CN112030230B - 一种半导体材料处理系统 - Google Patents
一种半导体材料处理系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112030230B CN112030230B CN202010803937.8A CN202010803937A CN112030230B CN 112030230 B CN112030230 B CN 112030230B CN 202010803937 A CN202010803937 A CN 202010803937A CN 112030230 B CN112030230 B CN 112030230B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ring
- positioning
- rod
- rotating
- top end
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 22
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 19
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 16
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 12
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 10
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 210000000080 chela (arthropods) Anatomy 0.000 claims description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 2
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
- C30B15/12—Double crucible methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种半导体材料处理系统，包括支架，所述支架底端四角处均固定安装有支撑杆，所述支撑杆顶端和支架顶端边部均固定安装有防护套，所述支架底端中部等距安装有固定杆，通过转动定位清理机构，能够增加石墨坩埚移动时的稳定性，同时能够对石墨坩埚外表面进行测量和清理，降低了石墨坩埚外表面的清理和测量的难度，解决了现有技术石墨坩埚运行时易产生晃动的现象，同时解决了现有技术中石墨坩埚不便于测量和清理的问题，从而提高了人员的操作效率，而且能够在不影响石墨坩埚的正常使用的前提下增加了该石墨坩埚在运行时的安全性，从而增加了该装置的安全系数，降低了该装置的损坏率，从而增加了该装置的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料生产技术领域，具体为一种半导体材料处理系统。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的，大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种，而硅在制作过程中需要使用到晶体炉；
但是现有的晶体炉在实际使用过程中，由于晶体炉内部的石墨坩埚因高温而易产生变形的现象，而且石墨坩埚外壁轻微变形使其人员不便于观察，从而增加了晶体制造过程中的危险系数，而且使用人员不便于对石墨坩埚外表面的硅胶膜进行清理和收集，从而增加了石墨坩埚外表面的清理难度。
发明内容
本发明提供一种半导体材料处理系统，可以有效解决上述背景技术中提出的但是现有的晶体炉在实际使用过程中，由于晶体炉内部的石墨坩埚因高温而易产生变形的现象，而且石墨坩埚外壁轻微变形使其人员不便于观察，从而增加了晶体制造过程中的危险系数，而且使用人员不便于对石墨坩埚外表面的硅胶膜进行清理和收集，从而增加了石墨坩埚外表面的清理难度的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体材料处理系统，包括支架和安装在其内部的石墨坩埚，其特征在于：所述石墨坩埚外表面固定安装有转动定位清理机构，所述转动定位清理机构包括连接环、定位环、收集环、凹槽、倾斜槽、复位弹簧、主手动伸缩杆、主连接杆、牵引索、从手动伸缩杆和转动环；
所述石墨坩埚外表面固定连接有连接环，所述连接环外表面套接转动有转动环，所述转动环外表面贴合连接有定位环，所述定位环外表面边部等距固定安装有密封气体导流机构；
所述定位环顶端嵌入转动有收集环，所述收集环顶端边部等距安装有防溅射液体导流机构；
所述收集环顶端中部开设有凹槽，所述收集环顶端对应凹槽顶端边部开设有倾斜槽；
所述转动环底端边部等距安装有四个主手动伸缩杆，所述定位环底端边部等距安装有从手动伸缩杆，所述从手动伸缩杆外表面位于定位环底端和冷水套内壁顶端之间套接有复位弹簧，所述从手动伸缩杆和主手动伸缩杆外表面底端之间焊接有主连接杆，所述贯穿于主连接杆的牵引索两端分别于转动环和定位环底端之间固定连接。
与现有技术相比，本发明的有益效果：本发明结构科学合理，使用安全方便：
1、通过转动定位清理机构，在不影响石墨坩埚转动和上下移动的情况下，使得石墨坩埚上下移动的更加稳定，实现了四点平衡，且能够对石墨坩埚外表面进行测量和清理，降低了石墨坩埚外表面的清理和测量的难度，解决了现有技术石墨坩埚运行时易产生晃动的现象，还可以便于收集清理后的硅膜，也解决了现有技术中石墨坩埚不便于测量和清理的问题，从而提高了人员的操作效率，而且能够在不影响石墨坩埚的正常使用的前提下增加了该石墨坩埚在运行时的安全性，增加了该系统的安全系数，降低了该系统的损坏率，从而增加了该系统的使用寿命与系统自身的使用效率。
2、四个弧形折射板在转动时，相邻两个弧形折射板之间产生间隙，移动弧形板因挤压弹簧张力而在收纳腔室内部移动，而因相邻两个弧形折射板顶端和底端之间的间隙不同，导致移动弧形板两端受力不同，从而使收纳腔室内部顶部和底部两个挤压弹簧受力不同，从而使得移动弧形板之间相互贴合，能够防止石英坩埚内部的硅胶溶液发生离心而外溅的现象；
也能够对石英坩埚内部的热量进行保护，变相增加了石英坩埚内部加温速度，而且能够在不使用时对石英坩埚进行防护，防止外界的灰尘进入到石英坩埚内部，同时节约了能耗，而且能够对石英坩埚内部进行防护，同时确保了冷水套内部的清洁，进而降低了人员清理石冷水套内部所需要的时间，同时实现了资源的合理利用，而且节约了生产成本，从而达到了节能环保的目的。
3、通过密封气体导流机构，能够对冷水套和套盖之间进行密封，同时能够对进入到冷水套内部的气体进行导流，解决了现有技术中冷水套和套盖之间气体易产生泄漏的现象，同时解决了现有技术中惰性气体不便于和晶体之间发生接触的现象，从而达到了便于外界惰性气体和晶体之间发生接触，以确保晶体拉伸时的高质量，同时，能够防止内部的气体发生泄漏的现象，防止系统周围惰性气体含量过高而导致工作人员产生中毒的现象。
综上所述，通过转动定位清理机构、防溅射液体导流机构和密封气体导流机构，一方面可以能够便于晶体的加工，降低了晶体的加工难度，另一方面确保了晶体加工时的质量，便于了正常的安全生产，从而加快了半导体处理的技术发展。
4、通过定位裁断拿取机构，能够便于对拉伸后的晶体进行裁剪，降低了拉伸后晶体的裁剪难度，同时能够对晶体进行定位，解决了现有技术中通过人员手部裁剪时而导致裁剪后的晶体产生偏差的问题，而且解决了现有技术人员不便于观察晶体中心点的情况，从而便于对拉伸后晶体裁剪的位置进行定位，而且使裁剪后的晶体更加整洁，便于后期人员对裁剪后的晶体进行使用。
5、通过抽气混合机构，能够便于对冷水套内部惰性气体进行抽取，降低了冷水套内部惰性气体的抽取难度，而且能够便于对抽取后惰性气体中的热量进行吸收，解决了现有技术中惰性气体不便于排放的问题，从而便于后期对惰性气体进行处理，降低了后期惰性气体的处理难度，而且能够对处理时惰性气体中的热量进行回收利用，同时便于对处理后的惰性气体进行排放。
结合所述，实现了安全生产，低碳环保的同时，还可以对于生产的晶体进行进一步的整洁，大大提高了美观度，且对于热量回收，将惰性气体进行抽取，实现了更好的多次利用，适合整体的经济平衡，适合推广使用。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明的结构示意图；
图2是本发明防护套的剖视图；
图3是本发明石墨坩埚的剖视图；
图4是本发明连接管的安装结构示意图；
图5是本发明转动定位清理机构的结构示意图；
图6是本发明防溅射液体导流机构的结构示意图；
图7是本发明图6中A区域的结构示意图；
图8是本发明弧形折射板的剖视图；
图9是本发明密封气体导流机构的结构示意图；
图10是本发明密封气体导流机构的主视图；
图11是本发明定位裁断拿取机构的结构示意图；
图12是本发明垂直杆的安装结构示意图；
图13是本发明辅助激光灯的安装结构示意图；
图14是本发明抽气混合机构的结构示意图；
图15是本发明抽气混合机构的主视结构示意图；
图中标号：1、支架；2、支撑杆；3、防护套；4、固定杆；5、冷水套；6、隔热板；7、石墨电阻加热器；8、底部转动升降机；9、固定套；10、顶部转动升降机；11、套盖；12、石墨坩埚；13、石英坩埚；
14、转动定位清理机构；1401、连接环；1402、定位环；1403、收集环；1404、凹槽；1405、倾斜槽；1406、复位弹簧；1407、主手动伸缩杆；1408、主连接杆；1409、牵引索；1410、从手动伸缩杆；1411、转动环；
15、防溅射液体导流机构；1501、从连接杆；1502、转动杆；1503、移动槽；1504、主定位块；1505、弧形折射板；1506、收纳腔室；1507、挤压弹簧；1508、移动弧形板；1509、定位杆；1510、直角杆；1511、回位弹簧；
16、密封气体导流机构；1601、连接条；1602、弧形槽；1603、从定位块；1604、齿轮；1605、齿轮条；1606、圆环；1607、耐高温密封垫；1608、锥形环；1609、固定环；1610、连接管；1611、锥形头；1612、耐高温防护橡胶套；
17、惰性气体进入口；
18、定位裁断拿取机构；1801、固定条；1802、辅手动伸缩杆；1803、矩形块；1804、第一手动伸缩杆；1805、定位条；1806、垂直杆；1807、矩形槽；1808、定位弹簧；1809、移动L型杆；1810、辅助激光灯；1811、夹持钳；
19、抽气混合机构；1901、抽气管；1902、混合箱；1903、进水口；1904、第一抽气泵；1905、第二抽气泵；1906、轴承；1907、转动柱；1908、转动板；1909、积水腔室；1910、排水管；1911、排气管。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例：如图1-15所示，本发明提供一种技术方案，一种半导体材料处理系统，包括支架1，支架1底端四角处均固定安装有支撑杆2，支撑杆2顶端和支架1顶端边部均固定安装有防护套3，支架1底端中部等距安装有固定杆4，固定杆4顶端中部固定安装有冷水套5，冷水套5内壁底端固定安装有隔热板6，冷水套5内壁对应隔热板6一侧位置处固定安装有石墨电阻加热器7，冷水套5底端中部固定安装有底部转动升降机8，底部转动升降机8顶端中部固定安装有石墨坩埚12，石墨坩埚12内壁边部固定安装有石英坩埚13，支架1一端顶部固定安装有固定套9，固定套9内壁中部安装有顶部转动升降机10，冷水套5外表面套接有套盖11，石墨坩埚12外表面固定安装有转动定位清理机构14，转动定位清理机构14包括连接环1401、定位环1402、收集环1403、凹槽1404、倾斜槽1405、复位弹簧1406、主手动伸缩杆1407、主连接杆1408、牵引索1409、从手动伸缩杆1410和转动环1411；
石墨坩埚12外表面固定连接有连接环1401，连接环1401外表面套接转动有转动环1411，转动环1411外表面贴合连接有定位环1402，转动环1411和定位环1402之间通过牵引索1409连接，转动环1411外表面和定位环1402内壁边部之间相互贴合，能够便于转动环1411和定位环1402之间相对移动，降低了转动环1411和定位环1402之间相对移动难度，定位环1402顶端嵌入转动有收集环1403，收集环1403顶端中部开设有凹槽1404，收集环1403顶端对应凹槽1404顶端边部开设有倾斜槽1405；
转动环1411底端边部等距安装有四个主手动伸缩杆1407，定位环1402底端边部等距安装有从手动伸缩杆1410，从手动伸缩杆1410外表面位于定位环1402底端和冷水套5内壁顶端之间套接有复位弹簧1406，从手动伸缩杆1410和主手动伸缩杆1407外表面底端之间焊接有主连接杆1408，贯穿于主连接杆1408的牵引索1409两端分别于转动环1411和定位环1402底端之间固定连接。
收集环1403顶端边部等距安装有防溅射液体导流机构15，防溅射液体导流机构15包括从连接杆1501、转动杆1502、移动槽1503、主定位块1504、弧形折射板1505、收纳腔室1506、挤压弹簧1507、移动弧形板1508、定位杆1509、直角杆1510和回位弹簧1511；
收集环1403顶端边部对应主手动伸缩杆1407位置处安装有从连接杆1501，从连接杆1501顶端中部通过转轴转动连接有转动杆1502，转动杆1502外表面对应从连接杆1501的转轴外表面边部位置处开设有移动槽1503，转动杆1502顶端通过转轴连接有主定位块1504，主定位块1504一端边部固定安装有弧形折射板1505；
弧形折射板1505两端中部均开设有收纳腔室1506，收纳腔室1506内壁顶端和底端均焊接有挤压弹簧1507，挤压弹簧1507一端中部焊接有移动弧形板1508，弧形折射板1505外表面顶部固定安装有定位杆1509，定位杆1509一端通过转轴转动连接有直角杆1510，直角杆1510和冷水套5之间固定连接，弧形折射板1505的横截面为V型，且朝内倾斜90度，能够防止硅溶液发生四溅的现象，同时能够对气体进行阻隔，降低了石墨坩埚12加热时所需要的时间，直角杆1510和弧形折射板1505之间连接有回位弹簧1511。
定位环1402外表面边部等距固定安装有密封气体导流机构16，密封气体导流机构16包括连接条1601、弧形槽1602、从定位块1603、齿轮1604、齿轮条1605、圆环1606、耐高温密封垫1607、锥形环1608、固定环1609、连接管1610、锥形头1611和耐高温防护橡胶套1612。
定位环1402外表面边部对应从连接杆1501位置处安装有连接条1601，连接条1601一端边部开设有弧形槽1602，连接条1601外表面边部套接有从定位块1603，从定位块1603正面中部转动连接有齿轮1604，齿轮1604外表面一侧位于从定位块1603内部中部啮合连接有齿轮条1605，齿轮条1605顶端中部固定安装有圆环1606，圆环1606外表面边部嵌入安装有耐高温密封垫1607；
圆环1606内壁边部焊接有锥形环1608，锥形环1608外表面的顶部和底端之间焊接有固定环1609，两个固定环1609之间嵌入安装有连接管1610，连接管1610两端均固定安装有锥形头1611，一个锥形头1611订单中部固定安装有耐高温防护橡胶套1612，套盖11内壁对应耐高温防护橡胶套1612顶端中部位置处开设有惰性气体进入口17。
从定位块1603和冷水套5之间固定连接，连接条1601外表面通过弧形槽1602和齿轮1604之间啮合连接，能够便于连接条1601和齿轮条1605之间的相对移动，降低了连接条1601和齿轮条1605之间的相对移动难度；
支架1外表面一侧固定安装有定位裁断拿取机构18，定位裁断拿取机构18包括固定条1801，辅手动伸缩杆1802，矩形块1803，第一手动伸缩杆1804，定位条1805，垂直杆1806，矩形槽1807，定位弹簧1808，移动L型杆1809，辅助激光灯1810和夹持钳1811；
支架1外表面一侧固定安装有固定条1801，固定条1801内壁中部滑动连接有辅手动伸缩杆1802，辅手动伸缩杆1802顶端中部转动连接有矩形块1803，矩形块1803一端中部固定安装有第一手动伸缩杆1804，第一手动伸缩杆1804一端中部固定安装有定位条1805，定位条1805顶端中部滑动连接有垂直杆1806，垂直杆1806顶端中部固定安装有夹持钳1811；
垂直杆1806一端中部开设有矩形槽1807，矩形槽1807内壁中部焊接有定位弹簧1808，定位弹簧1808一端位于矩形槽1807内壁中部位置处焊接有移动L型杆1809，移动L型杆1809一端中部嵌入安装有辅助激光灯1810。
辅助激光灯1810的输入端和内部蓄电池的输出端电性连接，辅助激光灯1810一端中点和夹持钳1811的中心点相互垂直，能够便于夹持钳1811和晶体的中心点之间相互契合，同时能够增加人员拿取夹持钳1811时的稳定性，从而便于对拉伸后的晶体进行裁剪，
冷水套5外表面底部通过阀门安装有抽气混合机构19，抽气混合机构19包括抽气管1901，混合箱1902，进水口1903，第一抽气泵1904，第二抽气泵1905，轴承1906，转动柱1907，转动板1908，积水腔室1909，排水管1910和排气管1911；
冷水套5外表面底部通过阀门安装有抽气管1901，抽气管1901一端连接有第一抽气泵1904，第一抽气泵1904外表面连接有混合箱1902，混合箱1902正面顶部开设有进水口1903，混合箱1902内壁一侧固定安装有第二抽气泵1905；
混合箱1902内壁顶端和底端之间固定安装有轴承1906，轴承1906内壁中部固定安装有转动柱1907，转动柱1907外表面边部焊接有转动板1908；
混合箱1902内壁中部开设有积水腔室1909，混合箱1902一端底部通过阀门安装有排水管1910，混合箱1902顶端中部嵌入安装有排气管1911，第一抽气泵1904和第二抽气泵1905的输入端均和外界电源的输出端电性连接，第二抽气泵1905的抽气孔和外界空气连接，第一抽气泵1904的抽气孔和抽气管1901连接，能够便于惰性气体和空气之间进行混合，从而防止浓度过高的气体直接和系统周围的气体之间相互接触，从而导致装置周围的惰性气体含量过高而导致工作人员吸入过高的惰性气体，而产生惰性气体中毒的现象。
本发明的工作原理及使用流程：半导体材料在实际制作过程中，使用人员将物料放入到石英坩埚13底，然后使用人将底部转动升降机8连接电源并且开始运行，而底部转动升降机8运行时带动石墨坩埚12和石英坩埚13转动并且移动，而石墨坩埚12转动时带动连接环1401沿着转动环1411内部转动，并且带动连接环1401上下移动，连接环1401上下移动时带动主手动伸缩杆1407伸缩或者拉伸，并且连接环1401移动时带动牵引索1409沿着主连接杆1408内部移动，而牵引索1409移动时带动定位环1402和连接环1401之间反向上下移动，而利用定位环1402和转动环1411之间的配合，在不影响石墨坩埚12转动和上下移动的情况下，使得石墨坩埚12上下移动的更加稳定，同时利用定位环1402，能够对石墨坩埚12边部的形变进行测量，降低了石墨坩埚12边部的测量难度，而定位环1402移动时带动收集环1403移动，收集环1403移动时利用收集环1403边部的倾斜槽1405对石墨坩埚12外表面的粘接的硅膜进行清理，同时能够对清理后的硅膜进行收集，降低了硅膜的收集难度；
而此时，收集环1403移动时带动从连接杆1501移动，从连接杆1501移动时带动转动杆1502沿着移动槽1503内部移动并且转动，而转动杆1502转动后通过主定位块1504带动弧形折射板1505转动，弧形折射板1505带动定位杆1509沿着直角杆1510内部转动，并且带动回位弹簧1511拉伸，从而使得弧形折射板1505底端边部和石英坩埚13内壁边部之间相互贴合，于此同时，由于四个弧形折射板1505在转动时，相邻两个弧形折射板1505之间产生间隙，此时，移动弧形板1508因挤压弹簧1507的张力而在收纳腔室1506内部移动，而因相邻两个弧形折射板1505顶端和底端之间的间隙不同，导致移动弧形板1508两端受力不同，从而使收纳腔室1506内部顶部和底部两个挤压弹簧1507受力不同，从而使得移动弧形板1508之间相互贴合，能够防止石英坩埚13内部的硅胶溶液发生四溅的现象，同时能够便于对石英坩埚13内部的热量进行保温，增加了石英坩埚13内部加温速度，而且能够对石英坩埚13内部进行防护，同时确保了冷水套5内部的清洁，进而降低了人员清理石冷水套5内部所需要的时间，同时实现了资源的合理利用，而且节约了生产成本，从而达到了节能环保的目的，而当石英坩埚13在下降时，使得定位环1402反向上升，此时弧形折射板1505因回位弹簧1511的收缩力，而产生回位的现象，从而能够便于弧形折射板1505的回位，降低了弧形折射板1505的回位难度；
而当定位环1402移动时带动从连接杆1501移动，从连接杆1501移动时通过弧形槽1602带动齿轮1604在从定位块1603内部转动，齿轮1604转动时带动齿轮条1605移动，齿轮条1605移动时带动圆环1606移动，圆环1606移动时分别带动耐高温密封垫1607和锥形环1608移动，而利用耐高温密封垫1607对冷水套5和套盖11之间进行密封，此时，锥形环1608移动时通过固定环1609带动连接管1610移动，连接管1610移动时带动锥形头1611移动，锥形头1611移动时带动耐高温防护橡胶套1612移动，并且使耐高温防护橡胶套1612和惰性气体进入口17之间相互贴合，能够对冷水套5和套盖11之间进行密封，同时能够对进入到冷水套5内部的惰性气体进行导流，从而达到了便于外界惰性气体和晶体之间发生接触，以确保晶体拉伸时的高质量，同时，能够防止内部的气体发生泄漏的现象，防止装置周围惰性气体含量过高而导致工作人员产生中毒的现象；
当晶仔拉伸结束后，使用人员将第一抽气泵1904和第二抽气泵1905连接电源并且开始运行，而第一抽气泵1904通过抽气管1901将冷水套5内部的惰性气体抽取至混合箱1902内部，而第二抽气泵1905将外界的空气抽取到混合箱1902内部，此时第一抽气泵1904和第二抽气泵1905抽取后的气体分别吹拂到转动柱1907两侧的转动板1908外表面，从而使转动柱1907沿着轴承1906内部转动，而转动柱1907转动时带动转动板1908转动，转动板1908转动时使得惰性气体和空气之间混合，能够便于对冷水套5内部惰性气体进行抽取，降低了冷水套5内部惰性气体的抽取难度，而当冷水套5内部气体抽取结束后，第二抽气泵1905继续运行，从而使混合箱1902内部空气含量高于惰性气体时，使用人员打开排气管1911，使得混合后的惰性气体排入到空气中，而此时冷水套5内部的热量沿着抽气管1901进入到混合箱1902内部，并且使混合箱1902内部的积水加热，从而对冷水套5内部的热量进行回收利用，并且降低了排气管1911排出气体的稳温度，能够对处理时惰性气体中的热量进行回收利用，同时便于对处理后的惰性气体进行排放；
最后，石墨电阻加热器7连接电源，并且安装晶仔，然后顶部转动升降机10带动安装后的晶仔发生转动，并且与石墨坩埚12转动的方向相反，而当晶仔拉伸结束后，使用人员打开套盖11，然后对拉伸后的晶仔进行裁剪，此时使用人员沿着固定条1801内部移动辅手动伸缩杆1802，然后使用人员拉动辅手动伸缩杆1802，辅手动伸缩杆1802移动时带动矩形块1803移动，接着使用人员拉动第一手动伸缩杆1804，第一手动伸缩杆1804移动时带动定位条1805移动，而辅手动伸缩杆1802拉伸时通过矩形块1803带动第一手动伸缩杆1804移动，第一手动伸缩杆1804移动时通过定位条1805带动垂直杆1806移动，垂直杆1806移动时通过移动L型杆1809带动辅助激光灯1810移动，而当辅助激光灯1810光源点和晶仔细颈区时，使用人员移动移动L型杆1809，移动L型杆1809沿着矩形槽1807内部移动，并且带动定位弹簧1808收缩，然后使用人员沿着定位条1805内部移动垂直杆1806，垂直杆1806移动时带动夹持钳1811移动，并且利用夹持钳1811对晶仔细颈区进行裁剪，能够便于对拉伸后的晶体进行裁剪，降低了拉伸后晶体的裁剪难度，从而便于对拉伸后晶体裁剪的位置进行定位，而且使裁剪后的晶体更加整洁，便于后期人员对裁剪后的晶体进行使用。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种半导体材料处理系统，包括支架(1)和安装在其内部的石墨坩埚(12)，其特征在于：所述石墨坩埚(12)外表面固定安装有转动定位清理机构(14)，所述转动定位清理机构(14)包括连接环(1401)、定位环(1402)、收集环(1403)、凹槽(1404)、倾斜槽(1405)、复位弹簧(1406)、主手动伸缩杆(1407)、主连接杆(1408)、牵引索(1409)、从手动伸缩杆(1410)和转动环(1411)；
所述石墨坩埚(12)外表面固定连接有连接环(1401)，所述连接环(1401)外表面套接转动有转动环(1411)，所述转动环(1411)外表面贴合连接有定位环(1402)，所述定位环(1402)外表面边部等距固定安装有密封气体导流机构(16)；
所述定位环(1402)顶端嵌入转动有收集环(1403)，所述收集环(1403)顶端边部等距安装有防溅射液体导流机构(15)；
所述收集环(1403)顶端中部开设有凹槽(1404)，所述收集环(1403)顶端对应凹槽(1404)顶端边部开设有倾斜槽(1405)；
所述转动环(1411)底端边部等距安装有四个主手动伸缩杆(1407)，所述定位环(1402)底端边部等距安装有从手动伸缩杆(1410)，所述从手动伸缩杆(1410)外表面位于定位环(1402)底端和冷水套(5)内壁顶端之间套接有复位弹簧(1406)，所述从手动伸缩杆(1410)和主手动伸缩杆(1407)外表面底端之间焊接有主连接杆(1408)，所述贯穿于主连接杆(1408)的牵引索(1409)两端分别于转动环(1411)和定位环(1402)底端之间固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种半导体材料处理系统，其特征在于，所述支架(1)底端四角处均固定安装有支撑杆(2)，所述支撑杆(2)顶端和支架(1)顶端边部均固定安装有防护套(3)，所述支架(1)底端中部等距安装有固定杆(4)，所述固定杆(4)顶端中部固定安装有冷水套(5)，所述冷水套(5)内壁底端固定安装有隔热板(6)，所述冷水套(5)内壁对应隔热板(6)一侧位置处固定安装有石墨电阻加热器(7)，所述冷水套(5)底端中部固定安装有底部转动升降机(8)，所述底部转动升降机(8)顶端中部固定安装有石墨坩埚(12)，所述石墨坩埚(12)内壁边部固定安装有石英坩埚(13)，所述支架(1)一端顶部固定安装有固定套(9)，所述固定套(9)内壁中部安装有顶部转动升降机(10)，所述冷水套(5)外表面套接有套盖(11)；
所述转动环(1411)和定位环(1402)之间通过牵引索(1409)连接，所述转动环(1411)外表面和定位环(1402)内壁边部之间相互贴合。
3.根据权利要求1所述的一种半导体材料处理系统，其特征在于，所述防溅射液体导流机构(15)包括从连接杆(1501)、转动杆(1502)、移动槽(1503)、主定位块(1504)、弧形折射板(1505)、收纳腔室(1506)、挤压弹簧(1507)、移动弧形板(1508)、定位杆(1509)、直角杆(1510)和回位弹簧(1511)；
所述收集环(1403)顶端边部对应主手动伸缩杆(1407)位置处安装有从连接杆(1501)，所述从连接杆(1501)顶端中部通过转轴转动连接有转动杆(1502)，所述转动杆(1502)外表面对应从连接杆(1501)的转轴外表面边部位置处开设有移动槽(1503)，所述转动杆(1502)顶端通过转轴连接有主定位块(1504)，所述主定位块(1504)一端边部固定安装有弧形折射板(1505)；
所述弧形折射板(1505)两端中部均开设有收纳腔室(1506)，所述收纳腔室(1506)内壁顶端和底端均焊接有挤压弹簧(1507)，所述挤压弹簧(1507)一端中部焊接有移动弧形板(1508)，所述弧形折射板(1505)外表面顶部固定安装有定位杆(1509)，所述定位杆(1509)一端通过转轴转动连接有直角杆(1510)，所述直角杆(1510)和弧形折射板(1505)之间连接有回位弹簧(1511)。
4.根据权利要求3所述的一种半导体材料处理系统，其特征在于，所述直角杆(1510)和冷水套(5)之间固定连接，所述弧形折射板(1505)的横截面为V型，且朝内倾斜90度。
5.根据权利要求1所述的一种半导体材料处理系统，其特征在于，所述密封气体导流机构(16)包括连接条(1601)、弧形槽(1602)、从定位块(1603)、齿轮(1604)、齿轮条(1605)、圆环(1606)、耐高温密封垫(1607)、锥形环(1608)、固定环(1609)、连接管(1610)、锥形头(1611)和耐高温防护橡胶套(1612)；
所述定位环(1402)外表面边部对应从连接杆(1501)位置处安装有连接条(1601)，所述连接条(1601)一端边部开设有弧形槽(1602)，所述连接条(1601)外表面边部套接有从定位块(1603)，所述从定位块(1603)正面中部转动连接有齿轮(1604)，所述齿轮(1604)外表面一侧位于从定位块(1603)内部中部啮合连接有齿轮条(1605)，所述齿轮条(1605)顶端中部固定安装有圆环(1606)，所述圆环(1606)外表面边部嵌入安装有耐高温密封垫(1607)；
所述圆环(1606)内壁边部焊接有锥形环(1608)，所述锥形环(1608)外表面的顶部和底端之间焊接有固定环(1609)，两个所述固定环(1609)之间嵌入安装有连接管(1610)，所述连接管(1610)两端均固定安装有锥形头(1611)，一个所述锥形头(1611)订单中部固定安装有耐高温防护橡胶套(1612)，所述套盖(11)内壁对应耐高温防护橡胶套(1612)顶端中部位置处开设有惰性气体进入口(17)。
6.根据权利要求5所述的一种半导体材料处理系统，其特征在于，所述从定位块(1603)和冷水套(5)之间固定连接，所述连接条(1601)外表面通过弧形槽(1602)和齿轮(1604)之间啮合连接。
7.根据权利要求1所述的一种半导体材料处理系统，其特征在于，所述支架(1)外表面一侧固定安装有定位裁断拿取机构(18)，所述定位裁断拿取机构(18)包括固定条(1801)，辅手动伸缩杆(1802)，矩形块(1803)，第一手动伸缩杆(1804)，定位条(1805)，垂直杆(1806)，矩形槽(1807)，定位弹簧(1808)，移动L型杆(1809)，辅助激光灯(1810)和夹持钳(1811)；
所述支架(1)外表面一侧固定安装有固定条(1801)，所述固定条(1801)内壁中部滑动连接有辅手动伸缩杆(1802)，所述辅手动伸缩杆(1802)顶端中部转动连接有矩形块(1803)，所述矩形块(1803)一端中部固定安装有第一手动伸缩杆(1804)，所述第一手动伸缩杆(1804)一端中部固定安装有定位条(1805)，所述定位条(1805)顶端中部滑动连接有垂直杆(1806)，所述垂直杆(1806)顶端中部固定安装有夹持钳(1811)；
所述垂直杆(1806)一端中部开设有矩形槽(1807)，所述矩形槽(1807)内壁中部焊接有定位弹簧(1808)，所述定位弹簧(1808)一端位于矩形槽(1807)内壁中部位置处焊接有移动L型杆(1809)，所述移动L型杆(1809)一端中部嵌入安装有辅助激光灯(1810)。
8.根据权利要求7所述的一种半导体材料处理系统，其特征在于，所述辅助激光灯(1810)的输入端和内部蓄电池的输出端电性连接，所述辅助激光灯(1810)一端中点和夹持钳(1811)的中心点相互垂直。
9.根据权利要求1所述的一种半导体材料处理系统，其特征在于，所述冷水套(5)外表面底部通过阀门安装有抽气混合机构(19)，所述抽气混合机构(19)包括抽气管(1901)，混合箱(1902)，进水口(1903)，第一抽气泵(1904)，第二抽气泵(1905)，轴承(1906)，转动柱(1907)，转动板(1908)，积水腔室(1909)，排水管(1910)和排气管(1911)；
所述冷水套(5)外表面底部通过阀门安装有抽气管(1901)，所述抽气管(1901)一端连接有第一抽气泵(1904)，所述第一抽气泵(1904)外表面连接有混合箱(1902)，所述混合箱(1902)正面顶部开设有进水口(1903)，所述混合箱(1902)内壁一侧固定安装有第二抽气泵(1905)；
所述混合箱(1902)内壁顶端和底端之间固定安装有轴承(1906)，所述轴承(1906)内壁中部固定安装有转动柱(1907)，所述转动柱(1907)外表面边部焊接有转动板(1908)；
所述混合箱(1902)内壁中部开设有积水腔室(1909)，所述混合箱(1902)一端底部通过阀门安装有排水管(1910)，所述混合箱(1902)顶端中部嵌入安装有排气管(1911)。
10.根据权利要求9所述的一种半导体材料处理系统，其特征在于，所述第一抽气泵(1904)和第二抽气泵(1905)的输入端均和外界电源的输出端电性连接，所述第二抽气泵(1905)的抽气孔和外界空气连接，所述第一抽气泵(1904)的抽气孔和抽气管(1901)连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010803937.8A CN112030230B (zh) | 2020-08-11 | 2020-08-11 | 一种半导体材料处理系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010803937.8A CN112030230B (zh) | 2020-08-11 | 2020-08-11 | 一种半导体材料处理系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112030230A CN112030230A (zh) | 2020-12-04 |
| CN112030230B true CN112030230B (zh) | 2022-04-15 |
Family
ID=73577120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010803937.8A Active CN112030230B (zh) | 2020-08-11 | 2020-08-11 | 一种半导体材料处理系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112030230B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116020820B (zh) * | 2022-09-19 | 2023-06-30 | 宿迁学院产业技术研究院 | 一种计算机柜体用除尘设备 |
| CN117073373B (zh) * | 2023-10-11 | 2023-12-15 | 福建福碳新材料科技有限公司 | 一种三代半导体用等静压石墨坩埚 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000264777A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 単結晶引上装置用黒鉛ルツボおよび単結晶引上装置 |
| CN202139324U (zh) * | 2011-07-13 | 2012-02-08 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种上排气热场式直拉硅单晶炉石墨热场系统 |
| CN109868503A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-06-11 | 苏州新美光纳米科技有限公司 | 一种坩埚组件及长晶炉 |
| WO2019242431A1 (zh) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | 卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司 | 一种单晶炉 |
-
2020
- 2020-08-11 CN CN202010803937.8A patent/CN112030230B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000264777A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 単結晶引上装置用黒鉛ルツボおよび単結晶引上装置 |
| CN202139324U (zh) * | 2011-07-13 | 2012-02-08 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种上排气热场式直拉硅单晶炉石墨热场系统 |
| WO2019242431A1 (zh) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | 卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司 | 一种单晶炉 |
| CN109868503A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-06-11 | 苏州新美光纳米科技有限公司 | 一种坩埚组件及长晶炉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112030230A (zh) | 2020-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112030230B (zh) | 一种半导体材料处理系统 | |
| CN105185734B (zh) | 一种晶圆湿法腐蚀清洗装置 | |
| CN109193450A (zh) | 一种线路巡视辅助装置 | |
| CN209434214U (zh) | 一种移动式太阳能电池板夹持装置 | |
| CN209193050U (zh) | 一种太阳能电池板丝网印刷用的自动上料装置 | |
| CN111054146A (zh) | 一种用于焊锡烟雾净化的电子设备 | |
| CN217832185U (zh) | 一种光伏接线盒自动装配生产线焊接组件 | |
| CN212918817U (zh) | 一种出水管接头的打磨工装 | |
| CN212330084U (zh) | 一种安全性能高的焊枪 | |
| CN211043241U (zh) | 一种sf6气体监测装置 | |
| CN210701414U (zh) | 一种简易便捷的高压绝缘子冲洗器 | |
| CN210060136U (zh) | 一种便于微镜片切割加工装置 | |
| CN207129537U (zh) | 硅片传输装置及丝网印刷机 | |
| CN209335040U (zh) | 一种焊机的自动清理焊渣装置 | |
| CN208033094U (zh) | 一种锂电池清洁机构 | |
| CN206747154U (zh) | 一种二极管铜针电极清洁装置 | |
| CN112808699A (zh) | 一种防尘效果好的半导体器件制造用加工设备 | |
| CN105217623A (zh) | 直接转移石墨烯薄膜的装置和方法 | |
| CN218695261U (zh) | 一种钛合金增材制造气体保护装置 | |
| CN213692965U (zh) | 一种气动线束绝缘层剥离装置 | |
| CN213119638U (zh) | 一种石英管加工用冷却装置 | |
| CN213316714U (zh) | 一种高效吸尘设备 | |
| CN214918606U (zh) | 一种半导体石英舟的高效清洗装置 | |
| CN210596330U (zh) | 一种高效的喷丝板加工用清洗设备 | |
| CN210304975U (zh) | 一种劳保衬胶手套生产线voc废气收集装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20220328 Address after: 518057 1901, building F, Tongfang information port, No. 11, Langshan Road, songpingshan community, Xili street, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong Applicant after: SHENZHEN PIONEER ELECTRONICS Co.,Ltd. Address before: 618000 No. 8, Haitang lane, Huashan South Road, Deyang City, Sichuan Province Applicant before: Yang Wenwei |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |