9(单位：m)，则：1000≤R9·H9≤6000。
优选的是，所述框架的整体长度L为400～8000mm，宽度W为400～1200mm，厚度H为50mm～150mm。本发明的吸声复合结构在低频区是一种典型的深度亚波长超结构，其厚度H为实际可吸收低频声波最大波长的1/60至1/25。优选的是，所述框架、第一封板、第二封板的材质为硬质金属或非金属；优选的是，所述第一低频吸声材料块的吸声峰值频率与第二低频吸声材料块的峰值频率相差至少一个1/3倍频带。
本发明还提供一种组合频带式吸声复合结构，其外形轮廓呈扁平状长方体形，包括第一封板、第二封板以及长度相同的框架、多个蜗壳单元、低频吸声材料块和中高频吸声板，每个蜗壳单元由一立板和一蜗壳板组成，所述框架由左侧L型板、右侧L型板和底板组成，所述左侧L型板和右侧L型板相对设置，所述底板垂直安装在左侧L型板和右侧L型板之间；所述多个蜗壳单元间隔安装在左侧L型板和右侧L型板之间的底板前表面上；左侧L型板、底板背面和右侧L型板围成的空间构成中频吸声腔；所述中高频吸声板安装在所述中频吸声腔内；每个蜗壳板均具有U形截面，由面板、导声板和延伸板依次垂直连接而成，所述面板、延伸板均与所述底板平行，面板宽度大于延伸板且远离底板；蜗壳板的U形开口朝向立板，面板远离导声板一侧与立板连接；每一蜗壳板及其立板围成的空间构成一低频吸声腔；所述低频吸声材料块填充在每个低频吸声腔内；每个蜗壳板和与其相邻的立板或左侧L形板以及底板之间的间隙构成低频声衍射陷阱；所述第一封板和第二封板分别封住蜗壳单元、低频声衍射陷阱和中频吸声腔两侧的开口。
本发明具有以以下有益效果：
1、本发明的吸声复合结构采用蜿蜒的低频声衍射陷阱形式，从而在低频区形成了深度亚波长吸声效应，相对于传统的空间吸声体，本发明具有更低的吸声频率下限、更薄的整体尺寸，极大地节省了安装空间；
2、本发明的吸声复合结构具备控制室内混响和抑制低频二次结构噪声的双重功能，可以作为建筑吊顶的多功能吸声构件来使用。
附图说明
图1是本发明吸声复合结构一个实施例的内部结构示意图；
图2是本发明吸声复合结构第二个实施例的内部结构示意图；
图3是本发明吸声复合结构第二个实施例的立体结构示意图；
图4是本发明吸声复合结构第二个实施例的框架结构示意图；
图5是本发明吸声复合结构第二个实施例的剖面结构图；
图6是本发明吸声复合结构第二个实施例的内部构造尺寸标注图；
图7是本发明吸声复合结构第二个实施例的吸声系数频谱曲线；
图8是本发明吸声复合结构第三个实施例的剖面结构图。
其中：
1.左侧板；1a.左角板；2.右侧板；2a.右角板；3.中立板；4.第一蜗壳板；
4a.第一面板；4b.第一导声板；4c.第一延伸板；5.第二蜗壳板；5a.第二面板；
5b.第二导声板；5c.第二延伸板；6.底板；7.第一低频吸声材料块；
8.第二低频吸声材料块；9.中高频吸声板；10.第一封板；11.第二封板；12.框架；
13.第一低频声衍射陷阱；14.第二低频声衍射陷阱。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明的组合频带式吸声复合结构进行详细说明。
实施例1
本实施例提供一种组合频带式单面吸声复合结构。
如图1和图3所示，该组合频带式单面吸声复合结构包括框架12、第一封板10、第二封板11、第一低频吸声材料块7和第二低频吸声材料块8，所述框架外形轮廓呈扁平状长方体形，包括长度相同的U形板、中立板3、第一蜗壳板4和第二蜗壳板5。
具体地说，所述U形板由左侧板1、底板6和右侧板2依次连接而成，左、右侧板1、2平行且与底板6垂直；所述中立板3安装在所述底板6中部且与两个侧板1、2平行；所述第一蜗壳板4和第二蜗壳板5分别安装在中立板3两侧。
所述第一蜗壳板4和第二蜗壳板5均具有U形截面，第一蜗壳板4由第一面板4a、第一导声板4b和第一延伸板4c依次垂直连接而成，第二蜗壳板5由第二面板5a、第二导声板5b和第二延伸板5c依次垂直连接而成。每一蜗壳板的面板、延伸板均与所述底板6平行，面板宽度大于延伸板且远离底板。所述第二蜗壳板5的U形开口朝向中立板3，第二面板5a远离第二导声板5b一侧与中立板3连接。第一蜗壳板4与第二蜗壳板5的U形开口方向一致，第一面板4a远离第一导声板4b一侧与右侧板2连接。
所述第二蜗壳板5和中立板3组成一个蜗壳单元。
所述第一封板10、第二封板11分别封住所述U形板的相对的两个开口处，分别与第一蜗壳板4和右侧板以及第二蜗壳板5和中立板3围成第一吸声腔和第二吸声腔。所述第一低频吸声材料块7和第二低频吸声材料块8，分别填充在第一吸声腔和第二吸声腔内。所述第一蜗壳板4与所述中立板3和底板6之间的间隙构成第一低频声衍射陷阱13；所述第二蜗壳板5与所述左侧板1和底板6之间的间隙构成第二低频声衍射陷阱14。第一低频吸声材料块7和第二低频吸声材料块8均具有低流阻率特性，分别使低频声波能量充分透射进入第一低频吸声材料块7和第二低频吸声材料块8内部而被吸收。
将第一低频声衍射陷阱13和第二低频声衍射陷阱14的入口所在的吸声结构的表面定义为第一吸声面，250Hz以下的低频声波入射至第一吸声面后，将最终被第一低频吸声材料块7和第二低频吸声材料块8所吸收。将中高频吸声板9的外表面(不含两侧被包裹处)定义为第二吸声面，主要用于吸收250Hz以上的中高频入射声波；第一吸声面和第二吸声面拥有不同的优势吸声频带，组合后获得全频带吸声性能。
第一低频声衍射陷阱13产生声学低通滤波衍射传输效应，低频声波入射到第一面板4a表面后，绝大部分能量不发生反射，而是经由第一低频声衍射陷阱13传输至第一蜗壳板4内，引发第一低频吸声材料块7的共振吸声效应，消耗低频声能量。第二低频声衍射陷阱14产生声学低通滤波衍射传输效应，低频声波入射到第二面板5a表面后，绝大部分能量不发生反射，而是经由第二低频声衍射陷阱14传输至第二蜗壳板5内，引发第二低频吸声材料块8的共振吸声效应，消耗低频声能量。
本实施例的单面吸声结构用于吸收二次结构噪声。
实施例2
本实施例提供一种组合频带式双面吸声复合结构。
参见图2至图6，该双面吸声复合结构与实施例1的结构基本相同，不同之处在于：所述U形板的左、右侧板1、2继续向底板6背面方向延伸，然后向两侧板的相对方向延伸，分别形成左角板1a和右角板2a，左角板、右角板与底板6围成第三吸声腔，在第三吸声腔内安装有中高频吸声板9；所述第一封板10、第二封板11分别封住所述第三吸声腔的相对的两个开口。
在本实施例中，框架12的长度L为600mm，宽度W为600mm，厚度H为150mm。左侧板1(包括左角板1a)、右侧板2(包括右角板2a)、中立板3、第一蜗壳板4、第二蜗壳板5、底板6、第一封板10、第二封板11的材料均为铝锰合金，密度为2.73kg/m3。左侧板1、右侧板2、中立板3、底板6、第一封板10、第二封板11的厚度为0.002m。第一蜗壳板4、第二蜗壳板5的厚度为0.0015m。预期的吸声系数达到0.4的频率下限f为63Hz，ρi·ti·f的最小值为257.96。
参见图5和图6，两个蜗壳板中，第一面板4a宽331mm、第一导声板4b高H4b＝100mm、第一延伸板4c宽270mm，第一导声板4b与中立板3的间距W13a＝35mm，第一延伸板4c与底板6的间距H13b＝36mm，第一延伸板4c的右边缘与右侧板2的距离W13c＝61mm，可以保证第一低频声衍射陷阱13有足够宽阔的截面来容许低频声波能量流向第一蜗壳板4内。第二面板5a宽164mm、第二导声板5b高H5b＝100mm、第二延伸板5c宽110mm，第二导声板5b与左侧板1的间距W14a＝60mm，第二延伸板5c与底板6的间距H14b＝36mm，第二延伸板5c的右边缘与中立板3的距离W14c＝54mm，可以保证第二低频声衍射陷阱14有足够宽阔的截面来容许低频声波能量流向第二蜗壳板5内。
第一低频吸声材料块7和第二低频吸声材料块8均采用低流阻率的岩棉，流阻R7＝R8＝4000Pa·s/m2，厚度H7＝H8＝H4b＝H5b＝0.1m，R7·H7＝R8·H8＝450。
左角板1a的底边宽度和右角板2a的底边宽度W1＝W2＝15mm。中高频吸声板9为硬质矿棉吸声板，紧贴底板6设置，其流阻率为R9＝300000Pa·s/m2，厚度为H9＝0.016m，R8·H8＝4800。
该实施例的吸声系数频谱曲线见图7。第一吸声面的63Hz吸声系数达到0.5，63～250Hz频率范围内平均吸声系数为0.52；低频吸声峰值频率为125Hz，对应的吸声系数为0.72，第一吸声面适用于吸收低频噪声。第二吸声面500Hz以上吸声系数均大于0.4，1000Hz-5000Hz吸声系数大于0.7，适用于吸收中高频噪声。第一吸声面与第二吸声面的优势吸声频带组合，使吸声复合结构在63～5000Hz的宽频带范围内吸声系数均大于0.5，能够有效吸收宽频噪声。
该结构同时具备控制室内混响和降低二次结构噪声的功能，可以作为建筑吊顶的新型多功能吸声构件来使用。使用时将其安装在建筑室内，使第一低频声衍射陷阱13和第二低频声衍射陷阱14的入口靠近楼面或墙面，利用第一低频吸声材料块7和第二低频吸声材料块8吸收建筑结构振动引起的低频二次结构噪声；使中高频吸声板9的外侧表面朝向人群活动空间，用于控制人类活动发出的中高频声波的混响。通过双面不同频率吸声作用的综合，在宽频率范围内提升室内整体音质。
实施例3
图8所示为本发明的另一实施例。
图中所示的组合频带式吸声复合结构，其外形轮廓呈扁平状长方体形，包括第一封板(图中未示)、第二封板(图中未示)以及长度相同的框架、多个蜗壳单元、低频吸声材料块25和中高频吸声板29，每个蜗壳单元由一立板和一蜗壳板组成。
所述框架由左侧L型板21、右侧L型板22和底板26组成，所述左侧L型板21和右侧L型板22相对设置，所述底板26垂直安装在左侧L型板和右侧L型板之间；所述多个蜗壳单元间隔安装在左侧L型板和右侧L型板之间的底板前表面上。
左侧L型板21、底板26背面和右侧L型板22围成的空间构成中频吸声腔；所述中高频吸声板29安装在所述中频吸声腔内。
每个蜗壳板均具有U形截面，由面板24a、导声板24b和延伸板24c依次垂直连接而成。所述面板、延伸板均与所述底板平行，面板宽度大于延伸板且远离底板；蜗壳板的U形开口朝向立板23，面板24a远离导声板24b一侧与立板23连接。
每一蜗壳板及其立板围成的空间构成一低频吸声腔；所述低频吸声材料块25填充在每个低频吸声腔内；每个蜗壳板和与其相邻的立板或左侧L形板以及底板之间的间隙构成低频声衍射陷阱27。
所述第一封板和第二封板分别封住蜗壳单元、低频声衍射陷阱和中频吸声腔两侧的开口。
上述蜗壳单元、低频声衍射陷阱和低频吸声材料块的材质及设置参数可以按照实施例2中第一蜗壳板4、第二蜗壳板5、第一低频吸声材料块7、第二低频吸声材料块8、第一低频声衍射陷阱13、第二低频声衍射陷阱14的原理和组合方式实施。多个蜗壳单元、低频声衍射陷阱和低频吸声材料块的设置使该吸声复合结构具备更佳的低频吸声性能。
该结构同时具备控制室内混响和降低二次结构噪声的功能。
本发明的吸声复合结构中，框架、蜗壳板、立板、第一封板、第二封板等的材质为硬质金属或非金属，各组件的材质、形状和尺寸沿所述吸声复合结构的长度方向保持不变，从而使吸声复合结构的吸声性能沿其长度方向保持稳定。

Claims (10)

1.一种组合频带式吸声复合结构，其特征在于：包括框架(12)、第一封板(10)、第二封板(11)、第一低频吸声材料块(7)和第二低频吸声材料块(8)，
所述框架外形轮廓呈扁平状长方体形，包括长度相同的U形板、中立板(3)、第一蜗壳板(4)和第二蜗壳板(5)，其中：
所述U形板由左侧板(1)、底板(6)和右侧板(2)依次连接而成，左、右侧板(1、2)平行且与底板(6)垂直；所述中立板(3)安装在所述底板(6)中部且与两个侧板(1、2)平行；所述第一蜗壳板(4)和第二蜗壳板(5)分别安装在中立板(3)两侧；
所述第一蜗壳板(4)和第二蜗壳板(5)均具有U形截面，第一蜗壳板(4)由第一面板(4a)、第一导声板(4b)和第一延伸板(4c)依次垂直连接而成，第二蜗壳板(5)由第二面板(5a)、第二导声板(5b)和第二延伸板(5c)依次垂直连接而成；每一蜗壳板的面板、延伸板均与所述底板(6)平行，面板宽度大于延伸板且远离底板；所述第二蜗壳板(5)的U形开口朝向中立板(3)，第二面板(5a)远离第二导声板(5b)一侧与中立板(3)连接；第一蜗壳板(4)与第二蜗壳板(5)的U形开口方向一致，第一面板(4a)远离第一导声板(4b)一侧与右侧板(2)连接；
所述第一封板(10)、第二封板(11)分别封住所述U形板的相对的两个开口处，分别与第一蜗壳板(4)和右侧板以及第二蜗壳板(5)和中立板(3)围成第一吸声腔和第二吸声腔；
所述第一低频吸声材料块(7)和第二低频吸声材料块(8)，分别填充在第一吸声腔和第二吸声腔内；
所述第一蜗壳板(4)与所述中立板(3)和底板(6)之间的间隙构成第一低频声衍射陷阱(13)；
所述第二蜗壳板(5)与所述左侧板(1)和底板(6)之间的间隙构成第二低频声衍射陷阱(14)。
2.根据权利要求1所述的组合频带式吸声复合结构，其特征在于：所述左、右侧板(1、2)分别向所述底板(6)背面方向延伸，然后向两侧板的相对方向延伸，形成左角板(1a)和右角板(2a)，左角板、右角板与所述底板(6)围成第三吸声腔，在第三吸声腔内安装有中高频吸声板(9)；所述第一封板(10)、第二封板(11)分别封住所述第三吸声腔的相对的两个开口。
3.根据权利要求1或2所述的组合频带式吸声复合结构，其特征在于：第一蜗壳板(4)的总宽度为第二蜗壳板(5)总宽度的1.3-3倍，第一低频声衍射陷阱(13)的截面面积为第二低频声衍射陷阱(14)截面面积的50％至80％。
4.根据权利要求3所述的组合频带式吸声复合结构，其特征在于：所述第一导声板(4b)与中立板(3)的间距(W13a)为15mm～60mm，第一延伸板(4c)与底板(6)的间距(H13b)为15mm～60mm，第一延伸板(4c)的右边缘与右侧板(2)的距离(W13c)为15mm～80mm。
5.根据权利要求4所述的组合频带式吸声复合结构，其特征在于：所述第二导声板(5b)与左侧板(1)的间距(W14a)为25mm～80mm，第二延伸板(5c)与底板(6)的间距(H14b)为25mm～80mm，第二延伸板(5c)的右边缘与中立板(6)的距离(W14c)为25mm～100mm。
6.根据权利要求5所述的组合频带式吸声复合结构，其特征在于：所述左侧板(1)、右侧板(2)、中立板(3)、第一蜗壳板(4)、第二蜗壳板(5)、底板(6)、第一封板(10)、第二封板(11)的厚度依次为t1,t2,t3,t4,t5,t6,t10,t11，单位为m，材料密度依次为ρ1,ρ2,ρ3,ρ4,ρ5,ρ6,ρ10,ρ11，单位为kg/m3，则：t6ρ6≥ρ1t1＝ρ2t2＝ρ10t10＝ρ11t11≥ρ3t3≥ρ4t4＝ρ5t5；设所述吸声复合结构的预期吸声系数能够达到0.4的频率下限为f，则：系ρi·ti·f>200(i＝1，2，3，4，5，6，10，11)。
7.根据权利要求6所述的组合频带式吸声复合结构，其特征在于：所述第一低频吸声材料块(7)由多孔性吸声材料制成，其流阻率R7和厚度H7满足以下公式：
100≤R7·H7≤500
其中：
R7：单位为Pa·s/m2；
H7：单位为m，H7为第一导声板(4b)的高度H4b的10％～100％；
所述第二低频吸声材料块(8)由多孔性吸声材料制成，其流阻率为R8、厚度H8满足以下公式：
200≤R8·H8≤600；
其中：
R8：单位为Pa·s/m2，
H8：单位为m，H8为第二导声板(5b)的高度H5b的10％～100％。
8.根据权利要求7所述的吸声复合结构，其特征在于：所述左角板(1a)的底边宽度(W1)和右角板(2a)的底边宽度(W2)均为10mm～30mm；所述中高频吸声板(9)紧贴底板(6)或与其保持一定间距；中高频吸声板(9)由多孔性吸声材料制成，或采用共振吸声结构、超结构，且满足500Hz以上吸声系数不低于0.4、1000Hz以上吸声系数不低于0.7；当中高频吸声板(9)由多孔性吸声材料制成时，设其流阻率为R9(单位：Pa·s/m2)，厚度为H9(单位：m)，则：1000≤R9·H9≤6000。
9.根据权利要求8所述的吸声复合结构，其特征在于：所述框架(12)的整体长度(L)为400～8000mm，宽度(W)为400～1200mm，厚度(H)为50mm～150mm；优选的是，所述厚度(H)为实际可吸收低频声波最大波长的1/60至1/25；优选的是，所述框架(12)、第一封板(10)、第二封板(11)的材质为硬质金属或非金属；优选的是，所述第一低频吸声材料块(7)的吸声峰值频率与第二低频吸声材料块(8)的峰值频率相差至少一个1/3倍频带。
10.一种组合频带式吸声复合结构，其特征在于：其外形轮廓呈扁平状长方体形，包括第一封板、第二封板以及长度相同的框架、多个蜗壳单元、低频吸声材料块和中高频吸声板，每个蜗壳单元由一立板和一蜗壳板组成，
所述框架由左侧L型板、右侧L型板和底板组成，所述左侧L型板和右侧L型板相对设置，所述底板垂直安装在左侧L型板和右侧L型板之间；所述多个蜗壳单元间隔安装在左侧L型板和右侧L型板之间的底板前表面上；
左侧L型板、底板背面和右侧L型板围成的空间构成中频吸声腔；所述中高频吸声板安装在所述中频吸声腔内；
每个蜗壳板均具有U形截面，由面板、导声板和延伸板依次垂直连接而成，所述面板、延伸板均与所述底板平行，面板宽度大于延伸板且远离底板；蜗壳板的U形开口朝向立板，面板远离导声板一侧与立板连接；
每一蜗壳板及其立板围成的空间构成一低频吸声腔；所述低频吸声材料块填充在每个低频吸声腔内；
每个蜗壳板和与其相邻的立板或左侧L形板以及底板之间的间隙构成低频声衍射陷阱；
所述第一封板和第二封板分别封住蜗壳单元、低频声衍射陷阱和中频吸声腔两侧的开口。
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