CN112005376A - 显示基板、显示设备、制造显示基板的方法 - Google Patents
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Abstract
一种具有显示区域和周边区域的显示基板。该显示基板包括:基底基板;第一电力焊盘,其位于基底基板上,第一电力焊盘包括第一部分,第一部分位于周边区域中并沿着显示基板的电力线接口侧;钝化层,其位于所述第一电力焊盘的远离基底基板的一侧;像素限定层,其位于钝化层的远离基底基板的一侧,用于限定多个子像素孔;以及封装层,其位于像素限定层的远离基底基板的一侧。显示基板包括第一凹槽,第一凹槽贯穿钝化层和像素限定层中的一者或组合,从而暴露第一电力焊盘位于周边区域中的第一部分的表面。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术,更具体地,涉及显示基板、显示设备和制造显示基板的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示设备是自发光装置且无需背光。与传统液晶显示(LCD)设备相比,OLED显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外,OLED显示设备可以制作得比典型的LCD设备更易弯曲、更薄且更轻。
发明内容
一方面,本发明提供了一种具有显示区域和周边区域的显示基板,包括:基底基板;第一电力焊盘,其位于基底基板上,第一电力焊盘包括第一部分,第一部分位于周边区域中并沿着显示基板的电力线接口侧;钝化层,其位于第一电力焊盘的远离基底基板的一侧;像素限定层,其位于钝化层的远离基底基板的一侧,用于限定多个子像素孔;以及封装层,其位于像素限定层的远离基底基板的一侧;其中,显示基板包括第一凹槽,第一凹槽贯穿钝化层和像素限定层中的一者或组合,从而暴露第一电力焊盘位于周边区域中的第一部分的表面;并且,封装层延伸至第一凹槽中并且与第一部分的所述表面直接接触,从而封装显示基板。
可选地,封装层完全覆盖第一部分的所述表面。
可选地,第一部分包括:第一侧,其远离基底基板;第二侧,其与第一侧相对并且更靠近基底基板;第三侧,其连接第一侧和第二侧并且更靠近显示区域;以及第四侧,其连接第一侧和第二侧,第四侧与第三侧相对并且远离显示区域;第一部分的第四侧被像素限定层和钝化层中的一者或组合覆盖;并且,第一凹槽暴露第一侧的一部分。
可选地,第四侧具有凹陷表面。
可选地,第一部分包括在第四侧上过蚀刻的至少一个子层,从而形成凹陷表面。
可选地,封装层包括第一无机封装子层,第一无机封装子层延伸至第一凹槽中并且与第一部分的所述表面直接接触。
可选地,在与第一凹槽对应的区域中,封装层还包括:有机封装子层,其位于第一无机封装子层的远离基底基板的一侧;以及第二无机封装子层,其位于有机封装子层的远离第一无机封装子层的一侧。
可选地,第一电力焊盘还包括至少一个第二部分,所述至少一个第二部分与第一部分连接并且从第一部分远离显示区域地延伸;并且,所述至少一个第二部分被像素限定层和钝化层中的一者或组合至少部分地覆盖。
可选地,显示基板还包括第二凹槽,第二凹槽贯穿钝化层和像素限定层中的一者或组合,从而暴露第一电力焊盘位于周边区域中的所述至少一个第二部分的表面;并且,封装层延伸至第二凹槽中并且与所述至少一个第二部分的所述表面直接接触。
可选地,封装层包括第一无机封装子层,第一无机封装子层延伸至第二凹槽中并且与所述至少一个第二部分的所述表面直接接触。
可选地,在与第二凹槽对应的区域中,封装层还包括:有机封装子层,其位于第一无机封装子层的远离基底基板的一侧;以及第二无机封装子层,其位于有机封装子层的远离第一无机封装子层的一侧。
可选地,所述至少一个第二部分包括两个第二部分,该两个第二部分在不同位置处分别与第一部分连接并且从第一部分远离显示区域地延伸;并且,第一部分和所述两个第二部分形成π形状(pi-shaped)结构。
可选地,显示基板还包括:第二电力焊盘,其位于基底基板上并且位于周边区域中,第二电力焊盘与第一电力焊盘间隔开;其中,第二电力焊盘包括位于显示基板的电力线接口侧的至少一个第三部分,所述至少一个第三部分被像素限定层和钝化层中的一者或组合至少部分地覆盖;第二凹槽贯穿钝化层和像素限定层中的一者或组合,从而还暴露第二电力焊盘位于周边区域中的所述至少一个第三部分的表面;并且,封装层延伸至第二凹槽中并且与所述至少一个第三部分的所述表面直接接触。
可选地,显示基板还包括:第二电力焊盘,其位于基底基板上并且位于周边区域中,第二电力焊盘与第一电力焊盘间隔开;其中,第二电力焊盘包括位于显示基板的电力线接口侧的至少一个第三部分,所述至少一个第三部分被像素限定层和钝化层中的一者或组合至少部分地覆盖;所述至少一个第三部分位于第一部分的远离显示区域地延伸的一侧,第一部分和所述至少一个第三部分中的对应一个由第一间隙间隔开;并且,第一凹槽位于第一间隙的更靠近显示区域的一侧。
可选地,钝化层至少延伸至第一间隙中。
可选地,第一电力焊盘还包括至少一个第二部分,该至少一个第二部分与第一部分连接并且从第一部分远离显示区域地延伸;所述至少一个第二部分被像素限定层和钝化层中的一者或组合至少部分地覆盖;并且,所述至少一个第二部分和所述至少一个第三部分位于第一部分的远离显示区域地延伸的一侧,所述至少一个第二部分中的对应一个与所述至少一个第三部分中的对应一个由与第一间隙连接的第二间隙间隔开。
可选地,钝化层延伸至第一间隙和第二间隙中。
可选地,显示基板还包括第三凹槽,第三凹槽贯穿钝化层和像素限定层中的一者或组合,从而暴露第一电力焊盘位于周边区域中的所述至少一个第二部分的表面;封装层包括第一无机封装子层,第一无机封装子层延伸至第三凹槽中并且与所述至少一个第二部分的所述表面直接接触;在与第三凹槽对应的区域中,封装层还包括:第二无机封装子层,其位于第一无机封装子层的远离基底基板的一侧,第二无机封装子层与第一无机封装子层直接接触。
可选地,第一电力焊盘选自由以下各项构成的组:与多条VDD高电压电力线连接的VDD电力焊盘和与多条VSS低电压电力线连接的VSS电力焊盘。
另一方面,本发明提供了一种显示设备,其包括本文所述的或通过本文所述方法制造的显示基板以及与显示基板连接的一个或多个集成电路。
另一方面,本发明提供了一种制造显示基板的方法,包括:在基底基板上形成第一电力焊盘,第一电力焊盘形成为包括位于周边区域中并且沿着显示基板的电力线接口侧的第一部分;在第一电力焊盘的远离基底基板的一侧形成钝化层;在钝化层的远离基底基板的一侧形成像素限定层,从而限定多个子像素孔;形成贯穿钝化层和像素限定层中的一者或组合的第一凹槽,从而暴露第一电力焊盘位于周边区域中的第一部分的表面;以及在像素限定层的远离基底基板的一侧形成封装层,封装层形成为延伸至第一凹槽中并且与第一部分的所述表面直接接触,从而封装显示基板。
附图说明
以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例,并且不旨在限制本发明的范围。
图1是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的第一电力焊盘的结构的示意图。
图3是图1中的区域Z的放大视图。
图4是沿图3的A-A'线的截面图。
图5是沿图3的B-B'线的截面图。
图6是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。
图7是示出根据本公开的一些实施例中的第一电力焊盘的结构的示意图。
图8是图6中的区域Z的放大视图。
图9是沿图8的C-C'线的截面图。
图10是沿图8的D-D'线的截面图。
图11是示出根据本公开的一些实施例中的第一电力焊盘的第一部分的结构的显示基板的局部视图。
图12是示出根据本公开的一些实施例中的第一电力焊盘的第一部分的结构的显示基板的局部视图。
图13是示出根据本公开的一些实施例中的第一电力焊盘的第一部分的结构的显示基板的局部视图。
具体实施方式
现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意,以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。
图1是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。图2是示出根据本公开的一些实施例中的第一电力焊盘的结构的示意图。图3是图1中的区域Z的放大视图。图4是沿图3的A-A'线的截面图。图5是沿图3的B-B'线的截面图。参照图1至图5,在一些实施例中,显示基板具有显示区域DA和周边区域PA。显示基板包括:基底基板10;第一电力焊盘PP1,其位于基底基板10上;钝化层20,其位于第一电力焊盘PP1的远离基底基板10的一侧;像素限定层30,其位于钝化层20的远离基底基板10的一侧,用于限定多个子像素孔SPA;以及封装层40,其位于像素限定层30的远离基底基板10的一侧。可选地,显示基板还包括:第二电力焊盘PP2,其位于基底基板10上并且位于周边区域PA中,第二电力焊盘PP2与第一电力焊盘PP1间隔开。
在一些实施例中,第一电力焊盘PP1包括:第一部分P1,其位于周边区域PA中并且沿着显示基板的电力线接口侧;以及至少一个第二部分P2,其与第一部分P1连接并且从第一部分P1远离显示区域DA地延伸。在一些实施例中,第二电力焊盘PP2包括:至少一个第三部分P3,其位于显示基板的电力线接口侧;以及至少一个第四部分P4,其与第三部分P3连接并且位于显示基板的不同于电力线接口侧的另一侧。可选地,第一部分P1、所述至少一个第二部分P2、所述至少一个第三部分P3和所述至少一个第四部分P4中的一个或组合被像素限定层30和钝化层20中的一者或组合至少部分地覆盖。在一个示例中,如图1至图5所示,第一部分P1、所述至少一个第二部分P2、所述至少一个第三部分P3和所述至少一个第四部分P4中的一个或组合被钝化层20和像素限定层30两者至少部分地覆盖。在另一个示例中,第一部分P1、所述至少一个第二部分P2、所述至少一个第三部分P3和所述至少一个第四部分P4中的至少一个仅被钝化层20至少部分地覆盖,但是未被像素限定层30覆盖。
可选地,显示基板的电力线接口侧是显示基板的集成电路接合(bonding)侧,一个或多个集成电路在该集成电路接合侧连接至显示基板。可选地,显示基板的电力线接口侧是显示基板的一侧,一条或多条电力线在该侧连接至显示基板。
参照图2,在一些实施例中,所述至少一个第二部分P2包括两个第二部分(图2中,一个在左边,一个在右边),该两个第二部分在不同位置处分别与第一部分P1连接并且从第一部分P1远离显示区域DA地延伸。可选地,第一部分P1和所述至少一个第二部分P2中的所述两个第二部分形成π形状结构。
在一些实施例中,参照图4和图5,显示基板还包括分别位于所述多个子像素孔SPA中的多个发光元件LE。所述多个发光元件LE中的对应一个包括:第一电极53;发光层52,其位于第一电极53的远离基底基板10的一侧;以及第二电极51,其位于发光层52的远离第一电极53的一侧。
在一些实施例中,参照图4和图5,显示基板还包括多个薄膜晶体管TFT,该多个薄膜晶体管TFT用于驱动所述多个发光元件LE发光。
在一些实施例中,第一电力焊盘PP1与多条第一电力信号线连接并且配置为向所述多条第一电力信号线提供第一电力信号,并且第二电力焊盘PP2与多条第二电力信号线连接并且配置为向所述多条第二电力信号线提供第二电力信号。可选地,第一电力焊盘PP1是与多条VDD高电压电力线连接的VDD电力焊盘,并且第二电力焊盘PP2是与多条VSS低电压电力线连接的VSS电力焊盘。可选地,第一电力焊盘PP1是与多条VSS低电压电力线连接的VSS电力焊盘,并且第二电力焊盘PP2是与多条VDD高电压电力线连接的VDD电力焊盘。可选地,第一电力焊盘和第二电力焊盘可以为与不同信号线连接的其它焊盘。
在一些实施例中,参照图4和图5,封装层40包括:第一无机封装子层41,其位于所述多个发光元件LE和像素限定层30的远离基底基板10的一侧;有机封装子层42,其位于第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧;以及第二无机封装子层43,其位于有机封装子层42的远离第一无机封装子层41的一侧。
在一些实施例中,并且参照图4和图5,显示基板具有第二凹槽GE2,该第二凹槽GE2贯穿钝化层20和像素限定层30中的一者或组合,从而暴露第一电力焊盘PP1位于周边区域PA中的所述至少一个第二部分P2的表面和第二电力焊盘PP2位于周边区域PA中的所述至少一个第三部分P3的表面。封装层40延伸至第二凹槽GE2中并且与所述至少一个第二部分P2的所述表面以及所述至少一个第三部分P3的所述表面直接接触。例如,第一无机封装子层41延伸至第二凹槽GE2中并且与所述至少一个第二部分P2的所述表面以及所述至少一个第三部分P3的所述表面直接接触。
在一些实施例中,并且参照图4和图5,显示基板还包括第三凹槽GE3,该第三凹槽GE3贯穿钝化层20和像素限定层30中的一者或组合,从而暴露第一电力焊盘PP1位于周边区域PA中的所述至少一个第二部分P2的表面和第二电力焊盘PP2位于周边区域PA中的所述至少一个第三部分P3的表面。封装层40延伸至第三凹槽GE3中并且与所述至少一个第二部分P2的所述表面以及所述至少一个第三部分P3的所述表面直接接触。例如,第一无机封装子层41延伸至第三凹槽GE3中并且与所述至少一个第二部分P2的所述表面以及所述至少一个第三部分P3的所述表面直接接触。
参照图3,所述至少一个第三部分P3位于第一部分P1远离显示区域地延伸的一侧。第一部分P1和所述至少一个第三部分P3中的对应一个由第一间隙G1间隔开。所述至少一个第二部分P2和所述至少一个第三部分P3位于第一部分P1远离显示区域地延伸的一侧。所述至少一个第二部分P2中的对应一个与所述至少一个第三部分P3中的对应一个被与第一间隙G1连接的第二间隙G2间隔开。第一间隙G1和第二间隙G2形成允许外部氧气和水分渗入显示基板内部的通道,因为钝化层20和像素限定层30无法完全阻挡氧气和水分。参照图3至图5中的虚线箭头,外部氧气和水分可以渗透钝化层20和像素限定层30,并且到达所述多个发光元件LE的第二电极51,从而腐蚀第二电极51,导致所述多个发光元件LE的劣化。
因此,本公开特别提供了显示基板、显示设备和制造显示基板的方法,其实质上消除了由于相关技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。在一方面,本公开提供了一种具有显示区域和周边区域的显示基板。在一些实施例中,显示基板包括:基底基板;第一电力焊盘,其位于基底基板上,第一电力焊盘包括第一部分,第一部分位于周边区域中并沿着显示基板的电力线接口侧;钝化层,其位于第一电力焊盘的远离基底基板的一侧;像素限定层,其位于钝化层的远离基底基板的一侧,用于限定多个子像素孔;以及封装层,其位于像素限定层的远离基底基板的一侧。可选地,显示基板包括第一凹槽,第一凹槽贯穿钝化层和像素限定层中的一者或组合,从而暴露第一电力焊盘位于周边区域中的第一部分的表面。可选地,封装层延伸至第一凹槽中并且与第一部分的所述表面直接接触,从而封装显示基板。可选地,封装层完全覆盖第一部分的所述表面。
图6是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。图7是示出根据本公开的一些实施例中的第一电力焊盘的结构的示意图。图8是图6中的区域Z的放大视图。图9是沿图8的C-C'线的截面图。图10是沿图8的D-D'线的截面图。参照图6至图10,在一些实施例中,显示基板具有显示区域DA和周边区域PA。显示基板包括:基底基板10;第一电力焊盘PP1,其位于基底基板10上;钝化层20,其位于第一电力焊盘PP1的远离基底基板10的一侧;像素限定层30,其位于钝化层20的远离基底基板10的一侧,用于限定多个子像素孔SPA;以及封装层40,其位于像素限定层30的远离基底基板10的一侧。在一些实施例中,第一电力焊盘PP1包括第一部分P1,第一部分P1位于周边区域PA中并沿着显示基板的电力线接口侧。可选地,显示基板具有第一凹槽GE1,第一凹槽GE1贯穿钝化层20和像素限定层30中的一者或组合,从而暴露第一电力焊盘PP1位于周边区域PA中的第一部分P1的表面。在一个示例中,并且参照图9和图10,第一凹槽GE1贯穿钝化层20和像素限定层30两者,从而暴露第一电力焊盘PP1位于周边区域PA中的第一部分P1的表面。封装层40延伸至第一凹槽GE1中并且与第一部分P1的所述表面直接接触,从而封装显示基板。封装层40完全覆盖第一部分P1的所述表面。
在一些实施例中,显示基板还包括:第二电力焊盘PP2,其位于基底基板10上并且位于周边区域PA中,第二电力焊盘PP2与第一电力焊盘PP1间隔开。在一些实施例中,第一电力焊盘PP1与多条第一电力信号线连接并且配置为向所述多条第一电力信号线提供第一电力信号,并且第二电力焊盘PP2与多条第二电力信号线连接并且配置为向所述多条第二电力信号线提供第二电力信号。可选地,第一电力焊盘是与多条VDD高电压电力线连接的VDD电力焊盘,并且第二电力焊盘是与多条VSS低电压电力线连接的VSS电力焊盘。可选地,第一电力焊盘是与多条VSS低电压电力线连接的VSS电力焊盘,并且第二电力焊盘是与多条VDD高电压电力线连接的VDD电力焊盘。可选地,第一电力焊盘和第二电力焊盘可以为与不同信号线连接的其它焊盘。
可选地,参照图6,第一电力焊盘PP1(例如,VDD电力焊盘)沿显示基板的一侧设置,并且第二电力焊盘PP2(例如,VSS电力焊盘)实质上围绕显示基板的至少三侧并从显示基板的电路接合侧(例如,电力线接口侧)延伸出显示基板。
在一些实施例中,并且参照图9和图10,显示基板还包括分别位于所述多个子像素孔SPA中的多个发光元件LE。所述多个发光元件LE中的对应一个包括:第一电极53;发光层52,其位于第一电极53的远离基底基板10的一侧;以及第二电极51,其位于发光层52的远离第一电极53的一侧。
在一些实施例中,并且参照图9和图10,显示基板还包括多个薄膜晶体管TFT,其用于驱动所述多个发光元件LE发光。在一个示例中,第一电极53与所述多个薄膜晶体管TFT中的对应一个的漏极电连接。所述多个薄膜晶体管TFT和各种信号线(比如所述多条VDD高电压电力线和所述多条VSS低电压电力线)构成用于驱动显示基板发光的驱动电路。
图11是示出根据本公开的一些实施例中的第一电力焊盘的第一部分的结构的显示基板的局部视图。参照图11,第一部分P1具有:第一侧S1,其远离基底基板10;第二侧S2,其与第一侧S1相对并且更靠近基底基板10;第三侧S3,其连接第一侧S1和第二侧S2并且更靠近显示区域DA;以及第四侧S4,其连接第一侧S1和第二侧S2,第四侧S4与第三侧S3相对并且远离显示区域DA。可选地,第一部分P1的第四侧S4被像素限定层30和钝化层20中的一者或组合覆盖。在一个示例中,如图11和图9所示,第一部分P1的第四侧S4被钝化层20覆盖。可选地,如图9和图10所示,第一凹槽GE1暴露第一侧S1的一部分。可选地,显示基板进一步的包括一层间电介质层60,位于第一部分P1和基底基板10之间。
图12是示出根据本公开的一些实施例中的第一电力焊盘的第一部分的结构的显示基板的局部视图。参照图12,在一些实施例中,第三侧S3具有凹陷表面,且第四侧S4具有凹陷表面。
在一些实施例中,第一部分P1包括在第四侧S4上过蚀刻的至少一个子层,从而形成凹陷表面。图13是示出根据本公开的一些实施例中的第一电力焊盘的第一部分的结构的显示基板的局部视图。参照图13,在一些实施例中,第一部分P1包括第一子层P11、位于中间的第二子层P12、以及第三子层P13,第二子层P12夹于第一子层P11和第三子层P13之间。至少第二子层P12被过蚀刻,从而形成所述凹陷表面。
可选地,第一子层P11和第三子层P13由相对更抗蚀刻的材料制成,并且第三子层P13由相对较少抗蚀刻的材料制成。在一个示例中,第一子层P11和第三子层P13由钛制成,并且第三子层P12由铝制成。
第二部分P2和第二电力焊盘PP2可以具有类似的凹陷表面。可选地,第一电力焊盘PP1和第二电力焊盘PP2由相同材料制成,并且在相同构图工艺中使用单个掩膜板制造。可选地,第一电力焊盘PP1和第二电力焊盘PP2中的每一个包括多个子层(例如,第一子层P11、第二子层P12和第三子层P13)。
在显示基板的制造过程中,在基底基板10上首先形成并图案化第一电力焊盘PP1和第二电力焊盘PP2(例如,第一部分P1)。在第一电力焊盘PP1和第二电力焊盘PP2(例如,第一部分P1)上形成钝化层20,并且随后,通过沉积导电材料层并随后蚀刻导电材料层来形成第一电极53的图案,从而形成第一电极53。在蚀刻导电材料层的过程中,第一部分P1(或第一电力焊盘PP1或第二电力焊盘PP2的任意其他部分)的未被钝化层20覆盖的侧表面可以被用于蚀刻导电材料层的蚀刻剂蚀刻。在一个示例中,第一部分P1的子层之一由相对较少抗蚀刻的材料制成,并且在蚀刻过程期间被过蚀刻,从而形成凹陷侧表面。随后,在基底基板10上形成像素限定层30,像素限定层30的像素限定材料填充在凹陷表面中。当形成封装层40以封装显示基板时,无法完全封装该凹陷表面。如上所讨论,像素限定层30和钝化层20无法完全阻挡氧气和水分。外部氧气和水分可渗透钝化层20和像素限定层30。
然而,参照图9和图10,由于形成了第一凹槽GE1,导致封装层40延伸至第一凹槽GE1中并且与第一部分P1的第一侧S1直接接触(例如,参见图11至图13)。如图9和图10所示,封装层40在该区域中的出现阻挡了外部氧气和水分到达第二电极51的路径。因此,保护第二电极51免受由渗透第一间隙G1和第二间隙G2的外部氧气和水分(参见例如图8)导致的腐蚀。所述多个发光元件LE的性能和寿命可以大大增强。
在一些实施例中,并且参照图9和图10,封装层40包括:第一无机封装子层41,其位于所述多个发光元件LE和像素限定层30的远离基底基板10的一侧;有机封装子层42,其位于第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧;以及第二无机封装子层43,其位于有机封装子层42的远离第一无机封装子层41的一侧。可选地,第一无机封装子层41延伸至第一凹槽GE1中并且与第一部分P1的表面(例如,如图11至图13所示,第一部分P1的第一侧S1)直接接触。可选地,在与第一凹槽GE1对应的区域中,封装层40还包括:有机封装子层42,其位于第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧;以及第二无机封装子层43,其位于有机封装子层42的远离第一无机封装子层41的一侧。
参照图8和图10,在一些实施例中,第一电力焊盘PP1包括:第一部分P1,其位于周边区域PA中并且沿着显示基板的电力线接口侧;以及至少一个第二部分P2,其与第一部分P1连接并且从第一部分P1远离显示区域DA地延伸。可选地,所述至少一个第二部分P2被像素限定层30和钝化层20中的一者或组合至少部分地覆盖。参照图7,在一些实施例中,所述至少一个第二部分P2包括两个第二部分(图7中,一个在左边,一个在右边),该两个第二部分在不同位置处分别与第一部分P1连接并且从第一部分P1远离显示区域DA地延伸。可选地,第一部分P1和所述至少一个第二部分P2中的所述两个第二部分形成π形状结构。
在一些实施例中,并且参照图10,显示基板具有第二凹槽GE2,第二凹槽GE2贯穿钝化层20和像素限定层30中的一者或组合,从而暴露第一电力焊盘PP1位于周边区域PA中的所述至少一个第二部分P2的表面。封装层40延伸至第二凹槽GE2中并且与所述至少一个第二部分P2的所述表面直接接触。例如,第一无机封装子层41延伸至第二凹槽GE2中并且与所述至少一个第二部分P2的所述表面直接接触。
可选地,在与第二凹槽GE2对应的区域中,封装层40还包括:有机封装子层42,其位于第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧;以及第二无机封装子层43,其位于有机封装子层42的远离第一无机封装子层41的一侧。
可选地,在与第二凹槽GE2对应的区域中,封装层40还包括:第二无机封装子层43,其位于第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧。在一个示例中,在与第二凹槽GE2对应的区域中,不存在有机封装子层42。
在一些实施例中,并且参照图9,第二电力焊盘PP2包括至少一个第三部分P3,其位于显示基板的电力线接口侧。所述至少一个第三部分P3被像素限定层30和钝化层20中的一者或组合至少部分地覆盖。在一些实施例中,显示基板具有第二凹槽GE2,第二凹槽GE2贯穿钝化层20和像素限定层30中的一者或组合,从而暴露第二电力焊盘PP2位于周边区域PA中的所述至少一个第三部分P3的表面。封装层40延伸至第二凹槽GE2中并且与所述至少一个第三部分P3的所述表面直接接触。例如,第一无机封装子层41延伸至第二凹槽GE2中并且与所述至少一个第三部分P3的所述表面直接接触。可选地,在与第二凹槽GE2对应的区域中,封装层40还包括:有机封装子层42,其位于第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧;以及第二无机封装子层43,其位于有机封装子层42的远离第一无机封装子层41的一侧。
在一些实施例中,并且参照图9和图10,显示基板具有第二凹槽GE2,其贯穿钝化层20和像素限定层30中的一者或组合,从而暴露第一电力焊盘PP1位于周边区域PA中的所述至少一个第二部分P2的表面和第二电力焊盘PP2位于周边区域PA中的所述至少一个第三部分P3的表面。封装层40延伸至第二凹槽GE2中并且与所述至少一个第二部分P2的所述表面以及所述至少一个第三部分P3的所述表面直接接触。例如,第一无机封装子层41延伸至第二凹槽GE2中并且与所述至少一个第二部分P2的所述表面以及所述至少一个第三部分P3的所述表面直接接触。
可选地,在与第二凹槽GE2对应的区域中,封装层40还包括:有机封装子层42,其位于第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧;以及第二无机封装子层43,其位于有机封装子层42的远离第一无机封装子层41的一侧。
可选地,在与第二凹槽GE2对应的区域中,封装层40还包括:第二无机封装子层43,其位于第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧。在一个示例中,在与第二凹槽GE2对应的区域中,不存在有机封装子层42。
在一些实施例中,并且参照图10,显示基板具有第三凹槽GE3,第三凹槽GE3贯穿钝化层20和像素限定层30中的一者或组合,从而暴露第一电力焊盘PP1位于周边区域PA中的所述至少一个第二部分P2的表面。封装层40延伸至第三凹槽GE3中并且与所述至少一个第二部分P2的所述表面直接接触。例如,第一无机封装子层41延伸至第三凹槽GE3中并且与所述至少一个第二部分P2的所述表面直接接触。可选地,在与第三凹槽GE3对应的区域中,封装层40还包括:第二无机封装子层43,其位于第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧。在一个示例中,在与第三凹槽GE3对应的区域中,不存在有机封装子层42。
在一些实施例中,并且参照图9,显示基板具有第三凹槽GE3,第三凹槽GE3贯穿钝化层20和像素限定层30中的一者或组合,从而暴露第二电力焊盘PP2位于周边区域PA中的所述至少一个第三部分P3的表面。封装层40延伸至第三凹槽GE3中并且与所述至少一个第三部分P3的所述表面直接接触。例如,第一无机封装子层41延伸至第三凹槽GE3中并且与所述至少一个第三部分P3的所述表面直接接触。可选地,在与第三凹槽GE3对应的区域中,封装层40还包括:第二无机封装子层43,其位于第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧。在一个示例中,在与第三凹槽GE3对应的区域中,不存在有机封装子层42。
在一些实施例中,并且参照图9和图10,显示基板具有第三凹槽GE3,其贯穿钝化层20和像素限定层30中的一者或组合,从而暴露第一电力焊盘PP1位于周边区域PA中的所述至少一个第二部分P2的表面和第二电力焊盘PP2位于周边区域PA中的所述至少一个第三部分P3的表面。封装层40延伸至第三凹槽GE3中并且与所述至少一个第二部分P2的所述表面以及所述至少一个第三部分P3的所述表面直接接触。例如,第一无机封装子层41延伸至第三凹槽GE3中并且与所述至少一个第二部分P2的所述表面以及所述至少一个第三部分P3的所述表面直接接触。可选地,在与第三凹槽GE3对应的区域中,封装层40还包括:第二无机封装子层43,其位于第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧。在一个示例中,在与第三凹槽GE3对应的区域中,不存在有机封装子层42。
参照图8至图10,在一些实施例中,所述至少一个第三部分P3位于第一部分P1远离显示区域地延伸的一侧。第一部分P1和所述至少一个第三部分P3中的对应一个由第一间隙G1间隔开。第一凹槽GE1位于第一间隙G1的更靠近显示区域DA的一侧。可选地,钝化层20延伸至第一间隙G1中。在一些实施例中,所述至少一个第二部分P2和所述至少一个第三部分P3位于第一部分P1远离显示区域地延伸的一侧。所述至少一个第二部分P2中的对应一个与所述至少一个第三部分P3中的对应一个被与第一间隙G1连接的第二间隙G2间隔开。可选地,钝化层20延伸至第一间隙G1和第二间隙G2中。
各种适当发光元件可用于本显示基板中。适当发光元件的示例包括:有机发光二极管、量子点发光二极管和微发光二极管。
另一方面,本公开提供了一种显示设备,其包括本文所述的或通过本文所述方法制造的显示基板以及与显示基板连接的一个或多个集成电路。可选地,显示设备包括显示面板。可选地,显示面板包括本文所述的或者通过本文所述的方法制造的显示基板、以及对置基板。适当显示设备的示例包括但不限于:电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相框、GPS等。可选地,可拉伸显示设备还包括与可拉伸显示面板连接的一个或多个集成电路。
在另一方面,本公开提供了一种制造显示基板的方法。在一些实施例中,所述方法包括:在基底基板上形成第一电力焊盘,第一电力焊盘形成为包括位于周边区域中并且沿着显示基板的电力线接口侧的第一部分;在第一电力焊盘的远离基底基板的一侧形成钝化层;在钝化层的远离基底基板的一侧形成像素限定层,从而限定多个子像素孔;形成贯穿钝化层和像素限定层中的一者或组合的第一凹槽,从而暴露第一电力焊盘位于周边区域中的第一部分的表面;以及在像素限定层的远离基底基板的一侧形成封装层,封装层形成为延伸至第一凹槽中并且与第一部分的所述表面直接接触,从而封装显示基板。
在一些实施例中,第一部分形成为具有:第一侧,其远离基底基板;第二侧,其与第一侧相对并且更靠近基底基板;第三侧,其连接第一侧和第二侧并且更靠近显示区域;以及第四侧,其连接第一侧和第二侧,第四侧与第三侧相对并且远离显示区域。可选地,第一部分的第四侧形成为被像素限定层和钝化层中的一者或组合覆盖。第一凹槽形成为暴露第一侧的一部分。可选地,第一部分形成为使得第四侧具有凹陷表面。可选地,第一部分形成为包括多个子层,所述多个子层中的至少一个在第四侧上过蚀刻,从而形成所述凹陷表面。
在一些实施例中,形成封装层包括:在所述多个发光元件和像素限定层的远离基底基板的一侧形成第一无机封装子层;在第一无机封装子层的远离基底基板的一侧形成有机封装子层;以及在有机封装子层的远离第一无机封装子层的一侧形成第二无机封装子层。可选地,第一无机封装子层形成为延伸至第一凹槽中并且与第一部分的所述表面直接接触。可选地,在与第一凹槽对应的区域中,在第一无机封装子层的远离基底基板的一侧形成有机封装子层;以及在有机封装子层的远离第一无机封装子层的一侧形成第二无机封装子层。
在一些实施例中,形成第一电力焊盘还包括形成至少一个第二部分,该至少一个第二部分与第一部分连接并且从第一部分远离显示区域地延伸。可选地,像素限定层和钝化层中的一者或组合形成为至少部分地覆盖所述至少一个第二部分。可选地,所述方法还包括形成贯穿钝化层和像素限定层中的一者或组合的第二凹槽,从而暴露第一电力焊盘位于周边区域中的所述至少一个第二部分的表面。可选地,封装层形成为延伸至第二凹槽中并且与所述至少一个第二部分的所述表面直接接触。可选地,第一无机封装子层形成为延伸至第二凹槽中并且与所述至少一个第二部分的所述表面直接接触。可选地,在与第二凹槽对应的区域中,在第一无机封装子层的远离基底基板的一侧形成有机封装子层;以及在有机封装子层的远离第一无机封装子层的一侧形成第二无机封装子层。
在一些实施例中,形成所述至少一个第二部分包括形成两个第二部分,该两个第二部分在不同位置处分别与第一部分连接并且从第一部分远离显示区域地延伸。可选地,第一部分和所述两个第二部分形成为具有π形状结构。
在一些实施例中,所述方法还包括:在基底基板上并且位于周边区域中形成第二电力焊盘,第二电力焊盘形成为与第一电力焊盘间隔开。可选地,形成第二电力焊盘包括在显示基板的电力线接口侧形成至少一个第三部分。可选地,像素限定层和钝化层中的一者或组合形成为至少部分地覆盖所述至少一个第三部分。可选地,第二凹槽形成为贯穿钝化层和像素限定层中的一者或组合,从而还暴露第二电力焊盘位于周边区域中的所述至少一个第三部分的表面。可选地,封装层形成为延伸至第二凹槽中并且与所述至少一个第三部分的所述表面直接接触。
在一些实施例中,第一部分和所述至少一个第三部分中的对应一个形成为由第一间隙间隔开。可选地,第一凹槽形成在第一间隙的更靠近显示区域的一侧。可选地,钝化层形成为延伸至第一间隙中。可选地,所述至少一个第二部分和所述至少一个第三部分形成为使得所述至少一个第二部分中的对应一个与所述至少一个第三部分中的对应一个由与第一间隙连接的第二间隙间隔开。可选地,钝化层形成为延伸至第一间隙和第二间隙中。
在一些实施例中,所述方法还包括形成贯穿钝化层和像素限定层中的一者或组合的第三凹槽,从而暴露第一电力焊盘位于周边区域中的所述至少一个第二部分的表面。可选地,第一无机封装子层形成为延伸至第三凹槽中并且形成为与所述至少一个第二部分的所述表面直接接触。可选地,在与第三凹槽对应的区域中,在第一无机封装子层的远离基底基板的一侧形成第二无机封装子层,第二无机封装子层形成为与第一无机封装子层直接接触。
可选地,第三凹槽形成为暴露第二电力焊盘位于周边区域中的所述至少一个第三部分的表面。可选地,第一无机封装子层形成为延伸至第三凹槽中并且形成为与所述至少一个第三部分的所述表面直接接触。可选地,在与第三凹槽对应的区域中,在第一无机封装子层的远离基底基板的一侧形成第二无机封装子层,第二无机封装子层形成为与第一无机封装子层直接接触。
出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此,上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然,许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用,从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定,其中除非另有说明,否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此,术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例,并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制,并且不应推断出这种限制。本发明仅由所附权利要求的精神和范围限定。此外,这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制,除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是,本领域技术人员在不脱离所附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外,本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的,无论该元件或组件是否明确地记载在所附权利要求中。
Claims (21)
1.一种具有显示区域和周边区域的显示基板,包括:
基底基板;
第一电力焊盘,其位于所述基底基板上,所述第一电力焊盘包括第一部分,所述第一部分位于所述周边区域中并沿着所述显示基板的电力线接口侧;
钝化层,其位于所述第一电力焊盘的远离所述基底基板的一侧;
像素限定层,其位于所述钝化层的远离所述基底基板的一侧,用于限定多个子像素孔;以及
封装层,其位于所述像素限定层的远离所述基底基板的一侧;
其中,所述显示基板包括第一凹槽,所述第一凹槽贯穿所述钝化层和所述像素限定层中的一者或组合,从而暴露所述第一电力焊盘位于所述周边区域中的所述第一部分的表面;并且
所述封装层延伸至所述第一凹槽中并且与所述第一部分的所述表面直接接触,从而封装所述显示基板。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述封装层完全覆盖所述第一部分的所述表面。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一部分包括:第一侧,其远离所述基底基板;第二侧,其与所述第一侧相对并且更靠近所述基底基板;第三侧,其连接所述第一侧和所述第二侧并且更靠近所述显示区域;以及第四侧,其连接所述第一侧和所述第二侧,所述第四侧与所述第三侧相对并且远离所述显示区域;
所述第一部分的所述第四侧被所述像素限定层和所述钝化层中的一者或组合覆盖;并且
所述第一凹槽暴露所述第一侧的一部分。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述第四侧具有凹陷表面。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其中,所述第一部分包括在所述第四侧上过蚀刻的至少一个子层,从而形成所述凹陷表面。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示基板,其中,所述封装层包括第一无机封装子层,所述第一无机封装子层延伸至所述第一凹槽中并且与所述第一部分的所述表面直接接触。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其中,在与所述第一凹槽对应的区域中,所述封装层还包括:有机封装子层,其位于所述第一无机封装子层的远离所述基底基板的一侧;以及第二无机封装子层,其位于所述有机封装子层的远离所述第一无机封装子层的一侧。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的显示基板,其中,所述第一电力焊盘还包括至少一个第二部分,所述至少一个第二部分与所述第一部分连接并且从所述第一部分远离所述显示区域地延伸;并且所述至少一个第二部分被所述像素限定层和所述钝化层中的一者或组合至少部分地覆盖。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括第二凹槽,所述第二凹槽贯穿所述钝化层和所述像素限定层中的一者或组合,从而暴露所述第一电力焊盘位于所述周边区域中的所述至少一个第二部分的表面;并且
所述封装层延伸至所述第二凹槽中并且与所述至少一个第二部分的所述表面直接接触。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其中,所述封装层包括第一无机封装子层,所述第一无机封装子层延伸至所述第二凹槽中并且与所述至少一个第二部分的所述表面直接接触。
11.根据权利要求10所述的显示基板,其中,在与所述第二凹槽对应的区域中,所述封装层还包括:有机封装子层,其位于所述第一无机封装子层的远离所述基底基板的一侧;以及第二无机封装子层,其位于所述有机封装子层的远离所述第一无机封装子层的一侧。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的显示基板,其中,所述至少一个第二部分包括两个第二部分,所述两个第二部分在不同位置处分别与所述第一部分连接并且从所述第一部分远离所述显示区域地延伸;并且
所述第一部分和所述两个第二部分形成π形状结构。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的显示基板,还包括:第二电力焊盘,其位于所述基底基板上并且位于所述周边区域中,所述第二电力焊盘与所述第一电力焊盘间隔开;
其中,所述第二电力焊盘包括位于所述显示基板的电力线接口侧的至少一个第三部分,所述至少一个第三部分被所述像素限定层和所述钝化层中的一者或组合至少部分地覆盖;
所述第二凹槽贯穿所述钝化层和所述像素限定层中的一者或组合,从而还暴露所述第二电力焊盘位于所述周边区域中的所述至少一个第三部分的表面;并且
所述封装层延伸至所述第二凹槽中并且与所述至少一个第三部分的所述表面直接接触。
14.根据权利要求1至12中任一项所述的显示基板,还包括:第二电力焊盘,位于所述基底基板上并且位于所述周边区域中,所述第二电力焊盘与所述第一电力焊盘间隔开;
其中,所述第二电力焊盘包括位于所述显示基板的电力线接口侧的至少一个第三部分,所述至少一个第三部分被所述像素限定层和所述钝化层中的一者或组合至少部分地覆盖;
所述至少一个第三部分位于所述第一部分的远离所述显示区域地延伸的一侧,所述第一部分和所述至少一个第三部分中的对应一个由第一间隙间隔开;并且
所述第一凹槽位于所述第一间隙的更靠近所述显示区域的一侧。
15.根据权利要求14所述的显示基板,其中,所述钝化层至少延伸至所述第一间隙中。
16.根据权利要求14所述的显示基板,其中,所述第一电力焊盘还包括至少一个第二部分,所述至少一个第二部分与所述第一部分连接并且从所述第一部分远离所述显示区域地延伸;
所述至少一个第二部分被所述素限定层和所述钝化层中的一者或组合至少部分地覆盖;并且
所述至少一个第二部分和所述至少一个第三部分位于所述第一部分的远离所述显示区域地延伸的一侧,所述至少一个第二部分中的对应一个与所述至少一个第三部分中的对应一个由与所述第一间隙连接的第二间隙间隔开。
17.根据权利要求16所述的显示基板,其中,所述钝化层延伸至所述第一间隙和所述第二间隙中。
18.根据权利要求8至17中任一项所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括第三凹槽,所述第三凹槽贯穿所述钝化层和所述像素限定层中的一者或组合,从而暴露所述第一电力焊盘位于所述周边区域中的所述至少一个第二部分的表面;
所述封装层包括第一无机封装子层,所述第一无机封装子层延伸至所述第三凹槽中并且与所述至少一个第二部分的所述表面直接接触;
在与所述第三凹槽对应的区域中,所述封装层还包括:第二无机封装子层,其位于所述第一无机封装子层的远离所述基底基板的一侧,所述第二无机封装子层与所述第一无机封装子层直接接触。
19.根据权利要求1至18中任一项所述的显示基板,其中,所述第一电力焊盘选自由以下各项构成的组:与多条VDD高电压电力线连接的VDD电力焊盘和与多条VSS低电压电力线连接的VSS电力焊盘。
20.一种显示设备,包括权利要求1至19中任一项所述的显示基板、以及与所述显示基板连接的一个或多个集成电路。
21.一种制造显示基板的方法,包括:
在基底基板上形成第一电力焊盘,所述第一电力焊盘形成为包括位于所述周边区域中并且沿着所述显示基板的电力线接口侧的第一部分;
在所述第一电力焊盘的远离所述基底基板的一侧形成钝化层;
在所述钝化层的远离所述基底基板的一侧形成像素限定层,从而限定多个子像素孔;
形成贯穿所述钝化层和所述像素限定层中的一者或组合的第一凹槽,从而暴露所述第一电力焊盘位于所述周边区域中的第一部分的表面;以及
在所述像素限定层的远离所述基底基板的一侧形成封装层,所述封装层形成为延伸至所述第一凹槽中并且与所述第一部分的所述表面直接接触,从而封装所述显示基板。
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Families Citing this family (2)
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104821325A (zh) * | 2014-02-05 | 2015-08-05 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备 |
CN106409869A (zh) * | 2015-07-29 | 2017-02-15 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
US20170365814A1 (en) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having improved environmental tolerance |
CN108258146A (zh) * | 2018-01-16 | 2018-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种封装结构及显示装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4245032B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2009-03-25 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
KR102396296B1 (ko) * | 2015-03-06 | 2022-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102477299B1 (ko) * | 2015-06-12 | 2022-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102490891B1 (ko) * | 2015-12-04 | 2023-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP2017168308A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社Joled | 表示装置 |
KR102328679B1 (ko) * | 2016-11-23 | 2021-11-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102457251B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2022-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2019
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- 2019-03-11 CN CN201980000265.2A patent/CN112005376B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104821325A (zh) * | 2014-02-05 | 2015-08-05 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备 |
CN106409869A (zh) * | 2015-07-29 | 2017-02-15 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
US20170365814A1 (en) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having improved environmental tolerance |
CN108258146A (zh) * | 2018-01-16 | 2018-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种封装结构及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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