CN112030108B - 一种有机-金属纳米复合薄膜及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机‑金属纳米复合薄膜及其制备方法和应用，属于复合材料技术领域。有机‑金属纳米复合薄膜由基底层和氟碳‑钛复合薄膜层组成。制备方法为：打磨聚四氟乙烯靶材和钛靶材，清洗；然后进行预溅射；利用共溅射在基底层表面沉积氟碳‑钛复合薄膜；然后进行高温退火，即可。本发明的有机‑金属纳米复合薄膜的制备方法，通过采用射频‑直流共溅射，改变薄膜沉积状态的变化以调控纳米级表面形貌、化学组分含量；通过调整高温退火工艺以调控薄膜结晶度，使制得的复合薄膜表现出不同的浸润性能和二次电子发射特性，且具有纯度高、沉积面积大、物相结构高度可控等优点，从而使其应用广泛，具有显著的推广实用价值。

Description

一种有机-金属纳米复合薄膜及其制备方法和应用
技术领域
本发明属于复合材料技术领域，具体涉及一种有机-金属纳米复合薄膜及其制备方法和应用。
背景技术
复合薄膜由两种或两种以上基本成分混合而成，是材料科学领域的研究热点。有机-金属复合薄膜由于各组分之间的协同作用，展现出独特的理化性能，目前已被广泛应用于电力电子、光电传感、生物医学和能源利用等领域。该类型的复合薄膜兼具金属薄膜的透光性、导电性、机械稳定性和有机薄膜的柔韧性、耐腐蚀性、易加工性，因此具有重要的研究价值和广阔的应用前景。随着时代的发展和科技的进步，复合薄膜的组分调控已从微米量级向纳米尺度深入，这对薄膜形成过程的理论分析提出了更高的要求，为复合薄膜的性能设计带来了更大的挑战。
氟碳薄膜展现出优异的电学和力学性能，同时具有高化学稳定性和低表面能的特点。基于其优异的自润滑和紫外吸收能力，氟碳薄膜也是固体润滑材料、抗反射膜和防辐射保护膜的主要成分。薄膜的性能由其内部的原子含量和键合方式决定，因此选择合理的制备技术并调控工艺条件是获得具有优异性能薄膜的关键，常用的制备技术包括等离子体增强化学气相沉积、介质阻挡放电和脉冲激光沉积等，但这些制备技术会带来一系列问题，比如杂质粒子污染、薄膜制备面积小、组分可控性低、反应物成本高甚至对环境有害等。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种有机-金属纳米复合薄膜及其制备方法和应用。
为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：
1、一种有机-金属纳米复合薄膜，由基底层和有机-金属纳米复合薄膜层组成；所述基底层为金属片、有机或无机薄膜，所述有机-金属纳米复合薄膜层为氟碳-钛复合薄膜。
优选的，所述金属片为铜片或铝片，所述有机薄膜为聚四氟乙烯或聚酰亚胺，所述无机薄膜为单晶硅片或载玻片。
2、上述有机-金属纳米复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)打磨含氟碳和含钛的靶材，并清洗；
2)在真空条件下，对含氟碳的靶材和含钛的靶材进行预溅射；
3)利用射频-直流共溅射在基底层表面沉积氟碳-钛复合薄膜；
4)在真空条件下，将沉积有复合薄膜的基底层进行高温退火，即可。
优选的，所述制备方法，包括以下步骤：
1)用砂纸打磨含氟碳和含钛的靶材，并用无纺布擦拭干净；
2)将抛光的基底层、含氟碳靶材和含钛的靶材装入磁控溅射镀膜室中，通过机械泵和分子泵抽至本底真空度，对含氟碳靶材和含钛的靶材进行预溅射；
3)利用射频-直流共溅射在基底层表面沉积氟碳-钛复合薄膜；
4)将沉积有复合薄膜的基底层从镀膜室中取出，置于真空烧结炉中高温退火，即可。
优选的，所述步骤1)中，打磨靶材的砂纸目数为60#、600#和1500#，用无水乙醇充分浸润无纺布，再将打磨后的靶材擦拭干净。
优选的，所述步骤1)中，含氟碳的靶材为聚四氟乙烯或聚偏氟乙烯，含钛的靶材为钛或碳化钛。
优选的，所述步骤2)中，镀膜室的本底真空度为1～5×10-4Pa。
更优选的，所述步骤2)中，镀膜室的本底真空度为3×10-4Pa。
