CN111973187A - 磁共振成像装置及超导磁铁 - Google Patents

Abstract

本发明提供能抑制伴随辐射屏蔽件的振动而产生涡流并能减少画像质量降低的磁共振成像装置及超导磁铁。磁共振成像装置用的超导磁铁(1)具有大致圆筒形状的真空容器(11)、配置在真空容器(11)内的大致圆筒形状的辐射屏蔽件(12)、以及配置在辐射屏蔽件(12)内的超导线圈(10)。辐射屏蔽件(12)具有位于超导线圈(10)的径向内侧的内筒(12a)。在辐射屏蔽件(12)的内筒(12a)设有沿以该内筒(12a)的中心轴(8)为中心的圆周方向形成的圆环状的肋(17)。

Description

磁共振成像装置及超导磁铁

技术领域

本发明涉及磁共振成像装置及超导磁铁。

背景技术

磁共振成像装置(以下称作MRI装置)主要由磁铁装置、倾斜磁场线圈、高频线圈以及计算机系统构成。磁铁装置在插入被检体的拍摄空间内生成均匀的静磁场。倾斜磁场线圈为了对拍摄空间赋予位置信息而呈脉冲状地产生使强度在空间上具有梯度的磁场(以下称作倾斜磁场)。高频线圈向被检体照射高频脉冲。计算机系统处理接收到的信号来显示图像。

作为提高MRI装置的主要性能的方法，有提高磁铁装置所产生的静磁场的强度的方法和提高倾斜磁场线圈所产生的倾斜磁场的强度及磁场精度的方法。

为了对齐拍摄对象的原子核自旋的方向而使用静磁场。静磁场强度越大，越多的核自旋的方向对齐，因此获得清晰的图像，从而倾向于使用产生较强的静磁场强度的磁铁装置。以下，对作为产生更强的静磁场强度的磁铁装置而使用超导磁铁的情况进行说明。

倾斜磁场线圈用于对在拍摄空间内产生的磁共振信号赋予位置信息。倾斜磁场的强度越强，并且磁场精度越接近线形梯度分布，就能获得越正确的位置信息，从而能够获取高精细的图像或者在短时间内进行拍摄。因此，需要向倾斜磁场线圈流通更大的电流，或者需要缠绕大量线圈导体的结构，并且倾斜磁场线圈的通电电流需求更快的大电流的脉冲通电。

高频线圈是使原子核自旋产生磁共振现象并获取磁共振信号作为电磁波的线圈。为了获取良好的图像，需要以均匀的分布将根据静磁场强度而定的频率的电磁波照射至拍摄对象。

在普通的水平磁场型MRI装置中，倾斜磁场线圈大致呈圆筒形状，并与大致呈圆筒形状的超导磁铁大致同轴地设置于超导磁铁的径向内侧。另外，高频线圈也大致呈圆筒形状，并与超导磁铁及倾斜磁场线圈大致同轴地设置于倾斜磁场线圈的径向内侧。

若向设置于超导磁铁的径向内侧的倾斜磁场线圈流通较大的脉冲电流，则在流动至构成倾斜磁场线圈的导体的电流与静磁场之间产生洛伦兹力。因此，倾斜磁场线圈产生振动电磁力。另一方面，超导磁铁也产生倾斜磁场线圈的振动电磁力的反作用力。

上述倾斜磁场线圈及超导磁铁所产生的振动电磁力使MRI装置整体产生振动。MRI装置的振动对性能产生影响。例如，由于倾斜磁场线圈兼作高频线圈、支撑被检体所在的床的构造物的情况较多，所以倾斜磁场线圈的振动会间接地使床上的被检体产生振动。尤其是在频率100Hz以下的低频振动较大的情况下，有时作为被检体的患者感觉到不舒服。并且，也有以下情况：若被检体较大程度地产生振动，则有时获取到的图像产生抖动而画像质量降低。另一方面，超导磁铁所产生的倾斜磁场线圈的振动电磁力的反作用力也使构成超导磁铁的超导线圈、磁场调整用的磁性体产生振动。由此拍摄空间内的静磁场强度变得不均匀，从而导致画像质量比原本的画像质量低。

在近年来的MRI装置中，为了提高画像质量、缩短拍摄时间，发展了产生更强的静磁场的超导磁铁、和以较强且高速的脉冲产生倾斜磁场的倾斜磁场线圈的组合。因此，所产生的振动电磁力也有变大的倾向。静磁场强度变得不均匀而引起画像质量降低的要因不仅有在上文中举出的超导线圈、磁性体的振动，还有由构成超导磁铁的金属构造物所产生的涡流引起的磁场。这是因为，若在超导线圈所形成的强磁场中金属构造物产生振动，则产生涡流。

尤其是，超导线圈为了维持超导状态而需要使温度变得极低。一般而言，超导线圈浸渍在由不锈钢材料等构成的制冷剂容器中的4开尔文的液氦中。另外，超导线圈由减少制冷剂容器与外部空气之间的导热的辐射屏蔽件以及真空容器包围。一般而言，辐射屏蔽件由辐射率较小的铝材构成，真空容器由不锈钢材料构成。由于它们是导电性的金属，所以若在磁场中产生振动，则产生涡流。尤其是，辐射屏蔽件由高纯度的铝材制成，而且为了减少辐射导热，与外部气温相比例如保持在70开尔文等低温，并与常温时相比电阻较小。因此，由振动产生的涡流变大，产生无法忽略对图像的影响的情况。

作为本发明的背景技术，有日本特愿平7-22231号公报(专利文献1)。该公报中记载以下技术：在与真空容器及超导线圈同轴地设置的圆筒形状的辐射屏蔽件，沿该辐射屏蔽件的轴向设有多条狭缝。而且，在圆筒形状的辐射屏蔽件的内、外周面的至少任另一方面，以覆盖狭缝的方式设有FRP层。由此，实现减少由电磁力引起的辐射屏蔽件振动及其对图像产生的影响。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平7-22231号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在专利文献1所记载的技术中，通过在辐射屏蔽件设置狭缝，能够减少辐射屏蔽件因振动而产生的涡流。

然而，辐射屏蔽件的刚性因狭缝的存在而降低，有时即使接收到相同的电磁力，振动也变大。在专利文献1所记载的技术中，为了防止振动的增大而设有FRP层，但一般FRP材料的杨氏模量较小，为作为金属的铝材的杨氏模量的1/5左右。因此，为了获得同等的刚性，FRP材料的厚度需要相对于辐射屏蔽件的圆筒的板厚足够厚。并且，作为由铝材构成辐射屏蔽件的理由之一，举出需要使辐射屏蔽件整体的温度一样。由于辐射率仅依存于表面状态，所以即使在高电阻或者由非导电性材料构成的辐射屏蔽件的表面涂覆极薄的铝材的膜，也不会改变。但是，若在辐射屏蔽件中产生温度差，则从温度较高的部分朝制冷剂容器的辐射导热量增大，从而辐射屏蔽件的整体需要尽量维持为低温。因此，辐射屏蔽件整体需要由导热率较大的铝材或铜材构成。由于FRP的导热率比金属的导热率小，所以因狭缝的存在会导致辐射屏蔽件的温度无法变得均匀。尤其是，与狭缝正交的方向亦即以辐射屏蔽件的中心轴为中心的圆周方向容易产生温度差。

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其课题在于，提供能够抑制伴随辐射屏蔽件的振动而产生涡流、并且能够减少画像质量降低的磁共振成像装置及超导磁铁。

用于解决课题的方案

为了实现上述课题，本发明的磁共振成像装置具备超导磁铁、倾斜磁场线圈、高频线圈、以及计算机系统。上述超导磁铁大致呈圆筒形状，在拍摄空间内产生静磁场。上述倾斜磁场线圈大致呈圆筒形状，与上述超导磁铁的中心轴大致同心地设置于上述超导磁铁的径向内侧，并在上述拍摄空间内产生相对于位置具有线形梯度的磁场强度的动磁场。上述高频线圈大致呈圆筒形状，与上述超导磁铁的中心轴大致同心地设置于上述倾斜磁场线圈的径向内侧，并在上述拍摄空间内产生高频磁场。上述计算机系统用于处理信号来获得图像。上述超导磁铁具有大致呈圆筒形状的真空容器、配置在上述真空容器内的大致呈圆筒形状的辐射屏蔽件、以及配置在上述辐射屏蔽件内的超导线圈。上述辐射屏蔽件具有位于上述超导线圈的径向内侧的内筒。在上述内筒，设有沿以该内筒的中心轴为中心的圆周方向形成的圆环状的肋。

发明的效果

根据本发明，可提供能够抑制伴随辐射屏蔽件的振动而产生涡流、并且能够减少画像质量降低的磁共振成像装置及超导磁铁。

附图说明

图1是示出构成本发明的第一实施方式的MRI装置的超导磁铁、倾斜磁场线圈以及高频线圈的简要剖视图。

图2是示意性地示出本发明的实施方式的MRI装置的外观立体图。

图3是示出构成比较例的现有的MRI装置的超导磁铁、倾斜磁场线圈以及高频线圈的简要剖视图。

图4A是示出辐射屏蔽件的内筒在静磁场中在以与静磁场方向正交的轴为中心的旋转方向上产生了振动的情况下的涡流模拟结果的立体图。

图4B是示出辐射屏蔽件的内筒在静磁场中沿与静磁场方向正交的轴向产生了振动的情况下的涡流模拟结果的立体图。

图5A是辐射屏蔽件的内筒在静磁场中在与静磁场方向正交的方向上截面形状产生变化而产生了振动的情况下的振动状态的主视图。

图5B是示出辐射屏蔽件的内筒在静磁场中在与静磁场方向正交的方向上截面形状产生变化而产生了振动的情况下的涡流模拟结果的立体图。

图6是示出构成本发明的第二实施方式的MRI装置的超导磁铁、倾斜磁场线圈以及高频线圈的简要剖视图。

图7A是示出构成本发明的第三实施方式的MRI装置的超导磁铁的辐射屏蔽件的内筒的简要主视剖视图。

图7B是示出构成本发明的第三实施方式的MRI装置的超导磁铁的辐射屏蔽件的内筒的简要局部立体图。

符号的说明

1—超导磁铁，2—拍摄空间，3—静磁场，4—被检者，5—床，6—倾斜磁场线圈，7—高频线圈，8—中心轴，9—线圈线轴，9a—凹部，10—超导线圈，11—真空容器，12—辐射屏蔽件，12a—内筒，13—制冷剂容器，13a—凹部，14—倾斜磁场，17—肋，18—狭缝，100—MRI装置。

具体实施方式

以下，适当地参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。

(第一实施方式)

图2是示意性地示出本发明的实施方式的MRI装置100的外观立体图。

如图2所示，MRI装置100具备具有超导线圈10(参照图1)的超导磁铁1。超导磁铁1呈以Z轴为中心轴8的大致圆筒形状，在拍摄空间2内在与Z轴相同的方向上产生空心箭头所示的静磁场3。被检者4由可动式床5搬运至拍摄空间2，获取图像。

MRI装置100具备与超导磁铁1的中心轴8大致同心地设置于超导磁铁1的径向内侧的大致圆筒形状的倾斜磁场线圈6和高频线圈7。也就是说，超导磁铁1、倾斜磁场线圈6以及高频线圈7具有共用的中心轴8。倾斜磁场线圈6是用于获取图像获取的位置信息的常规传导的线圈。倾斜磁场线圈6在拍摄空间2内产生相对于位置具有线形梯度的磁场强度的动磁场。高频线圈7是用于产生磁共振来获取信号的常规传导的线圈。高频线圈7在拍摄空间2内产生高频磁场。上述倾斜磁场线圈6及高频线圈7与超导磁铁1一起由未图示的罩覆盖。

此外，MRI装置100具有未图示的电源装置和计算机系统20作为上述以外的主要构成设备。电源装置向倾斜磁场线圈6、高频线圈7供给电流。计算机系统20处理信号来获得图像。并且，计算机系统20进行操作的受理、图像的显示。

接下来，参照图3，首先对普通的MRI装置的结构进行说明。

图3是示出构成比较例的现有的MRI装置的超导磁铁1、倾斜磁场线圈6以及高频线圈7的简要剖视图。

如图3所示，超导磁铁1具有超导线圈10。超导线圈10通过将超导线材缠绕于卷框亦即由不锈钢材料等形成的线圈线轴9并由环氧树脂等固化来生成。将该超导线圈10保持为约4开尔文的极低温度来成为超导状态，并流通大电流，从而在拍摄空间2内生成例如1.5特斯拉至3特斯拉的强磁场。为了保持为极低温度，超导线圈10由从作为大气的外侧被真空容器11、辐射屏蔽件12、制冷剂容器13包围的构造构成。

真空容器11由不锈钢材料、铝材或者纤维强化塑料(FRP)材料等构成。通过将真空容器11的内部设为真空状态，来减少因对流产生的向内部构造物的热传递。辐射屏蔽件12由铝材、铜材等构成，并且表面使用辐射率较小的光泽金属，从而减少来自外部的辐射导热。辐射屏蔽件12具有位于超导线圈10的径向内侧的内筒12a、位于超导线圈10的径向外侧的外筒12b、以及位于轴向两侧的圆环状的端板12c、12c。制冷剂容器13是为了将超导线圈10浸渍在温度约4开尔文的液体状态的氦中来保持超导状态而由不锈钢材料等构成的构造物。

并且，在辐射屏蔽件12及制冷剂容器13设置有未图示的冷冻机，由此抑制液氦的蒸发并维持极低温度状态。另外，为了抑制来自外部的热侵入，超导线圈10、制冷剂容器13及辐射屏蔽件12由未图示的热阻较大的支撑部件支撑在真空容器11内。该支撑部件由导热率较小的FRP材料等构成，例如使用截面积较小的棒状或者锁链状的细长部件。

若向倾斜磁场线圈6流通脉冲状的电流，则在拍摄空间2内生成倾斜磁场14。此时，在倾斜磁场线圈6与超导线圈10所生成的静磁场3之间产生振动电磁力。与此相反，在倾斜磁场线圈6所产生的向拍摄空间2以外漏出的漏磁场与超导线圈10之间也产生振动电磁力。上述振动电磁力使MRI装置100整体产生振动。此外，图3所示的倾斜磁场14是Y轴方向倾斜磁场的例子，倾斜磁场线圈6以相互独立的脉冲波形生成强度向X、Y、Z任意的3个轴向倾斜的磁通密度分布的倾斜磁场。

若超导线圈10产生振动，则在拍摄空间2内生成的静磁场3的分布紊乱，MRI图像受到影响。同时，真空容器11、辐射屏蔽件12、制冷剂容器13也产生振动，但由于它们是金属构造物，所以若在超导线圈10所生成的静磁场3中产生振动，则产生涡流。该涡流所产生的磁场也是在拍摄空间2内使静磁场3的分布紊乱的原因。

尤其是，由于辐射屏蔽件12使用铝材、铜材等低电阻的金属来构成，所以知晓即使是较小的振动，也产生涡流。因此，现今，为了抑制涡流的产生，例如采取通过设置狭缝来增加涡流路径的电阻值的对策。然而，由于辐射屏蔽件12的刚性因狭缝而降低并且振动振幅增加，所以也有所产生的涡流增大的情况。

接下来，参照图4A、图4B、图5A、图5B对辐射屏蔽件12的内筒12a产生了振动的情况下的涡流的产生进行说明。

超导线圈10所生成的静磁场3在拍摄空间2内均匀，可以说辐射屏蔽件12的内筒12a的静磁场3的分布也大致均匀。

图4A是示出辐射屏蔽件12的内筒12a在静磁场3中在以与静磁场3方向正交的y轴为中心的旋转方向(参照图4A中的符号16)上产生了振动的情况下的涡流模拟结果的立体图。图4B是示出辐射屏蔽件12的内筒12a在静磁场3中沿与静磁场3方向正交的Y轴方向(参照图4B中的符号16)产生了振动的情况下的涡流模拟结果的立体图。

图4A所示的相邻的涡流等值线的间隔为1A(安培)，图4B所示的相邻的涡流等值线的间隔为5μA。如图4A、图4B所示，在均匀的静磁场3中，即使辐射屏蔽件12的内筒12a以与静磁场3的方向正交的y轴为中心产生旋转振动或者沿y轴平行地产生振动，所产生的涡流也较小。尤其是，可知即使与以y轴为中心产生了旋转振动的情况相比，在沿与静磁场3方向正交的Y轴方向产生了振动的情况下，涡流的产生也近似于能够忽略地较小。

图5A是辐射屏蔽件12的内筒12a在静磁场3中在与静磁场3方向正交的方向上截面形状产生变化而产生了振动的情况下的振动状态的主视图。图5B是示出辐射屏蔽件12的内筒12a在静磁场3中在与静磁场3方向正交的方向上截面形状产生变化而产生了振动的情况下的涡流模拟结果的立体图。此外，图5A及图5B示出被赋予与图4A及图4B相同程度的位移的情况。

图4A及图4B示出内筒12a是无变形的刚体并产生了振动的情况。另一方面，图5B示出在图5A所示的方向(参照图5A中的符号16)上内筒12a的截面形状产生了变形的情况下的涡流模拟结果。图5B所示的相邻的涡流等值线的间隔为50A，与图4A、图4B所示的情况相比非常大。在该情况下，内筒12a也在与静磁场3方向正交的方向上产生振动。但是，可知在该情况下，内筒12a的截面形状因振动而产生变化，从而产生较大的涡流。

接下来，参照图1对本发明的第一实施方式的MRI装置100(参照图2，以下相同)的超导磁铁1的结构进行说明。以下，关于本发明的第一实施方式，主要说明与图3所示的普通的MRI装置的超导磁铁1的结构不同的方面，对共用的构成要素、相同的构成要素标注同一符号并适当地省略说明。

图1是示出构成本发明的第一实施方式的MRI装置100的超导磁铁1、倾斜磁场线圈6以及高频线圈7的简要剖视图。

如图1所示，在本发明的第一实施方式中，MRI装置100用的超导磁铁1具有大致呈圆筒形状的真空容器11、配置在真空容器11内的大致呈圆筒形状的辐射屏蔽件12、以及配置在辐射屏蔽件12内的超导线圈10。辐射屏蔽件12具有位于超导线圈10的径向内侧的内筒12a。在辐射屏蔽件12的内筒12a，设有沿以该内筒12a的中心轴8为中心的圆周方向形成的圆环状的肋17。肋17固定于内筒12a。

根据这样的第一实施方式，通过圆环状的肋17的存在，能够抑制图5A所示的由振动引起的内筒12a的截面形状变化，从而能够减少涡流的产生。由此，能够将振动对图像的影响抑制为较小的程度。此处，由于辐射屏蔽件12的电阻较小，所以容易产生涡流，并且由于辐射屏蔽件12的内筒12a接近拍摄空间2，所以容易对图像产生影响。因此，通过抑制在辐射屏蔽件12的内筒12a内产生涡流，能够有效地减少画像质量降低。

并且，在第一实施方式中，在包括内筒12a的中心轴8的截面中，肋17的径向上的高度H比轴向上的长度W大，并且肋17设置于内筒12a的径向外侧的至少一处以上。肋17的外径D1比在内部配置有超导线圈10的制冷剂容器13的内径D2大。并且，肋17的外径D1比此处位于该肋17的旁边的超导线圈10的内径大。超导线圈10设有多个，肋17以不与超导线圈10干涉的方式配置在相邻的两个超导线圈10之间。而且，在制冷剂容器13形成有凹部13a，凹部13a使制冷剂容器13的内径局部地向径向外侧扩大以便肋17的外周部进入。与此相对应地，在线圈线轴9也形成有使线圈线轴9的内径局部地向径向外侧扩大的凹部9a。若像这样构成，则能够避免肋17与制冷剂容器13、超导线圈10以及线圈线轴9的干涉，并且能够增大肋17的径向上的高度H。因此，提高内筒12a的刚性，有效地抑制辐射屏蔽件12的内筒12a的变形。

肋17优选是充分地提高辐射屏蔽件12的内筒12a的刚性的材质。例如，考虑肋17的材质是铝材、不锈钢材料等金属材料、或者陶瓷材料等。

在由金属材料形成肋17的情况下，由于通过经由绝缘层(未图示)连接，所以即使肋17与辐射屏蔽件12的内筒12a直接连接，也能够电绝缘。

通过将肋17的材质设为金属材料，能够期待提高辐射屏蔽件12的内筒12a的圆周方向上的冷却效果。并且，由于利用肋17所产生的导热来实现辐射屏蔽件12的温度的均匀化，所以能够减少朝制冷剂容器13的辐射导热。另外，通过使肋17与内筒12a直接连接，有能够更加提高内筒12a的刚性以及肋17所产生的导热的优点。另一方面，通过使肋17与内筒12a电绝缘，有增大电流路径的电阻而能够更加抑制涡流的产生的优点。

肋17的位置在图1中设置于内筒12a的Z轴方向上的中心一处，但通过设置于多处位置，能够更加抑制由振动引起的内筒12a的截面形状变化。此处，肋17配置为相对于通过拍摄空间2的中心并与超导磁铁1的中心轴8正交的平面对称。若像这样构成，则以较少的肋17的设置个数就能够有效地抑制由振动引起的内筒12a的截面形状变化。

(第二实施方式)

接下来，参照图6，对本发明的第二实施方式的MRI装置100的超导磁铁1的结构进行说明。以下，关于本发明的第二实施方式，主要说明与图1所示的第一实施方式的MRI装置100的超导磁铁1不同的方面，对共用的构成要素、相同的构成要素标注同一符号并适当地省略说明。

图6是示出构成本发明的第二实施方式的MRI装置100的超导磁铁1、倾斜磁场线圈6以及高频线圈7的简要剖视图。

如图6所示，在本发明的第二实施方式中，在包括内筒12a的中心轴8的截面中，肋17的径向上的高度H比轴向上的长度W小。而且，肋17设置于内筒12a的径向外侧的至少一处以上(图6中为七处)。若像这样构成，则与第一实施方式相比，径向上的高度H较小，从而不需要为了避免与肋17的干涉而在制冷剂容器13形成凹部13a、或者在线圈线轴9形成凹部9a。

与第一实施方式相同，考虑肋17的材质是铝材、不锈钢材料等金属材料、或者陶瓷材料等。并且，通过将肋17的材质设为金属材料，能够提高辐射屏蔽件12的内筒12a的圆周方向上的冷却效果，并且使辐射屏蔽件12的温度变得均匀，进而减少朝制冷剂容器13的辐射导热。

此外，在本实施方式中，肋17设置于辐射屏蔽件12的内筒12a的径向外侧，但也可以设置于径向内侧，并且也可以设置于径向外侧及内侧双方。

(第三实施方式)

接下来，参照图7A及图7B对本发明的第三实施方式的MRI装置100的超导磁铁1的结构进行说明。以下，关于本发明的第三实施方式，主要说明与图6所示的第二实施方式的MRI装置100的超导磁铁1不同的方面，对共用的构成要素、相同的构成要素标注同一符号并适当地省略说明。

图7A是示出构成本发明的第三实施方式的MRI装置100的超导磁铁1的辐射屏蔽件12的内筒12a的简要主视剖视图。图7B是示出构成本发明的第三实施方式的MRI装置100的超导磁铁1的辐射屏蔽件12的内筒12a的简要局部立体图。

如图7A及图7B所示，在本发明的第三实施方式中，在辐射屏蔽件12的内筒12a，形成有沿与该内筒12a的中心轴8平行的方向延伸的狭缝18。并且，在第三实施方式中，与上述的第二实施方式相同，在辐射屏蔽件12的内筒12a，设有沿以该内筒12a的中心轴8为中心的圆周方向形成的圆环状的肋17。若像这样构成，则利用狭缝18能够抑制伴随辐射屏蔽件12的振动而产生圆周方向的涡流，并且利用肋17能够防止截面形状的变形，进而能够更加减少涡流的产生。

在本实施方式中，在将肋17的材质设为铝材或不锈钢材料等金属材料的情况下，肋17与辐射屏蔽件12的内筒12a优选经由绝缘层而连接，从而电绝缘。若肋17与辐射屏蔽件12的内筒12a之间的绝缘层的厚度较薄，则由圆环状的肋17保持辐射屏蔽件12的内筒12a的圆周方向上的刚性和导热。由此，能够减少伴随振动的涡流产生，同时能够通过提高冷却效果来使温度变得均匀。

以上，基于本发明实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述的实施方式，包括各种变形例。例如，上述的实施方式是为了容易理解地说明本发明而进行了详细说明，并限定于必需具备所说明的所有结构。并且，能够将某实施方式的结构的一部分置换成其它实施方式的结构，并且也能够在某实施方式的结构的基础上追加其它实施方式的结构。并且，能够对上述的实施方式的结构的一部分进行其它结构的追加、删除、置换。

例如，本发明也能够应用于不使用液氦等制冷剂而用冷冻机等直接冷却超导线圈10的情况。

Claims (9)

1.一种磁共振成像装置，其特征在于，具备：

大致圆筒形状的超导磁铁，其在拍摄空间内产生静磁场；

大致圆筒形状的倾斜磁场线圈，其与上述超导磁铁的中心轴大致同心地设置于上述超导磁铁的径向内侧，并在上述拍摄空间内产生相对于位置具有线形梯度的磁场强度的动磁场；

大致圆筒形状的高频线圈，其与上述超导磁铁的中心轴大致同心地设置于上述倾斜磁场线圈的径向内侧，并在上述拍摄空间内产生高频磁场；以及

计算机系统，其用于处理信号来获得图像，

上述超导磁铁具有：

大致圆筒形状的真空容器；

大致圆筒形状的辐射屏蔽件，其配置在上述真空容器内；以及

超导线圈，其配置在上述辐射屏蔽件内，

上述辐射屏蔽件具有位于上述超导线圈的径向内侧的内筒，

在上述内筒，设有沿以该内筒的中心轴为中心的圆周方向形成的圆环状的肋。

2.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，

具备在内部配置有上述超导线圈的制冷剂容器，

在包括上述内筒的中心轴的截面中，上述肋的径向上的高度比轴向上的长度大，并且在上述内筒的径向外侧设置至少一处以上，

上述肋的外径比上述制冷剂容器的内径大，

在上述制冷剂容器形成有凹部，该凹部使该制冷剂容器的内径局部地向径向外侧扩大以便上述肋的外周部进入。

3.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，

在包括上述内筒的中心轴的截面中，上述肋的径向上的高度比轴向上的长度小，并且在上述内筒的径向内侧或径向外侧，或者在径向内侧及径向外侧双方，设置至少一处以上。

4.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，

上述肋配置为相对于通过上述拍摄空间的中心并与上述超导磁铁的中心轴正交的平面对称。

5.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，

上述肋由金属材料形成。

6.根据权利要求5所述的磁共振成像装置，其特征在于，

上述肋经由绝缘层而与上述内筒连接。

7.根据权利要求5所述的磁共振成像装置，其特征在于，

上述肋与上述内筒直接连接。

8.根据权利要求1至7任一项中所述的磁共振成像装置，其特征在于，

在上述内筒，形成有沿与该内筒的中心轴平行的方向延伸的狭缝。

9.一种磁共振成像装置用的超导磁铁，其特征在于，具有：

大致圆筒形状的真空容器；

大致圆筒形状的辐射屏蔽件，其配置在上述真空容器内；

制冷剂容器，其配置在上述辐射屏蔽件内；以及

超导线圈，其配置在上述制冷剂容器内，

上述辐射屏蔽件具有位于上述超导线圈的径向内侧的内筒，

在上述内筒，设有沿以该内筒的中心轴为中心的圆周方向形成的圆环状的肋。

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