CN112026168B - 增材制造粉末颗粒、处理该增材制造粉末颗粒的方法和增材制造的方法 - Google Patents

增材制造粉末颗粒、处理该增材制造粉末颗粒的方法和增材制造的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112026168B
CN112026168B CN202010483133.4A CN202010483133A CN112026168B CN 112026168 B CN112026168 B CN 112026168B CN 202010483133 A CN202010483133 A CN 202010483133A CN 112026168 B CN112026168 B CN 112026168B
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder particles
additive manufacturing
additive
plasma radiation
additive manufactured
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010483133.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112026168A (zh
Inventor
N·K·辛哈
O·普拉卡什
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Boeing Co
Original Assignee
Boeing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Boeing Co filed Critical Boeing Co
Publication of CN112026168A publication Critical patent/CN112026168A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112026168B publication Critical patent/CN112026168B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C64/00—Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
    • B29C64/10—Processes of additive manufacturing
    • B29C64/141—Processes of additive manufacturing using only solid materials
    • B29C64/153—Processes of additive manufacturing using only solid materials using layers of powder being selectively joined, e.g. by selective laser sintering or melting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
    • B22F1/102—Metallic powder coated with organic material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/14—Treatment of metallic powder
    • B22F1/145—Chemical treatment, e.g. passivation or decarburisation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B13/00—Conditioning or physical treatment of the material to be shaped
    • B29B13/08—Conditioning or physical treatment of the material to be shaped by using wave energy or particle radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C64/00—Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
    • B29C64/30—Auxiliary operations or equipment
    • B29C64/307—Handling of material to be used in additive manufacturing
    • B29C64/314—Preparation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y10/00—Processes of additive manufacturing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y40/00—Auxiliary operations or equipment, e.g. for material handling
    • B33Y40/10—Pre-treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y70/00—Materials specially adapted for additive manufacturing
    • B33Y70/10—Composites of different types of material, e.g. mixtures of ceramics and polymers or mixtures of metals and biomaterials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/10—Formation of a green body
    • B22F10/16—Formation of a green body by embedding the binder within the powder bed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/10—Formation of a green body
    • B22F10/18—Formation of a green body by mixing binder with metal in filament form, e.g. fused filament fabrication [FFF]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/20—Direct sintering or melting