优选的，所述步骤2)中，预溅射的条件为：镀膜室气压0.1～1Pa，基底温度20～200℃，靶-基距10～150mm，直流功率50～500W，射频功率50～500W，预溅射时间10～100min。
更优选的，所述步骤2)中，预溅射的条件为：镀膜室气压0.5Pa，基底温度30℃，靶-基距50mm，直流功率100W，射频功率200W，预溅射时间30min。
优选的，所述步骤3)中，通过调节氩气流速使镀膜室气压为0.1～1.0Pa，然后开启直流和射频电源，使含氟碳的靶材和含钛的靶材先后起辉，将直流功率调至50～500W，射频功率为50-500W，基底温度为20-200℃，同时开启两个靶挡板，保持基底层转速为50～200rpm，溅射时间为10～100min。
更优选的，所述步骤3)中，通过调节氩气流速使镀膜室气压为1.0Pa，然后开启直流和射频电源，使含氟碳的靶材和含钛的靶材先后起辉，将直流功率调至100W，射频功率为50-300W，基底温度为25-200℃，同时开启两个靶挡板，保持基底层转速为150rpm，溅射时间为100min。
优选的，所述步骤4)中，烧结炉中的真空度为2～5×10-2Pa，退火温度为400-600℃，退火时间为3-5h。共溅射形成的复合薄膜为无定形态，颗粒的非规则排布使薄膜中存在裂纹和缺陷，真空退火可以实现颗粒在洁净条件下的聚合重组，实现一定程度上的定向排布，提高薄膜结晶度。也即真空退火可以提高复合薄膜的结晶度。
3、上述有机-金属纳米复合薄膜作为亲/疏水膜，抗反射膜，强紫外吸收膜，以及耐磨和低二次电子发射系数材料的应用。
本发明的有益效果在于：
1)本发明的有机-金属纳米复合薄膜，具有纯度高、沉积面积大、物相结构高度可控等优点，从而使其应用广泛，具有推广实用价值；
2)本发明的有机-金属纳米复合薄膜的制备方法，通过采用射频-直流共溅射，改变薄膜沉积状态的变化以调控纳米级表面形貌、化学组分含量；通过调整高温退火工艺以调控薄膜结晶度，从而使制得的有机-金属纳米复合薄膜表现出不同的浸润性能和二次电子发射特性，且制备过程中，未使用有毒原料，对环境和人体不会造成伤害，体现了安全环保的优点；
3)本发明的有机-金属纳米复合薄膜作为亲/疏水膜，抗反射膜，强紫外吸收膜，以及耐磨和低二次电子发射系数材料，可广泛应用于传感器、微通道背板、光电倍增管、粒子加速器、扫描电子显微镜、输配电架空线路、空间大功率微波部件等建筑、电力和航空航天等领域。
附图说明
为了使本发明的目的、技术方案和有益效果更加清楚，本发明提供如下附图进行说明：
图1为本发明的有机-金属纳米复合薄膜的水滴接触角随射频/直流溅射功率比的变化规律图；
图2为本发明实施例1制得的有机-金属纳米复合薄膜的原子力显微镜图；
图3为本发明实施例4制得的有机-金属纳米复合薄膜的原子力显微镜图；
图4为本发明实施例4制得的有机-金属纳米复合薄膜的X射线光电子能谱图；
图5为本发明的有机-金属纳米复合薄膜的水滴接触角随退火条件变化规律图；
图4中的Binding energy(eV)表示结合能；Intensity(CPS)表示相对强度。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
实施例1
本实施例的有机-金属纳米复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)采用60#、600#和1500#目数的砂纸依次打磨聚四氟乙烯靶和钛靶，然后经充分浸润无水乙醇的无纺布擦拭干净；
2)将抛光单晶硅片和清洗后的靶材装入磁控溅射镀膜室中，通过机械泵和分子泵将镀膜室抽至3×10-4Pa，保持靶挡板关闭，调节氩气流速使真空度为0.5Pa，在基底温度30℃，靶-基距50mm，直流功率100W，射频功率200W的条件下预溅射30min；
3)调节氩气流速使镀膜室气压升至1.0Pa，开启直流和射频电源，使聚四氟乙烯靶和钛靶起辉，将直流功率调至100W，射频功率为50W，基底温度为25℃，同时开启两个靶挡板，保持单晶硅片基底转速为150rpm，获得共溅射100min的氟碳-钛复合薄膜；
4)将沉积有复合薄膜的单晶硅片从镀膜室中取出，保持烧结炉中的真空度为3×10-2Pa，在500℃的温度下退火3h，即得有机-金属纳米复合薄膜。
实施例2
本实施例的有机-金属纳米复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)采用60#、600#和1500#目数的砂纸依次打磨聚四氟乙烯靶和钛靶，后经充分浸润无水乙醇的无纺布擦拭干净；
2)将抛光单晶硅片和清洗后的靶材装入磁控溅射镀膜室中，通过机械泵和分子泵将镀膜室抽至3×10-4Pa，保持靶挡板关闭，调节氩气流速使真空度为0.5Pa，在基底温度30℃，靶-基距50mm，直流功率100W，射频功率200W的条件下预溅射30min；
3)调节氩气流速使真空度升至1.0Pa，开启直流和射频电源，使聚四氟乙烯靶和钛靶起辉，将直流功率调至100W，射频功率为100W，基底温度为25℃，同时开启两个靶挡板，保持单晶硅片基底转速为150rpm，获得共溅射100min的氟碳-钛复合薄膜；
4)将沉积有复合薄膜的硅片从镀膜室中取出，保持烧结炉中的真空度为3×10- 2Pa，在500℃的温度下退火3h，即得有机-金属纳米复合薄膜。
实施例3
本实施例的有机-金属纳米复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)采用60#、600#和1500#目数的砂纸依次打磨聚四氟乙烯靶和钛靶，后经充分浸润无水乙醇的无纺布擦拭干净；
2)将抛光单晶硅片和清洗后的靶材装入磁控溅射镀膜室中，通过机械泵和分子泵将镀膜室抽至3×10-4Pa，保持靶挡板关闭，调节氩气流速使真空度为0.5Pa，在基底温度30℃，靶-基距50mm，直流功率100W，射频功率200W的条件下预溅射30min；
3)调节氩气流速使真空度升至1.0Pa，开启直流和射频电源，使聚四氟乙烯靶和钛靶起辉，将直流功率调至100W，射频功率为150W，基底温度为25℃，同时开启两个靶挡板，保持单晶硅片基底转速为150rpm，获得共溅射100min的氟碳-钛复合薄膜；
4)将沉积有复合薄膜的硅片从镀膜室中取出，保持烧结炉中的真空度为3×10- 2Pa，在500℃的温度下退火3h，即得有机-金属纳米复合薄膜。
实施例4
本实施例的有机-金属纳米复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)采用60#、600#和1500#目数的砂纸依次打磨聚四氟乙烯靶和钛靶，后经充分浸润无水乙醇的无纺布擦拭干净；
2)将抛光单晶硅片和清洗后的靶材装入磁控溅射镀膜室中，通过机械泵和分子泵将镀膜室抽至3×10-4Pa，保持靶挡板关闭，调节氩气流速使真空度为0.5Pa，在基底温度30℃，靶-基距50mm，直流功率100W，射频功率200W的条件下预溅射30min；
3)调节氩气流速使真空度升至1.0Pa，开启直流和射频电源，使聚四氟乙烯靶和钛靶起辉，将直流功率调至100W，射频功率为200W，基底温度为25℃，同时开启两个靶挡板，保持单晶硅片基底转速为150rpm，获得共溅射100min的氟碳-钛复合薄膜；
4)将沉积有复合薄膜的硅片从镀膜室中取出，保持烧结炉中的真空度为3×10- 2Pa，在500℃的温度下退火3h，即得有机-金属纳米复合薄膜。
实施例5
本实施例的有机-金属纳米复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)采用60#、600#和1500#目数的砂纸依次打磨聚四氟乙烯靶和钛靶，后经充分浸润无水乙醇的无纺布擦拭干净；
2)将抛光单晶硅片和清洗后的靶材装入磁控溅射镀膜室中，通过机械泵和分子泵将镀膜室抽至3×10-4Pa，保持靶挡板关闭，调节氩气流速使真空度为0.5Pa，在基底温度30℃，靶-基距50mm，直流功率100W，射频功率200W的条件下预溅射30min；
3)调节氩气流速使真空度升至1.0Pa，开启直流和射频电源，使聚四氟乙烯靶和钛靶起辉，将直流功率调至100W，射频功率为250W，基底温度为25℃，同时开启两个靶挡板，保持铝基底转速为150rpm，获得共溅射100min的氟碳-钛复合薄膜；
4)将沉积有复合薄膜的硅片从镀膜室中取出，保持烧结炉中的真空度为3×10- 2Pa，在500℃的温度下退火3h，即得有机-金属纳米复合薄膜。
实施例6
本实施例的有机-金属纳米复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)采用60#、600#和1500#目数的砂纸依次打磨聚四氟乙烯靶和钛靶，后经充分浸润无水乙醇的无纺布擦拭干净；
2)将抛光单晶硅片和清洗后的靶材装入磁控溅射镀膜室中，通过机械泵和分子泵将镀膜室抽至3×10-4Pa，保持靶挡板关闭，调节氩气流速使真空度为0.5Pa，在基底温度30℃，靶-基距50mm，直流功率100W，射频功率200W的条件下预溅射30min；
3)调节氩气流速使真空度升至1.0Pa，开启直流和射频电源，使聚四氟乙烯靶和钛靶起辉，将直流功率调至100W，射频功率为300W，基底温度为25℃，同时开启两个靶挡板，保持铝基底转速为150rpm，获得共溅射100min的氟碳-钛复合薄膜；
4)将沉积有复合薄膜的硅片从镀膜室中取出，保持烧结炉中的真空度为3×10- 2Pa，在500℃的温度下退火3h，即得有机-金属纳米复合薄膜。
将实施例1至实施例6制得的有机-金属纳米复合薄膜，在27℃、相对湿度60％的环境条件下，分别取20μL的水滴滴在薄膜的表面，随机选取5个不同位置作为测试点，以计算的平均值作为待测表面的水滴接触角，结果如图1所示。
图1中的Water contact angles(°)表示水滴接触角的度数。从图1中分析可知，本发明的有机-金属纳米复合薄膜表面的水滴接触角，随射频/直流溅射功率比的变化呈现不规则的变化。其中，当射频/直流溅射功率比为0.5(即实施例1)、1.0(即实施例2)、2.5(即实施例5)和3.0(即实施例6)时，制得的有机-金属纳米复合薄膜呈亲水性；当射频/直流溅射功率比为1.5(即实施例3)和2.0(即实施例4)时，制得的有机-金属纳米复合薄膜呈疏水性。从而证明了本发明的有机-金属纳米复合薄膜，通过调整射频/直流溅射功率比，即可得到亲/疏水性不同的有机-金属纳米薄膜，使其用于不同领域。
将实施例1制得的呈亲水性的有机-金属纳米复合薄膜和实施例4制得的呈疏水性的有机-金属纳米复合薄膜进行原子力显微镜检测分析，结果如图2和图3所示。
从图2和图3中对比分析可知，本发明的有机-金属纳米复合薄膜表面原子力显微镜图，随着射频/直流溅射功率的改变，其三维表面形貌也会发生相应变化。图2中，当射频/直流溅射功率比为0.5(即实施例1)时，制得的有机-金属纳米复合薄膜表面较为平整，表面均方根粗糙度和峰谷值分别为1.262nm和13.5nm。图3中，当射频/直流溅射功率比为2(即实施例4)时，制得的有机-金属纳米复合薄膜表面呈现明显的岛状凸起，粗糙度和峰谷值达到75.781nm和414nm。从而证明了本发明的有机-金属纳米复合薄膜，通过调整射频/直流溅射功率比，即可得到三维表面形貌不同的有机-金属纳米薄膜。
将实施例4制得制得的呈疏水性的有机-金属纳米复合薄膜进行X射线光电子能谱检查分析，结果如图4所示。
从图4中分析可知，实施例4制得的有机-金属纳米复合薄膜的X射线光电子能谱图，即当射频/直流溅射功率比为2时，制得的有机-金属纳米复合薄膜中含有F-C和F-Ti两种含氟组分，从而证明了在射频和直流共溅射的条件下，本发明制备的复合薄膜中有机和金属组分除各种类原子的物理堆积外，还存在明显的键合关系，复合薄膜呈现聚合重组的特点。
实施例7
本实施例的有机-金属纳米复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)采用60#、600#和1500#目数的砂纸依次打磨聚四氟乙烯靶和钛靶，后经充分浸润无水乙醇的无纺布擦拭干净；
2)将抛光单晶硅片和清洗后的靶材装入磁控溅射镀膜室中，通过机械泵和分子泵将镀膜室抽至3×10-4Pa，保持靶挡板关闭，调节氩气流速使真空度为0.5Pa，在基底温度30℃，靶-基距50mm，直流功率100W，射频功率200W的条件下预溅射30min；
3)调节氩气流速使真空度升至1.0Pa，开启直流和射频电源，使聚四氟乙烯靶和钛靶起辉，将直流功率调至100W，射频功率为50W，基底温度为50℃，同时开启两个靶挡板，保持单晶硅片基底转速为150rpm，获得共溅射100min的氟碳-钛复合薄膜；
4)将沉积有复合薄膜的硅片从镀膜室中取出，保持烧结炉中的真空度为3×10- 2Pa，在400℃的温度下退火4h，即得有机-金属纳米复合薄膜。
实施例8
本实施例的有机-金属纳米复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)采用60#、600#和1500#目数的砂纸依次打磨聚四氟乙烯靶和钛靶，后经充分浸润无水乙醇的无纺布擦拭干净；
2)将抛光单晶硅片和清洗后的靶材装入磁控溅射镀膜室中，通过机械泵和分子泵将镀膜室抽至3×10-4Pa，保持靶挡板关闭，调节氩气流速使真空度为0.5Pa，在基底温度30℃，靶-基距50mm，直流功率100W，射频功率200W的条件下预溅射30min；
3)调节氩气流速使真空度升至1.0Pa，开启直流和射频电源，使聚四氟乙烯靶和钛靶起辉，将直流功率调至100W，射频功率为50W，基底温度为75℃，同时开启两个靶挡板，保持单晶硅片基底转速为150rpm，获得共溅射100min的氟碳-钛复合薄膜；
4)将沉积有复合薄膜的硅片从镀膜室中取出，保持烧结炉中的真空度为3×10- 2Pa，在450℃的温度下退火4h，即得有机-金属纳米复合薄膜。
实施例9
本实施例的有机-金属纳米复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)采用60#、600#和1500#目数的砂纸依次打磨聚四氟乙烯靶和钛靶，后经充分浸润无水乙醇的无纺布擦拭干净；
2)将抛光单晶硅片和清洗后的靶材装入磁控溅射镀膜室中，通过机械泵和分子泵将镀膜室抽至3×10-4Pa，保持靶挡板关闭，调节氩气流速使真空度为0.5Pa，在基底温度30℃，靶-基距50mm，直流功率100W，射频功率200W的条件下预溅射30min；
3)调节氩气流速使真空度升至1.0Pa，开启直流和射频电源，使聚四氟乙烯靶和钛靶起辉，将直流功率调至100W，射频功率为50W，基底温度为100℃，同时开启两个靶挡板，保持单晶硅片基底转速为150rpm，获得共溅射100min的氟碳-钛复合薄膜；
4)将沉积有复合薄膜的硅片从镀膜室中取出，保持烧结炉中的真空度为3×10- 2Pa，在500℃的温度下退火4h，即得有机-金属纳米复合薄膜。
实施例10
本实施例的有机-金属纳米复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)采用60#、600#和1500#目数的砂纸依次打磨聚四氟乙烯靶和钛靶，后经充分浸润无水乙醇的无纺布擦拭干净；
2)将抛光单晶硅片和清洗后的靶材装入磁控溅射镀膜室中，通过机械泵和分子泵将镀膜室抽至3×10-4Pa，保持靶挡板关闭，调节氩气流速使真空度为0.5Pa，在基底温度30℃，靶-基距50mm，直流功率100W，射频功率200W的条件下预溅射30min；
3)调节氩气流速使真空度升至1.0Pa，开启直流和射频电源，使聚四氟乙烯靶和钛靶起辉，将直流功率调至100W，射频功率为50W，基底温度为150℃，同时开启两个靶挡板，保持单晶硅片基底转速为150rpm，获得共溅射100min的氟碳-钛复合薄膜；
4)将沉积有复合薄膜的硅片从镀膜室中取出，保持烧结炉中的真空度为3×10- 2Pa，在550℃的温度下退火4h，即得有机-金属纳米复合薄膜。
实施例11
本实施例的有机-金属纳米复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)采用60#、600#和1500#目数的砂纸依次打磨聚四氟乙烯靶和钛靶，后经充分浸润无水乙醇的无纺布擦拭干净；
2)将抛光单晶硅片和清洗后的靶材装入磁控溅射镀膜室中，通过机械泵和分子泵将镀膜室抽至3×10-4Pa，保持靶挡板关闭，调节氩气流速使真空度为0.5Pa，在基底温度30℃，靶-基距50mm，直流功率100W，射频功率200W的条件下预溅射30min；
3)调节氩气流速使真空度升至1.0Pa，开启直流和射频电源，使聚四氟乙烯靶和钛靶起辉，将直流功率调至100W，射频功率为50W，基底温度为100℃，同时开启两个靶挡板，保持单晶硅片基底转速为150rpm，获得共溅射100min的氟碳-钛复合薄膜；
4)将沉积有复合薄膜的硅片从镀膜室中取出，保持烧结炉中的真空度为3×10- 2Pa，在600℃的温度下退火4h，即得有机-金属纳米复合薄膜。
将实施例7～11制得的有机-金属纳米复合薄膜进行水滴接触角的度数分析，结果如图5所示。
图5中的Water contact angles(°)表示水滴接触角的度数，Annealingtemperature表示真空退火的温度。从图4中分析可知，当退火温度为400℃(即实施例7)时，制得的有机-金属纳米复合薄膜的水滴接触角为最小值(即95°)；当退火温度为600℃(即实施例11)时，制得的有机-金属纳米复合薄膜的水滴接触角为最大值(即125°)，说明本发明的有机-金属纳米复合薄膜均呈疏水性，表面水滴接触角随退火温度升高而增大，从而证明了本发明的有机-金属纳米复合薄膜，通过调整退火温度，即可得到疏水强度不同的有机-金属纳米复合薄膜。
以上所述实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例，本发明的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换，均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围以权利要求书为准。

Claims (3)

1.一种有机-金属纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机-金属纳米复合薄膜由基底层和有机-金属纳米复合薄膜层组成；所述基底层为金属片、有机或无机薄膜，所述有机-金属纳米复合薄膜层为氟碳-钛复合薄膜；所述金属片为铜片或铝片，所述有机薄膜为聚四氟乙烯或聚酰亚胺，所述无机薄膜为单晶硅片或载玻片；
所述有机-金属纳米复合薄膜的制备方法包括以下步骤：
1）用目数为60#、600#和1500#的砂纸依次打磨含氟碳和含钛的靶材，并用无水乙醇充分浸润的无纺布擦拭干净；所述含氟碳的靶材为聚四氟乙烯或聚偏氟乙烯，含钛的靶材为钛或碳化钛；
2）将抛光的基底层、含氟碳的靶材和含钛的靶材装入磁控溅射镀膜室中，通过机械泵和分子泵抽至本底真空度，对含氟碳的靶材和含钛的靶材进行预溅射；预溅射的条件为：镀膜室气压0.5 Pa，基底温度30℃，靶-基距50 mm，直流功率100 W，射频功率200 W，预溅射时间30 min；
3）利用射频-直流共溅射在基底层表面沉积氟碳-钛复合薄膜：通过调节氩气流速使镀膜室气压为1.0 Pa，然后开启直流和射频电源，使含氟碳的靶材和含钛的靶材先后起辉，将直流功率调至100 W，射频功率为50-300 W，基底温度为25-200℃，同时开启两个靶挡板，保持基底层转速为150 rpm，溅射时间为100 min；
4）将沉积有复合薄膜的基底层从镀膜室中取出，置于真空烧结炉中高温退火，即可；所述烧结炉中的真空度为2~5×10-2 Pa，退火温度为400-600℃，退火时间为3-5 h。
2.采用权利要求1所述方法制得的有机-金属纳米复合薄膜。
3.权利要求2所述有机-金属纳米复合薄膜作为亲/疏水膜，抗反射膜，强紫外吸收膜，以及耐磨和低二次电子发射系数材料的应用。
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