CN112015209A - 地氟烷蒸发室温度控制方法、设备、存储介质及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种地氟烷蒸发室温度控制方法、设备、存储介质及装置，涉及温控技术领域，该方法包括：获取目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值，并计算所述目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值之间的温度差值；根据所述温度差值控制所述第一加热单元进行发热；判断所述温度差值是否大于预设阈值；在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率。本发明中一加热单元采用反馈控制，能够根据当前温度值进行实时调整，以维持地氟烷蒸发室内的温度恒定；另一加热单元在地氟烷蒸发室内的温度出现较大浮动时，进行加热，快速调整地氟烷蒸发室内的温度。

Description

地氟烷蒸发室温度控制方法、设备、存储介质及装置

技术领域

本发明涉及温控技术领域，尤其涉及一种地氟烷蒸发室温度控制方法、设备、存储介质及装置。

背景技术

地氟烷常用于临床的维持麻醉或诱导麻醉，其具有气血分配系数高，诱导快，苏醒快，对人体损伤小的优点，已有广泛使用。吸入麻醉剂通常需要通过麻药蒸发器，而目前的蒸发器多以机械结构为主。但地氟烷的蒸气压20℃时669mmHg接近大气压，沸点为22.8℃，在正常室温下已沸腾，因此不能使用传统的蒸发室获取麻药气体。

地氟烷蒸发器工作时需要对蒸发室内的药池进行加热，使其保持在恒定的温度下，从而形成较高的、稳定的饱和蒸汽压，而现有的蒸发室难以保证地氟烷蒸发室内的温度稳定。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种地氟烷蒸发室温度控制方法、设备、存储介质及装置，旨在解决现有技术中无法稳定地控制地氟烷蒸发室温度的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种地氟烷蒸发室温度控制方法，所述地氟烷蒸发室包括第一加热单元和第二加热单元，所述地氟烷蒸发室温度控制方法包括以下步骤：

获取目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值，并计算所述目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值之间的温度差值；

根据所述温度差值控制所述第一加热单元进行发热；

判断所述温度差值是否大于预设温度阈值；

在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率。

可选的，所述在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率的步骤之后，还包括：

获取地氟烷输出浓度的变化量；

根据所述变化量确定第一参考发热功率；

计算所述第一参考发热功率与所述目标发热功率的第一功率差值，并判断所述第一功率差值是否大于第一预设功率阈值；

在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，则将所述第二加热单元的发热功率调节至所述第一参考发热功率。

可选的，所述在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，则将所述第二加热单元的发热功率调节至所述第一参考发热功率之后，还包括：

在所述第二加热单元的发热功率达到所述第一参考发热功率时，记录发热时间；

判断所述发热时间是否达到预设时间；

在所述发热时间达到所述预设时间时，获取所述第一加热单元的发热功率，并将所述第一加热单元的发热功率作为第二参考发热功率；

将所述第二加热单元的发热功率从所述第一参考发热功率调节至所述第二参考发热功率。

可选的，所述在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，则将所述第二加热单元的发热功率调节至所述第一参考发热功率的步骤，包括：

在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，根据所述第一功率差值确定调节时间间隔和调节幅度；

根据所述调节时间间隔和所述调节幅度对所述第二加热单元的发热功率进行调节，以使所述第二加热单元的发热功率达到所述第一参考发热功率。

可选的，所述在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率的步骤之后，还包括：

获取所述第一加热单元的当前发热功率，并计算所述当前发热功率和所述目标发热功率的第二功率差值；

判断所述第二功率差值是否大于第二预设功率阈值；

在所述第二功率差值大于所述第二预设功率阈值时，根据所述第二功率差值对所述目标发热功率进行调整，获得调整后的发热功率；

将所述第二加热单元的发热功率调节至所述调整后的发热功率。

可选的，所述根据所述温度差值控制所述第一加热单元进行发热的步骤，包括：

根据预设比例调节系数、预设积分调节系数和预设微分调节系数，通过预设控制算法对所述温度差值进行计算，获得参考控制量；

根据所述参考控制量调节所述第一加热单元的发热功率，以使所述第一加热单元发热。

可选的，所述根据所述参考控制量调节所述第一加热单元的发热功率，以使所述第一加热单元发热的步骤，包括：

判断所述参考控制量是否大于预设控制量阈值；

在所述参考控制量大于所述预设控制量阈值时，将所述预设控制量阈值作为目标控制量；

根据目标控制量调节所述第一加热单元的发热功率，以使所述第一加热单元发热。

此外，为实现上述目的，本发明还提出一种地氟烷蒸发室温度控制设备，所述地氟烷蒸发室温度控制设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的地氟烷蒸发室温度控制程序，所述地氟烷蒸发室温度控制程序被所述处理器执行时实现如上文所述的地氟烷蒸发室温度控制方法的步骤。

此外，为实现上述目的，本发明还提出一种存储介质，所述存储介质上存储有地氟烷蒸发室温度控制程序，所述地氟烷蒸发室温度控制程序被处理器执行时实现如上文所述的地氟烷蒸发室温度控制方法的步骤。

此外，为实现上述目的，本发明还提出一种地氟烷蒸发室温度控制装置，所述地氟烷蒸发室温度控制装置包括：

温度采集模块，用于获取目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值，并计算所述目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值之间的温度差值；

控制模块，用于根据所述温度差值控制第一加热单元进行发热；

判断模块，用于判断所述温度差值是否大于预设阈值；

所述控制模块，还用于在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率。

本发明中，通过获取目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值，并计算所述目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值之间的温度差值；根据所述温度差值控制所述第一加热单元进行发热；判断所述温度差值是否大于预设阈值；在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率。本发明设置有两个加热单元，其中一加热单元采用反馈控制，能够实时根据地氟烷蒸发室内的温度值进行调整发热功率，以维持地氟烷蒸发室内的温度恒定；同时，另一加热单元用于辅助加热，在地氟烷蒸发室内的温度出现较大浮动时，进行加热，快速调整地氟烷蒸发室内的温度，避免反馈调节过程存在延迟，导致地氟烷蒸发室内的温度出现失衡。

附图说明

图1是本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的地氟烷蒸发室温度控制设备的结构示意图；

图2为本发明地氟烷蒸发室温度控制方法第一实施例的流程示意图；

图3为本发明地氟烷蒸发室温度控制方法第二实施例的流程示意图；

图4为本发明地氟烷蒸发室温度控制方法第三实施例的流程示意图；

图5为本发明地氟烷蒸发室温度控制装置第一实施例的结构框图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

参照图1，图1为本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的地氟烷蒸发室温度控制设备结构示意图。

如图1所示，该地氟烷蒸发室温度控制设备可以包括：处理器1001，例如中央处理器(Central Processing Unit，CPU)，通信总线1002、用户接口1003，网络接口1004，存储器1005。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户接口1003可以包括显示屏(Display)，可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口，对于用户接口1003的有线接口在本发明中可为USB接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如无线保真(WIreless-FIdelity，WI-FI)接口)。存储器1005可以是高速的随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)存储器，也可以是稳定的存储器(Non-volatileMemory，NVM)，例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。

本领域技术人员可以理解，图1中示出的结构并不构成对地氟烷蒸发室温度控制设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

如图1所示，认定为一种计算机存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及地氟烷蒸发室温度控制程序。

在图1所示的地氟烷蒸发室温度控制设备中，网络接口1004主要用于连接后台服务器，与所述后台服务器进行数据通信；用户接口1003主要用于连接用户设备；所述地氟烷蒸发室温度控制设备通过处理器1001调用存储器1005中存储的地氟烷蒸发室温度控制程序，并执行本发明实施例提供的地氟烷蒸发室温度控制方法。

基于上述硬件结构，提出本发明地氟烷蒸发室温度控制方法的实施例。

参照图2，图2为本发明地氟烷蒸发室温度控制方法第一实施例的流程示意图，提出本发明地氟烷蒸发室温度控制方法第一实施例。

在第一实施例中，所述地氟烷蒸发室包括第一加热单元和第二加热单元，所述地氟烷蒸发室温度控制方法包括以下步骤：

步骤S10：获取目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值，并计算所述目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值之间的温度差值。

应理解的是，本实施例的执行主体是为所述地氟烷蒸发室温度控制设备，该地氟烷蒸发室温度控制设备具有数据采集、数据通信及程序运行等功能。所述地氟烷蒸发室温度控制设备可以为集成电路设备，当然，还可为其他具有相似功能的设备，本实施方式对此不加以限制。

需要说明的是，第一加热单元和第二加热单元均可以采用电加热器，地氟烷药液与电加热器接触，吸收热量，形成地氟烷气体。地氟烷蒸发室用于对地氟烷药液进行加热，形成较高的、稳定的饱和蒸汽压。地氟烷蒸发室为地氟烷蒸发器中的一部分，地氟烷蒸发室通过麻药气体管路连接地氟烷蒸发器输出口，地氟烷蒸发室还设置有新鲜气体管路。地氟烷气体从地氟烷蒸发室输出后，在地氟烷蒸发器输出口与新鲜气体混合形成能够吸入的混合气体。

需要说明的是，为形成较高的、稳定的饱和蒸汽压，地氟烷蒸发室通常为密封空间，通过提高地氟烷蒸发室内的温度，从而提高地氟烷蒸发室内的气体压力。目标温度值由操作人员设置，具体地，目标温度值可以为40℃，当然目标温度值还根据操作人员的需求设置为其他值，本实施方式对此不加以限制。

需要说明的是，地氟烷蒸发室内设置有温度传感器，用于检测地氟烷蒸发室的当前温度值内的当前温度值。由于环境温度、新鲜气体流量、麻药输出浓度等因素的影响，地氟烷蒸发室内的温度容易发生变化，需要实时监控地氟烷蒸发室的当前温度值与目标温度值的差值。

步骤S20：根据所述温度差值控制所述第一加热单元进行发热。

应理解的是，加热温度由加热单元的发热功率决定，发热功率越高，发热温度越高，发热功率越低，发热温度越低。温度差值作为控制参数，决定发热功率的具体调节量。

需要说明的是，在控制第一加热单元进行发热时，可以为提高发热功率，也可以为降低发热功率。当地氟烷蒸发室内的当前温度值小于目标温度时，提高发热功率，以提高发热温度；当地氟烷蒸发室内的当前温度值大于于目标温度时，降低发热功率，以降低发热温度。

应理解的是，第一加热单元的控制方式为反馈控制，在地氟烷蒸发室工作时，第一加热单元能够根据地氟烷蒸发室内的当前温度值实时地调节发热温度，从而保持地氟烷蒸发室内温度稳定。

步骤S30：判断所述温度差值是否大于预设温度阈值。

需要说明的是，由于地氟烷蒸发室内温度决定了地氟烷的饱和蒸汽压，因而温度的波动会引起饱和蒸汽压，进而引起地氟烷蒸发器输出浓度的变化。由于地氟烷蒸发器对输出浓度的要求严苛，在出现温度波动时，需要尽快恢复温度稳定。而尽管第一加热单元通过反馈控制能够将温度恢复至目标温度值，但由于反馈调节需要一定时间，而这段时间内，地氟烷蒸发器输出浓度则会变得不稳定。因此需要对该部分时间进行补偿。

应理解的是，当温度差值大于预设阈温度值时，说明此时温度波动较大，需要进行补偿；当温度差值小于或等于预设温度阈值时，说明此时温度波动较小，可以不进行补偿。具体的，该预设温度阈值可以为2℃。当然，该预设温度阈值还可以为其他值，本实施方式对此不加以限制。

步骤S40：在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率。

需要说明的是，为了提高加热速度，第二加热单元直接以给定的发热功率进行发热，例如，给定10千瓦。相比于第一加热单元的发热功率需要时时调整，第二加热单元直接按给定发热功率工作，能更快速地提高地氟烷蒸发室内温度，当然，也可以用于快速地降低地氟烷蒸发室内温度。该目标功率的具体值，需要根据发热器的具体参数和目标温度值进行确定，本实施方式对此不不加以限制。

需要说明的是，在地氟烷蒸发室内的当前温度趋于目标温度值，说明地氟烷蒸发室内的当前温度内的热量产生和消耗达到平衡。根据热能传导规律，热能会从高位能传导值低位能，由于地氟烷蒸发室内存在两个加热单元，因此，当两个加热单元的热能相差较大时，会发生热传导现象，从而导致热能的浪费。

在本实施中，所述在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率的步骤之后，还包括：获取所述第一加热单元的当前发热功率，并计算所述当前发热功率和所述目标发热功率的第二功率差值；判断所述第二功率差值是否大于第二预设功率阈值；在所述第二功率差值大于所述第二预设功率阈值时，根据所述第二功率差值对所述目标发热功率进行调整，获得调整后的发热功率；将所述第二加热单元的发热功率调节至所述调整后的发热功率。

可以理解的是，为了使第一加热单元和第二加热单元的热能平衡，可以将第一加热单元和第二加热单元的发热功率调整成相近功率。为了使平衡效果更佳，本实施中的第一加热单元和第二加热单元使用的相同型号的发热器。

可以理解的是，在第二功率差值大于第二预设功率阈值时，说明第一加热单元和第二加热单元之间热能不平衡，需要进行调节；在第二功率差值大于第二预设功率阈值时，说明第一加热单元和第二加热单元之间热能较为平衡，可以不进行调节。在对第二加热单元的发热功率进行调节时，当第二加热单元的发热功率小于第一加热单元的发热功率时，第二加热单元的发热功率增加该第二功率差值；当第二加热单元的发热功率大于第一加热单元的发热功率时，第二加热单元的发热功率减小该第二功率差值。

在第一实施例中，通过获取目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值，并计算所述目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值之间的温度差值；根据所述温度差值控制所述第一加热单元进行发热；判断所述温度差值是否大于预设阈值；在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率。本实施例设置有两个加热单元，其中一加热单元采用反馈控制，能够实时根据地氟烷蒸发室内的温度值进行调整发热功率，以维持地氟烷蒸发室内的温度恒定；同时，另一加热单元用于辅助加热，在地氟烷蒸发室内的温度出现较大浮动时，进行加热，快速调整地氟烷蒸发室内的温度，避免反馈调节过程存在延迟，导致地氟烷蒸发室内的温度出现失衡。

参照图3，图3为本发明地氟烷蒸发室温度控制方法第二实施例的流程示意图，基于上述图2所示的第一实施例，提出本发明地氟烷蒸发室温度控制方法的第二实施例。

在第二实施例中，所述步骤S40之后，还包括：

步骤S50：获取地氟烷输出浓度的变化量。

需要说明的是，当地氟烷蒸发器的麻药输出浓度都瞬间变大(高)很多时，麻药液体也会快速蒸发，带走比较多的热量。此时地氟烷蒸发蒸发室内的温度容易失衡，为了保证药池的温度恒定，需要快速补充损失的能量。另外，当地氟烷蒸发器的麻药输出浓度变小时，也会导致地氟烷蒸发蒸发室内的热量堆积，使地氟烷蒸发蒸发室内温度升高。

需要说明的是，地氟烷输出浓度的变化量可以根据地氟烷蒸发室出口的其他流量确定。在本实施方式中，地氟烷蒸发室出口设置有流量计，实时监控地氟烷气体的输出流量。

步骤S60：根据所述变化量确定第一参考发热功率。

可以理解的是，地氟烷输出浓度的变化量说明了热量散失的幅度。变化量越大，说明地氟烷蒸发蒸发室内热量散失越大或堆积越大。当地氟烷输出浓度的变化量变化量越大时，发热功率需要调整的幅度也越大。

需要说明的是，通常变化量与第一参考发热功率之间的对应关系可预先设置。通过预先存储的映射关系表，查找当前变化量对应的第一参考发热功率。

步骤S70：计算所述第一参考发热功率与所述目标发热功率的第一功率差值，并判断所述第一功率差值是否大于第一预设功率阈值。

需要说明的是，由于第一加热单元存在反馈调节，当温度值波动浮动不大时，第一加热单元自身能够快速将地氟烷蒸发蒸发室内的温度调节至目标温度值。而当温度值波动浮动较大时，第一加热单元的调节速度有限，因此需要第二加热单元进行辅助发热。

可以理解的是，第一功率差值表示地氟烷输出浓度的变化量会引起的热量波动幅度，当第一功率差值大于第一预设功率阈值时，说明热量波动较大，第一加热单元可能无法及时稳固地氟烷蒸发室内的温度；当第一功率差值小于或等于第一预设功率阈值时，说明热量波动较小，第一加热单元可以及时稳固地氟烷蒸发蒸发室内的温度。

步骤S80：在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，则将所述第二加热单元的发热功率调节至所述第一参考发热功率。

需要说明的是，根据热量波动的情况不同，第一参考发热功率可能会高于第二加热单元当前的发热功率；也可能会高于第二加热单元当前的发热功率。

需要说明的是，为了避免在温度调整过程中出现温度的急剧变化，导致地氟烷蒸发器的输出浓度产生剧烈波动，在对第二加热单元的发热功率进行调整时，按照阶梯式的方式进行调整。

在具体实现时，调整过程为：在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，根据所述第一功率差值确定调节时间间隔和调节幅度；根据所述调节时间间隔和所述调节幅度对所述第二加热单元的发热功率进行调节，以使所述第二加热单元的发热功率达到所述第一参考发热功率。

可以理解的是，调节时间时间是指每一次调整发热功率的时间，如0.5秒或1秒。调节幅度是指每一次调整发热功率的调整幅度，如500瓦。设第二加热单元的当前发热功率为10千瓦，第一参考发热功率为11千瓦，具体调节过程可为：将第二加热单元的当前发热功率提升500瓦，至10.5千瓦；经过0.5秒后，调整至11千瓦。当然，调整过程还可以为降低发热功率，如第一参考发热功率为9千瓦的情况。

需要说明的是，为了快速调整地氟烷蒸发室内的温度，第二加热单元的目标发热功率会与预定功率存在偏差，即为了提高加热速度，会采用较高的发热功率，当温度达到预期目标温度值时，温度仍会升高，因此，需要再次调整发热功率。降低的温度情况与提高温度的情况类似。

在本实施例中，在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，则将所述第二加热单元的发热功率调节至所述第一参考发热功率之后，还包括：在所述第二加热单元的发热功率达到所述第一参考发热功率时，记录发热时间；判断所述发热时间是否达到预设时间；在所述发热时间达到所述预设时间时，获取所述第一加热单元的发热功率，并将所述第一加热单元的发热功率作为第二参考发热功率；将所述第二加热单元的发热功率从所述第一参考发热功率调节至所述第二参考发热功率。

可以理解的是，由于第一加热单元受地氟烷蒸发室内的当前温度控制，因此，在地氟烷蒸发室内的当前温度趋于目标温度值时，第一加热单元的发热功率会更平衡，因此将第二加热单元的发热调整为第一加热单元的发热功率。该预设时间可以根据操作人员需求自由设置，如，3秒或5秒，本实施方式对此不加以限制。

在第二实施例中，实时监控地氟烷输出浓度的变化量，当检测到地氟烷输出浓度发生较大变化时，即使对辅助加热单元进行调整，快速提高或降低调节地氟烷蒸发室内的温度，从而避免了主加热单元反馈调节初期无法快速达到目标温度值而引起的温度波动。同时在地氟烷蒸发室内的温度达到目标温度值时，再次调整辅助加热单元的发热功率，保持地氟烷蒸发室内的温度稳定。

参照图4，图4为本发明地氟烷蒸发室温度控制方法第三实施例的流程示意图，基于上述第一实施例和第二实施例，提出本发明地氟烷蒸发室温度控制方法的第三实施例。本市实施例以第一实施例为基础进行说明。

在第三实施例中，步骤S20，具体包括：

S201：根据预设比例调节系数、预设积分调节系数和预设微分调节系数，通过预设控制算法对所述温度差值进行计算，获得参考控制量。

需要说明的是，第一加热单元的控制算法采用PID(Proportion IntegralDifferential)控制算法。PID控制的实质就是根据输入的偏差值，按照比例、积分、微分的函数关系进行运算，运算结果用以控制输出。其中，温度差值作为本实施方式中的偏差值输入。

应理解的是，预设比例调节系数、预设积分调节系数和预设微分调节系数可以预先通过实验的方式进行确定，以获取较佳的控制效果。PID算法为成熟算法，本实施方式不再对其进行说明。

需要说明的是，参考控制量可以为发热功率或为发热功率调节量，用于第一加热单元的控制输入，根据参考控制对第一加热单元的发热功率进行调节。

S202：根据所述参考控制量调节所述第一加热单元的发热功率，以使所述第一加热单元发热。

可以理解的是，当参考控制量为发热功率时，第一加热单元将其当前发热功率调整为该参考控制量对应的发热功率。当参考控制量为发热功率调节量时，第一加热单元根据该发热功率调节量将其当前发热功率进行调节，如提高或降低。第一加热单元进行发热功率调节的过程可能涉及提高发热功率、降低发热功率，或者同时涉及两者。

需要说明的是，在PID控制中，当有较大幅度的扰动或大幅度改变给定值时，由于此时有较大的偏差，以及系统有惯性和滞后，往往会产生较大的超调量和长时间的波动。地氟烷对温度较为敏感，在温度发生较大波动时，会导致地氟烷蒸发器的输出浓度变得不稳定，影响麻醉效果。

在具体实现时。为了避免调节第一加热单元的发热功率时产生较大波动，所述根据所述参考控制量调节所述第一加热单元的发热功率，以使所述第一加热单元发热的步骤，包括：判断所述参考控制量是否大于预设控制量阈值；在所述参考控制量大于所述预设控制量阈值时，将所述预设控制量阈值作为目标控制量；根据目标控制量调节所述第一加热单元的发热功率，以使所述第一加热单元发热。

需要说明的是，预设控制量阈值用于限制第一加热单元发热功率的调整幅度。例如，设置预设控制量阈值为500瓦，当参考控制量为600瓦时，对其进行限制，采用500瓦对第一加热单元的发热功率进行调节。从而避免了参考控制量过大引起温度变化过大。

在第三实施例中，第一加热单元采用PID控制算法进行控制，能够有效提高反馈调节的效果，进而保证地氟烷蒸发室内的温度稳定。此外，设置预设控制量阈值对第一加热单元的调节幅度进行限制，避免因调节幅度过大引起温度产生较大波动，而导致地氟烷蒸发器输出浓度发生变化，进一步提高了地氟烷蒸发室内温度的稳定性。

此外，本发明实施例还提出一种存储介质，所述存储介质上存储有地氟烷蒸发室温度控制程序，所述地氟烷蒸发室温度控制程序被处理器执行时实现如上文所述的地氟烷蒸发室温度控制方法的步骤。

由于本存储介质采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

此外，参照图5，本发明实施例还提出一种地氟烷蒸发室温度控制装置。

在本实施例中，地氟烷蒸发室温度控制装置包括：

温度采集模块10，用于获取目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值，并计算所述目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值之间的温度差值。

需要说明的是，第一加热单元和第二加热单元均可以采用电加热器，地氟烷药液与电加热器接触，吸收热量，形成地氟烷气体。地氟烷蒸发室用于对地氟烷药液进行加热，形成较高的、稳定的饱和蒸汽压。地氟烷蒸发室为地氟烷蒸发器中的一部分，地氟烷蒸发室通过麻药气体管路连接地氟烷蒸发器输出口，地氟烷蒸发室还设置有新鲜气体管路。地氟烷气体从地氟烷蒸发室输出后，在地氟烷蒸发器输出口与新鲜气体混合形成能够吸入的混合气体。

需要说明的是，为形成较高的、稳定的饱和蒸汽压，地氟烷蒸发室通常为密封空间，通过提高地氟烷蒸发室内的温度，从而提高地氟烷蒸发室内的气体压力。目标温度值由操作人员设置，具体地，目标温度值可以为40℃，当然目标温度值还根据操作人员的需求设置为其他值，本实施方式对此不加以限制。

需要说明的是，地氟烷蒸发室内设置有温度传感器，用于检测地氟烷蒸发室的当前温度值内的当前温度值。由于环境温度、新鲜气体流量、麻药输出浓度等因素的影响，地氟烷蒸发室内的温度容易发生变化，需要实时监控地氟烷蒸发室的当前温度值与目标温度值的差值。

控制模块20，用于根据所述温度差值控制所述第一加热单元进行发热。

应理解的是，加热温度由加热单元的发热功率决定，发热功率越高，发热温度越高，发热功率越低，发热温度越低。温度差值作为控制参数，决定发热功率的具体调节量。

需要说明的是，在控制第一加热单元进行发热时，可以为提高发热功率，也可以为降低发热功率。当地氟烷蒸发室内的当前温度值小于目标温度时，提高发热功率，以提高发热温度；当地氟烷蒸发室内的当前温度值大于于目标温度时，降低发热功率，以降低发热温度。

应理解的是，第一加热单元的控制方式为反馈控制，在地氟烷蒸发室工作时，第一加热单元能够根据地氟烷蒸发室内的当前温度值实时地调节发热温度，从而保持地氟烷蒸发室内温度稳定。

判断模块30，用于判断所述温度差值是否大于预设阈值。

需要说明的是，由于地氟烷蒸发室内温度决定了地氟烷的饱和蒸汽压，因而温度的波动会引起饱和蒸汽压，进而引起地氟烷蒸发器输出浓度的变化。由于地氟烷蒸发器对输出浓度的要求严苛，在出现温度波动时，需要尽快恢复温度稳定。而尽管第一加热单元通过反馈控制能够将温度恢复至目标温度值，但由于反馈调节需要一定时间，而这段时间内，地氟烷蒸发器输出浓度则会变得不稳定。因此需要对该部分时间进行补偿。

应理解的是，当温度差值大于预设阈温度值时，说明此时温度波动较大，需要进行补偿；当温度差值小于或等于预设温度阈值时，说明此时温度波动较小，可以不进行补偿。具体的，该预设温度阈值可以为2℃。当然，该预设温度阈值还可以为其他值，本实施方式对此不加以限制。

所述控制模块20，还用于在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率。

需要说明的是，为了提高加热速度，第二加热单元直接以给定的发热功率进行发热，例如，给定10千瓦。相比于第一加热单元的发热功率需要时时调整，第二加热单元直接按给定发热功率工作，能更快速地提高地氟烷蒸发室内温度，当然，也可以用于快速地降低地氟烷蒸发室内温度。该目标功率的具体值，需要根据发热器的具体参数和目标温度值进行确定，本实施方式对此不不加以限制。

需要说明的是，在地氟烷蒸发室内的当前温度趋于目标温度值，说明地氟烷蒸发室内的当前温度内的热量产生和消耗达到平衡。根据热能传导规律，热能会从高位能传导值低位能，由于地氟烷蒸发室内存在两个加热单元，因此，当两个加热单元的热能相差较大时，会发生热传导现象，从而导致热能的浪费。

在本实施中，所述在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率的步骤之后，还包括：获取所述第一加热单元的当前发热功率，并计算所述当前发热功率和所述目标发热功率的第二功率差值；判断所述第二功率差值是否大于第二预设功率阈值；在所述第二功率差值大于所述第二预设功率阈值时，根据所述第二功率差值对所述目标发热功率进行调整，获得调整后的发热功率；将所述第二加热单元的发热功率调节至所述调整后的发热功率。

可以理解的是，为了使第一加热单元和第二加热单元的热能平衡，可以将第一加热单元和第二加热单元的发热功率调整成相近功率。为了使平衡效果更佳，本实施中的第一加热单元和第二加热单元使用的相同型号的发热器。

可以理解的是，在第二功率差值大于第二预设功率阈值时，说明第一加热单元和第二加热单元之间热能不平衡，需要进行调节；在第二功率差值大于第二预设功率阈值时，说明第一加热单元和第二加热单元之间热能较为平衡，可以不进行调节。在对第二加热单元的发热功率进行调节时，当第二加热单元的发热功率小于第一加热单元的发热功率时，第二加热单元的发热功率增加该第二功率差值；当第二加热单元的发热功率大于第一加热单元的发热功率时，第二加热单元的发热功率减小该第二功率差值。

在本实施例中，通过获取目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值，并计算所述目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值之间的温度差值；根据所述温度差值控制所述第一加热单元进行发热；判断所述温度差值是否大于预设阈值；在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率。本实施例的地氟烷蒸发室内设置有两个加热单元，其中一加热单元采用反馈控制，能够实时根据地氟烷蒸发室内的温度值进行调整发热功率，以维持地氟烷蒸发室内的温度恒定；同时，另一加热单元用于辅助加热，在地氟烷蒸发室内的温度出现较大浮动时，进行加热，快速调整地氟烷蒸发室内的温度，避免反馈调节过程存在延迟，导致地氟烷蒸发室内的温度出现失衡。

在一实施例中，所述控制模块20，还用于获取地氟烷输出浓度的变化量；根据所述变化量确定第一参考发热功率；计算所述第一参考发热功率与所述目标发热功率的第一功率差值，并判断所述第一功率差值是否大于第一预设功率阈值；在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，则将所述第二加热单元的发热功率调节至所述第一参考发热功率。

在一实施例中，所述控制模块20，还用于在所述第二加热单元的发热功率达到所述第一参考发热功率时，记录发热时间；判断所述发热时间是否达到预设时间；在所述发热时间达到所述预设时间时，获取所述第一加热单元的发热功率，并将所述第一加热单元的发热功率作为第二参考发热功率；将所述第二加热单元的发热功率从所述第一参考发热功率调节至所述第二参考发热功率。

在一实施例中，所述控制模块20，还用于在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，根据所述第一功率差值确定调节时间间隔和调节幅度；

根据所述调节时间间隔和所述调节幅度对所述第二加热单元的发热功率进行调节，以使所述第二加热单元的发热功率达到所述第一参考发热功率。

在一实施例中，所述控制模块20，还用于获取所述第一加热单元的当前发热功率，并计算所述当前发热功率和所述目标发热功率的第二功率差值；判断所述第二功率差值是否大于第二预设功率阈值；在所述第二功率差值大于所述第二预设功率阈值时，根据所述第二功率差值对所述目标发热功率进行调整，获得调整后的发热功率；将所述第二加热单元的发热功率调节至所述调整后的发热功率。

在一实施例中，所述控制模块20，还用于根据预设比例调节系数、预设积分调节系数和预设微分调节系数，通过预设控制算法对所述温度差值进行计算，获得参考控制量；根据所述参考控制量调节所述第一加热单元的发热功率，以使所述第一加热单元发热。

在一实施例中，所述控制模块20，还用于判断所述参考控制量是否大于预设控制量阈值；在所述参考控制量大于所述预设控制量阈值时，将所述预设控制量阈值作为目标控制量；根据目标控制量调节所述第一加热单元的发热功率，以使所述第一加热单元发热。

本发明所述地氟烷蒸发室温度控制装置的其他实施例或具体实现方式可参照上述各方法实施例，此处不再赘述。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。词语第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序，可将这些词语解释为名称。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如只读存储器镜像(Read Only Memory image，ROM)/随机存取存储器(Random AccessMemory，RAM)、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种地氟烷蒸发室温度控制方法，其特征在于，所述地氟烷蒸发室包括第一加热单元和第二加热单元，所述方法包括以下步骤：

获取目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值，并计算所述目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值之间的温度差值；

根据所述温度差值控制所述第一加热单元进行发热；

判断所述温度差值是否大于预设温度阈值；

在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率。

2.如权利要求1所述的地氟烷蒸发室温度控制方法，其特征在于，所述在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率的步骤之后，还包括：

获取地氟烷输出浓度的变化量；

根据所述变化量确定第一参考发热功率；

计算所述第一参考发热功率与所述目标发热功率的第一功率差值，并判断所述第一功率差值是否大于第一预设功率阈值；

在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，则将所述第二加热单元的发热功率调节至所述第一参考发热功率。

3.如权利要求2所述的地氟烷蒸发室温度控制方法，其特征在于，所述在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，则将所述第二加热单元的发热功率调节至所述第一参考发热功率之后，还包括：

在所述第二加热单元的发热功率达到所述第一参考发热功率时，记录发热时间；

判断所述发热时间是否达到预设时间；

在所述发热时间达到所述预设时间时，获取所述第一加热单元的发热功率，并将所述第一加热单元的发热功率作为第二参考发热功率；

将所述第二加热单元的发热功率从所述第一参考发热功率调节至所述第二参考发热功率。

4.如权利要求2所述的地氟烷蒸发室温度控制方法，其特征在于，所述在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，则将所述第二加热单元的发热功率调节至所述第一参考发热功率的步骤，包括：

在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，根据所述第一功率差值确定调节时间间隔和调节幅度；

根据所述调节时间间隔和所述调节幅度对所述第二加热单元的发热功率进行调节，以使所述第二加热单元的发热功率达到所述第一参考发热功率。

5.如权利要求1-4中任一项所述的地氟烷蒸发室温度控制方法，其特征在于，所述在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率的步骤之后，还包括：

获取所述第一加热单元的当前发热功率，并计算所述当前发热功率和所述目标发热功率的第二功率差值；

判断所述第二功率差值是否大于第二预设功率阈值；

在所述第二功率差值大于所述第二预设功率阈值时，根据所述第二功率差值对所述目标发热功率进行调整，获得调整后的发热功率；

将所述第二加热单元的发热功率调节至所述调整后的发热功率。

6.如权利要求1-4任一项所述的地氟烷蒸发室温度控制方法，其特征在于，所述根据所述温度差值控制所述第一加热单元进行发热的步骤，包括：

根据预设比例调节系数、预设积分调节系数和预设微分调节系数，通过预设控制算法对所述温度差值进行计算，获得参考控制量；

根据所述参考控制量调节所述第一加热单元的发热功率，以使所述第一加热单元发热。

7.如权利要求6所述的地氟烷蒸发室温度控制方法，其特征在于，所述根据所述参考控制量调节所述第一加热单元的发热功率，以使所述第一加热单元发热的步骤，包括：

判断所述参考控制量是否大于预设控制量阈值；

在所述参考控制量大于所述预设控制量阈值时，将所述预设控制量阈值作为目标控制量；

根据目标控制量调节所述第一加热单元的发热功率，以使所述第一加热单元发热。

8.一种地氟烷蒸发室温度控制设备，其特征在于，所述地氟烷蒸发室温度控制设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的地氟烷蒸发室温度控制程序，所述地氟烷蒸发室温度控制程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的地氟烷蒸发室温度控制方法的步骤。

9.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有地氟烷蒸发室温度控制程序，所述地氟烷蒸发室温度控制程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的地氟烷蒸发室温度控制方法的步骤。

10.一种地氟烷蒸发室温度控制装置，其特征在于，所述地氟烷蒸发室温度控制装置包括：

温度采集模块，用于获取目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值，并计算所述目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值之间的温度差值；

控制模块，用于根据所述温度差值控制第一加热单元进行发热；

判断模块，用于判断所述温度差值是否大于预设阈值；

所述控制模块，还用于在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率。

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