JP3689818B2 - 磁気共鳴撮像装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、磁気共鳴勾配コイルおよびＲＦスクリーンに関し、特に、磁気共鳴撮像装置用自己遮蔽勾配コイルアセンブリに関する。しかしながら本発明はまた、磁気共鳴分光装置および他のＲＦ磁界と勾配磁場を必要とするものに応用される。
【０００２】
【従来の技術】
従来、磁気共鳴撮像装置は、室温のボアつまりマグネットアセンブリの中心円筒を軸方向に通過する一時的に安定した主磁界を生成する超伝導マグネットを使用していた。超伝導マグネット巻線は低温維持装置内の液体ヘリウムの温度に維持されている。これは二重壁構造であり、真空の空間、中冷遮蔽および超断熱用室が提供される。低温維持装置を有することによりヘリウムの蒸発を最小限に抑えることができる。マグネットの室温のボアは、撮像される被検体（人間）はもちろんのこと磁場勾配コイル、ＲＦコイル用の空間を提供する。
【０００３】
勾配コイルは、三種類の共通し直交する軸ｘ、ｙ、ｚの勾配をもつ軸場を生成する。電流波形は、ＭＲ処理中に勾配に適用される。すると、勾配がマグネット低温維持装置の金属性装置内にエディ電流を誘発する。そしてエディ電流の磁界は、撮像される被検体により検知される磁界の一部分となる。エディ電流を引き起こした勾配を模倣できる範囲において、エディ電流はプレエンファシスにより修正される。一般的には、エディ電流がプレエンファシスにより修正されることにより、エディ電流を保持する可能性のある勾配およびマグネット装置間に、ある程度の空間が得られる。さらに近年になって、マグネット装置内のエディ電流を除去するための自己遮蔽勾配が開発された。
【０００４】
自己遮蔽勾配により円筒形成体上に一連の主コイルが、また、第２の形成体上に一連の遮蔽コイルがより大きい半径で構成される。それら遮蔽勾配の外側の半径において、主コイルにより生成された磁界は一連の遮蔽コイルにより、実質的に相殺される。一連の主コイルおよび遮蔽コイルの磁場勾配は整合され、軸方向付けされｘ、ｙ、ｚ方向の実質的に第１の序列強度勾配をもつ磁界を生成する。主および遮蔽コイルは半径係数１．３以上であることが望ましく、それにより撮像体積内の主コイルの磁界を必要以上に相殺することはなくなる。自己遮蔽勾配コイルにより、主勾配コイルとマグネット装置との距離は、重大ではない。
【０００５】
総合電気効率つまり勾配コイルにより消費される電流は、主勾配コイルと遮蔽勾配コイルとの間の距離によるところが大きい。総合電気効率はできる限り能率的に使用される。つまり、主磁場勾配コイルの直径が縮小され、遮蔽コイルの直径が拡大されることにより消費電力は抑制される。しかしながら、材料費等の関係により、直径１００ｃｍのボアマグネットは例えば直径９０ｃｍのマグネットよりも一般的に高価である。マグネットにかかる費用を削減するため、均一性との兼ね合いからボアの直径を縮小するのが普通である。また、勾配効率を向上させ強制アンペア毎の勾配をより多く得るために、遮蔽コイルの外側コイルに対しての空間を最大限割り当てるのが普通である。遮蔽勾配コイルアセンブリの最大直径は、超伝導マグネットの内部ボア、通常は主磁界の均一性を向上させるためのボア内に搭載されている金属製シムのシムセットにより制限されている。
【０００６】
勾配コイル内に挿入されている円筒形ＲＦコイルは一般的に５５〜６０ｃｍの内部直径を有していた。ＲＦコイルの浪費ではない周知のエディ電流を生成するためのＲＦコイルを超えたある半径でＲＦスクリーンは配置される。更に、ＲＦコイルと勾配コイルとの間にある程度の距離がおかれている。例えば、ＲＦスクリーンは勾配コイル形成体の内部表面に配置されている。形成体表面を完全に被覆するように約２〜３インチ幅の裏面に粘着性のある被覆用銅板により構成されている。被覆される領域は、２１〜６４ＭＨｚで銅板を完全に結合させるためのものである。それにより銅板の表面は適度に伝導性を帯びる。銅板の粘着面がＲＦコイルの浪費である場合、ＲＦコイルのＱファクタを低減する。そしてＮＭＲのＳ／Ｎ比が大きくなる。銅が細長い板状であることにより、勾配エディ電流は抑制される。
【０００７】
ＲＦスクリーンの重要な設計上の案のひとつに、ＲＦコイル伝導性形成体とスクリーンとの間の距離がある。スクリーン内のエディ電流も、ＲＦコイルの磁界と対向する磁界を生成し、全体的な磁界を低減させてしまう。ある意味では、これら“画像電流”は、機能面において勾配コイルの遮蔽コイルを模倣することとなる。スクリーンは、予測可能で再生可能な結果をＲＦ浪費なしで生成しなければならない。ＲＦスクリーン以外には、実質的に零のＲＦ磁界がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ＲＦコイル遮蔽内に裏面に粘着性のある銅板を使用する問題点は、労力を集約するところにある。特に、３２以上のセグメントが勾配コイルボアの内側直径の周辺に配置される必要がある。またさらに、粘着面がＲＦコイルの浪費になり、Ｓ／Ｎ比を向上させることができなくなるという問題点もあった。
【０００９】
ＲＦ遮蔽を構成する他の方法として、低い浪費率の基板を用いた印刷回路板を使用するものがある。
【００１０】
しかし、低い浪費率の基板を用いた印刷回路板を使用すると、費用がかかりすぎるという問題点もあった。基板用物質は、所望の低い浪費率の特徴が得られ、かつ勾配内部直径上にスクリーンを搭載する手段が提供されるようなものが使用されてきた。これにより、処理費用および配置費用も高額になってしまう。
【００１１】
３つ目あるいはそれ以上の費用効果のある方法として、ウインドスクリーンのような薄型銅製メッシュを使用するものがある。しかし、低周波エディ電流を生成する上では、編まれているメッシュの断続的なパターンは、固形の銅と比べて本質的に劣っている。
【００１２】
ＲＦメッシュを使用すると、勾配コイルの内部直径にメッシュを搭載するのが困難になるという問題点があった。スクリーンは、正確な寸法を計り、しっかりと配置されなければならない。メッシュを支持するためには、一般的に付随する基板が必要となる。これにより製造費用が高くなり、配置面積が大きくなってしまっていた。
【００１３】
結果として、従来のＲＦ遮蔽および勾配コイルアセンブリは半径が大きくなってしまっていた。このような半径の大きいＲＦおよび勾配コイルは、直径１００ｃｍのような大型のボア超伝導マグネットが使用される場合のような、従来のボアの内部直径には利用され保持できる。しかしながら、その直径の大きさにより超伝導マグネットの費用は様々である。従って、一般的にはマグネットの内部ボアの直径を拡大ではなく縮小することが望まれている。
【００１４】
主および遮蔽勾配コイルの間の距離を狭めることにより、効率低下および多大な熱をもってしまうという問題がでてきてしまう。つまり、勾配コイルにより消費される電流は熱になって発生してしまうのである。熱が大量に発生してしまう不完全な装置においては、その発生した熱消散の問題点がでてきてしまう。同様に、たとえ主ＲＦおよび遮蔽コイルの直径の増分が僅かであっても、消費電力は大きく変化してしまう。例えば、遮蔽勾配コイルの直径が２％しか増加しなかったとしても、熱消散率は２０％も低下してしまう。
【００１５】
したがって、本発明は、新規でより発達したＲＦ遮蔽および勾配コイル装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、遮蔽勾配コイルは超伝導マグネットアセンブリの超伝導マグネットの真空チャンバのボアの外径側直径表面上（すなわち真空チャンバの内部）に配置されていることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の他の様態によれば、磁気共鳴撮像装置は、一次的に安定している磁場で検査領域を通過するように生成し、前記検査領域周辺に延長される縦方向延長ボアを限定する通常は円筒形の誘電性形成体を有している環状超伝導マグネットアセンブリと、前記ボア内に磁場勾配を引き起こし、前記円筒形成体の外側周辺および前記真空チャンバ内周部に被覆されている第１の勾配コイルアセンブリを有している勾配コイル手段と、前記ボア内に配置されていて前記検査領域に無線周波数パルス（以下、ＲＦパルスと略す。）を送出する無線周波数コイルアセンブリ（以下、ＲＦコイルアセンブリと略す。）と、前記勾配コイル手段および前記ＲＦコイルアセンブリを制御するシーケンス制御手段とを有することを特徴とする。
【００１８】
またさらに、本発明の様態によれば、第２の勾配コイルアセンブリが、前記ボア内に配置され前記第１の勾配コイルアセンブリと離れて配置された真空チャンバの環状誘電性部材の外径側周辺に被覆されていることを特徴とする。
【００１９】
さらなる本発明の様態によれば、無線周波数遮蔽（ＲＦ遮蔽と略す。）が、前記第２の勾配コイルアセンブリの少なくとも一部分と前記形成体の外側との間に配置されていることを特徴とする。
【００２０】
本発明の様態によればまた、前記ＲＦスクリーン（ＲＦ遮蔽）は、前記内部磁界コイルの密着部分として配置されていることを特徴とする。
【００２１】
さらに本発明の他の様態によれば、磁気共鳴撮像装置は、中心ボアを限定する円環状部材と前記ボアを通過するような主磁界を生成する超伝導マグネットを内部に含んでいる真空チャンバにより構成される伝導マグネットアセンブリと、前記円環状部材と同心円の前記ボア内に配置されていて、前記円環状部材の内部表面と離れて配置された外側表面を有している円筒形誘電性形成体と、前記形成体の外側表面に沿って固着されているＲＦ遮蔽と、前記形成体内に配置されている主ＲＦコイルとを有することを特徴とする。
【００２２】
またさらなる本発明の他の様態によれば、主勾配コイルアセンブリは、前記ＲＦ遮蔽の周囲の形成体外周側に配置され、前記ボア内に磁場勾配の特定周波数を選択的に生成することを特徴とする。
【００２３】
【実施例】
次に、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１を参照すると、超伝導磁界コイル１０および１８が示されている。超伝導磁界コイル１０および１８は一時的に安定した磁界を生成する。中心ボア１２の撮像領域内において、この磁界は実質的に均一で縦方向つまりｚ軸に沿っている。さらに、通常、ｘ軸、ｙ軸が縦および横方向に指定され、ともに直交するように構成される。超伝導マグネットの内部超伝導マグネット磁界コイル１０は、環状ヘリウムチャンバ１６の一部分である形成体１４により支持されている。ヘリウムチャンバは液体ヘリウムにより満たされていて、印加されている磁界が超伝導性を維持できるように超伝導マグネットを冷却する。必要であれば、遮蔽コイル１８は、超伝導マグネットを囲む領域内のコイル１０、１８の整合された磁界を制限するために配置される。
【００２４】
ヘリウムの蒸発を抑制するために、環状ヘリウムチャンバ１６は、第１の冷却遮蔽２０に覆われていて約２０°Ｋに維持されている。第２の冷却遮蔽アセンブリ２２は約７０°Ｋに冷却されている。第１、第２の冷却遮蔽は、図示しない機械冷凍により冷却されることが望ましい。環状真空チャンバ２４は、冷却遮蔽を囲んで真空レザーバを限定している。真空チャンバ２４は、円筒形で誘電性がありボア１２を限定しｚ軸に平行に延長される円環状部材２６を有している。主磁界が円環状部材２６を通過するように生成される。マイラー絶縁材が真空チャンバと冷却遮蔽との間に配置される。
【００２５】
さらに図１、および図２を参照すると、ＲＦコイルアセンブリ３０がボア１２内に搭載されている。さらに詳しく述べると、ＲＦコイルアセンブリ３０は、ＲＦコイル３２とＲＦ遮蔽つまりスクリーン３４を有している。この主ＲＦコイル３２は、直角位相または鳥篭タイプのコイルであることが望ましく、内部直径が少なくとも５５ｃｍの被検体収容ボアを限定することが望ましい。
【００２６】
自己遮蔽勾配コイルアセンブリ４０は、主勾配コイルアセンブリ４２と第２のコイルアセンブリ４４とを有している。主勾配コイルアセンブリ４２は、円筒形で誘電性のある形成体４６を有している。形成体４６は、超伝導コイル１０および１８の大きな安定磁界内の磁界勾配生成に関連する影響力のもとにおいて形成体本来の構造を維持できるだけの十分な厚さを持っていることが望ましい。例えば、５−１０ｍｍ、好ましくは７．５ｍｍの厚さのガラス補強プラスチックであることが望ましい。また、形成体４６は、ｚ勾配コイル５０のパターンに関連している外側表面により限定または切断されている一連の溝４８を含んでいる。
【００２７】
ＲＦ遮蔽３４は、被覆され断熱された銅片つまり薄型銅製メッシュであることが望ましく、そのようなＲＦ遮蔽は、形成体４６の外側表面およびｚコイルをはめ込む溝４８に適用される。電着された、つまり被覆された薄型電導膜のようなその他の種類のＲＦ遮蔽３４も考えられている。ＲＦ遮蔽メッシュは、しっかりと変形されて断熱されたｚ勾配ワイヤ巻線により溝に取り付けられ、溝に延長された半田接続、被覆セグメント等を含んでいる。溝４８は、ｚ勾配コイルの厚さと同様の深さであり、ｚ勾配コイルが挿入されると、実質的に円形の表面が提供され、ｘ、ｙ勾配コイル５２、５４がはめ込まれる。ｚ勾配コイルが巻線である場合、またはＲＦ周波数での多大なエディ電流を保持しない構成である場合、ＲＦ遮蔽はｚ勾配コイルの全て、または一部分の外側に配置される。ｘ、ｙ勾配コイル５２、５４は、特願平５−２４６２７８号に示されているように指紋タイプのコイルであることが望ましい。円形であるために、実質的にｘ、ｙ勾配コイルは夫々独立したものであるが、夫々が直角になるように配置されている。ｘ、ｙ勾配コイル、ＲＦ遮蔽、およびｚ勾配コイルは、エポキシあるいは他の誘電性物質内に配置されている。変形されたスクリーンＲＦ遮蔽および指紋タイプのコイルは、ポッチング（塗布）用物質が入流する経路を提供するのでポッチング処理に有用である。
【００２８】
また、さらなる多様性のある構成も考えられている。まず、ｚ勾配コイルに溝が提供される必要がないものがある。ｚ勾配コイル５０は、ＲＦ遮蔽５４の先端の層に被覆されている。また、指紋タイプまたは他のｘ、ｙ勾配コイルが先端に配置されたＲＦスクリーンと、また後部に配置されたｚ勾配コイル上に被覆されたものも考えられている。次に、ｚ勾配コイルに溝４８が提供されると、フォイル片または他のＲＦ遮蔽物質が溝にはめ込まれ、そして連続したシート状または小片状のＲＦメッシュつまりＲＦ遮蔽がｚ勾配コイルに巻きつけられる。半田接続、容量被覆接続のような接続法によりｚ勾配コイルの下方に挿入されたＲＦ遮蔽およびＲＦ遮蔽を保持するものとの間が電気的に接続される。さらに、断熱性ｚ勾配コイルが独立した束状巻線コイル、または分配コイルであるもの。またさらに、ある力でｚ勾配コイルを巻くことにより、ＲＦ遮蔽のスクリーンは溝にはめ込まれるものがある。
【００２９】
複数のＩビームまたは他の機械支持５６は、勾配形成体４６を超伝導マグネットの円環状部材２６の外側表面に配置する。複数のＩビームまたは他の機械支持５６は、主マグネット磁界シムを収容するための十分な間隙を限定し（図示せず）、特に複数の鉄製部材により主磁界の均一性がシムされる。
【００３０】
第２の勾配コイル４４は、好ましくはｚ勾配遮蔽コイル６２を収容する溝６０を含んでいる円筒形の誘電性の円環状部材２６を有している。ｘ、ｙ勾配遮蔽つまり第２のコイル６４、６６が、円環状部材２６の外側円筒形の周辺およびエポキシポッチング６８（エポキシ塗布）内に配置されている。
【００３１】
ｘ、ｙ、ｚ勾配コイルおよび遮蔽コイルの構造は、上記特願平５−２４６２７８号に記載の構造であることが望ましい。主および第２の勾配コイルは、ボア１２内に適切な勾配磁界を生成するため、およびボアの外側、特に真空チャンバ内の磁界を相殺するために接続されている。そして直径３３ｍｍ以上のリングが主勾配コイル形成体４６と円環状部材２６との間に配置されている。それにより空気冷却用経路が提供され、また、主および遮蔽勾配コイルが最大限離れて配置され、主磁界の均一性をシムする磁界シムが挿入される場所が提供される。円環状部材２６は、Ｏリング接続部７０により真空チャンバ２４の他の部分と接続されていて、真空チャンバ２４が冷却遮蔽アセンブリが配置される部分を最大限拡張するような構造において保持されている。
【００３２】
また、多様性のある様々な実施例も考えられている。まず、ｚ勾配コイル５０が銅または他の電導性管により限定された分配コイルであり、その管に冷却剤を流し込むことにより高い冷却効果が得られ、高い電力レベルつまり高い勾配力が得られるものがある。
【００３３】
冷却遮蔽２２は、円筒形誘電性形成体７４上に搭載された細型管状円筒形冷却遮蔽部７２を有していることが望ましい。
【００３４】
シーケンス制御手段８０は、勾配コイル制御手段８２および送出器８４を制御する。勾配コイル制御手段８２は電流パルス生成器８６と直列に接続され、電流パルス生成器８６は、主勾配コイル５０、５２、５４および第２の勾配コイル６２、６４、６６と接続されている。送出器８４は、デジタル送出器であることが望ましく、また、ボア内の被検体の一部分の選択された双極アンテナ内の磁気共鳴を励起し制御する無線周波数信号のパルスを生成する主ＲＦコイルと接続されていることが望ましい。無線周波数受信器８８は、デジタル受信器であることが望ましく、また、被検体の検査された部分からでてきた磁気共鳴信号を復調する主ＲＦコイルまたは表面コイル（図示せず）と接続されていることが望ましい。逆二次フーリエ変換修復手段のような画像修復手段９０は、受信された磁気共鳴信号を、画像メモリ９２に記録される電気画像表示用に修復する。ビデオ処理器９４は、画像メモリ９２に記録された電気画像をビデオモニタ96表示に適する様式に変換する。
【００３５】
図３を参照すると、本発明は、遮蔽されていない勾配コイルにも適用可能であることがわかる。遮蔽されていない勾配コイルでの実施例では、ＲＦ遮蔽のメッシュ３４が真空チャンバの円筒形部材２６の外側直径周辺に被覆されていて、溝６０に挿入されている部分がある。上記されている主ｘ、ｙ、ｚ勾配コイル５２、５４、５０は、ＲＦ遮蔽３２周辺に被覆されエポキシ内に配置されている。超伝導マグネットアセンブリ内に主ｘ、ｙ、ｚ勾配コイルを配置することにより、磁気共鳴撮像装置の有用なボアは、ＲＦ主コイルアセンブリ３２の厚さ分だけ円環状部材２６の内部直径よりも小さくなる。冷却遮蔽２０、２２およびヘリウムチャンバ１６は、実質的に遮蔽勾配周波数でのエディ電流を保持しない物質で構成されている。ヘリウムチャンバは、誘電性物質でできていることが利点となっている。冷却遮蔽２０、２２は熱伝導性はあるが、電気的には抵抗性のあるグラファイトまたはダイヤモンド性の物質でできている。また、冷却遮蔽は、熱伝導性および電導性のある物質でできているが、複数の十分に狭くて薄く、それにより低周波数のエディ電流が保持されないような銅またはアルミニウムメッシュで構成されることもある。さらにまた、遮蔽勾配コイルは、増幅した熱荷重を補償するための機械冷却が増幅されると冷却遮蔽２２により支持されることもある。
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、磁気共鳴撮像装置は、主および遮蔽勾配コイルとの間の距離を最大限拡張することにより自己遮蔽勾配コイルの効率を向上することができるという利点がある。
【００３７】
また、本発明によれば、主ＲＦコイルＲＦ遮蔽のと間の間隙が拡張され、Ｓ／Ｎ比が大きくなりＲＦ送出電流が低減されるという利点もある。
【００３８】
さらに、本発明によれば、超伝導マグネットの内部直径を縮小する一方で、ＭＲＩマグネットの内部使用ボアを最大限拡張できるという利点もある。
【００３９】
本発明によればさらに、設備の小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による磁気共鳴撮像装置を示す図である。
【図２】 ＲＦ主コイルおよびＲＦ遮蔽、主勾配コイルおよび遮蔽勾配コイル、超伝導マグネット真空チャンバと冷却遮蔽との関係を示した拡大詳細断面図である。
【図３】 超伝導マグネットの真空チャンバ内に配置されている主勾配コイルアセンブリの他の実施例を示す図である。
【符号の説明】
１０、１８ 超伝導コイル
１２ ボア
１６ ヘリウムチャンバ
２０、２２ 冷却遮蔽
２４ 真空チャンバ
２６ 円環状部材
３０ ＲＦコイルアセンブリ
３２ ＲＦ主コイルアセンブリ
３４ ＲＦ遮蔽のメッシュ
４０ 自己遮蔽勾配コイルアセンブリ
４２ 主勾配コイルアセンブリ
４４ 遮蔽勾配コイルアセンブリ
４６ 主勾配コイル形成体
４８ 溝
５０ ｚ勾配コイル
５２ ｘ勾配コイル
５４ ｙ勾配コイル
５６ 機械支持
６０ 溝
６２、６４、６６ 第２の勾配コイル
６８ エポキシポッチング
７０ Ｏリング接続部
７２ 細型管状円筒形冷却遮蔽部
７４ 円筒形誘電性形成体
８０ シーケンス制御手段
８２ 勾配コイル制御手段
８４ ＲＦ送出器
８６ 電流パルス生成器
８８ 受信器
９０ 画像修復装置
９２ 画像メモリ
９４ ビデオ処理器
９６ ビデオモニタ

Claims (12)

1. 磁気共鳴撮像装置において、
   検査領域を通過するおおむね一様な磁界を生成する環状超伝導マグネットアセンブリ（１０、１８、１４、１６、２０、２２、２４、２６）であって、前記検査領域を径方向に拡げるボア１２を縦長に画定する円環状部材２６を含む前記超伝導マグネットアセンブリ（１０、１８、１４、１６、２０、２２、２４、２６）を具備しており、
   前記ボア１２内に磁場勾配を発生させる自己遮蔽勾配コイル手段４０が、
   円環状部材２６から離して前記ボア１２内に配置された円筒形の形成体４６と、
   前記形成体４６により支持されている主勾配コイルアセンブリ４２と、
   前記ボア１２内の前記主勾配コイルアセンブリ４２の外周側から離れて配置された遮蔽勾配コイルアセンブリ４４と、
   を有して、
   前記主勾配コイルアセンブリ４２及び前記遮蔽勾配コイルアセンブリ４４が、前記形成体４６内周部のその組み合わせ磁界を所定の磁場勾配に生成して、更に、少なくとも前記遮蔽勾配コイルアセンブリ４４の外周部の所定領域のその組み合わせ磁界を実質的に零にするように接続してあり、
   前記検査領域にＲＦパルスを送出して、且つ前記ボア１２内に配置したＲＦコイルアセンブリ３０と、
   前記形成体と前記主勾配コイルアセンブリの間に配置されたＲＦ遮蔽及び前記形成体内周側に配置されたＲＦコイルとを含む前記ＲＦコイルアセンブリ３０と前記自己遮蔽勾配コイル手段４０を制御するシーケンス制御手段８０と、
   を有することを特徴とする磁気共鳴撮像装置。
2. 磁気共鳴撮像装置において、
   検査領域を径方向に拡げるボアを縦長に画定するための、おおむね円筒形で誘電性のある形成体を保持する環状超伝導マグネットアセンブリと、
   円筒形の形成体の外周部側で支持されている第１の勾配コイルアセンブリを含み、前記ボア内において磁場勾配を引き起こす勾配コイル手段と、
   前記検査領域にＲＦパルスを送出する、前記ボア内に設置されているＲＦコイルアセンブリと、
   前記形成体の外周表面に巻きつけて固着するＲＦ遮蔽と前記ボア内周部側に配置されたＲＦコイルを含む前記ＲＦコイルアセンブリであって、前記ＲＦコイルアセンブリ及び前記勾配コイル手段とを制御するシーケンス制御手段と、
   を具備することを特徴とする磁気共鳴撮像装置。
3. 請求項２に記載の装置において、
   前記円筒形の形成体に離れて配置されて、円環状であって誘電性を有しており前記ボアを構成する円環状部材であり、その円環状部材の前記ボア内側に配されている第２の勾配コイルアセンブリを、前記勾配コイルアセンブリがさらに含む磁気共鳴撮像装置。
4. 検査領域を通過するようにおおむね一様な磁界を生成する超伝導マグネットアセンブリを有する磁気共鳴撮像装置において、
   前記検査領域の径方向に伸ばされた中空状のボアを画定して、誘電性の円環状部材を有し、前記ボアおよび前記検査領域を縦方向に通過する主磁界を生成するための環状超伝導マグネットを内部に配置した真空チャンバであって、
   超伝導性を保持できる温度に維持する前記超伝導マグネットを取巻いており、且つ前記真空チャンバ内に在るヘリウムチャンバとを含むおおむね環状の真空チャンバと、
   第１、第２、第３の互いに直交する軸に沿って配置されていて、前記ボア内に磁場勾配を引き起こす勾配コイルアセンブリであって、この勾配コイルが前記第１、第２、第３の軸に沿って前記磁場勾配を生成する第１の直径を成して、前記真空チャンバのボア内周部に保持する誘電性の円筒形成材の外周側に配置した勾配コイルと、
   前記検査領域にＲＦパルスを送出し、前記検査領域内の特定周波数を選択する双極アンテナの磁気共鳴を誘発し制御するための前記ボア内に設置されているＲＦコイルアセンブリと、
   磁気共鳴撮像用勾配とＲＦパルスシーケンスを生成する、前記勾配コイルアセンブリと前記ＲＦコイルアセンブリを制御するシーケンス制御手段と、
   前記真空チャンバ内周側の前記円筒形成材の内周部に配置したＲＦコイルと、前記円筒形成材の実質の外周表面に固着されたＲＦ遮蔽とを有す前記ＲＦコイルアセンブリが前記検査領域に配置して、前記検査領域から発する磁気共鳴信号で画像表示を再構成するための画像再構成手段と、
   を具備することを特徴とする磁気共鳴撮像装置。
5. 請求項４に記載の装置において、
   前記ボア内に配置されて、前記真空チャンバの前記円環状部材と離れて配置された円筒形で誘電性のある前記円筒形成体と、
   前記円環状部材の前記真空チャンバの内面により支持されていて、前記第１、第２、第３の軸に沿って磁場勾配を生成する複数の第２の直径勾配コイルと、
   前記円筒形成体の内周部のその組み合わせ磁界を所定の磁場勾配に生成して、更に、少なくとも前記第２の直径勾配コイルの外周部の所定領域のその組み合わせ磁界を実質的に零にするように、前記第１の直径勾配コイル及び前記第２の直径勾配コイルが接続している磁場勾配コイルアセンブリを有する磁気共鳴撮像装置。
6. 請求項５に記載の装置において、
   前記ＲＦコイルアセンブリは、前記円筒形成体内に配置されている主ＲＦコイルと、実質的に前記円筒形成体の外周表面に固着されているＲＦ遮蔽とを有する磁気共鳴撮像装置。
7. 請求項６に記載の装置において、
   前記円筒形成体は、第二直径勾配コイルを有し、前記第二直径勾配コイルの一部分の下方の溝を通過するようにＲＦ遮蔽を延長し、前記第二直径勾配コイルと前記主ＲＦコイルの間に配置されるＲＦ遮蔽を前記円筒形成体の外側表面に限定された溝をはめ込む磁気共鳴撮像装置。
8. 請求項６に記載の装置において、
   前記ＲＦ遮蔽は薄型の金属製メッシュを有する磁気共鳴撮像装置。
9. 請求項８に記載の装置において、
   前記ＲＦ遮蔽および前記勾配コイルアセンブリはエポキシ塗布を行うエポキシ流出経路を限定する前記ＲＦ遮蔽メッシュ内において被覆されている磁気共鳴撮像装置。
10. 請求項５に記載の装置において、
    前記真空チャンバの前記円環状部材は、少なくとも前記第２の直径勾配コイルアセンブリの一部分をはめ込むために真空チャンバの内面側表面の溝を限定する磁気共鳴撮像装置。
11. 請求項５に記載の装置において、
    前記装置はさらに、一定の間隔をもって前記真空チャンバの前記円環状部材の近傍に配置するエディ電流の発生を抑制する熱伝導性管を含み、前記ヘリウムチャンバと前記真空チャンバとの間に配置されている少なくとも一つの冷却遮蔽を有する磁気共鳴撮像装置。
12. 請求項１１に記載の装置において、
    前記円筒形成体は、複数の第１の直径勾配コイルを受ける外側表面に溝を配置すると共に、前記主ＲＦコイルと前記第１直径勾配コイルの少なくとも幾つかの第１直径勾配コイル間にＲＦ遮蔽を配置して、より大きな直径の前記第１直径勾配コイルの一部分の下方の溝を通過して延長されるＲＦ遮蔽をはめ込むための溝である磁気共鳴撮像装置。

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