CN112002703B - 阵列基板以及液晶显示面板 - Google Patents
阵列基板以及液晶显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112002703B CN112002703B CN202010787657.2A CN202010787657A CN112002703B CN 112002703 B CN112002703 B CN 112002703B CN 202010787657 A CN202010787657 A CN 202010787657A CN 112002703 B CN112002703 B CN 112002703B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- light
- gate electrode
- shielding layer
- array substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 120
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- BVSORMQQJSEYOG-UHFFFAOYSA-N copper niobium Chemical compound [Cu].[Cu].[Nb] BVSORMQQJSEYOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
Abstract
本申请提供一种阵列基板，其包括衬底以及设置于所述衬底上的一薄膜晶体管以及一金属连接层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极以及源极和漏极，所述栅极与所述金属连接层电连接。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板以及液晶显示面板。
背景技术
在显示面板中，随着分辨率或者尺寸以及频率的提高，对充电率的要求也随之升高。为提升充电率，增加栅极(GateElectrode，GE)膜层厚度及宽度是目前的主流方向。通过增加GE膜厚或者GE宽度，虽然可以在一定程度上提升充电率，但膜层增加容易导致应力增加，提升破片的风险。而GE宽度还受到开口率以及其他电性因素限制。
发明内容
有鉴于此，本申请目的在于提供一种能够提高充电率的阵列基板以及液晶显示面板。
本申请提供一种阵列基板，其包括衬底以及设置于所述衬底上的一薄膜晶体管以及一金属连接层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极以及源极和漏极，所述栅极与所述金属连接层电连接。
在一种实施方式中，，所述金属连接层与所述栅极位于不同层。
在一种实施方式中，所述阵列基板还包括设置于所述衬底上的遮光层和覆盖所述遮光层的缓冲层，所述缓冲层对应于所述有源层设置，所述金属连接层为所述遮光层。
在一种实施方式中，所述遮光层包括与所述栅极电连接的第一部分和与所述第一部分绝缘的第二部分，所述第一部分设置于所述栅极的正下方。
在一种实施方式中，所述遮光层包括位于所述第一部分两侧的两个第二部分，所述有源层包括半导体区和位于所述半导体区两侧的源极区和漏极区，两个所述第二部分与所述源极区和所述漏极区一一对应设置。
在一种实施方式中，所述栅极与所述遮光层沿第一方向延伸，所述第一部分与所述第二部分在第二方向上间隔设置，所述遮光层在第二方向上的宽度大于所述栅极在第二方向上的宽度且小于所述有源层在所述第二方向上的宽度。
在一种实施方式中，所述栅极与所述遮光层之间设置有绝缘层，所述绝缘层中开设有一通孔，所述栅极填充于所述过孔中并在所述过孔中与所述遮光层连接。
在一种实施方式中，所述金属连接层包括层叠设置的第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层和第二遮光层对应于所述薄膜晶体管的有源层设置，所述第一遮光层与所述第二遮光层之间具有绝缘层。
在一种实施方式中，所述金属连接层与所述源极和所述漏极同层设置，或者与所述栅极同层设置。
一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括衬底以及设置于所述衬底上的一薄膜晶体管以及一金属连接层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极以及源极和漏极，所述栅极与所述金属连接层电连接。
相较于现有技术，本申请的显示面板通过使薄膜晶体管的栅极与遮光层电连接，增加了栅极的厚度，提高了栅极充电率。此外，还通过将遮光层设计为三段式结构，能够避免栅极通电对沟道区的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请第一实施方式提供的显示面板的示意图。
图2为图1的显示面板的阵列基板的剖面示意图。
图3为图1的显示面板的阵列基板的俯视图。
图4为本申请另一实施方式的显示面板的阵列基板的剖面示意图。
图5为本申请又一实施方式的显示面板的阵列基板的剖面示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
请参考图1至图2，图1为本申请第一实施方式提供的显示面板的示意图。图2为图1的显示面板的阵列基板的剖面示意图。显示面板1可以为手机、平板电脑、笔记本、游戏机、数码相机、车载导航仪、电子广告牌、自动取款机等具有显示功能的电子设备。本申请不限制显示面板1的类型。显示面板1可以为主动发光型显示面板，例如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板，主动矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)显示面板，被动矩阵有机发光二极管(Passive matrix OLED)显示面板、量子点有机发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiodes，QLED)显示面板、微发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，Micro-LED)显示面板以及次毫米发光二极管(Mini Light-Emitting Diode，Mini-LED)显示面板等；也可以为被动发光型显示面板，例如液晶显示(LiquidCrystalDisney，LCD)装置。
在本实施方式中，显示面板1例如为液晶显示面板。显示面板1包括相对设置的阵列基板100和对向基板200以及设置于阵列基板200和对向基板之间的液晶层300。
阵列基板100中包括衬底10和位于衬底10上的多个像素单元。每一像素单元中设置有一个薄膜晶体管20。薄膜晶体管20包括有源层21、栅极22以及源极23和漏极24。阵列基板100上还包括一个或多个金属连接层30。薄膜晶体管20的栅极22与金属连接层30电连接。金属连接层30用于增加栅极22的厚度和截面积，从而提高栅极22充电率。金属连接层30可以与栅极22同层设置，也可以与栅极22位于不同层，例如设置于栅极22靠近衬底10的一侧或者远离衬底10的一侧。
在本实施方式中，薄膜晶体管20为顶栅型薄膜晶体管，即，在竖直方向上，栅极22位于有源层21与源极23和漏极24之间。但本申请的实施方式不限于此，薄膜晶体管20还可以为底栅型薄膜晶体管。
在本实施方式中，设置于栅极22靠近衬底10的一侧。具体地，金属连接层30可以为薄膜晶体管20的遮光层。遮光层对应于薄膜晶体管20的有源层21设置。本实施方式中，通过将栅极22与遮光层搭接，能够增加栅极22总体厚度，提升栅极22充电率，同时不增加其他结构。
具体地，在本实施例中，阵列基板100设置于衬底10上的遮光层，设置在衬底10上并覆盖遮光层的缓冲层40，从下到上依次层叠于缓冲层40上的有源层21、栅极绝缘层25和栅极22，位于缓冲层40上方并覆盖有源层21、栅极绝缘层25和栅极22的层间介质层26以及源极23和漏极24。有源层21包括沟道区211以及位于沟道区211两侧的源极区212和漏极区213。源极23与漏极24分别和源极区212和漏极区213电性连接。源极23和漏极24上还覆盖有平坦化层50。背电极(Back ITO，BITO)60设置于平坦化层50上。背电极60可以为公共电极。背电极(Back ITO)60上覆盖有钝化层70。顶电极(Top ITO，TITO)80设置于钝化层70上，并通过开设与钝化层70和平坦化层50中的过孔与漏极24电连接。顶电极80可以为像素电极。
衬底10的材料例如为透明塑料或者透明玻璃材料。
在本实施方式中，有源层21的材料可以为低温多晶硅，例如为N型掺杂的低温多晶硅或者金属氧化物半导体材料，例如铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、铟锌氧化物(IZO)、镓铟氧化物(IGO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟锡氧化物(ITO)等。其中，源极区212和漏极区213为导体化的上述材料。
栅极22、源极23和漏极24以及遮光层的材料例如可以为钽(Ta)、钨(W)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、铜铌(CuNb)合金等，也可以为例如铜(Cu)和钼(Mo)的叠层、铜(Cu)和钼钛(MoTi)合金的叠层、铜(Cu)和钛(Ti)的叠层、铝(Al)和钼(Mo)的叠层以及钼(Mo)和钽(Ta)的叠层、钼(Mo)和钨(W)的叠层、钼(Mo)-铝(Al)-钼(Mo)的叠层等。
栅极绝缘层25、层间介质层26和缓冲层40平坦化层50的材料可以选自二氧化硅、二氧化氮、氮氧化硅及其叠层。钝化层70的材料可以选自二氧化硅、二氧化氮、氮氧化硅及其叠层，或者有机材料，例如丙烯酸树脂。
背电极60和顶电极80的材料为透明电极材料，例如铟锡氧化物(ITO)。
缓冲层40与栅极绝缘层25中开设有一过孔30a。栅极22填充于过孔30a中并在过孔30a中与遮光层连接。
在一个实施方式中，遮光层包括与栅极22电连接的第一部分31和与第一部分31绝缘的第二部分32。第一部分31设置于栅极22的正下方。由此，避免栅极22通电对沟道区211的影响。在一个具体的实施方式中，第二部分32大致呈C字型，包围第一部分31，同时与第一部分31绝缘。
在本实施方式中，遮光层包括位于第一部分31两侧的两个第二部分32。两个第二部分32与源极区212和漏极区213一一对应设置。用于对薄膜晶体管20进行遮光的遮光层采用三段式设计，左右两侧的遮光层，即第二部分32无法与中间遮光层，即第一部分31导通，避免栅极22通电对沟道区211的影响。
请参考图3，图3为图1的显示面板的阵列基板的俯视图。栅极22与遮光层沿第一方向X延伸。遮光层的第一部分31与第二部分32在第二方向Y上间隔设置。在一个实施方式中，第一方向X与第二方向Y相互垂直。
遮光层在第二方向Y上的宽度大于栅极22在第二方向Y上的宽度且小于有源层21在第二方向Y上的宽度。
有源层21在栅极22上的正投影与过孔30a错开。也就是说，电连接栅极22与遮光层的过孔30a与有源层21错开。
请参考图4，图4为本申请另一实施方式的显示面板1的阵列基板100’的结构示意图。遮光层包括层叠设置的第一遮光层311和第二遮光层312。第一遮光层311和第二遮光层312对应于薄膜晶体管20的有源层21设置。第一遮光层311与第二遮光层312之间具有绝缘层。第一遮光层311也可以包括第一部分311a和位于第一部分311a两侧的两个第二部分311b。两个第二部分311b分别对应于源极区212和漏极区213设置。第二遮光层312也可以包括第三部分312a和位于第三部分312a两侧的两个第四部分312b。两个第四部分312b分别对应于源极区212和漏极区213设置。
本申请其他实施方式中，金属连接层也可以与源极23和漏极24，或者与栅极22同层设置。其中，请参考图5，图5所提供的显示面板的阵列基板100”中，金属连接层30”与源极23和漏极24同层设置，金属连接层30”可以在第一方向X上夹设于源极23和漏极24之间。金属连接层30”与栅极22”通过开设于层间绝缘层26中的过孔30a”电连接。
本申请其他实施方式中，显示面板1为有机发光二极管显示面板。除阵列基板100之外，显示面板1还包括设置于阵列基板100上的有机发光层，用于封装有机发光层的薄膜封装层以及盖板等。显示面板1的其他结构可以参考现有技术，在此不再赘述。
阵列基板100包括衬底10和设置于衬底10上的驱动电路层。驱动电路层包括像素补偿电路，例如5T1C、7T1C像素补偿电路。像素补偿电路中包括多个薄膜晶体管20。可以根据需要，使像素补偿电路的一个或者多个薄膜晶体管20分别与金属连接层电连接。
相较于现有技术，本申请的显示面板通过使薄膜晶体管的栅极与遮光层电连接，增加了栅极的厚度，提高了栅极充电率。此外，还通过将遮光层设计为三段式结构，能够避免栅极通电对沟道区的影响。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (5)
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底以及设置于所述衬底上的一薄膜晶体管以及一金属连接层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极以及源极和漏极，所述栅极与所述金属连接层电连接，所述金属连接层为遮光层，所述遮光层包括与所述栅极连接的第一部分和位于所述第一部分两侧的两个第二部分，所述栅极与所述遮光层沿第一方向延伸，所述第一部分与所述第二部分在与所述第一方向垂直的第二方向上间隔设置，所述遮光层在第二方向上的宽度大于所述栅极在第二方向上的宽度且小于所述有源层在所述第二方向上的宽度，所述第一部分在栅极所在平面上的正投影位于所述栅极内。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括覆盖所述遮光层的缓冲层，所述缓冲层对应于所述有源层设置。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述遮光层之间设置有绝缘层，所述绝缘层中开设有一过孔，所述栅极填充于所述过孔中并在所述过孔中与所述遮光层连接，所述有源层在所述栅极上的正投影与所述过孔错开。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属连接层包括层叠设置的第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层和第二遮光层对应于所述薄膜晶体管的有源层设置，所述第一遮光层与所述第二遮光层之间具有绝缘层。
5.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板，所述阵列基板包括衬底以及设置于所述衬底上的一薄膜晶体管以及一金属连接层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极以及源极和漏极，所述栅极与所述金属连接层电连接，所述金属连接层为遮光层，所述遮光层包括与所述栅极连接的第一部分和位于所述第一部分两侧的两个第二部分，所述栅极与所述遮光层沿第一方向延伸，所述第一部分与所述第二部分在与所述第一方向垂直的第二方向上间隔设置，所述遮光层在第二方向上的宽度大于所述栅极在第二方向上的宽度且小于所述有源层在所述第二方向上的宽度，所述第一部分在栅极所在平面上的正投影位于所述栅极内。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010787657.2A CN112002703B (zh) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | 阵列基板以及液晶显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010787657.2A CN112002703B (zh) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | 阵列基板以及液晶显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112002703A CN112002703A (zh) | 2020-11-27 |
| CN112002703B true CN112002703B (zh) | 2022-07-12 |
Family
ID=73463836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010787657.2A Active CN112002703B (zh) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | 阵列基板以及液晶显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112002703B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111965884A (zh) * | 2020-08-12 | 2020-11-20 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶面板用黑色矩阵和液晶面板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104979405A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置 |
| US9904135B1 (en) * | 2016-01-25 | 2018-02-27 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Array substrate and liquid crystal display device |
| CN109192661A (zh) * | 2018-08-28 | 2019-01-11 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7027109B2 (en) * | 2001-08-03 | 2006-04-11 | Nec Corporation | TFT array substrate and active-matrix addressing liquid-crystal display device |
| KR102124025B1 (ko) * | 2013-12-23 | 2020-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
-
2020
- 2020-08-07 CN CN202010787657.2A patent/CN112002703B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104979405A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置 |
| US9904135B1 (en) * | 2016-01-25 | 2018-02-27 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Array substrate and liquid crystal display device |
| CN109192661A (zh) * | 2018-08-28 | 2019-01-11 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112002703A (zh) | 2020-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102404573B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
| US9455419B2 (en) | Organic light emitting display apparatuses and methods of manufacturing organic light emitting display apparatuses | |
| CN107195663B (zh) | Amoled显示面板结构 | |
| US11398537B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus | |
| US20210233899A1 (en) | Display panel, manufacturing method of same, and tiled display panel | |
| KR100708828B1 (ko) | 전기 광학 장치 및 전자 기기 | |
| US11914811B2 (en) | Display substrate and preparation method therefor, and display device | |
| US11963382B2 (en) | Display substrate and preparation method thereof, and display device | |
| KR20170078075A (ko) | 유기 발광 다이오드 표시 장치 | |
| CN112599536A (zh) | 显示面板及其制作方法、拼接显示面板 | |
| US20150021591A1 (en) | Thin film transistor and thin film transistor array panel including the same | |
| US20200321417A1 (en) | Display panel and method for manufacturing the same, display device | |
| KR20150066428A (ko) | 유기전계 발광소자 | |
| CN112002703B (zh) | 阵列基板以及液晶显示面板 | |
| CN109545836B (zh) | 一种oled显示装置及其制作方法 | |
| US11158710B2 (en) | Display device | |
| US20230180545A1 (en) | Display device | |
| CN116190433A (zh) | 显示面板和电子终端 | |
| TWI476934B (zh) | 薄膜電晶體基板、其顯示器及其製造方法 | |
| US11908874B2 (en) | Organic light emissive display having an insulating layer contacting a semiconductor layer through a contact hole | |
| CN110649003A (zh) | 半导体基板、阵列基板、逆变器电路及开关电路 | |
| CN217606819U (zh) | 显示装置 | |
| US20240136368A1 (en) | Display device | |
| CN117080222A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN117479606A (zh) | 显示面板及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |