CN112018058B - 一种电力逆变器模块及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种电力逆变器模块及其制造方法，其使得第一铜箔层的一部分嵌入至壳体内部，且第一铜箔层的末端电镀的金属层具有突起部，这样可以保证密封性。并且，绝缘基板的底部具有倒角结构，以保证底端的电镀层的均匀性，实现绝缘基板与散热基板接合可靠性，并增强散热。

Description

一种电力逆变器模块及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体器件封装领域，具体涉及一种电力逆变器模块及其制造方法。
背景技术
现有的电力逆变器芯片的封装多采用覆铜陶瓷(DBC)基板上设置转换芯片的方式，然后再将该DBC基板焊接于散热基板上。一般的，现有的电力转换封装包括带有导电图案的绝缘基板，该绝缘基板包括绝缘层、上表面的第一导电图案和第二表面上的第二导电图案，逆变器芯片通过焊接层焊接于所述第一导电图案上，最后用树脂进行整体的塑封。为了保证焊接的可靠性，往往会在导电图案上电镀金属层，以增加浸润性和焊接性，但是由于尖端放电效应，会使得电镀金属层不均匀，进一步的使得DBC基板焊接到散热基板上的不可靠，密合性不好，散热性也不好。
发明内容
基于解决上述问题，本发明提供了一种电力逆变器模块，其包括：
绝缘基板，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有第一铜箔层，所述第二表面上设置有第二铜箔层，且所述第一铜箔层包括间隔开的芯片焊接部和电极引出部；所述电极引出部包括第一部分和第二部分，其中第一部分贴合于所述第一表面，第二部分连接所述第一部分并以一角度从所述第一表面翘起；
散热基板，所述绝缘基板通过所述第二铜箔层键合于所述散热基板上；
逆变器芯片，焊接于所述芯片焊接部上，且通过焊线连接于所述电极引出部；
壳体，形成于所述散热基板上，且至少包裹所述绝缘基板的边缘区域以及所述第二部分的至少一部分；
导电端子，焊接于所述第一部分上；
密封层，形成于所述壳体内，且密封所述逆变器芯片。
其中，所述绝缘基板在其第二表面的边缘区域具有第一倒角，该倒角连接所述绝缘基板的第二表面和侧面。
还包括在所述第二铜箔层上的第一镀层，所述第一镀层的边缘具有与所述第一倒角共形的第二倒角；其中，所述第一镀层直接接触所述散热基板。
其中，所述芯片焊接部的边缘具有第三倒角；还包括在所述芯片焊接部上的第二镀层，所述第二镀层的边缘与所述第三倒角共形。
其中，所述第一部分的边缘具有第四倒角；还包括在所述电极引出部上的第三镀层，所述第三镀层的第一端的边缘与所述第四倒角共形。
其中，所述第二部分的边缘为直角拐角，所述第三镀层具有在其第二端的边缘的突起部，所述突起部与所述直角拐角相对应。
本发明还提供了一种电力逆变器模块的制造方法，其包括以下步骤：
(1)提供一绝缘基板，所述绝缘基板具有相对的第一表面和第二表面；
(2)在所述第一表面上设置第一铜箔层，在所述第二表面上设置第二铜箔层，且所述第一铜箔层包括间隔开的芯片焊接部和电极引出部；所述电极引出部包括第一部分和第二部分，其中第一部分贴合于所述第一表面，第二部分连接所述第一部分并以一角度从所述第一表面翘起；
(3)将所述绝缘基板通过第二铜箔层键合至所述散热基板上，将所述逆变器芯片焊接至所述芯片焊接部上，且所述逆变器芯片通过焊线连接于所述电极引出部，并具有导电端子焊接于所述第一部分上；
(4)在所述散热基板上形成壳体，所述壳体至少包裹所述绝缘基板的边缘区域以及所述第二部分的至少一部分；
(5)在壳体中填充密封层，所述密封层密封所述逆变器芯片。
其中，在步骤(2)和步骤(3)之间，还包括步骤：在所述第一铜箔层和第二铜箔层上电镀形成电镀层。
本发明的优点如下：本发明使得第一铜箔层的一部分嵌入至壳体内部，且第一铜箔层的末端电镀的金属层具有突起部，这样可以保证密封性。并且，绝缘基板的底部具有倒角结构，以保证底端的电镀层的均匀性，实现绝缘基板与散热基板接合可靠性，并增强散热。
附图说明
图1为本发明的电力逆变器模块的剖视图；
图2-7为本发明的电力逆变器模块的制造方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本发明的实施例参见图1，本具体的电力逆变器模块包括绝缘基板10以及散热基板25，其中绝缘基板10固定于散热基板25之上。绝缘基板10的材质可以是陶瓷基板，其具有一定的厚度，并且在其上下两面键合有铜箔层，即第一表面11(上表面)上的第一铜箔层和第二表面12(下表面)上的第二铜箔层19。
其中，所述第一铜箔层包括间隔开的芯片焊接部14和电极引出部16，所述芯片焊接部14上用于焊接逆变器芯片26，其可以充当电连接部件使用。而电极引出部16是为了引出端子，其设置于所述芯片焊接部14周围，可以包括多个，当然，芯片焊接部14也可以是多个，其具体的个数以及逆变器芯片的连接结构不是本发明的主要研究方向。
所述电极引出部16包括第一部分161和第二部分162，其中第一部分161贴合的键合于绝缘基板10的第一表面11上，第二部分162连接所述第一部分161并以一角度从所述第一表面11翘起。第一部分161和第二部分162的厚度优选为不同的，其中第二部分162的厚度可以大于所述第一部分161的厚度，以便于后续直角的尖端放电，并且，第一部分161和第二部分162两者一体成型。
所述绝缘基板10在其第二表面12的边缘区域具有第一倒角13，该第一倒角13连接所述绝缘基板10的第二表面12和侧面。该第一倒角13可以通过打磨或者压铸形成，其倒角所对应的圆弧半径应小于所述绝缘基板10的厚度的一半，以此，可以实现较好共形以及避免尖端放电。进一步的，所述第二铜箔层19的边缘具有与所述第一倒角13共形的翘起部20。
为了保证焊接的可靠性，在所述第一铜箔层和第二铜箔层19上电镀有镀层，包括在第二铜箔层19上的第一镀层23，该第一镀层23的边缘具有与所述翘起部20共形的第二倒角24；其中，所述第一镀层23直接接触所述散热基板25，其充当接合材料使用，当然在第一镀层23和散热基板25之间还可以具有焊料等接合材料。
由于第二铜箔层19的边缘为翘起部20，其具有圆滑的边缘，因此在电镀时，可以保证第一镀层23的均匀性，防止边缘出现突起结构，进一步的，可以保证第一镀层23接合到散热基板25上的可靠性和导热性。该第一镀层23可以是镍、银、金或其合金等金属材料。
所述芯片焊接部14的边缘具有第三倒角15；还包括在所述芯片焊接部14上的第二镀层21，所述第二镀层21的边缘与所述第三倒角15共形，其原理与所述第一镀层23的原理一致，且材料相同，在此不再赘述。
同样的，所述第一部分161的边缘具有第四倒角17还包括在所述电极引出部16上的第三镀层16，所述第三镀层16的第一端的边缘与所述第四倒角17共形。而第二部分162的边缘则具有直角拐角18，所述第三镀层16具有在其第二端的边缘的突起部22，所述突起部22与所述直角拐角18相对应。由于电镀会出现尖端放电效应，在直角拐角18处会电流密度较大，因此产生了厚度较厚的突起部22，其可以保证后续的密封性，且可以防止剥离。
散热基板25为金属板、陶瓷板等，其下表面可以焊接或铆接一散热器，该散热器可以是鳍形散热器、微孔散热器、风冷散热器等。优选的，所述散热基板25为金属板，材质为铜。
在散热基板25上具有壳体29，所述壳体29为注塑壳体，且围绕成内置空腔，所述内置空腔用于密封逆变器芯片26。所述壳体29至少包裹所述绝缘基板13的边缘区域以及所述第二部分162具有突起部22的部分。
逆变器芯片26焊接于芯片焊接部14上的第二镀层21上。所述逆变器芯片选自IGBT、MOSFET、双极型晶体管等，其通过焊线27电连接至电极引出部16上，其焊接位置位于第一部分161上。
导电端子28焊接于所述第一部分161上，且至少一部分从所述腔体伸出作为外部端子，其可以是金属柱、弹性连接件或者导电条结构。
密封树脂层30，密封所述壳体29围成的腔体，逆变器芯片25同时被密封树脂层30密封。
本发明还提供一种电力逆变器模块的制造方法，其包括以下步骤：
(1)提供一绝缘基板，所述绝缘基板具有相对的第一表面和第二表面；
(2)在所述第一表面上设置第一铜箔层，在所述第二表面上设置第二铜箔层，且所述第一铜箔层包括间隔开的芯片焊接部和电极引出部；所述电极引出部包括第一部分和第二部分，其中第一部分贴合于所述第一表面，第二部分连接所述第一部分并以一角度从所述第一表面翘起；
(3)将所述绝缘基板通过第二铜箔层键合至所述散热基板上，将所述逆变器芯片焊接至所述芯片焊接部上，且所述逆变器芯片通过焊线连接于所述电极引出部，并具有导电端子焊接于所述第一部分上；
(4)在所述散热基板上形成壳体，所述壳体至少包裹所述绝缘基板的边缘区域以及所述第二部分的至少一部分；
(5)在壳体中填充密封层，所述密封层密封所述逆变器芯片。
下面结合图2-7来具体的介绍本发明所提供的电力逆变器模块的制造方法。
首先，参见图2，绝缘基板10，所述绝缘基板10具有相对的第一表面11和第二表面12。并且，在所述第二表面12的边缘具有第一倒角13，该第一倒角13通过打磨或者压铸形成。
参见图3，在所述第一表面11上设置第一铜箔层，在所述第二表面12上设置第二铜箔层19，且所述第一铜箔层包括间隔开的芯片焊接部14和电极引出部16；所述电极引出部16包括第一部分161和第二部分162，其中第一部分161贴合于所述第一表面11，第二部分162连接所述第一部分161并以一角度A从所述第一表面11翘起。并且，所述第二铜箔层19的边缘具有与所述第一倒角13共形的翘起部20。
所述芯片焊接部14的边缘具有第三倒角15。同样的，所述第一部分161的边缘具有第四倒角17，而第二部分162的边缘则具有直角拐角18。
接着，参见图4，在所述第一铜箔层和第二铜箔层19上电镀形成电镀层。由于第二铜箔层19的边缘为翘起部20，其具有圆滑的边缘，因此在电镀时，可以保证第一镀层23的均匀性，防止边缘出现突起结构，进一步的，可以保证第一镀层23接合到散热基板25上的可靠性和导热性。该第一镀层23可以是镍、银、金或其合金等金属材料。
在所述芯片焊接部14上具有第二镀层21，所述第二镀层21的边缘与所述第三倒角15共形，其原理与所述第一镀层23的原理一致，且材料相同，在此不再赘述。
在所述电极引出部16上具有第三镀层16，所述第三镀层16的第一端的边缘与所述第四倒角17共形。所述第三镀层16具有在其第二端的边缘的突起部22，所述突起部22与所述直角拐角18相对应。由于电镀会出现尖端放电效应，在直角拐角18处会电流密度较大，因此产生了厚度较厚的突起部22。
参见图5，将所述绝缘基板10通过第二铜箔层19以及第一镀层23键合至所述散热基板25上，将所述逆变器芯片26焊接至所述芯片焊接部14上，且所述逆变器芯片25通过焊线27连接于所述电极引出部，并具有导电端子28焊接于所述第一部分161上。
参见图6，在所述散热基板25上通过注塑工艺形成壳体29，所述壳体29至少包裹所述绝缘基板10的边缘区域以及所述第二部分162的具有突起部22的部分。
在壳体29中填充密封树脂层30，所述密封树脂层30密封所述逆变器芯片25且露出导电端子28的一部分。
本发明使得第一铜箔层的一部分嵌入至壳体内部，且第一铜箔层的末端电镀的金属层具有突起部，这样可以保证密封性。并且，绝缘基板的底部具有倒角结构，以保证底端的电镀层的均匀性，实现绝缘基板与散热基板接合可靠性，并增强散热。
本发明中使用的表述“示例性实施例”、“示例”等不是指同一实施例，而是被提供来着重描述不同的特定特征。然而，上述示例和示例性实施例不排除他们与其他示例的特征相组合来实现。例如，即使在另一示例中未提供特定示例的描述的情况下，除非另有陈述或与其他示例中的描述相反，否则该描述可被理解为与另一示例相关的解释。
本发明中使用的术语仅用于示出示例，而无意限制本发明。除非上下文中另外清楚地指明，否则单数表述包括复数表述。
虽然以上示出并描述了示例实施例，但对本领域技术人员将明显的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的范围的情况下，可做出变型和改变。

Claims (6)

1.一种电力逆变器模块，其包括：
绝缘基板，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有第一铜箔层，所述第二表面上设置有第二铜箔层，且所述第一铜箔层包括间隔开的芯片焊接部和电极引出部；所述电极引出部包括第一部分和第二部分，其中第一部分贴合于所述第一表面，第二部分连接所述第一部分并以一角度从所述第一表面翘起；所述绝缘基板在其第二表面的边缘区域具有第一倒角，该第一倒角连接所述绝缘基板的第二表面和侧面；所述第二铜箔层的边缘具有与所述第一倒角共形的翘起部；
散热基板，所述绝缘基板通过所述第二铜箔层键合于所述散热基板上；
逆变器芯片，焊接于所述芯片焊接部上，且通过焊线连接于所述电极引出部；
壳体，形成于所述散热基板上，且至少包裹所述绝缘基板的边缘区域以及所述第二部分的至少一部分；导电端子，焊接于所述第一部分上；
密封层，形成于所述壳体内，且密封所述逆变器芯片；
第一镀层，形成在所述第二铜箔层上，所述第一镀层的边缘具有与所述翘起部共形的第二倒角；其中，所述第一镀层直接接触所述散热基板。
2.根据权利要求1所述的电力逆变器模块，其特征在于：所述芯片焊接部的边缘具有第三倒角；还包括在所述芯片焊接部上的第二镀层，所述第二镀层的边缘与所述第三倒角共形。
3.根据权利要求2所述的电力逆变器模块，其特征在于：所述第一部分的边缘具有第四倒角；还包括在所述电极引出部上的第三镀层，所述第三镀层的第一端的边缘与所述第四倒角共形。
4.根据权利要求3所述的电力逆变器模块，其特征在于：所述第二部分的边缘为直角拐角，所述第三镀层具有在其第二端的边缘的突起部，所述突起部与所述直角拐角相对应。
5.一种电力逆变器模块的制造方法，其包括以下步骤：
(1)提供一绝缘基板，所述绝缘基板具有相对的第一表面和第二表面；所述绝缘基板在其第二表面的边缘区域具有第一倒角，该第一倒角连接所述绝缘基板的第二表面和侧面；
(2)在所述第一表面上设置第一铜箔层，在所述第二表面上设置第二铜箔层，且所述第一铜箔层包括间隔开的芯片焊接部和电极引出部；所述电极引出部包括第一部分和第二部分，其中第一部分贴合于所述第一表面，第二部分连接所述第一部分并以一角度从所述第一表面翘起；所述第二铜箔层的边缘具有与所述第一倒角共形的翘起部，在所述第二铜箔层上形成第一镀层，所述第一镀层的边缘具有与所述翘起部共形的第二倒角；
(3)将所述绝缘基板通过第二铜箔层键合至散热基板上，将逆变器芯片焊接至所述芯片焊接部上，且所述逆变器芯片通过焊线连接于所述电极引出部，并具有导电端子焊接于所述第一部分上；其中，所述第一镀层直接接触所述散热基板；
(4)在所述散热基板上形成壳体，所述壳体至少包裹所述绝缘基板的边缘区域以及所述第二部分的至少一部分；
(5)在壳体中填充密封层，所述密封层密封所述逆变器芯片。
6.根据权利要求5所述的电力逆变器模块的制造方法，其特征在于：在步骤(2)和步骤(3)之间，还包括步骤：在所述芯片焊接部上形成第二镀层，在所述电极引出部上形成第三镀层。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112910285B (zh) * 2021-01-05 2022-06-14 深圳市富鑫产业科技有限公司 一种逆变器电力系统及其制造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01216563A (ja) * 1988-02-25 1989-08-30 Mitsui High Tec Inc リードフレームの製造方法
JP2001071269A (ja) * 1999-09-01 2001-03-21 Mitsubishi Materials Corp 電着砥石
CN1714177A (zh) * 2002-10-22 2005-12-28 应用材料有限公司 由接触环造型控制的电镀均匀性
CN103160792A (zh) * 2011-12-12 2013-06-19 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜装置
CN203846121U (zh) * 2014-05-06 2014-09-24 上海通用汽车有限公司 一种塑料电镀产品
CN105551971A (zh) * 2015-12-08 2016-05-04 广东气派科技有限公司 基于Flip-chip连接的集成电路封装结构及封装工艺
CN108231604A (zh) * 2018-01-24 2018-06-29 韩德军 一种电力用半导体装置的制造方法
CN110459525A (zh) * 2019-08-20 2019-11-15 济南南知信息科技有限公司 一种具有逆变器的电力系统及其制造方法
CN111647866A (zh) * 2020-07-17 2020-09-11 通威太阳能（合肥）有限公司 一种边缘电场改善结构、载板单体及载板

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01216563A (ja) * 1988-02-25 1989-08-30 Mitsui High Tec Inc リードフレームの製造方法
JP2001071269A (ja) * 1999-09-01 2001-03-21 Mitsubishi Materials Corp 電着砥石
CN1714177A (zh) * 2002-10-22 2005-12-28 应用材料有限公司 由接触环造型控制的电镀均匀性
CN103160792A (zh) * 2011-12-12 2013-06-19 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜装置
CN203846121U (zh) * 2014-05-06 2014-09-24 上海通用汽车有限公司 一种塑料电镀产品
CN105551971A (zh) * 2015-12-08 2016-05-04 广东气派科技有限公司 基于Flip-chip连接的集成电路封装结构及封装工艺
CN108231604A (zh) * 2018-01-24 2018-06-29 韩德军 一种电力用半导体装置的制造方法
CN110459525A (zh) * 2019-08-20 2019-11-15 济南南知信息科技有限公司 一种具有逆变器的电力系统及其制造方法
CN111647866A (zh) * 2020-07-17 2020-09-11 通威太阳能（合肥）有限公司 一种边缘电场改善结构、载板单体及载板

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