CN112042282B - 平面型等离子体诊断装置、晶片型等离子体诊断装置及静电卡盘 - Google Patents

平面型等离子体诊断装置、晶片型等离子体诊断装置及静电卡盘 Download PDF

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Abstract

本发明涉及平面型等离子体诊断装置，其特征在于，包括：发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为平面型，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向。

Description

平面型等离子体诊断装置、晶片型等离子体诊断装置及静电 卡盘
本研究由得到科学技术信息通信部资助的韩国研究财团（NRF）的材料创新计划（1711120490/2020M3H4A3106004，贡献度51％）和韩国国家科学技术研究院（NST）的R＆D融合计划（1711062007/CAP-17-02-NFRI-01）及韩国标准科学研究院（KRISS）赞助。
技术领域
本发明涉及平面型等离子体诊断装置，提供可通过形成平面型的用于测定等离子体截止频率的超高频收发天线来从截止频率获得等离子体密度的平面型等离子体诊断装置。
并且，本发明涉及埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置，提供将通过形成平面型的用于测定等离子体截止频率的超高频收发天线来从截止频率获得等离子体密度的平面型等离子体诊断装置埋设在圆形部件的晶片型等离子体诊断装置。
并且，本发明涉及埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘，提供将通过形成平面型的用于测定等离子体截止频率的超高频收发天线来从截止频率获得等离子体密度的平面型等离子体诊断装置埋设在静电卡盘的埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘。
背景技术
随着等离子体的应用领域以多种方式逐渐扩展，等离子体诊断技术的重要性也逐渐变大。现有的等离子体诊断方法通过将静电探针插入等离子体来施加电位，但是，这种方式具有如下问题，即，由于高电位可改变等离子体，因此难以准确测定如等离子体密度的等离子体系数。
为了解决如上所述的静电探针问题，开发了一种利用微波的等离子体诊断方法，即，截止（cut-off）探针方式，截止（cut-off）探针具有用于发送电磁波的探针和用于接收电磁波的探针，可通过使用几百MHz至几十GHz范围的微波来测定等离子体密度。
当微波的频率小于等离子体频率时，微波并不能通过等离子体，当微波的频率大于等离子体的频率时，微波可通过等离子体，在此情况下的频率被称为截止频率，可通过这种截止频率获得等离子密度。
授权专利公报第10-0473794号涉及具有天线结构的频率探针器结构的等离子体电子密度测定装置，图22示出杆形状探针的收发天线的具体形状，向等离子体内部插入频率探针器的方式具有如下问题，即，可诱发对等离子体的具体干涉，因探针插入所引起的周围等离子体密度摄动而降低测定准确度。
授权专利公报第10-1225010号涉及具有杆形状的放射天线与环形状的接收天线的超高频探针，图23示出杆形状的放射天线与环形状的接收天线的具体形状，虽然环形状的接收天线可提高接收率，但是，向等离子体内部插入频率探针器的方式具有如下问题，即，可诱发对等离子体的具体干涉。
公开专利公报第10-2017-0069652号涉及平面型环类超高频等离子体诊断装置，图24示出平面型环类等离子体诊断装置的具体形状，为了通过检测等离子体的截止频率来测定等离子体密度，以同心轴结构配置发送天线与接收天线并使得环形态的上述接收天线包围发送天线。但是，这种平面型环类超高频等离子体诊断装置具有如下问题，即，通过源于结构特性的共振信号难以进行具有可靠性的等离子体密度测定。
授权专利公报第10-1756325号涉及平面型圆锥类等离子体诊断装置，图25示出平面型圆锥类等离子体诊断装置的具体形状，为了通过检测等离子体的截止频率来测定等离子体密度，分别以圆锥形态形成发送天线与接收天线。但是，这种平面型圆锥类截止探针具有如下问题，即，因透射信号的强度过低而难以测定等离子体密度。
发明内容
技术问题
为了解决上述问题，本发明的目的在于，通过增加收发天线之间的容量性结合来防止具体干涉并提高透射信号的强度，从而可进行具有可靠性的等离子体密度测定。
并且，本发明的在一目的在于，可通过防止源于结构特性的共振信号来进行具有可靠性的等离子体密度测定。
并且，本发明的另一目的在于，通过将等离子体诊断装置埋设在晶片形态的圆形部件来使等离子体腔体的结构变化最小化，从而可进行具有可靠性的等离子体密度测定。
并且，本发明的还有一目的在于，可通过将等离子体诊断装置埋设在静电卡盘来在等离子体工序中实时进行等离子体密度测定。
并且，本发明的又一目的在于，可通过将等离子体诊断装置埋设在静电卡盘来在等离子体工序中实时进行晶片周围的等离子体密度测定。
并且，本发明的又一目的在于，能够以低成本进行等离子体空间的均匀度测定。
本发明所要实现的目的并不限定于上述目的，应当理解的是，除非在上述明确表示，否则本发明所属领域的普通技术人员可通过本发明的结构及作用容易实现其他技术目的。
技术方案
为了实现上述目的，本发明包括以下结构。
本发明涉及平面型等离子体诊断装置，其特征在于，包括：发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为平面型，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向。
本发明的特征在于，平面型的上述发送天线与平面型的上述接收天线的上部面为四边形。
本发明的特征在于，平面型上述发送天线与平面型上述接收天线呈直六面体形状，以相互相邻并相互相向的方式配置在上述本体部内。
本发明的特征在于，上述发送天线的上述上部面与上述接收天线的上述上部面的间隔D为1mm以上且15mm以下。
本发明的特征在于，在上述发送天线的上部面与上述接收天线的上部面形成绝缘膜。
本发明的特征在于，上述上部面的纵向长度大于上述上部面的横向长度，以相互相向的方式配置上述发送天线的上述上部面的纵向长边与上述接收天线的上述上部面的纵向长边。
本发明的特征在于，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的纵向长度为2mm以上且30mm以下。
本发明的特征在于，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的横向长度为0.1mm以上且10mm以下。
本发明的特征在于，用于发送或接收超高频的电缆通过与上述发送天线或上述接收天线的上述上部面相向的上述发送天线或上述接收天线的下部面连接。
本发明的特征在于，用于发送或接收超高频的上述电缆连接在从上述下部面的纵向长度的中心到上述纵向长度的1/4的范围内。
并且，本发明涉及平面型等离子体诊断装置，其特征在于，包括：发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为半圆形平面，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的弦相互相向。
本发明的特征在于，上述发送天线与上述接收天线呈半圆柱形状，以相互相邻并相互相向的方式配置在上述本体部内。
并且，本发明涉及平面型等离子体诊断装置，其特征在于，包括：发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为平面型，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向，柱体部从上述上部面延伸而成。
并且，本发明涉及埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置，其特征在于，上述平面型等离子体诊断装置包括：发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为平面型，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向，包括至少一个圆形部件，上述圆形部件用于埋设上述平面型等离子体诊断装置。
本发明的特征在于，上述平面型等离子体诊断装置埋设在上述圆形部件的中心部或边缘。
本发明的特征在于，多个上述平面型等离子体诊断装置埋设在上述圆形部件。
本发明的特征在于，多个上述平面型等离子体诊断装置以从上述圆形部件的中心部开始呈放射状的方式埋设。
本发明的特征在于，多个上述平面型等离子体诊断装置以格子形或十字形的方式埋设在上述圆形部件。
本发明的特征在于，还包括与多个上述平面型等离子体诊断装置并联连接的频谱分析仪，上述频谱分析仪与多个上述平面型等离子体诊断装置相连接的配线长度相互不同。
本发明的特征在于，还包括与多个上述平面型等离子体诊断装置相连接的切换电路和频谱分析仪，上述切换电路在使得多个上述平面型等离子体诊断装置依次工作后与上述频谱分析仪相连接。
并且，本发明涉及埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘，其特征在于，上述平面型等离子体诊断装置包括：发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为平面型，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向，上述平面型等离子体诊断装置埋设在上述静电卡盘的表面内部。
本发明的特征在于，上述平面型等离子体诊断装置埋设在上述静电卡盘的中心部或边缘。
本发明的特征在于，多个上述平面型等离子体诊断装置埋设在上述静电卡盘。
本发明的特征在于，多个上述平面型等离子体诊断装置以从上述静电卡盘的中心部开始呈放射状的方式埋设。
本发明的特征在于，以格子形或十字形的方式埋设多个上述平面型等离子体诊断装置。
本发明的特征在于，还包括与多个上述平面型等离子体诊断装置并联连接的频谱分析仪，上述频谱分析仪与多个上述平面型等离子体诊断装置相连接的配线长度相互不同。
本发明的特征在于，还包括与多个上述平面型等离子体诊断装置相连接的切换电路和频谱分析仪，上述切换电路在使得多个上述平面型等离子体诊断装置依次工作后与上述频谱分析仪相连接。
发明的效果
本发明具有如下效果，即，通过增加收发天线之间的容量性结合来防止具体干涉并提高透射信号的强度，从而可进行具有可靠性的等离子体密度测定。
并且，本发明可通过防止源于结构特性的共振信号来进行具有可靠性的等离子体密度测定。
并且，本发明可通过将等离子体诊断装置埋设在晶片形态的圆形部件来最小化等离子体腔体的结构变化，从而可进行具有可靠性的等离子体密度测定。
并且，本发明可通过将等离子体诊断装置埋设在静电卡盘来在等离子体工序中实时进行等离子体密度测定。
并且，本发明可通过将等离子体诊断装置埋设在静电卡盘来在等离子体工序中实时进行晶片周围的等离子体密度测定。
并且，本发明能够以低成本进行等离子体空间的均匀度测定。
本发明的效果并不限定于上述效果，应当理解的是，除非在上述明确表示，否则本发明所属领域的普通技术人员可通过本发明的结构及作用容易实现其他效果。
附图说明
图1的（a）部分为示出本发明平面型等离子体诊断装置的俯视图、图1的（b）部分为示出本发明平面型等离子体诊断装置的右侧视图、图1的（c）部分为示出本发明平面型等离子体诊断装置的下部侧视图。
图2为示出本发明平面型等离子体诊断装置的收发天线的具体形状的一实施例的图。
图3为示出本发明平面型等离子体诊断装置的俯视图与右侧视图的具体数值附图标记的图。
图4a为示出比较在真空状态下的等离子体腔体内本发明与现有技术的平面型环类等离子体诊断装置的透射系数的频谱的图。
图4b为示出比较在生成等离子体的等离子体腔体内本发明与现有技术的平面型环类等离子体诊断装置的透射系数的频谱的图。
图5为示出在真空状态下的等离子体腔体内随着现有技术的平面型环类等离子体诊断装置的收发天线间隔D变化的透射系数的频谱的图。
图6为示出在真空状态下的等离子体腔体内随着本发明的收发天线间隔D变化的透射系数的频谱的图。
图7为示出在生成等离子体的等离子体腔体内随着本发明的收发天线纵向长度B变化的透射系数的频谱。
图8为示出在生成等离子体的等离子体腔体内随着本发明的收发天线能源施加部位C变化的透射系数的频谱的图。
图9为示出本发明的平面型等离子体诊断装置的收发天线的具体形状的再一实施例的图。
图10为示出本发明的平面型等离子体诊断装置的收发天线的具体形状的另一实施例的图。
图11为示出本发明的平面型等离子体诊断装置的收发天线与频谱分析仪相连接的结构的图。
图12为示出本发明的埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置的一实施例的图。
图13为示出本发明的埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置的再一实施例的图。
图14为示出本发明以放射状埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置或静电卡盘的图。
图15为示出本发明以格子形或十字形的方式埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置或静电卡盘的图。
图16为示出本发明的埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘的一实施例的图。
图17为示出本发明的埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘的再一实施例的图。
图18为示出本发明的埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘的另一实施例的图。
图19为示出本发明的埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘的还有一实施例的图。
图20为示出本发明的埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘的又一实施例的图。
图21为示出本发明的埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘的又一实施例的图。
图22为示出现有技术的杆形状探针的收发天线的具体形状的图。
图23为示出现有技术的杆形状的放射天线与环形状的接收天线的具体形状的图。
图24为示出现有技术的平面型环类等离子体诊断装置的具体形状的图。
图25为示出现有技术的平面型圆锥类等离子体诊断装置的具体形状的图。
具体实施方式
以下，说明本发明优选实施例的整体结构及作用。这种实施例仅为示例，并不限定本发明的结构及作用，除非实施例明确表示，否则以下本发明所属技术领域的普通技术人员能够轻易理解的其他结构及作用均属于本发明的技术思想。
以下，说明本发明优选实施例的整体结构及作用。
图1的（a）部分为示出本发明平面型等离子体诊断装置的俯视图、图1的（b）部分为示出本发明平面型等离子体诊断装置的右侧视图、图1的（c）部分为示出本发明平面型等离子体诊断装置的下部侧视图。图2为示出本发明平面型等离子体诊断装置的收发天线的具体形状的一实施例的图。
参照图1，本发明涉及的平面型等离子体诊断装置包括：发送天线20，用于向等离子体施加频率可变的微波；接收天线30，用于从上述等离子体接收上述微波；以及本体部10，以相互绝缘的方式包围上述发送天线20与上述接收天线30，上述发送天线20的用于施加微波的上部面与上述接收天线30的用于接收微波的上部面为平面型，上述发送天线20与上述接收天线30的上述上部面的侧面可相互相向。
由此，本发明通过将发送天线20与上述接收天线30的侧面以相互相向的方式配置来增加容量性结合并提高透射信号的强度，从而可防止提取因等离子体腔体与等离子体诊断装置的结构共振特性变化的透射系数的峰值。
图1作为俯视图示出了上述发送天线20的上部面与上述接收天线30的上部面为平面型，右侧视图示出了上述接收天线30的纵向截面，下部侧视图示出了上述发送天线20与上述接收天线30的横向截面。
并且，下部侧视图示出了为了发送超高频而通过与上述发送天线20的上述上部面相向的上述发送天线20的下部面连接的电缆，右侧视图与下部侧视图示出了为了接收超高频而通过与上述接收天线30的上述上部面相向的上述接收天线30的下部面连接的电缆。
参照图2，上述平面型发送天线20与上述平面型接收天线30呈直六面体形状，以相互相邻并相互相向的方式配置在上述本体部10内，上述平面型发送天线与上述平面型接收天线的上部面21为四边形，下部面22也可以为四边形。并且，也可在上述发送天线20的上部面21与上述接收天线30的上部面21形成绝缘膜。
图3为示出本发明平面型等离子体诊断装置的俯视图与右侧视图的具体数值附图标记的图。
参照图3，上述发送天线20的上述上部面21与上述接收天线30的上述上部面21的间隔D为1mm以上且15mm以下，上述上部面21的纵向长度B大于上述上部面21的横向长度，以相互相向的方式配置上述发送天线20的上述上部面21的纵向长边B与上述接收天线30的上述上部面21的纵向长边B。
优选地，上述发送天线20的上述上部面21的纵向长边B与上述接收天线30的上述上部面21的纵向长度B为2mm以上且30mm以下，优选地，上述发送天线20与上述接收天线30的上述上部面21的横向长度A为0.1mm以上且10mm以下。
并且，用于发送或接收超高频的电缆40通过与上述发送天线20和上述接收天线30的上述上部面21相向的上述发送天线20与上述接收天线30的下部面22连接，优选地，用于发送或接收超高频的上述电缆40连接在从上述下部面22的纵向长度B的中心到上述纵向长度B的1/4的范围内。
在半导体工序与显示器工序条件下，等离子体密度为1×109cm-3～5×1011cm-3，与此对应的截止频率为300MHz～6GHz，由此，当提取截止频率时，在相应区域中，根据过等离子体诊断装置结构的腔（cavity）特性，即，通过等离子体腔体与等离子体诊断装置的结构共振特性难以提取截止频率，因此难以进行具有可靠性的等离子体密度测定。
图4a为示出比较在真空状态下的等离子体腔体内本发明与现有技术的平面型环类等离子体诊断装置的透射系数的频谱的图，图4b为示出比较在生成等离子体的等离子体腔体内本发明与现有技术的平面型环类等离子体诊断装置的透射系数的频谱的图。
参照图4a，在并未生成等离子体的真空状态下的等离子体腔体内，在现有技术的平面型环类等离子体诊断装置的透射系数的频谱中，从1GHz～2GHz可提取因等离子体腔体与等离子体诊断装置的结构共振特性引起的透射系数的峰值，相反，在本发明的透射系数的频谱中未能够提取到因等离子体腔体与等离子体诊断装置的结构共振特性引起的透射系数的峰值。
参照图4b，在生成等离子体的等离子体腔体内，在现有技术的平面型环类等离子体诊断装置的透射系数的频谱中的1GHz周围难以区分截止频率，相反，在本发明的透射系数的频谱中，可从0.5GHz～1GHz中明确提取截止频率。
结果，相比于现有技术的平面型环类等离子体诊断装置，本发明可容易提取截止频率，由此，可进行具有可靠性的等离子体密度测定。
图5为示出在真空状态下的等离子体腔体内随着现有技术的平面型环类等离子体诊断装置的收发天线间隔D变化的透射系数的频谱的图，图6为示出在真空状态下的等离子体腔体内随着本发明的收发天线间隔D变化的透射系数的频谱的图。
参照图5，随着现有技术的平面型环类等离子体诊断装置的收发天线间隔D逐渐增加至2mm、4mm、7mm、15mm，因等离子体腔体与等离子体诊断装置的结构共振特性引起的透射系数的峰值的数量也随之增加，若等离子体频率位于这种透射系数的峰值周围，则难以提取等离子体频率。
参照图6，本发明因等离子体腔体与等离子体诊断装置的结构共振特性引起的透射系数的峰值位于7GHz周围，处于高频率区域，随着收发天线间隔D逐渐增加至2mm、4mm、7mm、15mm，因等离子体腔体与等离子体诊断装置的结构共振特性引起的透射系数的峰值反而随之消失，因此未能够对等离子体频率的提取产生影响。
因此，相比于现有技术的平面型环类等离子体诊断装置，本发明容易提取截止频率，由此，可进行具有可靠性的等离子体密度测定。
图7为示出在生成等离子体的等离子体腔体内随着本发明的收发天线纵向长度B变化的透射系数的频谱。
参照图7，在生成等离子体的等离子体腔体内，本发明从2GHz中提取到透射系数的峰值，即使收发天线纵向长度B增加至2mm、4mm、8mm、20mm、30mm也未对透射系数的峰值产生影响，仅在高于6GHz的频率区域中可提取因等离子体腔体与等离子体诊断装置的结构共振特性引起的透射系数的峰值。
然而，当收发天线纵向长度B大于30mm时，尤其在60mm的情况下，即使在小于6GHz的频率区域中也可提取到多个因等离子体腔体与等离子体诊断装置的结构共振特性引起的透射系数的峰值，因此，优选地，本发明的收发天线纵向长度B为30mm以下，优选地，上述发送天线20与上述接收天线30的上述上部面21的横向长度A为0.1mm以上且10mm以下。
图8为示出在生成等离子体的等离子体腔体内随着本发明的收发天线能源施加部位C变化的透射系数的频谱的图。
参照图8，本发明的天线能源施加部位C通过与频谱分析仪的电缆40相连接来发送并接收超高频微波，从而分析频率，当上述电缆40脱离收发天线下部面22的中心部时，由于可从4～5GHz区域中提取因等离子体腔体与等离子体诊断装置的结构共振特性引起的透射系数的峰值，因此使得等离子体频率的提取变得困难。
当上述下部面22的纵向长度B为20mm时，若以从上述下部面22的纵向长度B的中心分隔5mm的方式与频谱分析仪的电缆40相连接，则提取因等离子体腔体与等离子体诊断装置的结构共振特性引起的透射系数的峰值，从而使得等离子频率的提取变得困难，当上述下部面22的纵向长度B为20mm时，优选地，本发明的天线能源施加部位C以从上述下部面22的纵向长度B的中心分隔5mm以下的方式与频谱分析仪的电缆40相连接。即，优选地，用于发送或接收超高频的上述电缆连接在从上述下部面22的纵向长度B的中心到上述下部面22的纵向长度B的1/4的范围内。
图9为示出本发明平面型等离子体诊断装置的收发天线的具体形状的再一实施例的图。
参照图9，用于施加上述发送天线20的微波的上部面21与用于接收上述接收天线30的微波的上部面21为半圆形平面，上述发送天线20与上述接收天线30的上述上部面21的线为相互相向的结构。
当本体部10为圆形时，可通过将上述发送天线20与上述接收天线30的上部面21形成半圆形平面来使得上述发送天线20与上述接收天线30的上部面21的面积进一步变宽，从而可增加信号强度，以相互相向的方式配置上述发送天线20与上述接收天线30的半圆形平面的弦，不仅增加容量性结合也可维持透射信号的强度。
并且，上述发送天线20与上述接收天线30可以为半圆柱形状，以相互相邻并相互相向的方式配置在上述本体部10内。
图10为示出本发明平面型等离子体诊断装置的收发天线的具体形状的另一实施例的图。
参照图10，本发明的发送天线20或接收天线30的上部面21由直四边形平面形成，从上述上部面21沿着下部面22形成柱体部，从而可大幅维持在上述上部面21的容量性结合，同时可减少上述发送天线20与上述接收天线30的制造成本。并且，上述柱体部的位置可位于上述上部面21的中心部或边缘。
并且，虽然附图中未图示，但是，上述发送天线20或上述接收天线30的上部面21可形成为半圆形平面，可通过从上述上部面21沿着下部面22形成柱体部来大幅维持在上述上部面21的容量性结合，同时可减少上述发送天线20与上述接收天线30的制造成本。并且，上述柱体部的位置可位于上述上部面21的中心部或边缘。
图11为示出本发明平面型等离子体诊断装置的收发天线与频谱分析仪相连接的结构的图。
参照图11，可通过本发明的发送天线20或接收天线30的下部面22连接频谱分析仪50的电缆40，上述发送天线20通过从上述频谱分析仪50接收能源来发送超高频微波，从上述发送天线20发送的超高频微波流经等离子体空间后，被上述接收天线30所接收，并通过上述频谱分析仪50提取频谱来进行分析。
图12为示出本发明埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置的一实施例的图。
参照图12，在本发明的埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置中，平面型等离子体诊断装置70埋设在圆形部件80的中心部或边缘形成，上述晶片型等离子体诊断装置通过放置于静电卡盘上并与频谱分析仪50相连接来测定等离子体空间的均匀度。
上述晶片型等离子体诊断装置具有如下效果，由于能够轻易适用于现有的等离子体腔体，因此可最小化现有的等离子体腔体的结构变化并进行等离子体诊断。
图13为示出本发明埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置的再一实施例的图。
参照图13，平面型等离子体诊断装置70埋设在圆形部件80的中心部或边缘形成，上述晶片型等离子体诊断装置通过放置在静电卡盘上并与一个频谱分析仪50并联连接来测定等离子体空间的均匀度。由此，通过有效使用高价的频谱分析仪50来以低成本进行对于多个平面型等离子体诊断装置70的等离子体空间的均匀度测定。
上述频谱分析仪50通过形成相互不同长度的用于连接多个上述平面型等离子体诊断装置70的配线来区分上述频谱分析仪50与多个上述平面型等离子体诊断装置70之间收发信号的时间差，从而可分别启动平面型等离子体诊断装置70。
并且，上述频谱分析仪50与多个上述平面型等离子体诊断装置70之间具有切换电路60，通过开关切换动作区分上述频谱分析仪50与多个上述平面型等离子体诊断装置70之间收发信号的时间差，从而可分别启动平面型等离子体诊断装置70。
并且，可通过用于发送的配线的长度差和用于接收的开关切换动作进行区分，与此相反地，可通过用于发送的开关切换动作和用于接收的配线的长度差进行区分，从而可分别启动平面型等离子体诊断装置70。
图14为示出本发明以放射状埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置的图，图15为示出本发明以格子形或十字形的方式埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置的图。
参照图14和图15，多个平面型等离子体诊断装置70以多重的方式埋设在圆形部件80，因此可进一步精密地测定等离子体空间均匀度。由此，可在半导体工序中精密地测定从晶片的中心部到边缘为止的等离子体空间均匀度并进一步提高晶片的收率，即使平面型等离子体诊断装70以多重的方式埋设在圆形部件80也可通过并联连接在一个频谱分析仪50来进行分析。
并且，当从频谱分析仪50的电缆40以有线的方式通过本发明平面型等离子体诊断装置的发送天线20或接收天线30的下部面22连接时，优选地，在静电卡盘的上面设置端子。
并且，可通过在圆形部件80内部设置无线收发装置来以无线的方式将平面型等离子体诊断装置的发送天线20与接收天线30的信号与频谱分析仪50相连接。但是，在等离子体频率的影响下这种无线连接难以传输信号，因此，优选地，平面型等离子体诊断装置的发送天线20与接收天线30通过静电卡盘下部方向或静电卡盘的水平方向传输或接收无线信号，从而避开等离子体空间传输无线信号。
并且，可通过在圆形部件80内部追加设置存储器来存储平面型等离子体诊断装置的发送天线20与接收天线30的信号，即使在上述圆形部件80暴露在等离子体腔体外部或停止等离子体工序的瞬间也可读取存储于上述存储器的发送天线20或接收天线30的信号。
图16为示出本发明埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘的一实施例的图。
参照图16，在本发明埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘90中，平面型等离子体诊断装置70埋设在静电卡盘90的中心部，上述平面型等离子体诊断装置70可通过与频谱分析仪50相连接来在等离子体工序中实时测定晶片中心部中的等离子体空间的均匀度。
上述静电卡盘90可具有如下效果，即，即使在等离子体工序中也可轻易测定等离子体空间的均匀度，并在放置于上述静电卡盘90上面的状态下也可测定等离子体空间的均匀度。
图17为示出本发明埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘的再一实施例的图。
参照图17，平面型等离子体诊断装置70埋设在静电卡盘90的中心部与边缘之间，上述平面型等离子体诊断装置70通过与频谱分析仪50相连接来在等离子体工序中实时测定晶片中心部与边缘的等离子体空间的均匀度。
由于在等离子体工序中晶片附近的等离子体密度起到更重要的作用，因此无需在晶片附近的重要地点测定等离子体空间的均匀度。
图18为示出本发明埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘的另一实施例的图。
参照图18，平面型等离子体诊断装置70以相向外侧的方式埋设在静电卡盘90的侧面部，上述平面型等离子体诊断装置70通过与频谱分析仪50相连接来在等离子体工序中实时测定等离子体腔体内的整体等离子体空间的均匀度。
图19、图20为示出本发明埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘的又一实施例的图。
参照图19，平面型等离子体诊断装置70埋设在静电卡盘90的边缘，上述平面型等离子体诊断装置70通过与频谱分析仪50相连接来在晶片边缘中实时测定等离子体工序中的等离子体空间的均匀度。
参照图20，平面型等离子体诊断装置70以多重的方式埋设在静电卡盘90的边缘，上述平面型等离子体诊断装置70通过与频谱分析仪50相连接来在晶片边缘中实时测定等离子体工序中的等离子体空间的均匀度。可通过减少最近晶片边缘中的不良率进一步提高半导体芯片的形成收率，因此在晶片边缘中的等离子体密度测定尤为重要。
图21为示出本发明埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘的又一实施例的图。
参照图21，平面型等离子体诊断装置70埋设在静电卡盘90的中心部和边缘形成，上述平面型等离子体诊断装置70并联连接在一个频谱分析仪50，即使在等离子体空间的对称被破坏的情况下，也可通过位置测定均匀度。由此，有效使用高价的频谱分析仪50能够以低成本进行对于多个平面型等离子体诊断装置70的等离子体空间的均匀度测定。
上述频谱分析仪50通过形成相互不同长度的用于连接多个上述平面型等离子体诊断装置70的配线来区分上述频谱分析仪50与多个上述平面型等离子体诊断装置70之间收发信号的时间差，从而可分别启动平面型等离子体诊断装置70。
并且，上述频谱分析仪50与多个上述平面型等离子体诊断装置70之间具有切换电路60，通过开关切换动作区分上述频谱分析仪50与多个上述平面型等离子体诊断装置70之间收发信号的时间差，从而可分别启动平面型等离子体诊断装置70。
并且，可通过用于发送的配线的长度差和用于接收的开关切换动作进行区分，与此相反地，可通过用于发送的开关切换动作和用于接收的配线的长度差进行区分，从而可分别启动平面型等离子体诊断装置70。
图14为示出本发明以放射状埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘的图，图15为示出本发明以格子形或十字形的方式埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘的图。
参照图14和图15，多个平面型等离子体诊断装置70以多重的方式埋设在静电卡盘90，因此，可在等离子体工序中进一步精密地实时测定等离子体空间均匀度。由此，即使在等离子体空间的对称被破坏的情况下也可通过位置精密地测定均匀度，从而可进一步提高晶片的收率，即使平面型等离子体诊断装70以多重的方式埋设在静电卡盘90也可通过并联连接在一个频谱分析仪50来进行分析。

Claims (26)

1.一种平面型等离子体诊断装置，其特征在于，
包括：
发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；
接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及
本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，
上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为四边形，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向，各个上述上部面在相向方向上的从一侧端部至另一侧端部的长度小于与相向方向垂直的方向上的从一侧端部至另一侧端部的长度。
2.根据权利要求1所述的平面型等离子体诊断装置，其特征在于，上述发送天线与上述接收天线呈直六面体形状，以相互相邻并相互相向的方式配置在上述本体部内。
3.根据权利要求1所述的平面型等离子体诊断装置，其特征在于，上述发送天线的上述上部面与上述接收天线的上述上部面的间隔为1mm以上且15mm以下。
4.根据权利要求1所述的平面型等离子体诊断装置，其特征在于，在上述发送天线的上部面与上述接收天线的上部面形成绝缘膜。
5.根据权利要求1所述的平面型等离子体诊断装置，其特征在于，上述上部面的纵向长度大于上述上部面的横向长度，以相互相向的方式配置上述发送天线的上述上部面的纵向长边与上述接收天线的上述上部面的纵向长边。
6.根据权利要求5所述的平面型等离子体诊断装置，其特征在于，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的纵向长度为2mm以上且30mm以下。
7.根据权利要求6所述的平面型等离子体诊断装置，其特征在于，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的横向长度为0.1mm以上且10mm以下。
8.根据权利要求1所述的平面型等离子体诊断装置，其特征在于，用于发送或接收超高频的电缆通过与上述发送天线或上述接收天线的上述上部面相向的上述发送天线或上述接收天线的下部面连接。
9.根据权利要求8所述的平面型等离子体诊断装置，其特征在于，用于发送或接收超高频的上述电缆连接在从上述下部面的纵向长度的中心到上述纵向长度的1/4的范围内。
10.一种平面型等离子体诊断装置，其特征在于，
包括：
发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；
接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及
本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，
上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为半圆形平面，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的弦相互相向。
11.根据权利要求10所述的平面型等离子体诊断装置，其特征在于，上述发送天线与上述接收天线呈半圆柱形状，以相互相邻并相互相向的方式配置在上述本体部内。
12.一种平面型等离子体诊断装置，其特征在于，
包括：
发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；
接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及
本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，
上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为四边形，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向，各个上述上部面在相向方向上从一侧端部至另一侧端部的长度小于在与相向方向垂直的方向上从一侧端部至另一侧端部的长度，柱体部从上述上部面延伸而成。
13.一种埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置，其特征在于，
上述平面型等离子体诊断装置包括：
发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；
接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及
本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，
上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为四边形，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向，各个上述上部面在相向方向上从一侧端部至另一侧端部的长度小于在与相向方向垂直的方向上从一侧端部至另一侧端部的长度，包括至少一个圆形部件，上述圆形部件用于埋设上述平面型等离子体诊断装置。
14.根据权利要求13所述的埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置，其特征在于，上述平面型等离子体诊断装置埋设在上述圆形部件的中心部或边缘。
15.根据权利要求13所述的埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置，其特征在于，多个上述平面型等离子体诊断装置埋设在上述圆形部件。
16.根据权利要求15所述的埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置，其特征在于，多个上述平面型等离子体诊断装置以从上述圆形部件的中心部开始呈放射状的方式埋设。
17.根据权利要求15所述的埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置，其特征在于，多个上述平面型等离子体诊断装置以格子形或十字形的方式埋设在上述圆形部件。
18.根据权利要求15所述的埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置，其特征在于，
还包括与多个上述平面型等离子体诊断装置并联连接的频谱分析仪，
上述频谱分析仪与多个上述平面型等离子体诊断装置相连接的配线长度相互不同。
19.根据权利要求15所述的埋设平面型等离子体诊断装置的晶片型等离子体诊断装置，其特征在于，
还包括与多个上述平面型等离子体诊断装置相连接的切换电路和频谱分析仪，
上述切换电路在使得多个上述平面型等离子体诊断装置依次工作后与上述频谱分析仪相连接。
20.一种埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘，其特征在于，
上述平面型等离子体诊断装置包括：
发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；
接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及
本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，
上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为四边形，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向，各个上述上部面在相向方向上从一侧端部至另一侧端部的长度小于在与相向方向垂直的方向上从一侧端部至另一侧端部的长度，上述平面型等离子体诊断装置埋设在上述静电卡盘的表面内部。
21.根据权利要求20所述的埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘，其特征在于，上述平面型等离子体诊断装置埋设在上述静电卡盘的中心部或边缘。
22.根据权利要求20所述的埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘，其特征在于，埋设多个上述平面型等离子体诊断装置。
23.根据权利要求22所述的埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘，其特征在于，多个上述平面型等离子体诊断装置以从上述静电卡盘的中心部开始呈放射状的方式埋设。
24.根据权利要求22所述的埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘，其特征在于，以格子形或十字形的方式埋设多个上述平面型等离子体诊断装置。
25.根据权利要求22所述的埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘，其特征在于，
还包括与多个上述平面型等离子体诊断装置并联连接的频谱分析仪，
上述频谱分析仪与多个上述平面型等离子体诊断装置相连接的配线长度相互不同。
26.根据权利要求22所述的埋设平面型等离子体诊断装置的静电卡盘，其特征在于，
还包括与多个上述平面型等离子体诊断装置相连接的切换电路和频谱分析仪，
上述切换电路在使得多个上述平面型等离子体诊断装置依次工作后与上述频谱分析仪相连接。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102340564B1 (ko) 2021-02-19 2021-12-20 한국표준과학연구원 플라즈마 이온 밀도 측정 장치와 이를 이용한 플라즈마 진단 장치

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3363616B2 (ja) * 1994-07-28 2003-01-08 積水化学工業株式会社 積層体の製造方法及びペン入力パネル用保護材料の製造方法
JP3208044B2 (ja) * 1995-06-07 2001-09-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPH0927476A (ja) * 1995-07-12 1997-01-28 Oki Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
FR2738984B1 (fr) * 1995-09-19 1997-11-21 Centre Nat Rech Scient Procede et dispositif de mesure d'un flux d'ions dans un plasma
US6653852B1 (en) * 2000-03-31 2003-11-25 Lam Research Corporation Wafer integrated plasma probe assembly array
US7960670B2 (en) * 2005-05-03 2011-06-14 Kla-Tencor Corporation Methods of and apparatuses for measuring electrical parameters of a plasma process
US6673636B2 (en) * 2001-05-18 2004-01-06 Applied Materails Inc. Method of real-time plasma charging voltage measurement on powered electrode with electrostatic chuck in plasma process chambers
US20030117321A1 (en) 2001-07-07 2003-06-26 Furse Cynthia M. Embedded antennas for measuring the electrical properties of materials
JP3768162B2 (ja) * 2002-02-15 2006-04-19 株式会社日立製作所 半導体処理装置とウエハセンサモジュール
KR100473794B1 (ko) 2003-07-23 2005-03-14 한국표준과학연구원 플라즈마 전자밀도 측정 및 모니터링 장치
FR2876536B1 (fr) * 2004-10-07 2007-01-26 Ecole Polytechnique Etablissem Dispositif et procede de caracterisation de plasma
US8040138B2 (en) * 2005-08-31 2011-10-18 National University Corporation Nagoya University Planar type frequency shift probe for measuring plasma electron densities and method and apparatus for measuring plasma electron densities
KR101142308B1 (ko) * 2009-09-10 2012-05-17 한국표준과학연구원 플라즈마 모니터링 장치, 플라즈마 모니터링 방법, 및 플라즈마 장치
JP5686549B2 (ja) * 2010-08-26 2015-03-18 学校法人中部大学 プラズマ電子密度測定プローブ及び測定装置
US9196463B2 (en) 2011-04-07 2015-11-24 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method for plasma monitoring using microwaves
KR101225010B1 (ko) 2011-07-19 2013-01-22 한국표준과학연구원 초고주파 프로브
KR101225011B1 (ko) * 2011-07-28 2013-01-22 한국표준과학연구원 공진 구조체를 이용한 초고주파 프로브
JP6097097B2 (ja) * 2013-03-04 2017-03-15 学校法人中部大学 プラズマ状態測定プローブ及びプラズマ状態測定装置
KR101456542B1 (ko) * 2013-05-07 2014-10-31 한국표준과학연구원 초고주파 플라즈마 진단 장치
WO2015114402A2 (en) * 2013-06-06 2015-08-06 Anders Persson Split-ring resonator plasma source
JP6259972B2 (ja) * 2013-12-25 2018-01-17 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 マイクロ波受信用アンテナ及びマイクロ波受信用アンテナアレイ
CN104091837B (zh) * 2014-06-13 2016-09-28 南京大学 一种基于光学天线的太赫兹探测器
KR20170069652A (ko) 2015-12-11 2017-06-21 충남대학교산학협력단 초고주파 플라즈마 진단 장치
KR101756325B1 (ko) * 2016-01-21 2017-07-10 한국표준과학연구원 평면형 플라즈마 진단 장치
JP2019009305A (ja) * 2017-06-26 2019-01-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

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