CN112002723A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

提供一种显示装置。显示装置包括：基板，包括显示区域和非显示区域；多个信号布线，在所述基板上从所述非显示区域开始在第一方向上延伸，从而配置在所述显示区域；连接布线，在所述基板上从所述非显示区域开始延伸并经由所述显示区域而在所述非显示区域与所述信号布线电连接；以及初始化电压线，在所述基板上，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述连接布线在厚度方向上与所述初始化电压线重叠。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及显示装置。

背景技术

显示装置与多媒体的发展一起其重要性正在增加。相应于此，正在使用如液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光显示装置(Organic Light EmittingDisplay、OLED)等各种显示装置。其中，有机发光显示装置作为自发光元件具有出色的视角，因此作为下一代显示装置备受瞩目。

有机发光显示装置包括像素电路以及驱动该像素电路的驱动部。所述驱动部可包括向像素电路提供扫描信号的扫描驱动部、向像素电路提供数据信号的数据驱动部等。扫描驱动部和数据驱动部的驱动电路可以配置在与显示区域相邻的非显示区域，非显示区域从显示装置的功能来看属于一种无效空间(dead space)。

发明内容

本发明要解决的课题是提供一种可将显示装置的非显示区域最小化的同时防止显示品质的降低的显示装置

本发明的课题并不限于以上提及的课题，本领域技术人员从以下的记载应当可以理解未提及的其他技术课题。

用于解决所述课题的一实施例涉及的显示装置包括：基板，包括显示区域和非显示区域；多个信号布线，在所述基板上从所述非显示区域开始在第一方向上延伸，从而配置在所述显示区域；连接布线，在所述基板上从所述非显示区域开始延伸并经由所述显示区域而在所述非显示区域与所述信号布线电连接；以及初始化电压线，在所述基板上，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述连接布线在厚度方向上与所述初始化电压线重叠。

可以是，所述初始化电压线由第二导电层形成，所述信号布线由配置在所述第二导电层上的第三导电层形成，所述连接布线由配置在所述第三导电层上的第四导电层形成。

可以是，所述显示装置还包括配置在所述初始化电压线与所述连接布线之间的第一电源电压线，所述第一电源电压线在所述厚度方向上与所述连接布线重叠。

可以是，所述显示装置还包括配置在所述基板与所述初始化电压线之间的扫描线，所述第一电源电压线在所述厚度方向上与所述扫描线重叠。

可以是，所述第一电源电压线由所述第三导电层形成，所述扫描线由配置在所述基板与所述第二导电层之间的第一导电层形成。

可以是，所述连接布线包括在所述第二方向上延伸的横向部，所述初始化电压线在平面上配置在所述横向部与所述扫描线之间。

可以是，所述横向部在所述厚度方向上与所述第一电源电压线重叠。

可以是，所述显示装置还包括配置在所述连接布线上的阳电极，所述横向部在所述厚度方向上与所述阳电极不重叠。

可以是，所述显示装置还包括配置在所述初始化电压线与所述连接布线之间的耦合阻断层，所述耦合阻断层在所述厚度方向上与所述连接布线重叠。

可以是，所述显示装置还包括配置在所述初始化电压线与所述连接布线之间的第一电源电压线，所述耦合阻断层与所述第一电源电压线电连接。

用于解决所述课题的其他实施例涉及的显示装置包括：基板，包括显示区域和非显示区域；初始化电压线，配置在所述基板上；多个信号布线，经由所述显示区域以及所述非显示区域而配置；多个连接布线，配置在所述显示区域且分别与所述信号布线连接；以及阳电极，配置在所述连接布线上，所述连接布线包括在第二方向上延伸的横向部，所述横向部在厚度方向上与所述初始化电压线重叠且与所述阳电极不重叠。

可以是，所述横向部包括：第一横向部，在平面上配置在所述阳电极的一侧；以及第二横向部，在平面上配置在所述阳电极的另一侧，所述第二横向部包括沿着所述阳电极的边缘位置折弯的折弯部。

可以是，所述第一横向部包括：第一分支图案，从所述第一横向部开始向与所述第二方向交叉的第一方向的一侧突出；以及第二分支图案，向所述第一方向的另一侧突出，所述第二横向部包括：第三分支图案，从所述第二横向部开始向所述第一方向的一侧突出；以及第四分支图案，向所述第一方向的另一侧突出。

可以是，在相邻的所述第二分支图案与所述第三分支图案之间定义间隙，所述间隙与所述阳电极重叠。

可以是所述第一分支图案至所述第四分支图案与所述阳电极不重叠。

可以是，所述初始化电压线由第二导电层形成，所述信号布线由配置在所述第二导电层上的第三导电层形成，所述连接布线由配置在所述第三导电层上的第四导电层形成。

可以是，所述显示装置还包括配置在所述基板与所述初始化电压线之间的扫描线，所述扫描线在所述厚度方向上与所述横向部不重叠。

可以是，所述显示装置还包括配置在所述初始化电压线与所述连接布线之间的第一电源电压线，所述第一电源电压线在所述厚度方向上与所述连接布线重叠。

可以是，所述扫描线由配置在所述基板与所述第二导电层之间的第一导电层形成，所述第一电源电压线由所述第三导电层形成。

其他实施例的具体事项包括在详细说明以及附图中。

(发明效果)

根据一实施例涉及的显示装置，包括向配置在显示区域的信号布线传递数据信号的连接布线，从而可减少显示装置的无效空间。

另外，防止在扫描线与连接布线之间形成寄生电容(parasiticcapacitance)，从而可将两个布线之间的耦合现象最小化。由此，可以最小化或者防止因数据信号失真而发生斑点的情况，从而可改善显示品质。

根据各实施例的效果并不限于以上例示的内容，在本说明书中包括更多的效果。

附图说明

图1是一实施例涉及的显示装置的平面图。

图2是一实施例涉及的显示装置的剖视图。

图3是表示一实施例涉及的显示装置的信号布线和连接布线的平面图。

图4是图3的A区域的放大平面图。

图5是以图4的Ⅰ-Ⅰ′线为基准截取的剖视图。

图6是表示一实施例涉及的连接布线和像素的配置的平面图。

图7至图9是表示各实施例涉及的连接布线和像素的配置的平面图。

图10是表示像素的一例的平面图。

图11是以图10的Ⅱ-Ⅱ′线为基准截取的剖视图。

图12是表示其他实施例涉及的像素的一例的平面图。

图13是以图12的Ⅱ-Ⅱ′线为基准截取的剖视图。

图14是表示又一其他实施例涉及的像素的一例的平面图。

图15是以图14的Ⅱ-Ⅱ′线为基准截取的剖视图。

图16是表示又一其他实施例涉及的像素的一例的平面图。

图17是以图16的Ⅱ-Ⅱ′线为基准截取的剖视图。

图18是表示又一其他实施例涉及的像素的一例的平面图。

图19是以图18的Ⅱ-Ⅱ′线为基准截取的剖视图。

图20是表示又一其他实施例涉及的像素的一例的平面图。

图21是以图20的Ⅱ-Ⅱ′线为基准截取的剖视图。

图22是表示又一其他实施例涉及的像素的一例的平面图。

图23是以图22的Ⅱ-Ⅱ′线为基准截取的剖视图。

图24是表示又一其他实施例涉及的连接布线的平面图。

图25是表示又一其他实施例涉及的连接布线的平面图。

图26是表示又一其他实施例涉及的连接布线的平面图。

图27是又一其他实施例涉及的显示装置的立体图。

图28是图27的显示装置的展开图。

图29是表示图27的显示装置的信号布线和连接布线的平面图。

【符号说明】

1：显示装置；10：显示面板；20：驱动芯片；30：显示驱动基板；MR：主区域；BR：弯曲区域；SR：子区域；DL：信号布线；DM：连接布线；VIL：初始化电压线；VDL：第一电源电压线；GI：第一扫描线；GW：第二扫描线。

具体实施方式

参照与附图一起详细后述的各实施例，本发明的优点、特征以及达成这些优点及特征的方法会变得更加明确。但是，本发明并不限于以下公开的实施例，可以以互相不同的方式实现，本说明书的各实施例仅使本发明的公开变得完整，并且为了向本领域技术领域人员完整地告知发明的范畴而提供，本发明仅通过权利要求书的范畴来进行定义。

元件(elements)或层在其他元件或层“之上(on)”包括直接位于其他元件上方的情况和其间存在其他层或其他元件的情况。在整个说明书中，同一符号指代同一构成要素。

以下，参照附图来说明各实施例。在以下，以有机发光显示装置为例说明显示装置。

图1是一实施例涉及的显示装置的平面图。图2是一实施例涉及的显示装置的剖视图。

参照图1以及图2，显示装置1是显示动态图像或静态图像的装置，显示装置1除了如移动电话、智能手机、台式PC(Personal Computer)、智能手表、手表电话、移动通信终端机、电子手册、电子书、PMP(Portable Multimedia Player)、导航仪、UMPC(Ultra MobilePC)等便携式电子设备外，还可以用作电视机、笔记本电脑、监控器、广告板、物联网等各种产品的显示画面。

显示装置1可包括显示面板10。显示面板10可以是包括如聚酰亚胺等挠性高分子物质的柔性基板。因此，显示面板10可被弯曲、折弯、弯折或卷曲。

显示面板10可包括主区域MR和与主区域MR的一侧连接的弯曲区域BR。显示面板10还可包括与弯曲区域BR连接且在厚度方向上与主区域MR重叠的子区域SR。

显示面板10可包括作为显示画面的部分的显示区域DA以及除了显示区域DA的非显示区域NDA。显示区域DA可包括多个像素。各像素可包括发光层和控制发光层的发光量的电路层。电路层可包括显示布线、显示电极以及至少一个晶体管。发光层可包括有机发光物质。发光层可以被封装膜密封。像素的详细构成将后述。显示区域DA可以具有矩形形状或者角部圆的矩形形状。但是，并不限于此，显示区域DA可以具有正方形或其他多角形或者圆形、椭圆形等各种形状。

显示区域DA配置在主区域MR内。在主区域MR，显示区域DA的周边边缘部分、弯曲区域BR以及子区域SR可以是非显示区域NDA。但是，并不限于此，弯曲区域BR以及子区域SR也可包括显示区域DA。

主区域MR可以具有与显示装置1的平面上的外形相似的形状。主区域MR可以是位于一面的平坦区域。但是，并不限于此，在主区域MR，除了与弯曲区域BR连接的边缘(边)以外的剩余边缘之中的至少一个边缘可以被弯曲而形成曲面或者可以在垂直方向被折弯。

在主区域MR，当除了与弯曲区域BR连接的边缘(边)以外的剩余边缘之中的至少一个边缘形成曲面或者被折弯的情况下，在相应边缘也可以配置显示区域DA。但是，并不限于此，也可以在曲面或者被折弯的边缘配置有不显示画面的非显示区域NDA或者一起配置显示区域DA和非显示区域NDA。

在主区域MR，非显示区域NDA可以位于显示区域DA的周边。主区域MR的非显示区域NDA可从显示区域DA的外侧边界开始一直到显示面板10的边缘。在主区域MR的非显示区域NDA可以配置用于向显示区域DA施加信号的信号布线DL、连接布线DM或驱动电路。另外，可以在主区域MR的非显示区域NDA配置最外廓黑矩阵，但是并不限于此。

弯曲区域BR与主区域MR连接。例如，弯曲区域BR可通过主区域MR的一短边被连接至主区域MR。弯曲区域BR在第二方向DR2上的宽度可小于主区域MR在第二方向DR2上的宽度。主区域MR和弯曲区域BR的连接部可以具有L字切割形状。

在弯曲区域BR，显示面板10可以在第三方向DR3的相反方向、即显示面的相反方向上以一定曲率被弯曲。弯曲区域BR可以具有一定的曲率半径，但是并不限于此，可以在每个区间具有不同的曲率半径。随着显示面板10在弯曲区域BR被弯曲，显示面板10的面可以反转。即，朝向上部的显示面板10的一面通过弯曲区域BR朝向外侧后再次朝向下部，这样发生变更。

子区域SR从弯曲区域BR开始延伸。子区域SR可以在完成弯曲后开始在与主区域MR平行的方向上延伸。子区域SR可以在显示面板10的第三方向DR3、即厚度方向上与主区域MR重叠。子区域SR可与主区域MR的边缘的非显示区域NDA重叠，进而可与主区域MR的显示区域DA重叠。

子区域SR在第二方向DR2上的宽度可与弯曲区域BR在第二方向DR2上的宽度相同，但是并不限于此。

在显示面板10的子区域SR上可以配置驱动芯片20。驱动芯片20可包括驱动显示面板10的集成电路。在一实施例中，所述集成电路可以是生成并提供数据信号的数据驱动集成电路，但是并不限于此。驱动芯片20可以在子区域SR被安装于显示面板10。驱动芯片20可以安装在作为与显示面相同的面的显示面板10的一面上，但是随着如上所述那样弯曲区域BR被弯曲而反转，被安装在朝向第三方向DR3的相反方向的显示面板10的面，因此驱动芯片20的上表面可以朝向第三方向DR3的相反方向。

驱动芯片20可通过各向异性导电薄膜附着于显示面板10上或者通过超声键合接合附着于显示面板10上。驱动芯片20在第二方向DR2上的宽度可小于显示面板10在第二方向DR2上的宽度。驱动芯片20可以配置在子区域SR的第二方向DR2上的中央部，驱动芯片20的左侧边缘和右侧边缘分别远离了子区域SR的左侧边缘和右侧边缘。

在显示面板10的子区域SR的端部可以连接有显示驱动基板30。在子区域SR的端部可以设置焊盘部，在焊盘部上可以连接显示驱动基板30。显示驱动基板30可以是柔性印刷电路基板或薄膜。

在子区域SR、弯曲区域BR以及主区域MR可以配置有多个信号布线DL以及连接布线DM。信号布线DL以及连接布线DM可从子区域SR开始经由弯曲区域BR延伸到主区域MR。即，信号布线DL以及连接布线DM可从非显示区域NDA开始延伸而配置在显示区域DA。

以下，详细说明信号布线DL以及连接布线DM。

图3是表示一实施例涉及的显示装置的信号布线和连接布线的平面图。图4是图3的A区域的放大平面图。图5是以图4的Ⅰ-Ⅰ′线为基准截取的剖视图。

参照图3至图5，显示装置1可包括信号布线DL以及连接布线DM。另一方面，信号布线DL以及连接布线DM的配置构成可以以在第一方向DR1上延伸且贯通显示装置1的面积中心的基准轴(未图示)为基准对称。以下，以配置在显示装置1的右侧的信号布线DL以及连接布线DM为中心进行说明。

多个信号布线DL在第一方向DR1上延伸，且沿着第二方向DR2隔着特定间隔被依次排列。第二方向DR2是与第一方向DR1交叉的方向，可以垂直于第一方向DR1。信号布线DL例如可以是传递数据信号的数据线。

各信号布线DL可以在第一方向DR1上横穿显示区域DA而延伸。信号布线DL的一端可以配置在非显示区域NDA。信号布线DL的一端可与连接布线DM电连接。

多个连接布线DM可与多个信号布线DL的每一个电连接。连接布线DM配置在与配置有信号布线DL的层不同的层，连接布线DM可以通过绝缘层与信号布线DL绝缘。对此，将参照图5来后述。

连接布线DM可从非显示区域NDA开始延伸并经由显示区域DA而延伸到非显示区域NDA。可以隔着特定间隔相互分离地配置连接布线DM。连接布线DM之间的间隔实质上可与信号布线DL之间的间隔相同。

另外，连接布线DM可从非显示区域NDA开始在第一方向DR1(例如，上侧)上延伸，且在显示区域DA内向第二方向DR2(例如，左侧)转换方向来延伸，在与对应的信号布线DL相邻或交叉的区域延伸到对应的信号布线DL的一端。即，连接布线DM可以延伸到配置有信号布线DL的一端的非显示区域NDA。

各连接布线DM可包括沿着第二方向DR2配置的横向部DMA以及沿着第一方向DR1配置的纵向部DMB。连接布线DM的纵向部DMB可包括沿着第一方向DR1配置的第一纵向部DMB1以及第二纵向部DMB2。连接布线DM的横向部DMA从第一纵向部DMB1的一端在第二方向DR2上延伸，第二纵向部DMB2从横向部DMA的一端在第一方向DR1的相反方向上延伸。

如图4所示，连接布线DM的纵向部DMB在显示区域DA内，在平面上可与信号布线DL重叠。但是，这只是例示，并不限于此。例如，连接布线DM的纵向部DMB在显示区域DA内，在平面上也可以不与信号布线DL重叠。即，连接布线DM的纵向部DMB可以配置在多个信号布线DL之间的被分开的空间。

另一方面，在图3以及图4中示出了连接布线DM以直角被弯曲的情况，但是并不限于此。

连接布线DM在平面上相互不交叉，由此可以迂回相邻的其他连接布线DM来进行配置。由此，连接布线DM可以具有互相不同的长度。即，配置在外侧的连接布线DM的长度可以比配置在内侧的连接布线DM的长度长。

多个连接布线DM可以通过位于非显示区域NDA的第一接触孔CNT1而直接与信号布线DL一对一地连接。例如，如图5所示，可以是，信号布线DL由第三导电层130形成，连接布线DM由第四导电层140形成，信号布线DL和连接布线DM通过第四绝缘层IL4被绝缘。连接布线DM延伸到信号布线DL的一端，通过贯通第四绝缘层IL4来使信号布线DL的一端露出的第一接触孔CNT1与信号布线DL电连接。

如上所述，显示装置1包括经由显示区域DA配置的连接布线DM，可以通过连接布线DM向信号布线DL提供图像信号。因此，可以不需要为了将信号布线DL连接至驱动芯片20而要求的附加的无效空间。即，可将无效空间最小化。

以下，详细说明连接布线DM与像素P的关系。

图6是表示一实施例涉及的连接布线与像素的配置的平面图。图7至图9是表示各实施例涉及的连接布线与像素的配置的平面图。

参照图6至图11，各像素P可包括多个子像素。多个子像素可包括发出第一颜色的光的第一子像素R、发出第二颜色的光的第二子像素G以及发出第三颜色的光的第三子像素B(不需要区分时，也称为子像素R、G、B)。在本说明书中，例示了第一子像素R是红色子像素、第二子像素G是绿色子像素以及第三子像素B是蓝色子像素的情况，但是并不限于此。一个第一子像素R、两个第二子像素G以及一个第三子像素B可以被定义为一个像素P。

像素P是指可以表现出灰度的一组子像素。在图6中，例示了沿着第二方向DR2按照第二子像素G、第一子像素R、第二子像素G、第三子像素B的顺序进行了配置的情况，但是各子像素R、G、B的配置并不限于此。

子像素R、G、B可以具有不同的形状和大小。在图6中，例示了第三子像素B的大小最大、第二子像素G的大小最小的情况，但是子像素R、G、B的大小并不限于此。

各子像素R、G、B可以在平面上配置在连接布线DM的横向部DMA之间。横向部DMA可包括第一横向部DM1以及第二横向部DM2。第一横向部DM1以及第二横向部DM2是连接到互相不同的信号布线DL的连接布线DM的一部分，可以被配置成互相不交叉且分离。第一横向部DM1以及第二横向部DM2可以在第二方向DR上延伸，且沿着第一方向DR1隔着特定间隔被依次排列。

第一横向部DM1可以配置在子像素R、G、B的一侧，第二横向部DM2可以配置在子像素R、G、B的另一侧。即，可以是，第一横向部DM1配置成与子像素R、G、B的第一方向DR1的一侧相邻，第二横向部DM2配置成与子像素R、G、B的第一方向DR1的另一侧相邻。第一横向部DM1以及第二横向部DM2可以配置成不与子像素R、G、B重叠。

对应于各像素P，可以配置有阳电极ANO1、ANO2、ANO3。阳电极ANO1、ANO2、ANO3在平面上可以配置在连接布线DM的横向部DMA之间。即，阳电极ANO1、ANO2、ANO3在平面上可以配置在第一横向部DM1与第二横向部DM之间。阳电极ANO1、ANO2、ANO3可以配置成不与第一横向部DM1和第二横向部DM2重叠。

阳电极可包括与子像素R、G、B对应的第一阳电极ANO1～第三阳电极ANO3。可以是，第一阳电极ANO1与第二子像素G对应地配置，第二阳电极ANO2与第一子像素R对应地配置，第三阳电极ANO3与第三子像素B对应地配置。对于阳电极ANO1、ANO2、ANO3的详细说明将后述。

另一方面，如图6所示，连接布线DM的横向部DMA可由在第二方向DR2上延伸的直线形成，但是部分可以发生变形或被折弯。

具体而言，如图7至图9所示，横向部DMA可包括部分被折弯的折弯部BP。例如，如图7所示，第一横向部DM1由沿着第二方向DR2延伸的直线形成，第二横向部DM2′可包括从第二方向DR2被部分折弯的折弯部BP。折弯部BP可以是沿着阳电极ANO1、ANO2、ANO3的边缘位置折弯的区域。即，折弯部BP可与阳电极ANO1、ANO2、ANO3的边缘位置隔着特定间隔与其平行地配置。第二横向部DM2′的折弯部BP可沿着第二子像素G的第一阳电极ANO1的边缘位置被折弯。例如，在第一阳电极ANO1包括凹凸部的情况下，第二横向部DM2′的折弯部BP可沿着第一阳电极ANO1的凹凸部从第二方向DR2朝向一侧被弯曲且又向另一侧被弯曲，然后回到第二方向DR2。随着第二横向部DM2′包括折弯部BP，第二横向部DM2′与阳电极ANO1、ANO2、ANO3之间的距离可以减小。即，从第一横向部DM1至第二子像素G的距离可以大于从第二横向部DM2′至第二子像素G的距离。

另外，如图8所示，第二横向部DM2可被配置成直线，但是第一横向部DM1′可包括折弯部BP。第一横向部DM1′的折弯部BP可沿着第一子像素R的第二阳电极ANO2的边缘位置被折弯。另外，第一横向部DM1′的折弯部BP可沿着第三子像素B的第三阳电极ANO3的边缘位置被折弯。随着第一横向部DM1′包括折弯部BP，第一横向部DM1′与阳电极ANO1、ANO2、ANO3之间的距离可以减少。即，从第一横向部DM1′至第一子像素R的距离可以小于从第二横向部DM2至第一子像素R的距离。另外，从第一横向部DM1′至第三子像素B的距离可以小于从第二横向部DM2至第三子像素B的距离。但是，并不限于图7至图8所示的实施例，如图9所示，也可以是第一横向部DM1′以及第二横向部DM2′都包括折弯部BP。

以下，更详细说明像素P的结构。

图10是表示像素的一例的平面图。

参照图10，像素P还包括第一扫描线GI、第二扫描线GW、发光控制线EM、初始化电压线VIL以及第一电源电压线VDL。

第一扫描线GI传递第一扫描信号，第二扫描线GW传递第二扫描信号，发光控制线EM传递发光控制信号。第一扫描线GI、第二扫描线GW以及发光控制线EM可以在平面上沿着第二方向DR2配置。第二扫描线GW可以在平面上配置在第一扫描线GI与发光控制线EM之间。

初始化电压线VIL传递初始化电压。初始化电压线VIL可以在平面上沿着第二方向DR2配置。初始化电压线VIL可以在平面上配置在第一扫描线GI的一侧，但是并不限于此。

信号布线DL传递数据信号，在平面上可沿着第一方向DR1配置，从而可与第一扫描线GI、第二扫描线GW、发光控制线EM以及初始化电压线VIL交叉。

第一电源电压线VDL传递驱动电压，可以配置在信号布线DL的一侧。第一电源电压线VDL可以在平面上沿着第一方向DR1配置，从而可与第一扫描线GI、第二扫描线GW、发光控制线EM以及初始化电压线VIL交叉。

连接布线DM可沿着第一方向DR1或者第二方向DR2配置，并且可以配置成部分与初始化电压线VIL重叠。具体而言，连接布线DM的横向部DMA可沿着第二方向DR2配置，且配置成与初始化电压线VIL重叠。由此，可以防止连接布线DM与其他布线之间的耦合，对此的详细说明将后述。

各像素P可包括与第一扫描线GI、第二扫描线GW、发光控制线EM、信号布线DL、初始化电压线VIL以及第一电源电压线VDL等连接的多个晶体管DT、ST1～ST6以及电容器C。

在图10中例示了像素P包括七个晶体管DT、ST1～ST6和一个电容器C的情况，但是本说明书并不限于此。

驱动晶体管DT可包括驱动沟道区域DT_ACT、驱动栅电极DT_G、驱动源极区域DT_S以及驱动漏极区域DT_D。驱动沟道区域DT_ACT可与驱动栅电极DT_G重叠。驱动栅电极DT_G可包括第一驱动栅电极DT_G1和第二驱动栅电极DT_G2。第二驱动栅电极DT_G2可以配置在第一驱动栅电极DT_G1上，第一驱动栅电极DT_G1和第二驱动栅电极DT_G2可通过第二接触孔CNT2相连。第一驱动栅电极DT_G1可与驱动沟道区域DT_ACT重叠，第二驱动栅电极DT_G2可通过第三接触孔CNT3与第二开关晶体管ST2的漏极区域D2相连。驱动源极区域DT_S可与第一开关晶体管ST1的漏极区域D1相连。驱动漏极区域DT_D可与第二开关晶体管ST2的源极区域S2和第六开关晶体管ST6的源极区域S6相连。

第一开关晶体管ST1可包括第一沟道区域ACT1、第一栅电极G1、第一源极区域S1以及第一漏极区域D1。第一栅电极G1可以是第二扫描线GW的一部分，是第一沟道区域ACT1与第二扫描线GW的重叠区域。第一源极区域S1可以通过第四接触孔CNT4与信号布线DL相连。第一漏极区域D1可与驱动晶体管DT的源极区域DT_S相连。

第二开关晶体管ST2可包括第二沟道区域ACT2、第二栅电极G2、第二源极区域S2以及第二漏极区域D2。第二开关晶体管ST2根据通过第二扫描线GW接受的第二扫描信号被导通，从而实现驱动晶体管DT的二极管连接。第二栅电极G2可以是第二扫描线GW的一部分，是第二沟道区域ACT2与第二扫描线GW的重叠区域。第二源极区域S2可与驱动晶体管DT的漏极区域DT_D相连。第二漏极区域D2可与驱动晶体管DT的栅电极DT_G相连。

另一方面，第二开关晶体管ST2可由双晶体管形成。在该情况下，第二开关晶体管ST2如图10所示那样可包括两个第二沟道区域ACT2和两个第二栅电极G2。

第三开关晶体管ST3可包括第三沟道区域ACT3、第三栅电极G3、第三源极区域S3以及第三漏极区域D3。第三开关晶体管ST3可根据通过第一扫描线GI接受的第一扫描信号被导通，从而将初始化电压传递给驱动晶体管DT的栅电极DT_G，执行将驱动晶体管DT的栅极电压初始化的初始化动作。第三栅电极G3可以是第一扫描线GI的一部分，是第三沟道区域ACT3与第一扫描线GI的重叠区域。第三源极区域S3可以与驱动晶体管DT的栅电极DT_G以及第二开关晶体管ST2的漏极区域D2相连。第三漏极区域D3可通过第五接触孔CNT5与初始化电压线VIL相连。

另一方面，第三开关晶体管ST3可由双晶体管形成。在该情况下，第三开关晶体管ST3可以如图10所示那样包括两个第三沟道区域ACT3和两个第三栅电极G3.

第四开关晶体管ST4可包括第四沟道区域ACT4、第四栅电极G4、第四源极区域S4以及第四漏极区域D4。第四栅电极G4可以是第一扫描线GI的一部分，是第四沟道区域ACT4与第一扫描线GI的重叠区域。第四源极区域S4可与有机发光元件的阳电极(未图示)相连。第四漏极区域D4可通过第五接触孔CNT5与初始化电压线VIL相连。

具体而言，初始化电压线VIL可通过第六接触孔CNT6与初始化连接电极VIE相连，初始化连接电极VIE可通过第五接触孔CNT5与第三开关晶体管ST3的漏极区域D3相连。初始化连接电极VIE可配置成与第一扫描线GI交叉。另外，阳电极(未图示)可通过阳电极接触孔ANO_CNT与阳极连接电极ANDE相连，阳极连接电极ANDE可通过第七接触孔CNT7与第四开关晶体管ST4的源极区域S4相连。

第五开关晶体管ST5可包括第五沟道区域ACT5、第五栅电极G5、第五源极区域S5以及第五漏极区域D5。第五栅电极G5可以是发光控制线EM的一部分，是第五沟道区域ACT5与发光控制线EM的重叠区域。第五源极区域S5可与驱动晶体管DT的源极区域DT_S和第一开关晶体管ST1的漏极区域D1相连。第五漏极区域D5可通过第八接触孔CNT8与第一电源电压线VDL相连。

第六开关晶体管ST6可包括第六沟道区域ACT6、第六栅电极G6、第六源极区域S6以及第六漏极区域D6。第六栅电极G6可以是发光控制线EM的一部分，是第六沟道区域ACT6与发光控制线EM的重叠区域。第六源极区域S6可与驱动晶体管DT的漏极区域DT_D和第二开关晶体管ST2的源极区域S2相连。第六漏极区域D6可与有机发光元件的阳电极(未图示)相连。第五开关晶体管ST5以及第六开关晶体管ST6根据通过发光控制线EM接受的发光控制信号同时被导通，从而在有机发光元件有电流流过。

可以是，电容器C的第一电极CE1与驱动晶体管DT的栅电极DT_G实质上相同，第二电极CE2与驱动晶体管DT的栅电极DT_G重叠，并通过第九接触孔CNT9与第一电源电压线VDL相连。

以下，详细说明像素P的截面结构。

图11是以图10的Ⅱ-Ⅱ′线为基准截取的剖视图。

在图11中，对于一部分构成要素，如果是与前述的构成要素相同的结构，则为了明确层间构成，追加赋予新的符号，并时时并记。

参照图11，各像素P可包括基板101、缓冲层BF、半导体层、第一绝缘层IL1、第一导电层110、第二绝缘层IL2、第二导电层120、第三绝缘层IL3、第三导电层130、第四绝缘层IL4、第四导电层140、第五绝缘层IL5、第一电极层171、具有使第一电极层171露出的开口部的像素定义膜180、配置在像素定义膜180的开口部内的有机层172以及配置在有机层172和像素定义膜180上的第二电极层173。

上述的各层可由单一膜形成，但是也可由包括多个膜的层叠膜形成。在各层之间还可以配置其他层。

基板101支承配置在其上的各层。基板101可由高分子树脂等绝缘物质形成。作为所述绝缘物质的例，可以是聚醚砜(polyethersulphone：PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate：PA)、聚芳酯(polyarylate：PAR)、聚醚酰亚胺(polyetherimide：PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene napthalate：PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terepthalate：PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide：PPS)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亚胺(polyimide：PI)、聚碳酸酯(polycarbonate：PC)、三乙酸纤维素(cellulose triacetate：CAT)、乙酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate：CAP)或者它们的组合物。基板101可以是可进行弯曲(bending)、折叠(folding)、卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板101。作为形成柔性基板的物质的例，可以列举聚酰亚胺(PI)，但是并不限于此。基板101也可以是由玻璃、石英等形成的刚性(rigid)基板。

在基板101上配置缓冲层BF。缓冲层BF防止杂质离子的扩散，且防止水分或外气的渗透，可执行表面平坦化功能。缓冲层BF可包括硅氮化物、硅氧化物或硅氮氧化物等。

在缓冲层BF上配置半导体层。半导体层形成像素P的驱动晶体管DT、第一开关晶体管ST1～第六开关晶体管ST6的沟道。半导体层可包括多晶硅。多晶硅可将非晶硅结晶化来形成。

在半导体层由多晶硅形成的情况下，当在半导体层掺杂离子时，掺杂有离子的半导体层可具有导电性。由此，半导体层不仅包括驱动晶体管DT、第一开关晶体管ST1～第六开关晶体管ST6的沟道区域，还可包括源极区域和漏极区域。具体而言，半导体层可包括驱动晶体管DT的驱动沟道区域DT_ACT、第一开关晶体管ST1～第六开关晶体管ST6的第一沟道区域ACT1～第六沟道区域ACT6。另外，半导体层可包括分别位于驱动沟道区域DT_ACT两侧的驱动源极区域DT_S、驱动漏极区域DT_D、分别位于第一沟道区域ACT1～第六沟道区域ACT6两侧的第一源极区域S1～第六源极区域S6以及第一漏极区域D1～第六漏极区域D6。

各源极区域DT_S、S1～S6以及各漏极区域DT_D、D1～D6在平面上被连接到各沟道区域DT_ACT、ACT1～ACT6的两侧。

在其他实施例中，半导体层可包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。所述氧化物半导体例如可包括含铟、锌、镓、锡、钛、铝、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的二元系化合物AB_x、三元系化合物AB_xCy、四元系化合物AB_xC_yD_z。在一实施例中，半导体层可包括ITZO(包括铟、锡、钛的氧化物)或IGZO(包括铟、镓、锡的氧化物)。

在半导体层上配置第一绝缘层IL1。可大致横跨基板101的整个面来配置第一绝缘层IL1。第一绝缘层IL1可以是具有栅极绝缘功能的栅极绝缘膜。第一绝缘层IL1可包括硅化合物、金属氧化物等。例如，第一绝缘层IL1可包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锆氧化物、钛氧化物等。第一绝缘层IL1可以是单一膜或者由互相不同的物质的层叠膜形成的多层膜。

在第一绝缘层IL1上配置第一导电层110。第一导电层110可包括从钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)中选择的一种以上的金属。第一导电层110可以是单一膜或者多层膜。

第一扫描线GI、第二扫描线GW以及发光控制线EM可由第一导电层110形成。另外，驱动晶体管DT的第一驱动栅电极DT_G1和第一开关晶体管ST1～第六开关晶体管ST6的第一栅电极G1～第六栅电极G6可以分别作为第一扫描线GI或者第二扫描线GW的一部分，由第一导电层110。

在第一导电层110上配置第二绝缘层IL2。可以大致横跨基板101的整个面配置第二绝缘层IL2。第二绝缘层IL2起到使第一导电层110和第二导电层120绝缘的作用。

第二绝缘层IL2可以是层间绝缘膜。第二绝缘层IL2可包括与上述的第一绝缘层IL1相同的物质或从作为第一绝缘层IL1的构成物质例示的物质中选择的一种以上的物质。

在第二绝缘层IL2上配置第二导电层120。初始化电压线VIL以及驱动晶体管DT的第二栅电极DT_G2可由第二导电层120形成。

第二导电层120可包括从钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)中选择的一种以上的金属。第二导电层120可由与第一导电层110相同的物质形成，但是并不限于此。第二导电层120可以是单一膜或者多层膜。

第三绝缘层IL3覆盖第二导电层120。第三绝缘层IL3使第二导电层120和第三导电层130绝缘。第三绝缘层IL3可包括与上述的第一绝缘层IL1相同的物质或者从作为第一绝缘层IL1的构成物质例示的物质中选择的一种以上的物质。

在第三绝缘层IL3上配置第三导电层130。第三导电层130可包括从铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)中选择的一种以上的金属。第三导电层130可以是单一膜或者多层膜。例如，第三导电层130可由Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo、Ti/Cu等的层叠结构形成。

第三导电层130可包括信号布线DL以及第一电源电压线VDL。

第四绝缘层IL4覆盖第三导电层130。第四绝缘层IL4可以是通孔层。第四绝缘层IL4可包括丙烯酸系树脂(polyacrylates resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺系树脂(polyamides resin)、聚酰亚胺系树脂(polyimidesrein)、不饱和聚酯系树脂(unsaturated polyesters resin)、聚苯系树脂(polyphenylenethers resin)、聚苯硫醚系树脂(polyphenylenesulfides resin)或者苯并环丁烯(benzocyclobutene、BCB)等有机绝缘物质。

在第四绝缘层IL4上配置第四导电层140。第四导电层140可包括与上述的第三导电层130相同的物质或者从作为第三导电层130的构成物质例示的物质中选择的一种以上的物质。

第四导电层140可包括连接布线DM。连接布线DM的横向部DMA可配置成与第一扫描线GI不重叠。另外，横向部DMA可配置成与初始化电压线VIL重叠。横向部DMA可在厚度方向上与初始化电压线VIL完全重叠。

具体而言，在连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI重叠的情况下，可能会因连接布线DM与第一扫描线GI的耦合而导致数据信号失真。

在向一个像素的第一扫描线GI和另一个像素的第二扫描线GW供给同一扫描信号，且配置在一个像素的连接布线DM与另一个像素的信号布线DL连接的情况下，可能会因配置在一个像素的连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI的耦合而导致数据信号失真。即，可能会向另一个像素的信号布线DL输入失真的数据信号。由此，可能会发生一个像素与另一个像素之间的亮度差异，从而可能会出现因亮度差异引起的斑点。

对此，本实施例涉及的显示装置1进行如下配置，即，连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI不重叠，从而防止在连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI之间形成寄生电容。并且，使配置在连接布线DM与第一扫描线GI之间的初始化电压线VIL与连接布线DM重叠，从而可最小化或者防止两个布线之间的耦合现象。即，可防止数据信号失真而出现斑点的情况，因此可改善显示品质。

第五绝缘层IL5覆盖第四导电层140。第五绝缘层IL5可以是通孔层。第五绝缘层IL5可包括与上述的第四绝缘层IL4相同的物质或者从作为第四绝缘层IL4的构成物质例示的物质中选择的一种以上的物质。

在第五绝缘层IL5上配置第一电极层171。第一电极层171虽然并不限于以下情况，但是可以具有层叠了铟锡氧化物(Indium-Tin-Oxide：ITO)、铟锌氧化物(Indium-Zinc-Oxide：IZO)、氧化锌(Zinc Oxide：ZnO)、氧化铟(Induim Oxide：In2O3)的功函数大的物质层和银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或者它们的混合物等反射性物质层的层叠膜结构。可将功函数大的层配置在比反射性物质层靠上的层，使其接近有机层172。第一电极层171可具有ITO/Mg、ITO/MgF、ITO/Ag、ITO/Ag/ITO的多个层结构，但是并不限于此。

像素P的阳电极ANO1、ANO2、ANO3可由第一电极层171形成。阳电极ANO1、ANO2、ANO3可配置成与连接布线DM的横向部DMA不重叠。由此，可防止因耦合现象引起的斑点。

在第一电极层171上可配置像素定义膜180。像素定义膜180可包括使第一电极层171露出的开口部。像素定义膜180可包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铪氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、锌氧化物等无机绝缘物质或者丙烯酸系树脂(polyacrylatesresin)、环氧树脂(epoxyresin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺系树脂(polyamidesresin)、聚酰亚胺系树脂(polyimides rein)、不饱和聚酯系树脂(unsaturatedpolyesters resin)、聚苯系树脂(poly phenylenethers resin)、聚苯硫醚系树脂(polyphenylenesulfides resin)或者苯并环丁烯(baenzocyclobutene、BCB)等有机绝缘物质。像素定义膜180可以是单一膜或者由互相不同的物质的层叠膜形成的多层膜。

在像素定义膜180的开口部内配置有机层172。有机层172可包括有机发光层、空穴注入/传输层以及电子注入/传输层。

第二电极层173配置在有机层172和像素定义膜180上。阴电极CAT可由第二电极层173形成。可横跨整个显示区域配置阴电极CAT。第二电极层173可包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au Nd、Ir、Cr、BaF、Ba或者它们的化合物或混合物(例如，Ag与Mg的混合物等)这样的功函数小的物质层。第二电极层173还可包括在所述功函数小的物质层上配置的透明金属氧化物层。

如上所述，显示装置1配置成连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI不重叠，从而防止在连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI之间形成寄生电容。并且配置成使配置在连接布线DM与第一扫描线GI之间的初始化电压线VIL与连接布线DM重叠，从而可最小化或者防止两个布线之间的耦合现象。即，可防止数据信号失真而出现斑点的情况，因此可改善显示品质。

以下，说明其他实施例。

图12是表示其他实施例涉及的像素的一例的平面图。图13是以图12的Ⅱ-Ⅱ′线为基准截取的剖视图。

参照图12以及图13，本实施例涉及的显示装置与图10以及图11的实施例的区别在于，第一电源电压线VDL′延伸而与连接布线DM的横向部DMA重叠。

具体而言，第一电源电压线VDL′可配置在连接布线DM与第一扫描线GI之间，可配置成与连接布线DM的横向部DMA以及第一扫描线GI重叠。即，第一电源电压线VDL′可在厚度方向上与连接布线DM的横向部DMA重叠。另外，第一电源电压线VDL′可配置成在厚度方向上与第一扫描线GI重叠。即，在连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI之间还可以配置第一电源电压线VDL′。由此，可以更有效地防止连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI之间的耦合。

图14是表示又一其他实施例涉及的像素的一例的平面图。图15是以图14的Ⅱ-Ⅱ′线为基准截取的剖视图。

参照图14以及图15，本实施例涉及的显示装置与图10以及图11的实施例的区别在于，在平面上，初始化电压线VIL′配置在连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI之间。

具体而言，可以配置成连接布线DM的横向部DMA以及第一扫描线GI相互分离，且初始化电压线VIL′配置在连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI被分离的空间。即，连接布线DM的横向部DMA可以配置在初始化电压线VIL′的一侧使得连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI不重叠，并且第一扫描线GI配置在初始化电压线VIL′的另一侧。由此，如上所述那样，可防止连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI之间的耦合来改善显示品质。

另一方面，在图14以及图15中例示了连接布线DM的横向部DMA和初始化电压线VIL′在厚度方向上不重叠地配置的情况，但是并不限于此。即，连接布线DM的横向部DMA可以配置成部分与初始化电压线VIL′重叠。

图16是表示又一其他实施例涉及的像素的一例的平面图。图17是以图16的Ⅱ-Ⅱ′线为基准截取的剖视图。

参照图16以及图17，本实施例涉及的显示装置与图14以及图15的实施例的区别在于，第一电源电压线VDL′延伸而与连接布线DM的横向部DMA重叠。

具体而言，第一电源电压线VDL′可以配置在连接布线DM与第一扫描线GI之间，从而被配置成与连接布线DM的横向部DMA以及第一扫描线GI重叠。即，第一电源电压线VDL′可以在厚度方向上与连接布线DM的横向部DMA重叠。另外，第一电源电压线VDL′可以配置成在厚度方向上与第一扫描线GI重叠。即，在连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI之间还可以配置第一电源电压线VDL′。由此，如上所述那样，可更有效地防止连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI之间的耦合。

图18是表示又一其他实施例涉及的像素的一例的平面图。图19是以图18的Ⅱ-Ⅱ′线为基准截取的剖视图。

参照图18以及图19，本实施例涉及的显示装置与图10以及图11的实施例的区别在于，初始化电压线VIL″包括延伸部VIL_EP。

具体而言，初始化电压线VIL″可包括向一侧延伸的延伸部VIL_EP。延伸部VIL_EP可从在第二方向DR2上配置的初始化电压线VIL″开始朝向第一方向DR1的相反方向延伸。延伸部VIL_EP可以配置成与第一扫描线GI重叠。延伸部VIL_EP在第一方向DR1上的宽度可以大于第一扫描线GI在第一方向DR1上的宽度。随着初始化电压线VIL″的延伸部VIL_EP与第一扫描线GI重叠，可更有效地防止连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI之间的耦合。

图20是表示又一其他实施例涉及的像素的一例的平面图。图21是以图20的Ⅱ-Ⅱ′线为基准截取的剖视图。

参照图20以及图21，本实施例涉及的显示装置与图18以及图19的实施例的区别在于，第一电源电压线VDL′延伸而与连接布线DM的横向部DMA重叠。

具体而言，第一电源电压线VDL′可以配置在连接布线DM与第一扫描线GI之间，可以被配置成与连接布线DM的横向部DMA以及第一扫描线GI重叠。即，第一电源电压线VDL′可在厚度方向上与连接布线DM的横向部DMA重叠。另外，第一电源电压线VDL′可配置成在厚度方向上与第一扫描线GI重叠。即，在连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI之间还可以配置第一电源电压线VDL′。由此，如上所述那样，可更有效地防止连接布线DM的横向部DMA与第一扫描线GI之间的耦合。

图22是表示又一其他实施例涉及的像素的一例的平面图。图23是以图22的Ⅱ-Ⅱ′线为基准截取的剖视图。

参照图22以及图23，本实施例涉及的显示装置与图10以及图11的实施例的区别在于，还包括配置在连接布线DM′与第一扫描线GI之间的耦合阻断层CSL。

具体而言，耦合阻断层CSL可配置成在平面上沿着第二方向DR2延伸，且与连接布线DM′完全重叠。另外，耦合阻断层CSL可配置成在平面上与第一扫描线GI完全重叠。将耦合阻断层CSL配置成使其与连接布线DM′以及第一扫描线GI重叠，从而可更有效地减少两个布线之间的耦合。

另外，耦合阻断层CSL可配置成沿着第一方向DR1延伸而与第一电源电压线VDL重叠。耦合阻断层CSL可通过第十接触孔CNT10与第一电源电压线VDL电连接。由此，可减少第一电源电压线VDL的电阻。

耦合阻断层CSL配置在第四绝缘层IL4上。耦合阻断层CSL可由第四导电层140形成。对于第四导电层140已在前述中说明过，因此省略重复的内容。

在第四导电层140上配置第五绝缘层IL5，在第五绝缘层IL5上配置连接布线DM′。连接布线DM′可由第五导电层150形成。第五导电层150可包括与上述的第四导电层140相同的物质或者从作为第四导电层140的构成物质例示的物质中选择的一种以上的物质。

在第五导电层150上配置第六绝缘层IL6。第六绝缘层IL6可以是通孔层。第六绝缘层IL6可包括与上述的第五绝缘层IL5相同的物质或者从作为第五绝缘层IL5构成物质例示的物质中选择的一种以上的物质。

在第六绝缘层IL6上配置第一电极层171。对于第一电极层171已在前述中说明过，因此省略重复的内容。

图24是表示又一其他实施例涉及的连接布线的平面图。

参照图24，本实施例涉及的显示装置与图6的实施例的区别在于，包括多个分支图案DMP1、DMP2、DMP3、DMP4。

具体而言，连接布线DM的第一横向部DM1可包括第一分支图案DMP1以及第二分支图案DMP2，连接布线DM的第二横向部DM2′可包括第三分支图案DMP3以及第四分支图案DMP4。

可以是，第一分支图案DMP1从第一横向部DM1的一侧开始朝向第一方向DR1突出，第二分支图案DMP2从第一横向部DM1的另一侧开始朝向第一方向DR1的相反方向突出。

可以是，第三分支图案DMP3从第二横向部DM2′的一侧开始朝向第一方向DR1突出，第四分支图案DMP4从第二横向部DM2′的另一侧开始朝向第一方向DR1的相反方向突出。

第一分支图案DMP1～第四分支图案DMP4可配置成相互之间平行。另外，配置在同一列的第一分支图案DMP1～第四分支图案DMP4可互相对齐。

第一分支图案DMP1～第四分支图案DMP4可具有相同的间隔且沿着第二方向DR2排列。第一分支图案DMP1～第四分支图案DMP4在第二方向DR2上被排列的间隔可以与连接布线DM的纵向部DMB在第二方向DR2上被排列的间隔相同。由此，第一分支图案DMP1～第四分支图案DMP4可与横向部DMA一起在显示区域DA实现格子图案形状。即，可最小化连接布线DM的纵向部与横向部的异型图案，因此可防止图案被识别出来的现象。

第二分支图案DMP2的一端和第三分支图案DMP3的一端可配置成相互分离。由此，可在第二分支图案DMP2的一端与第三分支图案DMP3的一端之间定义间隙GAP。间隙GAP可配置成与阳电极ANO1、ANO2、ANO3不重叠。即，间隙GAP可配置在第一阳电极ANO1～第三阳电极ANO3被分离的空间。即，第二分支图案DMP2的一端和第三分支图案DMP3的一端可配置成与阳电极ANO1、ANO2、ANO3不重叠。

图25是表示又一其他实施例涉及的连接布线的平面图。

参照图25，本实施例涉及的显示装置与图24的实施例的区别在于，间隙GAP配置成与阳电极ANO1、ANO2、ANO3重叠。

具体而言，间隙GAP配置成与第一阳电极ANO1～第三阳电极ANO3重叠。与各阳电极ANO1、ANO2、ANO3重叠的间隙GAP的大小可以随着阳电极ANO1、ANO2、ANO3的大小而不同。例如，与第一阳电极ANO1重叠的间隙GAP可小于与第二阳电极ANO2重叠的间隙GAP。另外，与第一阳电极ANO1重叠的间隙GAP可小于与第三阳电极ANO3重叠的间隙GAP。

如上所述，本实施例涉及的显示装置可配置成使第一阳电极ANO1～第三阳电极ANO3与间隙GAP重叠，从而遮断配置在显示区域DA的间隙GAP。由此，可防止因间隙GAP引起的外光的反射以及斑点被识别出来的现象，从而可进一步提高显示品质。

图26是表示又一其他实施例涉及的连接布线的平面图。

参照图26，本实施例涉及的显示装置与图24的实施例的区别在于，配置成多个分支图案DMP1、DMP2、DMP3、DMP4与阳电极ANO1、ANO2、ANO3不重叠。

具体而言，阳电极ANO1、ANO2、ANO3配置成在平面上与第二分支图案DMP2以及第三分支图案DMP3不重叠。即，阳电极ANO1、ANO2、ANO3可配置在相互对置的第二分支图案DMP2与第三分支图案DMP3之间。即，阳电极ANO1、ANO2、ANO3可以配置于在第二分支图案DMP2的一端与第三分支图案DMP3的一端之间定义的间隙GAP。

图27是表示又一其他实施例涉及的显示装置的立体图。图28是图27的显示装置的展开图。图29是表示图27的显示装置的信号布线和连接布线的平面图。

参照图27以及图29，本实施例涉及的显示装置1_2作为显示区域DA可包括主显示区域DA0以及第一副显示区域DA1～第四副显示区域DA4。

主显示区域DA0可位于显示装置1_2的一平面上，且在主显示区域DA0以及第一副显示区域DA1～第四副显示区域DA4之中具有最宽的面积(或大小)。例如，主显示区域DA0可位于显示装置1_2的上表面。主显示区域DA0可以具有矩形等多边形形状、圆形、椭圆形等平面形状。

第一副显示区域DA1～第四副显示区域DA4可位于与主显示区域DA0所处的平面不同的平面上。第一副显示区域DA1～第四副显示区域DA4分别具有比主显示区域DA0的面积小的面积，并且第一副显示区域DA1～第四副显示区域DA4可位于互相不同的平面。第一副显示区域DA1～第四副显示区域DA4可从主显示区域DA0的各边开始延伸。

主显示区域DA0以及第一副显示区域DA1～第四副显示区域DA4可配置在主区域MR内。

非显示区域NDA可在显示装置1_2的展开图上沿着主显示区域DA0以及第一副显示区域DA1～第四副显示区域DA4整体的最外廓的边缘位置进行配置。

非显示区域NDA可包括第一角部21～第四角部24。第一角部21～第四角部24分别可与主显示区域DA0的角部(即，两个边相交的部分)相邻地进行配置。

第一角部21～第四角部24除了各自的位置外可以相互实质上相同。以下，以第一角部21为基准，说明第一角部21～第四角部24的共同特征，从而省略重复的说明。

第一角部21可具有从主显示区域DA0的角部向外侧突出的形状。第一角部21可位于第一副显示区域DA1与第四副显示区域DA4之间，可将第一副显示区域DA1与第四副显示区域DA4之间的交叉角用钝角来缓和。第一角部21的一端可位于第一副显示区域DA1，另一端可位于第四副显示区域DA4。

第一角部21可提供配置信号布线DL或者信号布线DL经过的空间。在显示面板10的第一副显示区域DA1以及第四副显示区域DA4被折弯或弯曲的情况下，第一角部21可向内侧(即，朝向显示装置1的内部空间或者重量中心的方向)被折叠。在该情况下，第一角部21被折弯，第一角部21的一端(即，与第一副显示区域DA1相邻的第一部分)和第一角部21的另一端(即，与第四副显示区域DA4相邻的第二部分)可相互对置。第一角部21的一端以及另一端可相接或者通过结合层等而结合。

第一角部21由于在第一副显示区域DA1以及第四副显示区域DA4折弯时向内侧被弯折，因此第一角部21可以不露出到外部。因此，第一角部21～第四角部24可包括在非显示区域NDA中。

非显示区域NDA还包括弯曲区域BR以及子区域SR，弯曲区域BR可与第一副显示区域DA1～第四副显示区域DA4中的至少一个连接。例如，弯曲区域BR可与第四副显示区域DA4的一侧(例如，显示装置1_2的展开图上的第四副显示区域DA4的下侧)连接。

如图28所示，在第四副显示区域DA4以主显示区域DA0为基准被垂直折弯或者弯曲时，弯曲区域BR可以以第四副显示区域DA4为基准垂直地再一次被折弯或弯曲(即，以主显示区域DA0为基准以180°的角度被折弯或弯曲)，位于弯曲区域BR的一侧的子区域SR在主显示区域DA0的厚度方向上可以配置在主显示区域DA0的下部。子区域SR可以与主显示区域DA0重叠且与主显示区域DA0平行地进行配置。

在子区域SR可配置驱动芯片IC。如上所述，随着子区域SR从主显示区域DA0开始被折弯而反转，驱动芯片IC的上表面可朝向第三方向DR3的相反方向。另一方面，本实施例的驱动芯片IC可与参照图1至图3说明过的驱动芯片IC实质上相同，因此省略对其的详细说明。

连接布线DM从第四副显示区域DA4的下侧部的非显示区域NDA开始沿着第一方向DR1延伸，在显示区域DA内沿着第二方向DR2的相反方向转换方向来延伸，在与连接到各连接布线DM的相应信号布线DL相邻或交叉的区域，延伸至相应信号布线DL的一端。即，连接布线DM可以延伸至第一副显示区域DA1的下侧部的非显示区域NDA以及第一角部21。连接布线DM可通过位于第一副显示区域DA1的下侧部的非显示区域NDA和第一角部21的第一接触孔CNT1，与相应信号布线DL直接一对一地连接。

如上所述，显示装置1_2包括经由显示区域DA配置的连接布线DM，从而不需要为了将配置于第一副显示区域DA1的信号布线DL连接到驱动芯片20而要求的附加的无效空间。即，可最小化无效空间。

以上，参照附图说明了本发明的实施例，但是本领域技术人员应当能够理解在不改变本发明的技术思想或必要特征的情况下，可以以其他具体形式实施本发明。因此，以上记载的各实施例在所有方面都是例示性的，并不应当理解为是限制性的。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：

基板，包括显示区域和非显示区域；

多个信号布线，在所述基板上从所述非显示区域开始在第一方向上延伸，从而配置在所述显示区域；

连接布线，在所述基板上从所述非显示区域开始延伸并经由所述显示区域而在所述非显示区域与所述信号布线电连接；以及

初始化电压线，在所述基板上，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，

所述连接布线在厚度方向上与所述初始化电压线重叠。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述初始化电压线由第二导电层形成，

所述信号布线由配置在所述第二导电层上的第三导电层形成，

所述连接布线由配置在所述第三导电层上的第四导电层形成。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述显示装置还包括配置在所述初始化电压线与所述连接布线之间的第一电源电压线，

所述第一电源电压线在所述厚度方向上与所述连接布线重叠。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，

所述显示装置还包括配置在所述基板与所述初始化电压线之间的扫描线，

所述第一电源电压线在所述厚度方向上与所述扫描线重叠。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，

所述第一电源电压线由所述第三导电层形成，

所述扫描线由配置在所述基板与所述第二导电层之间的第一导电层形成。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，

所述连接布线包括在所述第二方向上延伸的横向部，

所述初始化电压线在平面上配置在所述横向部与所述扫描线之间。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

所述横向部在所述厚度方向上与所述第一电源电压线重叠。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，

所述显示装置还包括配置在所述连接布线上的阳电极，

所述横向部在所述厚度方向上与所述阳电极不重叠。

9.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述显示装置还包括配置在所述初始化电压线与所述连接布线之间的耦合阻断层，

所述耦合阻断层在所述厚度方向上与所述连接布线重叠。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

所述显示装置还包括配置在所述初始化电压线与所述连接布线之间的第一电源电压线，

所述耦合阻断层与所述第一电源电压线电连接。

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