    • B22F10/25—Direct deposition of metal particles, e.g. direct metal deposition [DMD] or laser engineered net shaping [LENS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/20—Direct sintering or melting
    • B22F10/28—Powder bed fusion, e.g. selective laser melting [SLM] or electron beam melting [EBM]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
    • B28B1/00—Producing shaped prefabricated articles from the material
    • B28B1/001—Rapid manufacturing of 3D objects by additive depositing, agglomerating or laminating of material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y40/00—Auxiliary operations or equipment, e.g. for material handling
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y70/00—Materials specially adapted for additive manufacturing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/25—Process efficiency

Abstract

提供了一种用于处理增材制造粉末颗粒的方法。该方法包括使增材制造粉末颗粒暴露于等离子体辐射，其中等离子体辐射在增材制造粉末颗粒的表面上形成官能团，其具有响应于增材制造过程的激光能量的辐射而振动的分子键，和移动增材制造粉末颗粒以使增材制造粉末颗粒暴露于等离子体辐射。

Description

增材制造粉末颗粒、处理该增材制造粉末颗粒的方法和增材 制造的方法
技术领域
示例性实施方式通常涉及增材制造并且更具体地涉及定向能量增材制造及其粉末颗粒。
背景技术
通常，在定向能量增材制造中，粉末颗粒与定向能量源如激光熔合在一起。一种类型的定向能量增材制造是粉末床制造(其中一个实例是选择性激光烧结或“SLS”)，其中粉末颗粒散布在工作台上(或在由沉积在工作台上的前一层粉末颗粒形成的粉末床上)，然后将其用定向能量源熔合在一起，以形成所需的部件/制品(在此称为“结构”)。定向能量增材制造的另一种类型是粉末进料制造，其中粉末颗粒通过沉积头进料，然后通过沉积头的定向能量源熔化成熔池。与诸如熔融长丝制造之类的其他增材制造技术相比，定向能量增材制造相关的成本仍然很高，这是由于进料成本(例如粉末颗粒)和与运行定向能量源所需的能量相关的成本所致。
发明内容
因此，旨在至少解决上述问题的装置和方法将是有用的。
以下是根据本公开的主题的实例的非穷举列表，其可以或可以不被要求保护。
根据本公开的主题的一个实例涉及一种用于增材制造的方法，该方法包括：用等离子体辐射处理增材制造粉末颗粒；并将增材制造粉末颗粒暴露于增材制造过程的激光能量，其中用等离子体辐射处理该增材制造粉末颗粒增加了该增材制造粉末颗粒的激光能量吸收。
根据本公开的主题的另一实例涉及一种增材制造粉末颗粒，其包括：表面；和至少一个形成在表面上的官能团，其中所述至少一个官能团增加了所述增材制造聚合物颗粒的激光能量吸收。
根据本公开的主题的另一个实例涉及一种用于处理增材制造粉末颗粒的方法，该方法包括：将增材制造粉末颗粒暴露于等离子体辐射下，其中等离子体辐射在增材粉末颗粒表面形成官能团，其具有响应于增材制造过程的激光能量的辐射而振动的分子键；且移动所述增材制造粉末颗粒以使所述增材制造粉末颗粒暴露于等离子体辐射。
附图说明
因此已经以一般的术语描述了本公开的实例，现在将参考附图，这些附图不一定按比例绘制，并且其中贯穿若干视图，相同的附图标记指示相同或相似的部分，并且其中：
图1A是根据本公开的方面的增材制造颗粒的示意图；
图1B是根据本公开的方面的图1A的增材制造颗粒的示意性框图；
图1C是根据本公开的方面的图1A的增材制造颗粒的示意性框图；
图2A是根据本公开的方面的增材制造颗粒的示意图；
图2B是根据本公开的方面的图2A的增材制造颗粒的示意性框图；
图3是根据本公开的方面的等离子体处理装置的示意性框图；
图4是根据本公开的方面的增材制造装置的示意图；
图5是根据本公开的方面的增材制造装置的示意图；
图6是根据本公开的方面的示例性方法的流程图；和
图7是根据本公开的方面的示例性方法的流程图。
具体实施方式
参照图1A和2A，示出了一组增材制造颗粒410(见图4和5)中的增材制造粉末颗粒100。在定向能量增材制造过程中，增材制造粉末颗粒410从定向能量束450(例如激光-见图4和5)吸收能量，以达到增材制造粉末颗粒410的熔化温度。如果增材制造粉末颗粒410的吸收增加，则与增材制造过程相关的能量消耗将减少和/或处理给定量的增材制造粉末颗粒410所需的时间将减少。本公开的增材制造粉末颗粒100可以减少与定向能量增材制造相关的成本。例如，尽管通常在例如热和烧结行为方面优化增材制造粉末颗粒的例如烧结，但是相对于未改性的增材制造粉末颗粒(或未进行化学官能化的颗粒)，本公开中增材制造粉末颗粒100关于从定向能量源451(参见图4和5)的定向能量束450(例如激光-参见图4和5)吸收能量被增强。增材制造粉末颗粒100的增强是因为在增材制造粉末颗粒100的表面110上形成至少一个官能团170(即增材制造粉末颗粒100的表面被化学官能化)。根据所使用的定向能量源的预定类型选择官能团，以当被来自定向能量源451的定向能量束450照射时增加增材制造粉末颗粒100的能量吸收。
增材制造粉末颗粒100(在所使用的预定类型的定向能量源的给定波长处)对定向能量的较高吸收可以使与未化学官能化的增材制造颗粒的烧结所需的输入能量密度相比，增材制造粉末颗粒410(图4和图5)烧结所需的定向能量源451(图4和图5)的输入能量密度降低。增材制造粉末颗粒100对定向能量(在所用预定类型的定向能量源的给定波长处)的更高吸收还可以减少增材制造处理时间，例如在不降低定向能量功率的情况下，其还可以由于定向能源的更少运行时间来降低成本。
本公开的各方面还提供了一种增材制造的方法600(参见图6)，其包括用等离子体辐射150处理增材制造颗粒410(参见图4和图5)以在每个增材制造颗粒410的表面110上诱导至少一种官能团170的形成。根据本公开的方面，可以根据将在增材制造颗粒410(参见图4和5)的表面110上形成的至少一个官能团170的类型来选择气体330(图3)以产生等离子体辐射150。本公开的各方面还提供了一种用于处理增材制造颗粒410(参见图4和图5)以诱导在增材制造颗粒410的表面110上形成至少一个官能团170的方法700(参见图7)。
参见图1A、1B和1C，增材制造颗粒410(图4和5)包括具有均匀组成的增材制造粉末颗粒100。在这个方面，增材制造粉末颗粒的均匀组成意味着该颗粒仅由基础材料101形成。例如，该基础材料可以是聚合物102(图1B)；在其他方面，该基础材料可以是陶瓷103(图3)。在基础材料101是聚合物102的情况下，基础材料101(以及由于均匀的组成而导致的增材制造粉末颗粒100的表面110)可以是尼龙111(例如尼龙-11、尼龙-12等)、聚芳基醚酮(例如，称为“PEEK”的聚醚醚酮)、聚氨酯113、聚乙烯114、聚苯乙烯115或适用于定向能量增材制造的任何其他聚合物。
在另一方面，参见图2A和2B，增材制造颗粒410(图4和5)包括具有层状组成的增材制造粉末颗粒100。在这个方面，增材制造粉末颗粒的层状组成是指该颗粒由基础材料101形成，在基础材料101上施加有涂料200。例如，基础材料101可以是金属核心210、聚合物核心211(类似于聚合物102)或陶瓷核心212。施加在基础材料101上的涂料200形成增材制造粉末颗粒100的表面110。涂料200(以及由此形成的表面110)可以是尼龙111(例如尼龙-11、尼龙-12等)、聚芳基醚酮(例如称为“PEEK”的聚醚酮)、聚氨酯113、聚乙烯114、聚苯乙烯115或任何适用于定向能量增材制造的其他聚合物。在这个方面，在基础材料101是聚合物211的情况下，基础材料101是与涂料200的聚合物不同的聚合物类型(例如，基础材料101可以是尼龙111并且涂料200可以是聚芳基醚酮112)。
参见图1A和2A，增材制造粉末颗粒100的直径199在约10微米至约200微米之间。在其他方面，直径199可以大于约200微米或小于约10微米。该增材制造粉末颗粒100，例如，在增材制造粉末颗粒100包括聚乙烯、PEEK或尼龙11的情况下，对于二氧化碳激光具有在0.01-0.1范围内的能量吸收。注意这里提供的实例是针对二氧化碳激光作为定向能量束450(图4和5)以及二氧化碳激光源作为定向能量源451进行描述的；然而，本公开的各方面不限于二氧化碳激光器，并且可以适于与由任何合适的定向能量源451(图4和5)产生的任何合适的定向能量束450一起使用。
仍然参见图1A和2A，在增材制造粉末颗粒100的表面110上形成至少一个官能团170。如上所述，至少一个官能团170增加了增材制造聚合物颗粒100的激光(例如定向能量束)能量吸收。特别地，至少一个官能团170增加了增材制造聚合物颗粒100对于具有预定波长的激光(例如定向能量束450–图4和5)的激光能量吸收。仅出于示例性目的，二氧化碳激光的波长对应于约940cm-1至约1070cm-1之间的波数。可以基于至少一个官能团170的振动频率来选择形成在增材制造粉末颗粒100的表面110上的至少一个官能团170。例如，红外范围内的定向能量辐射(例如二氧化碳激光)可被增材制造粉末颗粒100吸收。增材制造粉末颗粒100对定向能量辐射的吸收是由于增材制造粉末颗粒上存在的官能团的振动所致。
取决于官能团的特性，不同的增材制造粉末颗粒表现出对定向能量辐射的高吸收或低吸收。根据本公开的方面，使用二氧化碳激光作为一个实例，选择要在增材制造粉末颗粒100的表面上诱导的至少一个官能团170的振动频率基本上在二氧化碳激光的振动波数范围内。例如，可以选择羟基官能团171并且其具有约1100cm-1的振动波数，并且可以表现出对二氧化碳激光辐射的增加的吸收。可以选择的其他官能团类型包括但不限于氧官能团172、羧基官能团173、酯官能团174和/或醚官能团175。此外，增材制造粉末颗粒100的表面可以被化学官能化以包括氧官能团172、羧基官能团173、羟基官能团171、酯官能团174和醚官能团175中的一种或多种。
增材制造粉末颗粒100的增加的能量吸收可以减少用于增材制造粉末颗粒410(图4和5)的熔融/熔化的能量需求。例如，使用具有约60微米的直径的增材制造粉末颗粒100，由PEEK(例如来自聚芳醚酮112族的材料)形成的表面110，并且用空气等离子体在表面110上处理(例如，以形成至少一个羟基官能团171)，使增材制造粉末颗粒410(图4和5)熔化/熔融所需的能量可以减少约7％。例如，由于羟基官能团171的C-OH键的振动Evib引起的能量吸收为
Evib＝hc/λ
其中h是普朗克常数，c是光速，而λ是定向能量束450的波长(图4和5)。在这个实例中，波长(例如约9.4到约10.6微米)是二氧化碳激光的波长。在此，Evib约为12kJ/mol。对于具有约288的单体重量的PEEK，空气等离子体处理使每个PEEK单体产生约3个羟基官能团171(例如约17gm/mol)。在增材制造粉末颗粒100的表面110上形成至少一个官能团(在这种情况下为羟基官能团171)至约10nm或更小的深度(例如等离子体处理的处理深度)。在此，在增材制造粉末颗粒100的相应表面110上具有形成的官能团的每个增材制造粉末颗粒100的部分与未暴露于等离子体辐射的增材制造粉末颗粒的部分的比率为约0.001(例如具有约60微米直径的增材制造粉末颗粒100的总体积的约0.1％)。对于本公开内容的1克PEEK增材制造粉末颗粒410，Evib有效地是。
Evib＝0.1％*2.11kJ＝0.00211kJ
1克常规PEEK增材制造粉末颗粒的熔融热为约0.033kJ。因此，本公开的PEEK增材制造粉末颗粒410的熔融热的降低百分比比常规PEEK增材制造粉末颗粒少约7％。如本文所述，减少的熔融热可提供相对于定向能量源451和定向能量束450(图4和图5)的降低的功率要求和/或减少的增材制造处理时间。
如上所述，至少一个官能团(在这种情况下为羟基官能团171)在增材制造粉末颗粒100的表面110上形成至约10nm或更小的深度(例如等离子处理的处理深度)。将等离子体处理施加到约10nm或更小的深度使至少一个官能团170相对于没有至少一个官能团的另一表面增加了表面110的表面张力109，其中另一表面具有与所述表面相似的材料组成。表面张力109的增加使在增材制造颗粒410(图4和图5)中接触的增材制造粉末颗粒100之间的颈部550(见图5)形成得比未根据本发明的方面被化学官能化的表面110形成的颈部550更快。
参照图1A、2A和3，也如本文所述，根据或基于将在增材制造粉末颗粒410上形成的官能团170的类型，选择气体330(图3)用于等离子体处理增材制造粉末颗粒410(图4和5)。如本文所述，官能团170的类型基于例如在增材制造过程中使用的定向能束450的波数/波长范围选择(即气体330应诱导其激发的振动模式对应于所使用的定向能量束450的频率的官能团170)。选择气体330(例如，气体的类型)以产生其激发的振动模式对应于所使用的定向能量束450的频率的官能团170，与未化学官能化的增材制造粉末颗粒相比，可以降低运行定向能量束450的功率/能量需求和/或减少增材制造加工的时间。例如，为了形成至少羟基官能团171以用于使用例如二氧化碳激光的增材制造过程，可以选择空气以用于任何合适的等离子体处理装置300中以产生空气等离子体。可以用等离子体处理装置300的任何合适的等离子体发生器310产生空气等离子体。
参照图1A、2A、4、5和6，用于增材制造的方法600包括用等离子体辐射150处理增材制造粉末颗粒410(图6，方框610)。增材制造粉末颗粒410在任何合适的等离子体处理装置300中用根据将在各个制造粉末颗粒100的表面110上产生的官能团170的类型(例如如上所述的增材制造过程的激光能量/定向能束的类型)来选择的气体330进行处理。一方面，增材制造颗粒410在等离子体辐射150处理期间运动或搅动。例如，等离子体处理装置300包括任何合适的搅动器(例如机械振动器、流体搅动、声振动器等)，其搅动或移动各个制造粉末颗粒100，从而使每个(或至少一些或大部分)增材制造粉末颗粒100的基本上整体(或一些或大部分)表面110暴露于等离子体辐射150。用等离子体辐射150处理增材制造粉末颗粒410在各个增材制造粉末颗粒100的表面110上形成官能团170。如本文所述，官能团170具有与增材制造过程中激光能量/定向能量束450的激光波数范围相对应的分子振动频率。用等离子体辐射150处理增材制造粉末颗粒410在各个增材制造粉末颗粒100的表面110上形成氧官能团172、羧基官能团173、羟基官能团171、酯官能团174和醚官能团175中的一种或多种。
仍参照图1A、2A、4、5和6，方法600还包括将增材制造粉末颗粒410暴露于增材制造过程的激光能量(例如定向能量束450)(图6，框620)。如上所述，用等离子体辐射150处理增材制造粉末颗粒410增加了增材制造粉末颗粒410的激光能量吸收。一方面，增材制造过程是利用由粉末床增材制造装置400(图4)实现的粉末床增材制造过程进行的选择性激光烧结过程。为了示例性目的，粉末床增材制造装置400包括粉末床420，铺粉器430从进料斗440散布增材制造粉末颗粒410在该粉末床上。进料斗440包括升降机441，升降机441提升通过铺粉器430排出的粉末。由铺粉器430沉积或铺在粉末床420上的增材制造粉末颗粒410被来自定向能量源451的定向能量束450烧结，以形成增材制造部件470。在另一方面，增材制造过程是利用粉末进料增材制造装置500(图5)进行的定向能量沉积制造过程。在这个方面，粉末进料增材制造装置500包括支撑台501。任何合适的基板505被放置在支撑台501上。粉末进料增材制造装置500的沉积头510(其被安装成可在龙门架525的三个自由度运动)从任何合适的进料斗515接收增材制造粉末颗粒410并将增材制造粉末颗粒410向基板505排出。随着增材制造粉末颗粒410的排出，沉积头510的定向能量束450将增材制造粉末颗粒410熔化到基板505(或先前由沉积头510沉积的材料层)上的熔池中，以形成增材制造部件570。粉末进料增材制造设备500可以包括平滑头535，其在沉积的材料固化之前成形/压实沉积的材料。一方面，定向能量束450由二氧化碳激光源451产生并且增材制造粉末颗粒410在增材制造粉末颗粒410的表面110上用至少羟基官能团171化学官能化；而在其他方面，定向能量束可以由任何合适的定向能量源产生并且增材制造粉末颗粒可以用对应于所使用的定向能量源的官能团进行化学官能化。
参照图1A、2A、4、5和7，用于处理增材制造粉末颗粒410的方法700包括将增材制造粉末颗粒410暴露于等离子体辐射150(图7，框710)。如本文所述，等离子体辐射150在增材制造粉末颗粒410的表面110上形成官能团170。官能团170可以通过基于自由基的活化、通过等离子体诱导的接枝聚合或以任何其他合适的方式形成。官能团170具有分子键，该分子键响应于诸如上述那些的增材制造过程中的诸如定向能量束450的激光能量的辐射而振动。根据激光能量/定向能量束450的预定激光波数范围选择等离子体辐射150以形成官能团170。一方面，选择等离子体辐射150以在表面110上形成至少羟基官能团171，其具有响应于二氧化碳激光的辐射而振动的分子键。在其他方面，等离子体辐射150形成氧官能团172、羧基官能团173、酯官能团174、羟基官能团171和醚官能团175中的一种或多种。如上所述，增材制造粉末颗粒410暴露于其中的等离子体辐射150的类型取决于增材制造过程的激光能量的类型。一方面，基于选择性激光烧结增材制造过程来选择增材制造粉末颗粒410暴露于其中的等离子体辐射150的类型，例如本文所述。
方法700还包括移动增材制造粉末颗粒410以将增材制造粉末颗粒410暴露于等离子体辐射150(图7，框720)。如本文所述，在等离子体处理装置300(图3)中处理增材制造颗粒410，并通过搅拌器320(图3)对其进行搅拌或移动，以将各个增材制造粉末颗粒100的各个表面110基本暴露于等离子体辐射150中。
根据本公开内容的方面，提供了以下内容：
A1.一种用于增材制造的方法，包括：
用等离子体辐射处理增材制造粉末颗粒；和
将增材制造粉末颗粒暴露于增材制造过程的激光能量中，其中用等离子体辐射处理该增材制造粉末颗粒增加该增材制造粉末颗粒的激光能量吸收。
A2.根据段落A1所述的方法，进一步包括利用等离子体辐射在用等离子体辐射的增材制造粉末颗粒的表面上形成官能团。
A3.根据段落A2所述的方法，其中所述官能团具有与增材制造过程的激光能量的激光波数范围相对应的分子振动频率。
A4.根据段落A2所述的方法，其中在增材制造粉末颗粒的各表面上具有形成的官能团的每个增材制造粉末颗粒的部分与增材制造粉末颗粒的未处理部分的比率为约0.001。
A5.根据段落A1-A4中任一项所述的方法，其中相对于具有与所述增材制造粉末颗粒相似的材料组成的未处理的增材制造粉末颗粒，处理所述增材制造粉末颗粒增加了所述增材制造粉末颗粒的表面张力。
A6.根据段落A1-A5中任一项所述的方法，其中用等离子辐射处理所述增材制造粉末颗粒包括搅拌所述增材制造粉末颗粒。
A7.根据段落A1-A6中任一项所述的方法，其中处理所述增材制造粉末颗粒的等离子体辐射类型取决于所述增材制造过程的激光能量的类型。
A8.根据段落A1-A6中任一项所述的方法，其中根据激光能量的预定激光波数范围选择等离子体辐射以在增材制造粉末颗粒的表面上形成官能团。
A9.根据段落A1-A8中任一项所述的方法，其中所述增材制造过程是选择性激光烧结增材制造过程。
A10.根据段落A1-A9中任一项所述的方法，其中用等离子体辐射处理所述增材制造粉末颗粒包括将各个增材制造粉末颗粒的相应表面暴露于所述等离子体辐射。
A11.根据段落A1-A10中任一项所述的方法，其中粉末颗粒是聚合物粉末颗粒。
A12.根据段落A1-A10中任一项所述的方法，其中粉末颗粒是涂覆有聚合物的金属粉末颗粒。
A13.根据段落A1-A10中任一项所述的方法，其中所述粉末颗粒是陶瓷粉末颗粒。
A14.根据段落A1-A10中任一项所述的方法，其中粉末颗粒是涂覆有聚合物的陶瓷粉末颗粒。
A15.根据段落A1-A14中任一项所述的方法，其中用等离子体辐射处理所述增材制造粉末颗粒在所述增材制造粉末颗粒的表面上形成酯官能团。
A16.根据段落A1-A14中任一项所述的方法，其中用等离子体辐射处理所述增材制造粉末颗粒在所述增材制造粉末颗粒的表面上形成氧官能团。
A17.根据段落A1-A14中任一项所述的方法，其中用等离子体辐射处理所述增材制造粉末颗粒在所述增材制造粉末颗粒的表面上形成羧基官能团。
A18.根据段落A1-A14中任一项所述的方法，其中用等离子体辐射处理所述增材制造粉末颗粒在所述增材制造粉末颗粒的表面上形成羟基官能团。
A19.根据段落A1-A14中任一项所述的方法，其中用等离子体辐射处理所述增材制造粉末颗粒在所述增材制造粉末颗粒的表面上形成醚官能团。
A20.根据段落A1-A14中任一项所述的方法，其中用等离子辐射处理增材制造粉末颗粒在增材制造粉末颗粒的表面上形成氧官能团、羧基官能团、羟基官能团、酯官能团和醚官能团中的一种或多种。
A21.根据段落A1-A14中任一项所述的方法，进一步包括用二氧化碳激光产生激光能量，其中用等离子体辐射处理所述增材制造粉末颗粒在所述增材制造粉末颗粒的表面上形成羟基官能团。
B1.一种增材制造粉末颗粒，包括：
表面；和
在所述表面上形成的至少一个官能团，其中所述至少一个官能团增加了增材制造聚合物颗粒的激光能量吸收。
B2.根据段落B1所述的增材制造粉末颗粒，其中所述至少一个官能团增加了所述增材制造聚合物颗粒对于具有预定波长的激光的激光能量吸收。
B3.根据段落B1或B2所述的增材制造粉末颗粒，还包括金属核心。
B4.根据段落B1或B2所述的增材制造粉末颗粒，还包括陶瓷核心。
B5.根据B1-B4段中任一项所述的增材制造粉末颗粒，其中所述表面包括尼龙。
B6.根据B1-B4段中任一项所述的增材制造粉末颗粒，其中所述表面包含聚芳基醚酮。
B7.根据B1-B4段中任一项所述的增材制造粉末颗粒，其中所述表面包含聚乙烯。
B8.根据B1-B4段中任一项所述的增材制造粉末颗粒，其中所述表面包含聚氨酯。
B9.根据B1-B4段中任一项所述的增材制造粉末颗粒，其中所述表面包含聚苯乙烯。
B10.根据段落B1-B10中任一项所述的增材制造粉末颗粒，包括约10-200微米的直径。
B11.根据段落B1-B10中任一项所述的增材制造粉末颗粒，其中所述至少一个官能团在所述表面上形成约10nm或更小的深度。
B12.根据段落B1-B11中任一项所述的增材制造粉末颗粒，其中相对于没有所述至少一个官能团的另一表面所述至少一个官能团增加了所述表面的表面张力，其中所述另一表面具有与所述表面相似的材料组成。
B13.根据段落B1-B12中任一项所述的增材制造粉末颗粒，其中所述至少一个官能团包括酯官能团。
B14.根据段落B1-B12中任一项所述的增材制造粉末颗粒，其中所述至少一个官能团包括氧官能团。
B15.根据段落B1-B12中任一项所述的增材制造粉末颗粒，其中所述至少一个官能团包括羧基官能团。
B16.根据段落B1-B12中任一项所述的增材制造粉末颗粒，其中所述至少一个官能团包括羟基官能团。
B17.根据段落B1-B12中任一项所述的增材制造粉末颗粒，其中所述至少一个官能团包括醚官能团。
B18.根据段落B1-B12中任一项所述的增材制造粉末颗粒，其中所述至少一个官能团包括氧官能团、羧基官能团、羟基官能团、酯官能团和醚官能团中的一种或多种。
C1.一种用于处理增材制造粉末颗粒的方法，所述方法包括：
使所述增材制造粉末颗粒暴露于等离子体辐射，其中所述等离子体辐射在所述增材制造粉末颗粒的表面上形成官能团，所述官能团具有响应于增材制造过程的激光能量的辐射而振动的分子键；和
移动所述增材制造粉末颗粒以使增材制造粉末颗粒暴露于等离子体辐射。
C2.根据段落C1所述的方法，其中根据激光能量的预定激光波数范围选择等离子体辐射以形成官能团。
C3.根据段落C1或C2所述的方法，其中移动所述增材制造粉末颗粒使各个增材制造粉末颗粒的相应表面暴露于等离子体辐射。
C4.根据段落C1-C3中任一项所述的方法，其中每个增材制造粉末颗粒的具有在增材制造粉末颗粒的相应表面上形成的官能团的部分与增材制造粉末颗粒未暴露于所述等离子体辐射的部分的比率约为0.001。
C5.根据段落C1-C4中任一项所述的方法，其中相对于具有与所述增材制造粉末颗粒相似的材料组成的未处理的增材制造粉末颗粒，将所述增材制造粉末颗粒暴露于等离子体辐射中增加了所述增材制造粉末颗粒的表面张力。
C6.根据段落C1-C5中任一项所述的方法，其中所述增材制造粉末颗粒暴露于其中的等离子体辐射的类型取决于所述增材制造过程的激光能量的类型。
C7.根据段落C1-C5中任一项所述的方法，其中基于选择性激光烧结增材制造过程来选择所述增材制造粉末颗粒暴露于其中的等离子体辐射的类型。
C8.根据段落C1-C7中任一项所述的方法，其中移动所述增材制造粉末颗粒包括搅拌所述增材制造粉末颗粒。
C9.根据段落C1-C8中任一项所述的方法，其中粉末颗粒是聚合物粉末颗粒。
C10.根据段落C1-C8中任一项所述的方法，其中粉末颗粒是涂覆有聚合物的金属粉末颗粒。
C11.根据段落C1-C8中任一项所述的方法，其中所述粉末颗粒是陶瓷粉末颗粒。
C12.根据段落C1-C8中任一项所述的方法，其中粉末颗粒是涂覆有聚合物的陶瓷粉末颗粒。
C13.根据段落C1-C12中任一项所述的方法，其中选择等离子体辐射以在表面上形成羟基官能团，该羟基官能团具有响应于二氧化碳激光的辐射而振动的分子键。
C14.根据段落C1-C12中任一项所述的方法，其中所述等离子体辐射在所述增材制造聚合物粉末颗粒的表面上形成氧官能团。
C15.根据段落C1-C12中任一项所述的方法，其中所述等离子体辐射在所述增材制造粉末颗粒的表面上形成羧基官能团。
C16.根据段落C1-C12中任一项所述的方法，其中所述等离子体辐射在所述增材制造粉末颗粒的表面上形成羟基官能团。
C17.根据段落C1-C12中任一项所述的方法，其中所述等离子体辐射在所述增材制造粉末颗粒的表面上形成醚官能团。
C18.根据段落C1-C12中任一项所述的方法，其中所述等离子体辐射形成氧官能团、羧基官能团、酯官能团、羟基官能团和醚官能团中的一种或多种。
C19.根据段落C1-C12中任一项的方法，其中所述等离子体辐射在所述增材制造粉末颗粒的表面上形成酯官能团。
在以上参考的附图中，连接各种元件和/或组件的实线，如果有，可以表示机械的、电气的、流体的、光学的、电磁的、无线的和其他耦合和/或其组合。如本文中所使用的，“耦合”是指直接以及间接地关联。例如，成员A可以直接与成员B相关联，或者可以例如经由另一成员C间接地与成员B相关联。将理解的是，并非必须呈现各种公开元件之间的所有关系。因此，也可以存在除了附图中描绘的那些之外的其他耦合。连接各种元件和/或部件的虚线，如果有，表示的连接在功能和目的上与实线表示的相似；然而，由虚线表示的耦合可以被选择性地提供或者可以涉及本公开的可选实例。同样地，用虚线表示的元件和/或组件，如果有，指示本公开的可选实例。在不脱离本发明的范围的情况下，可以从特定实例中省略以实线和/或虚线示出的一个或多个元件。环境元素，如果有，用点线表示。为了清楚起见，也可以显示虚拟(虚构)元素。本领域技术人员将理解，可以以各种方式组合附图中示出的某些特征，而无需包括所述附图、其他附图和/或所附公开内容中描述的其他特征，即使本文未明确示出这种组合或多种组合。类似地，不限于所呈现的实例的附加特征可以与本文示出和描述的一些或所有特征进行组合。
在以上参考的图6和7中，框可以表示操作和/或其部分并且连接各个框的线并不意味着该操作或其部分的任何特定顺序或依赖性。用虚线表示的框指示替代操作和/或其部分。连接各个框的虚线，如果有，表示操作或其部分的替代依赖性。将理解的是，并非必须呈现各种公开的操作之间的所有依赖性。图6和7以及描述在此阐述的方法的操作的所附公开不应被解释为必须确定要执行操作的顺序。相反，尽管指示了一种说明性的顺序，但是应当理解，可以在适当的时候修改操作的顺序。因此，某些操作可以以不同的顺序或基本同时执行。另外，本领域技术人员将理解，并非需要执行所描述的所有操作。
在以下描述中，阐述了许多具体细节以提供对所公开概念的透彻理解，其可以在没有这些细节中的一些或全部的情况下实践。在其他情况下，省略了已知设备和/或过程的细节，以避免不必要地混淆本公开。尽管将结合具体实例描述一些概念，但是应该理解这些实例并非旨在进行限制。
除非另有指示，否则术语“第一”、“第二”等在本文中仅用作标签，并不旨在对这些术语所指的项目强加顺序、位置或层次要求。此外，提及例如“第二”项目不要求或不排除例如“第一”或较低编号的项目和/或例如“第三”或较高编号的项目的存在。
本文中对“一个实例”的引用表示结合该实例描述的一个或多个特征、结构或特性包括在至少一种实施方式中。说明书中各处的短语“一个实例”可以指或可以不指相同的实例。
如本文所使用的，“被配置为”执行指定功能的系统、装置、结构、物品、元件、组件或硬件确实能够执行指定功能而没有任何改变，而不仅仅是在进一步修改之后具有执行指定功能的潜力。换句话说，“被配置为”执行指定功能的系统、装置、结构、物品、元件、组件或硬件是为执行指定功能的目的而具体选择、创建、实施、利用、编程和/或设计的。如本文所使用的，“被配置为”表示系统、装置、结构、物品、元件、组件或硬件的现有特征，其使系统、装置、结构、物品、元件、组件或硬件能够执行指定功能而无需进一步修改。为了本公开的目的，可以另外地或替代地将被描述为“配置为”执行特定功能的系统、装置、结构、物品、元件、组件或硬件描述为“适于”和/或“可操作地”执行该功能。
本文公开的装置和方法的不同实例包括各种组件、特征和功能。应当理解，本文公开的装置和方法的各种实例可以包括本文公开的装置和方法以任何组合的方式的任何其他实例的任何组件、特征和功能，并且所有这样的可能性都意图在本公开的范围内。
受益于前述说明书和相关附图中呈现的教导，本公开所属领域的技术人员将想到本文所阐述的实例的许多修改。
因此，应当理解，本公开内容不限于所示出的具体实例，并且修改和其他实例旨在被包括在所附权利要求的范围内。此外，尽管前述描述和相关附图在元件和/或功能的某些说明性组合的上下文中描述了本公开的实例，但是应当理解元件和/或功能的不同组合可以由可选实施方式提供，而不背离所附权利要求书的范围。因此，所附权利要求中的括号内的附图标记仅出于说明性目的而提供，并不旨在将所要求保护的主题的范围限制于本公开中提供的特定实例。

Claims (9)

1.一种用于增材制造的方法(600)，包括：
用等离子体辐射(150)处理增材制造粉末颗粒(410)；
将所述增材制造粉末颗粒(410)暴露于增材制造过程的激光能量，其中用等离子体辐射(150)处理所述增材制造粉末颗粒(410)增加所述增材制造粉末颗粒的激光能量吸收；和
利用所述等离子体辐射(150)在所述增材制造粉末颗粒(410)的表面(110)上用所述等离子体辐射(150)形成官能团(170)，
其中所述粉末颗粒选自聚合物粉末颗粒、涂覆有聚合物的金属粉末颗粒、陶瓷粉末颗粒、涂覆有聚合物的陶瓷粉末颗粒和其任何组合。
2.根据权利要求1所述的方法(600)，其中所述官能团(170)具有与所述增材制造过程的激光能量的激光波数范围相对应的分子振动频率。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法(600)，还包括用二氧化碳激光产生所述激光能量，其中用等离子体辐射处理所述增材制造粉末颗粒在所述增材制造粉末颗粒的表面上形成羟基官能团。
4.根据权利要求1-2中任一项所述的方法(600)，其中用等离子体辐射处理所述增材制造粉末颗粒包括搅动所述增材制造粉末颗粒。
5.根据权利要求1-2中任一项所述的方法(600)，其中用等离子体辐射(150)处理所述增材制造粉末颗粒(410)在所述增材制造粉末颗粒(410)的表面(110)上形成氧官能团(172)、羧基官能团(173)、羟基官能团(171)、酯官能团(174)和醚官能团(175)中的一种或多种。
6.一种增材制造粉末颗粒(100)，包括：
表面(110)；和
在所述表面(110)上形成的至少一个官能团(170)，其中所述至少一个官能团(170)增加了所述增材制造粉末颗粒(100)的激光能量吸收，
其中所述粉末颗粒选自聚合物粉末颗粒、涂覆有聚合物的金属粉末颗粒、陶瓷粉末颗粒、涂覆有聚合物的陶瓷粉末颗粒和其任何组合。
7.根据权利要求6所述的增材制造粉末颗粒(100)，其中所述至少一个官能团(170)增加所述增材制造粉末颗粒(100)对于具有预定波长的激光的激光能量吸收。
8.一种用于处理增材制造粉末颗粒(410)的方法(700)，所述方法包括：
将所述增材制造粉末颗粒(410)暴露于等离子体辐射(150)，其中所述等离子体辐射(150)在所述增材制造粉末颗粒(410)的表面(110)上形成具有响应于增材制造过程中激光能量的辐射而振动的分子键的官能团(170)；和
移动所述增材制造粉末颗粒(410)以暴露所述增材制造粉末颗粒(410)于所述等离子体辐射(150)，
其中所述粉末颗粒选自聚合物粉末颗粒、涂覆有聚合物的金属粉末颗粒、陶瓷粉末颗粒、涂覆有聚合物的陶瓷粉末颗粒和其任何组合。
9.根据权利要求8所述的方法(700)，其中根据所述激光能量的预定激光波数范围，选择所述等离子体辐射(150)以形成所述官能团(170)。
CN202010483133.4A 2019-06-03 2020-06-01 增材制造粉末颗粒、处理该增材制造粉末颗粒的方法和增材制造的方法 Active CN112026168B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/429,845 2019-06-03
US16/429,845 US11648729B2 (en) 2019-06-03 2019-06-03 Additive manufacturing powder particle, method for treating the additive manufacturing powder particle, and method for additive manufacturing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112026168A CN112026168A (zh) 2020-12-04
CN112026168B true CN112026168B (zh) 2024-01-26

Family

ID=73549783

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010483133.4A Active CN112026168B (zh) 2019-06-03 2020-06-01 增材制造粉末颗粒、处理该增材制造粉末颗粒的方法和增材制造的方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11648729B2 (zh)
JP (1) JP2021006658A (zh)
CN (1) CN112026168B (zh)
AU (1) AU2020202895A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022207112A1 (de) * 2022-07-12 2024-01-18 Brose Fahrzeugteile SE & Co. Kommanditgesellschaft, Coburg Verfahren zur additiven Fertigung eines Bauteils unter Nutzung eines Metall-Kunststoff-Pulvergemischs

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103624257A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 阿尔斯通技术有限公司 制造三维制品的方法
CN107708970A (zh) * 2015-06-19 2018-02-16 应用材料公司 增材制造中的选择性粉末沉积
CN108907191A (zh) * 2018-07-27 2018-11-30 中国空气动力研究与发展中心高速空气动力研究所 适用于高速风洞试验的30CrMnSiA金属模型增材制造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1327769C (en) * 1986-06-20 1994-03-15 Shoji Ikeda Powder treating method and apparatus used therefor
US5772855A (en) * 1997-04-17 1998-06-30 Bend Research, Inc. Preparation of bioactive compounds by plasma synthesis
JP4004675B2 (ja) * 1999-01-29 2007-11-07 株式会社日清製粉グループ本社 酸化物被覆金属微粒子の製造方法
WO2005089090A2 (en) * 2003-10-14 2005-09-29 North Dakota State University Direct write and freeform fabrication apparatus and method
JPWO2005116763A1 (ja) * 2004-05-31 2008-04-03 富士フイルム株式会社 グラフトパターン形成方法、グラフトパターン材料、リソグラフィ方法、導電性パターン形成方法、導電性パターン、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及びマイクロレンズの製造方法
GB0423685D0 (en) * 2004-10-26 2004-11-24 Dow Corning Ireland Ltd Improved method for coating a substrate
RU2503507C2 (ru) * 2008-10-15 2014-01-10 Вламсе Инстеллинг Вор Технологис Ондерзук (Вито) Лазерное плакирование термопластического порошка на пластиках
WO2011040189A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 大日本印刷株式会社 金属微粒子分散体、導電性基板の製造方法及び導電性基板
US20120109301A1 (en) * 2010-11-03 2012-05-03 Zimmer, Inc. Modified Polymeric Materials And Methods Of Modifying Polymeric Materials
AU2011340316B2 (en) * 2010-12-08 2015-07-09 Haydale Graphene Industries Plc Particulate materials, composites comprising them, preparation and uses thereof
US9461341B2 (en) * 2012-12-26 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device and method for charging the same
WO2015145844A1 (ja) * 2014-03-28 2015-10-01 株式会社日立製作所 レーザ粉末積層造形装置及びレーザ粉末積層造形方法及び３次元積層造形装置
US9643361B2 (en) * 2014-05-27 2017-05-09 Jian Liu Method and apparatus for three-dimensional additive manufacturing with a high energy high power ultrafast laser
JP6525137B2 (ja) * 2015-02-24 2019-06-05 セイコーエプソン株式会社 分散液の製造方法及び分散液の製造装置
US10682699B2 (en) * 2015-07-15 2020-06-16 Hrl Laboratories, Llc Semi-passive control of solidification in powdered materials
WO2017014964A1 (en) * 2015-07-20 2017-01-26 Applied Materials, Inc. Additive manufacturing with multiple heat sources
TWI620228B (zh) * 2016-12-29 2018-04-01 財團法人工業技術研究院 電漿處理裝置與電漿處理方法
WO2018187377A1 (en) * 2017-04-03 2018-10-11 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Selective resistive sintering - a new additive manufacturing method
US11926091B2 (en) * 2018-03-27 2024-03-12 UNITED STATES OF AMERICA has certain rights in the invention from DOE Grant No. DE-SC0008581 In situ partially degradable separation interface for fabrication of complex near net shape objects by pressure assisted sintering

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103624257A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 阿尔斯通技术有限公司 制造三维制品的方法
CN107708970A (zh) * 2015-06-19 2018-02-16 应用材料公司 增材制造中的选择性粉末沉积
CN108907191A (zh) * 2018-07-27 2018-11-30 中国空气动力研究与发展中心高速空气动力研究所 适用于高速风洞试验的30CrMnSiA金属模型增材制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200376749A1 (en) 2020-12-03
CN112026168A (zh) 2020-12-04
US20230202101A1 (en) 2023-06-29
US11648729B2 (en) 2023-05-16
AU2020202895A1 (en) 2020-12-17
JP2021006658A (ja) 2021-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20200001600A (ko) 적층 제조에 있어서의 재료 핸들링
KR100830245B1 (ko) 열 소성 변형을 사용하는 고속 분말 입자의 고체 증착 및경화를 위한 장치 및 방법
JP2011173420A (ja) 微細技術に適した三次元物体を製造する方法および装置
US20180162048A1 (en) Decomposing polymer binders for additive manufacturing feedstock
JP5043667B2 (ja) シリカマイクロスフィアおよびその製造方法とアセンブリング方法、ならびにシリカマイクロスフィアの可能な用途
CN112026168B (zh) 增材制造粉末颗粒、处理该增材制造粉末颗粒的方法和增材制造的方法
US20210205886A1 (en) Devices and methods for three-dimensional printing
US20200001533A1 (en) Methods and systems for additive manufacturing
Jiang et al. Morphology, wettability, and mechanical properties of polycaprolactone/hydroxyapatite composite scaffolds with interconnected pore structures fabricated by a mini‐deposition system
US20240059010A1 (en) Devices and methods for three-dimensional printing
JPS61163283A (ja) 炭化物形成による金属の表面硬化
JP2017002387A (ja) ３次元形成装置および３次元形成方法
CN107755695B (zh) 用于添加地制造至少一个三维物体的设备
JP6880091B2 (ja) 少なくとも１つの三次元物体の付加製造方法
WO2015151611A1 (ja) 積層造形物の製造装置、製造方法及び液状原料
Wencke et al. Additive manufacturing of PA12 carbon nanotube composites with a novel laser polymer deposition process
Oberbossel et al. Polymer powder treatment in atmospheric pressure plasma circulating fluidized bed reactor
CN106283043A (zh) 一种激光熔覆钴基自润滑涂层制备装置和方法
US20190201982A1 (en) Systems and methods for removing build material from additively manufactured parts
Medina Development and application of a CFD model of laser metal deposition
RU2669953C1 (ru) Устройство для гибридного лазерно-акустического создания функционально-градиентного материала
Kuisat et al. Fabrication of Water‐and Ice‐Repellent Surfaces on Additive‐Manufactured Components Using Laser‐Based Microstructuring Methods
US20220241859A1 (en) Functionally homogenized intensity distribution for additive manufacturing or other industrial laser processing applications
Nazir et al. A parametric analysis of direct laser deposition process using vibration control feeding system
Joshi et al. Metal Additive Manufacturing Processes–Laser and Electron Beam Powder Bed Fusion

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant