CN112030111A - 一种真空腔体结构 - Google Patents

一种真空腔体结构 Download PDF

Info

Publication number
CN112030111A
CN112030111A CN202010771338.2A CN202010771338A CN112030111A CN 112030111 A CN112030111 A CN 112030111A CN 202010771338 A CN202010771338 A CN 202010771338A CN 112030111 A CN112030111 A CN 112030111A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cavity
sub
female
carrying platform
vacuum chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010771338.2A
Other languages
English (en)
Inventor
张铭今
孙玉俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujian Huajiacai Co Ltd
Original Assignee
Fujian Huajiacai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujian Huajiacai Co Ltd filed Critical Fujian Huajiacai Co Ltd
Priority to CN202010771338.2A priority Critical patent/CN112030111A/zh
Publication of CN112030111A publication Critical patent/CN112030111A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种真空腔体结构,包括:母腔体和子腔体;所述子腔体位于所述母腔体内一侧,并置于所述母腔体的侧壁上;所述母腔体包括:母腔体抽真空管路;所述母腔体抽真空管路与所述母腔体连接;所述子腔体包括:密封门、可视门、载台、坩埚加热装置和子腔体抽真空管路;所述载台置于所述子腔体内,且所述坩埚加热装置于所述载台上方,用于加热坩埚;所述子腔体抽真空管路与所述子腔体连接;所述可视门活动设置于所述子腔体与所述母腔体共用的腔壁上;所述密封门活动设置于所述子腔体顶部。发生异常时,子腔体、母腔体可单独破真空并开腔处理,减少宕机时间。以此提高蒸镀质量,同时提高蒸镀机产能。

Description

一种真空腔体结构
技术领域
本发明涉及OLED真空蒸镀技术领域,尤其涉及一种真空腔体结构。
背景技术
近年来,随着OLED技术的飞速发展,越来越多得液晶显示面板被OLED面板取代,OLED屏幕,在色域、对比度有着绝对优势,而蒸镀是OLED的核心工艺之一。目前采用真空蒸镀方式制备OLED器件,真空蒸镀是将待成膜的物质(蒸镀材料)置于高真空中进行蒸发或升华,使之在工件或基板表面析出的过程,高真空下成膜是因为OLED器件的有机薄膜及金属薄膜遇水或空气后会立即氧化,使器件性能迅速下降,并且在非真空状态下由于空气分子碰撞阻挡,难以形成均匀连续的薄膜(真空压力越低,材料分子或原子平均自由径越长,材料分子或原子可以更好的找到最低位置停留,可得较佳成膜效果),所以保持腔内真空环境是非常必要的。现有的蒸镀腔体不可避免的要定期开腔进行坩埚加料、晶振片更换、防著板、角度板更换等动作,频繁开关腔会对腔内环境造成很大影响,并且大型腔体从大气状态抽至高真空耗时较久从而影响产能。
发明内容
为此,需要提供一种真空腔体结构,提高蒸镀质量,同时提高产能。
为实现上述目的,本申请提供了一种真空腔体结构,包括:母腔体和子腔体;所述子腔体位于所述母腔体内一侧,并置于所述母腔体的侧壁上;
所述母腔体包括:母腔体抽真空管路;所述母腔体抽真空管路与所述母腔体连接;
所述子腔体包括:密封门、可视门、载台、坩埚加热装置和子腔体抽真空管路;所述载台置于所述子腔体内,且所述坩埚加热装置于所述载台上方,用于加热坩埚;所述子腔体抽真空管路与所述子腔体连接;所述可视门活动设置于所述子腔体与所述母腔体共用的腔壁上;所述密封门活动设置于所述子腔体顶部。
进一步地,所述子腔体还包括:压力传感器,所述压力传感器设置于所述载台上,且位于所述坩埚加热装置一侧。
进一步地,所述子腔体还包括:多个降温系统;其中一个所述降温系统位于所述载台与所述坩埚加热装置之间,其中一个所述降温系统位于所述载台远离所述坩埚加热装置的一侧;其中一个所述降温系统位于所述子腔体的内壁上。
进一步地,所述降温系统为冷却循环水系统。
进一步地,在所述母腔体抽真空管路与所述母腔体的连接处上以及所述子腔体抽真空管路与所述子腔体连接处上分别设置有滤网,所述滤网用于防止杂物进入所述母腔体和所述子腔体内部。
进一步地,所述子腔体还包括:机械臂;所述机械臂一端与所述载台连接,另一端与所述子腔体底部连接,所述机械臂用于移动所述载台。
进一步地,所述密封门为DV门。
进一步地,还包括:低温泵,所述低温泵分别置于所述母腔体和所述子腔体内,且所述低温泵分别与所述母腔体抽真空管路、子腔体抽真空管路连接。
进一步地,还包括:主百叶窗;所述主百叶窗位于所述母腔体内,且设置于所述子腔体上方,所述主百叶窗的开口朝所述子腔体的方向设置。
进一步地,还包括:掩膜板;所述掩膜板窗位于所述母腔体内,且置于所述主百叶窗上方。
区别于现有技术,上述技术方案通过所述母腔体、子腔体的设置,可分别控制所述母腔体、子腔体内的真空环境,可在需要时单独控制所述母腔体或子腔体破真空,再通过分别连接的真空泵进行抽真空。所述密封门根据需要进行开关,使所述母腔体、子腔体处于相互独立或联通的状态。本发明在于能减少两腔体抽高真空所用时间、减少开腔导致的腔内水氧含量提高器件寿命,且可减少PM时长及异常或破片处理时间,减少宕机时间。其中所述子腔体空间较小,抽高真空速率更快,频繁开腔的操作如坩埚加料、晶振片更换等动作均可在所述子腔体内完成,所述母腔体仍可保持高真空从而减少腔内水气,当所述母腔发生异常(如:主百叶窗异物卡顿或破片等问题)时,所述子腔体无需降温(节约降温时间),母腔体可单独破真空并开腔处理,减少宕机时间。以此提高蒸镀质量,同时提高蒸镀机产能。
附图说明
图1为一种真空腔体结构的结构图。
附图标记说明:
1、母腔体;2、掩膜板;3、密封门;4、子腔体;5、压力传感器;6、坩埚;7、坩埚加热装置;8、载台;9、降温系统;10、子腔体抽真空管路;11、滤网;12、机械臂;13、母腔体抽真空管路;14、主百叶窗;15、可视门。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1,本实施例提供了一种真空腔体结构,其特征在于,包括:母腔体1、子腔体4;所述子腔体4位于所述母腔体1内一侧,并置于所述母腔体1的侧壁上;所述母腔体1包括:主百叶窗14、母腔体抽真空管路13、掩膜板2;在某些实施例中,主百叶窗14和掩膜板2可以被省略。所述主百叶窗14位于所述母腔体1内,且设置于所述子腔体4上方,所述主百叶窗14的开口朝所述子腔体4的方向设置;所述掩膜板2窗位于所述母腔体1内,且置于所述主百叶窗14上方,所述母腔体抽真空管路13与所述母腔体1连接;所述子腔体4包括:密封门3、可视门15、载台8、坩埚加热装置7、子腔体抽真空管路10;所述载台8置于所述子腔体4内,且所述坩埚加热装置7于所述载台8上方,用于加热坩埚6;所述子腔体抽真空管路10与所述子腔体4连接;所述可视门15活动设置于所述子腔体4与所述母腔体1共用的腔壁上;所述子腔体4顶部上还设置有导轨,所述密封门3活动设置于所导轨上。需要说明的是,所述坩埚加热装置7可以为电热丝升温装置,即,电热丝螺旋绕设在所述坩埚6的侧壁上,且与坩埚6设有间距;当然,所述坩埚加热装置7还可以为石墨烯坩埚加热装置7等。所述可视门15位于所述子腔体4与所述母腔体1公用的腔壁上;即,所述可视门15打开后,所述子腔体4与外界是连通的。操作员可以通过所述可视门15向所述子腔体4内添加蒸镀材料或者维修所述子腔体4内的设备;所述可视门15处于闭合状态时,也可以通过可视门15查看所述子腔体4内部情况;所述可视门15采用透明材质制作。所述密封门3用于控制所述子腔体4与所述母腔体1间独立、连通状态;即,需要单独开启某个腔体时,关闭所述密封门3即可;在本实施中,所述子腔体4顶部上还设置有导轨,所述密封门3滑动设置于导轨上;当然,所述密封门3可以通过转轴,可转动的设置于所述子腔体4的顶部。在某些实施例中,所述密封门3为DV门,且采用双向密封圈,防止单方向气压过大损坏DV门;通过腔壁及DV门使所述子腔体4达到密封环境,且在子腔体4安装真空管路用于低温泵抽真空,在整体腔室进行抽或破真空动作时,子腔体4DV门打开,母腔体1与子腔体4互通,抽真空或破真空速率更快并降低压差,只需子腔体4单独作业时,DV门关闭,子腔体4单独抽、破真空,母腔体1单独作业时与之同理。所述主百叶窗14的开口位于所述子腔体4的上方或者所述开口方向朝所述子腔体4设置,即,当所述密封门3打开后,蒸镀材料可以通过所述主百叶窗14的开口至待蒸镀板上。上述技术方案通过所述母腔体1、子腔体4的设置,可分别控制所述母腔体1、子腔体4内的真空环境,可在需要时单独控制所述母腔体1或子腔体4破真空,再通过分别连接的真空泵进行抽真空。所述密封门3根据需要进行开关,使所述母腔体1、子腔体4处于相互独立或联通的状态;所述子腔室顶部的所述密封门3必须要在所述子腔室与所述母腔室压差相近时(例如:同为高真空或大气状态下)才能动作,防止感应器及低温泵损坏。在本实施例中所述子腔体4还包括:压力传感器5,所述压力传感器5设置于所述载台8上,且位于所述坩埚加热装置7一侧。本发明在于能减少两腔体抽高真空所用时间、减少开腔导致的腔内水氧含量提高器件寿命,且可减少PM时长及异常或破片处理时间,减少宕机时间。其中所述子腔体4空间较小,抽高真空速率更快,频繁开腔的操作如坩埚6加料、晶振片更换等动作均可在所述子腔体4内完成,所述母腔体1仍可保持高真空从而减少腔内水气,当所述母腔发生异常(如:主百叶窗14异物卡顿或破片等问题)时,所述子腔体4无需降温(节约降温时间),母腔体1可单独破真空并开腔处理,减少宕机时间。以此提高蒸镀质量,同时提高蒸镀机产能。
请参阅图1,在本实施例中所述子腔体4还包括:多个降温系统9;其中一个所述降温系统9位于所述载台8与所述坩埚加热装置7之间,其中一个所述降温系统9位于所述载台8远离所述坩埚加热装置7的一侧;其中一个所述降温系统9位于所述子腔体4的内壁上。需要说明的是,在加热坩埚6的时候,位于所述子腔体4内壁上、所述载台8远离所述坩埚加热装置7一侧的所述降温系统9开启,位于所述载台8与所述坩埚加热装置7之间的所述降温系统9关闭,开启的两个所述降温系统9将热源控制在坩埚加热装置7附近,防止所述子腔体4过热损坏线路,制程过程中如发生主百叶窗14卡顿或破片等异常时,无需降温,再闭合所述密封门3后,所述母腔体1可直接破真空,子腔体4壁温度可控制在40℃以下,不会发生烫伤事故。在坩埚6降温过程中,载台8上方的所述降温系统9可加快坩埚6底部降温使坩埚6喷口温度高于底部达到预防塞孔的效果。在本实施例中,所述降温系统9为冷却循环水系统。载台8上、下均有所述降温系统9起到保护所述子腔体4内线路及高温控制在坩埚6附近防止烫伤发生,在所述子腔体4壁上也设置有所述降温系统9,二次防范使高温不扩散,防止烫伤发生。根据权利要求1所述一种真空腔体结构,其特征在于,所述子腔体4还包括:机械臂12;所述机械臂12一端与所述载台8连接,另一端与所述子腔体4底部连接,所述机械臂12用于移动所述载台8。具体的,所述机械臂12可承载所述载台8进行移动使所述载台8、坩埚6、坩埚加热装置7等移动至腔体边缘或外侧,方便人员操作、人员不用进入腔体防止安全事故亦可减少腔内污染,此机械臂12也可改装为扫描装置用于线源坩埚6成膜。在所述母腔体抽真空管路13与所述母腔体1的连接处上以及所述子腔体抽真空管路10与所述子腔体4连接处上分别设置有滤网11,所述滤网11用于防止杂物进入所述母腔体1和所述子腔体4内部。
通过本申请,可以减少腔体整体开腔次数从而达到降低腔内水氧,提高器件性能的目的,并可以减少异常处理及PM时间,达到减少宕机时间从而提升产能的目的,子腔体4内线性运动的机械手臂可以使操作人员减少进入腔体次数,从而达到防止安全隐患及保护腔内环境的目的。
在某些实施例中,还包括:低温泵,所述低温泵分别置于所述母腔体1和所述子腔体4内,且所述低温泵分别与所述母腔体抽真空管路13、子腔体抽真空管路10连接。在本实施例中,低温泵与母腔体抽真空管路13、子腔体抽真空管路10通过管路连接,同时所述低温泵用于抽真空。当然,在某些实施例中,也可采用普通的真空泵,普通的真空泵设置于所述母腔体1和所述子腔体4外,且分别通过母腔体抽真空管路13、子腔体抽真空管路10与母腔体1、子腔体4管路连接;同时两个普通的真空泵也是可以单独启动,分别为母腔体1、子腔体4抽真空的。
需要说明的是,尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述,但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此,基于本发明的创新理念,对本文所述实施例进行的变更和修改,或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域,均包括在本发明专利的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种真空腔体结构,其特征在于,包括:母腔体和子腔体;所述子腔体位于所述母腔体内一侧,并置于所述母腔体的侧壁上;
所述母腔体包括:母腔体抽真空管路;所述母腔体抽真空管路与所述母腔体连接;
所述子腔体包括:密封门、可视门、载台、坩埚加热装置和子腔体抽真空管路;所述载台置于所述子腔体内,且所述坩埚加热装置于所述载台上方,用于加热坩埚;所述子腔体抽真空管路与所述子腔体连接;所述可视门活动设置于所述子腔体与所述母腔体共用的腔壁上;所述密封门活动设置于所述子腔体顶部。
2.根据权利要求1所述一种真空腔体结构,其特征在于,所述子腔体还包括:压力传感器,所述压力传感器设置于所述载台上,且位于所述坩埚加热装置一侧。
3.根据权利要求1所述一种真空腔体结构,其特征在于,所述子腔体还包括:多个降温系统;其中一个所述降温系统位于所述载台与所述坩埚加热装置之间,其中一个所述降温系统位于所述载台远离所述坩埚加热装置的一侧;其中一个所述降温系统位于所述子腔体的内壁上。
4.根据权利要求3所述一种真空腔体结构,其特征在于,所述降温系统为冷却循环水系统。
5.根据权利要求1所述一种真空腔体结构,其特征在于,在所述母腔体抽真空管路与所述母腔体的连接处上以及所述子腔体抽真空管路与所述子腔体连接处上分别设置有滤网,所述滤网用于防止杂物进入所述母腔体和所述子腔体内部。
6.根据权利要求1所述一种真空腔体结构,其特征在于,所述子腔体还包括:机械臂;所述机械臂一端与所述载台连接,另一端与所述子腔体底部连接,所述机械臂用于移动所述载台。
7.根据权利要求1所述一种真空腔体结构,其特征在于,所述密封门为DV门。
8.根据权利要求1所述一种真空腔体结构,其特征在于,还包括:低温泵,所述低温泵分别置于所述母腔体和所述子腔体内,且所述低温泵分别与所述母腔体抽真空管路、子腔体抽真空管路连接。
9.根据权利要求1所述一种真空腔体结构,其特征在于,还包括:主百叶窗;所述主百叶窗位于所述母腔体内,且设置于所述子腔体上方,所述主百叶窗的开口朝所述子腔体的方向设置。
10.根据权利要求9所述一种真空腔体结构,其特征在于,还包括:掩膜板;所述掩膜板窗位于所述母腔体内,且置于所述主百叶窗上方。
CN202010771338.2A 2020-08-04 2020-08-04 一种真空腔体结构 Pending CN112030111A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010771338.2A CN112030111A (zh) 2020-08-04 2020-08-04 一种真空腔体结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010771338.2A CN112030111A (zh) 2020-08-04 2020-08-04 一种真空腔体结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112030111A true CN112030111A (zh) 2020-12-04

Family

ID=73582290

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010771338.2A Pending CN112030111A (zh) 2020-08-04 2020-08-04 一种真空腔体结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112030111A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090035185A (ko) * 2007-10-05 2009-04-09 한국원자력연구원 다층기판홀더를 이용한 양산형 박막증착장치
CN104789930A (zh) * 2015-04-24 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备及采用该蒸镀设备的操作方法
CN109487216A (zh) * 2018-12-29 2019-03-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 线源装置和oled蒸镀机
CN209039572U (zh) * 2018-10-23 2019-06-28 陕西坤同半导体科技有限公司 蒸镀设备
CN212476865U (zh) * 2020-08-04 2021-02-05 福建华佳彩有限公司 一种真空腔体结构

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090035185A (ko) * 2007-10-05 2009-04-09 한국원자력연구원 다층기판홀더를 이용한 양산형 박막증착장치
CN104789930A (zh) * 2015-04-24 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备及采用该蒸镀设备的操作方法
CN209039572U (zh) * 2018-10-23 2019-06-28 陕西坤同半导体科技有限公司 蒸镀设备
CN109487216A (zh) * 2018-12-29 2019-03-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 线源装置和oled蒸镀机
CN212476865U (zh) * 2020-08-04 2021-02-05 福建华佳彩有限公司 一种真空腔体结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN212476865U (zh) 一种真空腔体结构
JP4824700B2 (ja) 真空装置用仕切りバルブ
CH698528B1 (de) Schiebereinrichtung eines Vakuumprozesssystems.
CN104514891B (zh) 闸阀和基板处理装置
US20160293383A1 (en) Sputtering device and method for replacing film roll in sputtering device
KR20120107012A (ko) 박막 형성 장치 시스템 및 박막 형성 방법
CN110416136B (zh) 真空系统、基板输送系统、电子设备的制造装置以及电子设备的制造方法
CN112030111A (zh) 一种真空腔体结构
JP4210788B2 (ja) 加工装置の扉開閉装置
KR101299843B1 (ko) 처리 장치 및 그 메인테넌스 방법
KR20100061214A (ko) 진공차단 슬롯밸브 및 이를 구비한 진공차단 도어
CN112159967A (zh) 一种用于红外金属膜的离子束沉积设备及薄膜沉积方法
JP2015037779A (ja) 鋼板通板装置
JP5983406B2 (ja) フロート板ガラスの製造装置およびフロート板ガラスの製造方法
KR200491734Y1 (ko) 정밀 생산용 환경 유지 시스템 및 방법
JP6208871B2 (ja) 金属マグネシウムの予備処理装置と方法
CN102034725B (zh) 基片自动对位上载装置
KR20170122563A (ko) 유기재료 연속 정제 장치
CN210560700U (zh) 一种可自动检测气密性的光学真空镀膜机
KR20090106178A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2018152898A1 (zh) Oled封装手套箱
CN112413151A (zh) 阀装置以及成膜装置
KR101263336B1 (ko) 스퍼터 장치
JP2533459Y2 (ja) 基板表面処理室の基板搬入口/搬出口遮断装置
CN111617702A (zh) 氧化物粉末制造装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination