CN111968905B - 半导体设备的射频起辉控制方法及装置 - Google Patents

Abstract

本说明书一个或多个实施例公开了一种半导体设备的射频起辉控制方法及装置，用以解决现有技术中射频起辉时间波动大导致工艺结果不稳定的问题。所述方法包括：在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；若是，则开启上射频电源SRF；当上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；若是，则开启下射频电源BRF；当下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制半导体设备执行后续工艺。该技术方案能够减小射频起辉时间波动，从而能够保证工艺结果的稳定性，提高批量生产率。

Description

半导体设备的射频起辉控制方法及装置

技术领域

本说明书涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体设备的射频起辉控制方法及装置。

背景技术

目前，半导体制造工艺过程主要包含Stable(稳定)步和RF(Radio Frequency，射频)起辉步。在Stable步中，腔室内无射频功率馈入，无等离子体产生，在RF起辉步中，腔室内馈入射频功率，以激发腔室内的气体产生等离子体。而产生的等离子体作用于工件对工艺结果造成影响。

RF起辉步还可以细化分为射频起辉匹配步和射频起辉工艺步。其中，射频起辉工艺步的时间是一个定值，但射频起辉匹配步的时间则是一个变量，不仅受到参数匹配时间波动的影响，还会受到工作硬件(如电源、匹配器、温度传感器Sensor等)和机台软件通讯延迟时间波动的影响，从而造成相同工艺的射频起辉时间存在差异，导致相同工艺的腔室内加载的功率不同，进一步造成各工艺过程中的等离子体不同(如等离子体的密度不同)，最终导致相同工艺的工艺结果不一致，影响批量生产率。

发明内容

本说明书一个或多个实施例的目的是提供一种半导体设备的射频起辉控制方法及装置，用以解决现有技术中射频起辉时间波动大导致工艺结果不稳定的问题。

为解决上述技术问题，本说明书一个或多个实施例是这样实现的：

一方面，本说明书一个或多个实施例提供一种半导体设备的射频起辉控制方法，包括：

在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；所述腔室参数包括腔室内的通气量、压力和温度中的至少一项；

若是，则开启所述上射频电源SRF；

当所述上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；

若是，则开启所述下射频电源BRF；

当所述下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制所述半导体设备执行后续工艺。

另一方面，本说明书一个或多个实施例提供一种半导体设备的射频起辉控制装置，包括：

判断模块，用于在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；所述腔室参数包括腔室内的通气量、压力和温度中的至少一项；以及用于当所述上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；

控制模块，与所述判断模块电连接，用于若所述判断模块的判断结果为上射频电源SRF的加载功率大于或者等于预设的第一电源开启功率，则开启所述上射频电源SRF；以及用于若所述判断模块的判断结果为下射频电源BRF的加载功率大于或者等于预设的第二电源开启功率，则开启所述下射频电源BRF，且当所述下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制所述半导体设备执行后续工艺。

再一方面，本说明书一个或多个实施例提供一种半导体设备的射频起辉控制设备，包括：

处理器；以及

存储器，用于存储计算机可执行指令，所述可执行指令在被执行时使所述处理器：

在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；所述腔室参数包括腔室内的通气量、压力和温度中的至少一项；

若是，则开启所述上射频电源SRF；

当所述上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；

若是，则开启所述下射频电源BRF；

当所述下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制所述半导体设备执行后续工艺。

再一方面，本说明书一个或多个实施例提供一种存储介质，用于存储计算机可执行指令，所述可执行指令在被执行时实现以下流程：

在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；所述腔室参数包括腔室内的通气量、压力和温度中的至少一项；

若是，则开启所述上射频电源SRF；

当所述上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；

若是，则开启所述下射频电源BRF；

当所述下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制所述半导体设备执行后续工艺。

采用本说明书一个或多个实施例的技术方案，通过在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率，并在上射频电源SRF的加载功率大于或者等于第一电源开启功率时开启上射频电源SRF，当上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，进一步判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率，并在下射频电源BRF的加载功率大于或者等于第二电源开启功率时开启下射频电源BRF，当下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制半导体设备执行后续工艺。由于在工艺流程中，射频起辉时间的波动主要是上射频电源SRF和下射频电源BRF开启后的参数匹配时长不同造成的，因此，该技术方案通过控制上射频电源SRF和下射频电源BRF在开启后的延迟时间，实现了减小射频起辉时间波动的效果，从而能够保证工艺结果的稳定性，提高批量生产率。

附图说明

为了更清楚地说明本说明书一个或多个实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书一个或多个实施例中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本说明书一实施例的一种半导体设备的射频起辉控制方法的示意性流程图；

图2是根据本说明书另一实施例的一种半导体设备的射频起辉控制方法的示意性流程图；

图3是根据本说明书一实施例的一种上射频电源SRF射频起辉时间的箱线图；

图4是根据本说明书一实施例的一种下射频电源BRF射频起辉时间的箱线图；

图5是根据本说明书另一实施例的一种半导体设备的射频起辉控制方法的示意性流程图；

图6是根据本说明书一实施例的一种半导体设备的射频起辉控制装置的结构示意图；

图7是根据本说明书一实施例的一种半导体设备的射频起辉控制设备的硬件结构示意图。

具体实施方式

本说明书一个或多个实施例提供一种半导体设备的射频起辉控制方法及装置，用以解决现有技术中射频起辉时间波动大导致工艺结果不稳定的问题。

为了使本技术领域的人员更好地理解本说明书一个或多个实施例中的技术方案，下面将结合本说明书一个或多个实施例中的附图，对本说明书一个或多个实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本说明书一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本说明书一个或多个实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本说明书一个或多个实施例保护的范围。

图1是根据本说明书一实施例的半导体设备的射频起辉控制方法的示意性流程图，如图1所示，该方法包括：

S102，在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率。

其中，腔室参数包括腔室内的通气量、压力、温度等参数。预设参数稳定条件可设置在工艺配方中，根据工艺配方中记载的参数稳定条件能够控制半导体设备的腔室参数，以满足该参数稳定条件。

其中，上射频电源SRF的加载功率可设置在工艺配方中。根据具体的工艺，可对应设置上射频电源SRF的加载功率。预设的第一电源开启功率可设置在射频起辉控制方法流程的底层代码中。第一电源开启功率可为上射频电源SRF的开启门限功率，可根据半导体设备中实际使用的上射频电源SRF的开启门限功率，在底层代码中设置相应的第一电源开启功率。

在一个实施例中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率时，可从工艺配方中读取上射频电源SRF的加载功率，并从射频起辉控制方法流程的底层代码中读取第一电源开启功率，再对二者进行比较。

需要说明的是，本实施例中限定的在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，不仅表示S102中的判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率的步骤需要在此过程中进行，还表示S104-S110中的各实施步骤均需在此过程中进行，即在执行S102-S110时需控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件。

S104，若上射频电源SRF的加载功率大于或者等于第一电源开启功率，则开启上射频电源SRF。

在一个实施例中，上射频电源SRF开启后，可向半导体设备的腔室外部的线圈通电，通电后线圈周围的电场发生变化，由于线圈与腔室贴合的部分为可穿透介质，因此变化的电场对腔室内部产生影响，将腔室内的气体电离成等离子体。

S106，当上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率。

其中，第一延迟时间可设置在射频起辉控制方法流程的配置参数或工艺配方中，并可根据工艺需求在配置参数或工艺配方中进行更改。下射频电源BRF的加载功率可设置在工艺配方中。根据具体的工艺，可对应设置下射频电源BRF的加载功率。预设的第二电源开启功率可设置在射频起辉控制方法流程的底层代码中。第二电源开启功率可为下射频电源BRF的开启门限功率，可根据半导体设备中实际使用的下射频电源BRF的开启门限功率，在底层代码中设置相应的第二电源开启功率。

在一个实施例中，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于预设的第二电源开启功率时，可从工艺配方中读取下射频电源BRF的加载功率，并从射频起辉控制方法流程的底层代码中读取第二电源开启功率，再对二者进行比较。

S108，若下射频电源BRF的加载功率大于或者等于第二电源开启功率，则开启下射频电源BRF。

在一个实施例中，下射频电源BRF开启后可向腔室内加载功率，对腔室内的等离子体进行加速。

本实施例中，上射频电源SRF仍保持开启状态，且持续向腔室内加载功率，将腔室内的气体电离成等离子体。

S110，当下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制半导体设备执行后续工艺。

其中，第二延迟时间可设置在射频起辉控制方法流程的配置参数或工艺配方中，并可根据工艺需求在配置参数或工艺配方中进行更改。

在一个实施例中，后续工艺可为刻蚀工艺或沉积工艺。

采用本说明书一个或多个实施例的技术方案，通过在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率，并在上射频电源SRF的加载功率大于或者等于第一电源开启功率时开启上射频电源SRF，当上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，进一步判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率，并在下射频电源BRF的加载功率大于或者等于第二电源开启功率时开启下射频电源BRF，当下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制半导体设备执行后续工艺。由于在工艺流程中，射频起辉时间的波动主要是上射频电源SRF和下射频电源BRF开启后的参数匹配时长不同造成的，因此，该技术方案通过控制上射频电源SRF和下射频电源BRF在开启后的延迟时间，实现了减小射频起辉时间波动的效果，从而能够保证工艺结果的稳定性，提高批量生产率。

在一个实施例中，执行图1所示的射频起辉控制方法流程(即S102-S110)之前，可先确定上射频电源SRF开启后的时长(即第一延迟时间)和下射频电源BRF开启后的时长(即第二延迟时间)。其中，第一延迟时间基于上射频电源SRF的反射功率和电流比例的匹配时间确定，第二延迟时间基于下射频电源BRF的反射功率的匹配时间确定。此处说明一下，第一延迟时间基于上射频电源SRF的反射功率和电流比例的匹配时间确定，这里的电流比例是线圈上的电流，SRF开启则线圈通电，产生电流，可判断电流比例。由于BRF与线圈之间没有作用，BRF不涉及判断电流比例，因此第二延迟时间基于下射频电源BRF的反射功率的匹配时间确定。

在本实施例中，通过在执行射频起辉控制方法流程之前，确定上射频电源SRF开启后的第一延迟时间和下射频电源BRF开启后的第二延迟时间，使得在执行射频起辉控制方法流程时，能够直接根据预先确定的第一延迟时间和第二延迟时间执行对应的方法步骤，无需人工设置相关的时间值，提高了工艺结果的准确性。

下面详细介绍如何确定上射频电源SRF开启后的第一延迟时间和下射频电源BRF开启后的第二延迟时间。

在一个实施例中，确定上射频电源SRF开启后的第一延迟时间可包括步骤A1-A3。

A1，预先根据上射频电源SRF的反射功率和电流比例对应的第一预设条件，分别对上射频电源SRF的反射功率和电流比例进行多次匹配，得到多个第一匹配时间。

本实施例中，可确定上射频电源SRF从开启到对应的反射功率和电流比例满足第一预设条件时的第一时长，并确定第一时长为第一匹配时间。

本实施例中，上射频电源SRF对应的电流比例可为半导体设备的腔室外部的线圈上的电流比例。

其中，第一预设条件包括上射频电源SRF的电流比例处于预设的电流比例范围中、且上射频电源SRF的反射功率小于预设的第一功率阈值。

其中，预设的电流比例范围及第一功率阈值可设置在射频起辉控制方法流程的底层代码中。第一功率阈值可设置为目前工艺中使用的最大功率2000W的10％，即设置为20W。电流比例范围可根据具体的工艺对应设置，包括电流比例的设定点和波动范围。例如，设置电流比例的设定点为0.5，波动范围为0.1，则电流比例范围为0.5±0.1。

其中，第一时长的确定方式在后面的实施例中会进行详细叙述，此处不再展开。

在本实施例中，通过确定上射频电源SRF从开启到对应的反射功率和电流比例满足第一预设条件时的第一时长，并将第一时长作为第一匹配时间，使得确定出的第一匹配时间更加准确。

A2，根据多个第一匹配时间，确定上射频电源SRF的反射功率和电流比例的第一参考匹配时间。

其中，第一参考匹配时间包括第一平均匹配时间或第一最大匹配时间。

在一个实施例中，可将多个第一匹配时间中占比较大的第一匹配时间确定为第一参考匹配时间。

例如，得到的五个第一匹配时间包括1.3秒、1.5秒、1.5秒、1.9秒、1.5秒。可确定平均匹配时间为1.54秒、最大匹配时间为1.9秒、占比较大的第一匹配时间为1.5秒。根据具体工艺需求，可确定第一参考匹配时间为平均匹配时间1.54秒、最大匹配时间1.9秒或占比较大的第一匹配时间1.5秒中的一项。

A3，根据第一参考匹配时间确定第一延迟时间。

在一个实施例中，可将第一参考匹配时间直接确定为第一延迟时间，或者，将第一参考匹配时间加上或减去预设差值后，得到第一延迟时间。

在目前工艺中的射频起辉阶段，第一延迟时间的范围一般为1-3秒。

在本实施例中，通过预先根据上射频电源SRF的反射功率和电流比例对应的第一预设条件，分别对上射频电源SRF的反射功率和电流比例进行多次匹配，得到多个第一匹配时间，并根据多个第一匹配时间，确定上射频电源SRF的反射功率和电流比例的第一参考匹配时间，从而根据第一参考匹配时间确定第一延迟时间，可避免样本过少对最终结果造成的影响，使得确定出的第一延迟时间更符合上射频电源SRF的反射功率和电流比例的匹配时间，提高了工艺结果的准确性。

在一个实施例中，确定下射频电源BRF开启后的第二延迟时间可包括步骤B1-B3。

B1，预先根据下射频电源BRF的反射功率对应的第二预设条件，对下射频电源BRF的反射功率进行多次匹配，得到多个第二匹配时间。说明一下，这里的匹配是指将下射频电源BRF的反射功率和预设阈值进行匹配，由于对各批晶圆进行加工时，射频匹配存在时间波动。因此，进行多次匹配，可获得多个相同或不同的匹配时间。

本实施例中，可确定下射频电源BRF从开启到对应的反射功率满足第二预设条件时的第二时长，并确定第二时长为第二匹配时间。

其中，第二预设条件包括下射频电源BRF的反射功率小于或者等于预设的第二功率阈值。

其中，第二功率阈值可设置在射频起辉控制方法流程的底层代码中。第二功率阈值可根据目前工艺结果的经验值进行设定。

例如，在目前工艺中的射频起辉阶段，当下射频电源BRF的反射功率小于20W时，对工艺结果造成了明显影响。则可将第二功率阈值设置为20W，使得下射频电源BRF的反射功率小于或者等于20W时能够立即执行下一操作，避免对工艺结果造成明显影响。

其中，第二时长的确定方式在后面的实施例中会进行详细叙述，此处不再展开。

在本实施例中，通过确定下射频电源BRF从开启到对应的反射功率满足第二预设条件时的第二时长，并将第二时长作为第二匹配时间，使得确定出的第二匹配时间更加准确。

B2，根据多个第二匹配时间，确定下射频电源BRF的反射功率的第二参考匹配时间。

其中，第二参考匹配时间包括第二平均匹配时间或第二最大匹配时间。

在一个实施例中，可将多个第二匹配时间中占比较大的第二匹配时间确定为第二参考匹配时间。

例如，得到的五个第二匹配时间包括0.9秒、1.2秒、1.2秒、1.9秒、1.2秒。可确定平均匹配时间为1.28秒、最大匹配时间为1.9秒、占比较大的第二匹配时间为1.2秒。根据具体工艺需求，可确定第二参考匹配时间为平均匹配时间1.28秒、最大匹配时间1.9秒或占比较大的第二匹配时间1.2秒中的一项。

B3，根据第二参考匹配时间确定第二延迟时间。

在一个实施例中，可将第二参考匹配时间直接确定为第二延迟时间，或者，将第二参考匹配时间加上或减去预设差值后，得到第二延迟时间。

在目前工艺中的射频起辉阶段，第二延迟时间的范围一般为0.5-2秒。

在本实施例中，通过预先根据下射频电源BRF的反射功率对应的第二预设条件，对下射频电源BRF的反射功率进行多次匹配，得到多个第二匹配时间，并根据多个第二匹配时间确定下射频电源BRF的反射功率的第二参考匹配时间，从而根据第二参考匹配时间确定第二延迟时间，可避免样本过少对最终结果造成的影响，使得确定出的第二延迟时间更符合下射频电源BRF的反射功率的匹配时间，提高了工艺结果的准确性。

此外，在确定出第一参考匹配时间和第二参考匹配时间后，除上述方式(即分别确定对应的第一延迟时间和第二延迟时间的方式)外，还可根据第一参考匹配时间、第二参考匹配时间及具体工艺需求，确定出相同的第一延迟时间和第二延迟时间。

例如，第一参考匹配时间为1.2秒、第二参考匹配时间为1.7秒。根据具体工艺需求，可确定第一延迟时间和第二延迟时间均为1.2秒，或确定第一延迟时间和第二延迟时间均为1.7秒。

图2是根据本说明书另一实施例的一种半导体设备的射频起辉控制方法的示意性流程图。本实施例中，可通过控制半导体设备自动执行或由用户手动控制半导体设备执行图2所示的工艺流程，以确定上射频电源SRF从开启到对应的反射功率和电流比例满足第一预设条件时的第一时长、以及确定下射频电源BRF从开启到对应的反射功率满足第二预设条件时的第二时长。

其中，在控制半导体设备自动执行图2所示的工艺流程时，第一时长和第二时长会被自动记录，因此工艺流程结束后可直接得到第一时长和第二时长。若用户手动控制半导体设备执行图2所示的工艺流程，则由用户进行计时，从而得到第一时长和第二时长。考虑到人工计时容易产生误差，因此优选采用控制半导体设备自动执行的方式确定第一时长和第二时长。

如图2所示，该方法包括：

S201，在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；若是，则执行S202；若否，则执行S208。

其中，腔室参数包括腔室内的通气量、压力、温度等参数。

其中，若上射频电源SRF的加载功率小于预设的第一电源开启功率，则确定该工艺流程中无射频起辉，可直接结束工艺流程。

该步骤中的其他实施过程在S102中已详细叙述，此处不再赘述。

S202，开启上射频电源SRF。

该步骤在S104中已详细叙述，此处不再赘述。

S203，判断上射频电源SRF的电流比例是否处于预设的电流比例范围中、且上射频电源SRF的反射功率是否小于预设的第一功率阈值；若是，则执行S204；若否，则执行S209。

本实施例中，可预设判断时长阈值，若执行判断的时长超过判断时长阈值，则可认为该工艺流程无法使上射频电源SRF的电流比例处于预设的电流比例范围中、且使上射频电源SRF的反射功率小于预设的第一功率阈值。

该步骤中的其他实施过程在A1中已详细叙述，此处不再赘述。

本实施例中，可确定从S202中上射频电源SRF开启后，一直到S203中上射频电源SRF的电流比例处于预设的电流比例范围中、且上射频电源SRF的反射功率小于预设的第一功率阈值时，所经过的时间为第一时长。

S204，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；若是，则执行S205；若否，则执行S207。

其中，若下射频电源BRF的加载功率小于预设的第二电源开启功率，则确定该工艺过程中只对上射频电源SRF加载功率，在上射频电源SRF的电流比例及反射功率满足条件后，直接控制半导体设备执行后续工艺。

该步骤中的其他实施过程在S106中已详细叙述，此处不再赘述。

S205，开启下射频电源BRF。

该步骤在S108中已详细叙述，此处不再赘述。

S206，判断下射频电源BRF的反射功率是否小于或者等于预设的第二功率阈值；若是，则执行S207；若否，则执行S209。

本实施例中，可预设判断时长阈值，若执行判断的时长超过判断时长阈值，则可认为该工艺流程无法使下射频电源BRF的反射功率小于预设的第二功率阈值。

该步骤中的其他实施过程在B1中已详细叙述，此处不再赘述。

本实施例中，可确定从S205中下射频电源BRF开启后，一直到S206中下射频电源BRF的反射功率小于或者等于预设的第二功率阈值时，所经过的时间为第二时长。

S207，控制半导体设备执行后续工艺。

S208，结束工艺流程。

S209，抛报警。

其中，控制半导体设备抛出报警后，工艺流程停止。抛报警的方式为现有技术(如弹出提示框、控制指示灯亮灭等)，此处不再赘述。

在本实施例中，通过执行图2所示的工艺流程，确定上射频电源SRF从开启到对应的反射功率和电流比例满足第一预设条件时的第一时长、以及确定下射频电源BRF从开启到对应的反射功率满足第二预设条件时的第二时长，使得第一时长和第二时长的确定方式简单、易于实现，且由于执行图2所示的工艺流程时，使用工艺配方与图1中的相同，因此使得确定出的第一时长和第二时长更加贴合实际。

在一个实施例中，可对图1所示的半导体设备的射频起辉控制方法与图2所示的射频起辉控制方法进行比较，以验证使用图1所示的方法后，射频起辉时间的波动能够减小。例如，在BT(Break Through，表面氧化层刻蚀)工艺流程中，分别采用图1所示的方法和图2所示的方法对20片晶圆进行处理，分别统计工艺流程中的上射频电源SRF射频起辉时间、下射频电源BRF射频起辉时间。其中，在采用图1所示的方法时，设置上射频电源SRF的第一延迟时间为1.2s，设置下射频电源BRF的第二延迟时间为0.6s。统计结果如图3和图4所示，图3为上射频电源SRF射频起辉时间的箱线图，横轴数字“1”表示采用图1的方法产生的结果，横轴数字“2”表示采用图2的方法产生的结果，纵轴数字为上射频电源SRF射频起辉时间。图4为下射频电源BRF射频起辉时间的箱线图，横轴数字“1”表示采用图1的方法产生的结果，横轴数字“2”表示采用图2的方法产生的结果，纵轴数字为下射频电源BRF射频起辉时间。

其中，箱体及线段的高度代表射频起辉时间的波动范围，高度越大则波动越大。从图3中可以看出，采用图1的方法，各晶圆的上射频电源SRF射频起辉时间波动范围为1-1.2秒，采用图2的方法，各晶圆的上射频电源SRF射频起辉时间波动范围为1.1-1.7秒。从图4中可以看出，采用图1的方法，各晶圆的下射频电源BRF射频起辉时间波动范围为0.4-0.6秒，采用图2的方法，各晶圆的下射频电源BRF射频起辉时间波动范围为0.2-0.7秒。

对比图1产生的结果与图2产生的结果，可以看到采用图1的方法，各晶圆的上射频电源SRF射频起辉时间波动范围为由0.6秒缩短至0.2秒，下射频电源BRF射频起辉时间波动范围由0.5秒缩短至0.2秒。减小了射频起辉时间波动，从而能够保证工艺结果的稳定性，提高批量生产率。

其中，由于在执行工艺流程的过程中，还会受到工作硬件和通讯延迟的影响，因此即使设置了第一延迟时间和第二延迟时间，也无法完全避免射频起辉时间产生波动，因此采用图1的方法后，各晶圆的上射频电源SRF及下射频电源BRF射频起辉时间仍存在0.2秒波动。

图5是根据本说明书另一实施例的一种半导体设备的射频起辉控制方法的示意性流程图。本实施例中，采用图2所示的方法确定上射频电源SRF从开启到对应的反射功率和电流比例满足第一预设条件时的第一时长、以及下射频电源BRF从开启到对应的反射功率满足第二预设条件时的第二时长，并采用A1-A3所述的方法确定上射频电源SRF开启后的第一延迟时间，采用B1-B3所述的方法确定下射频电源BRF开启后的第二延迟时间。

S501，在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；若是，则执行S502；若否，则执行S508。

其中，腔室参数包括腔室内的通气量、压力、温度等参数。

其中，若上射频电源SRF的加载功率小于预设的第一电源开启功率，则确定该工艺流程中无射频起辉，可直接结束工艺流程。

该步骤中的其他实施过程在S102中已详细叙述，此处不再赘述。

S502，开启上射频电源SRF。

该步骤在S104中已详细叙述，此处不再赘述。

S503，控制上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间。

S504，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；若是，则执行S505；若否，则执行S507。

其中，若下射频电源BRF的加载功率小于预设的第二电源开启功率，则确定该工艺过程中只对上射频电源SRF加载功率，在上射频电源SRF的电流比例及反射功率满足条件后，直接控制半导体设备执行射频起辉工艺。

该步骤中的其他实施过程在S106中已详细叙述，此处不再赘述。

S505，开启下射频电源BRF。

该步骤在S108中已详细叙述，此处不再赘述。

S506，控制下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间。

S507，控制半导体设备执行后续工艺。

S508，结束工艺流程。

采用本说明书一个或多个实施例的技术方案，通过在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率，并在上射频电源SRF的加载功率大于或者等于第一电源开启功率时开启上射频电源SRF，当上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，进一步判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率，并在下射频电源BRF的加载功率大于或者等于第二电源开启功率时开启下射频电源BRF，当下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制半导体设备执行后续工艺。由于在工艺流程中，射频起辉时间的波动主要是上射频电源SRF和下射频电源BRF开启后的参数匹配时长不同造成的，因此，该技术方案通过控制上射频电源SRF和下射频电源BRF在开启后的延迟时间，实现了减小射频起辉时间波动的效果，从而能够保证工艺结果的稳定性，提高批量生产率。

综上，已经对本主题的特定实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作可以按照不同的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序，以实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理可以是有利的。

以上为本说明书一个或多个实施例提供的半导体设备的射频起辉控制方法，基于同样的思路，本说明书一个或多个实施例还提供一种半导体设备的射频起辉控制装置。

图6是根据本说明书一实施例的一种半导体设备的射频起辉控制装置的结构示意图，如图6所示，一种半导体设备的射频起辉控制装置包括：

判断模块610，用于在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；腔室参数包括腔室内的通气量、压力和温度中的至少一项；以及用于当上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；

控制模块620，与判断模块电连接，用于若判断模块的判断结果为上射频电源SRF的加载功率大于或者等于预设的第一电源开启功率，则开启上射频电源SRF；以及用于若判断模块的判断结果为下射频电源BRF的加载功率大于或者等于预设的第二电源开启功率，则开启下射频电源BRF，且当下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制半导体设备执行后续工艺。

在一个实施例中，第一延迟时间基于上射频电源SRF的反射功率和电流比例的匹配时间确定；第二延迟时间基于下射频电源BRF的反射功率的匹配时间确定。

在一个实施例中，半导体设备的射频起辉控制装置还包括：

采集存储模块，与控制模块电连接，用于预先根据上射频电源SRF的反射功率和电流比例对应的第一预设条件，分别对上射频电源SRF的反射功率和电流比例进行多次匹配，得到多个第一匹配时间。

在一个实施例中，控制模块620包括：

第一控制子模块，与采集存储模块电连接，用于根据多个第一匹配时间，确定上射频电源SRF的反射功率和电流比例的第一参考匹配时间；第一参考匹配时间包括第一平均匹配时间或第一最大匹配时间；

第二控制子模块，与第一控制子模块电连接，用于根据第一参考匹配时间确定第一延迟时间。

在一个实施例中，采集存储模块包括：

第一确定单元，用于确定上射频电源SRF从开启到对应的反射功率和电流比例满足第一预设条件时的第一时长；第一预设条件包括：上射频电源SRF的电流比例处于预设的电流比例范围中、且上射频电源SRF的反射功率小于预设的第一功率阈值；

第二确定单元，与第一确定单元电连接，用于确定第一时长为第一匹配时间。

在一个实施例中，采集存储模块还用于：

预先根据下射频电源BRF的反射功率对应的第二预设条件，对下射频电源BRF的反射功率进行多次匹配，得到多个第二匹配时间。

在一个实施例中，控制模块620包括：

第三控制子模块，与采集存储模块电连接，用于根据多个第二匹配时间，确定下射频电源BRF的反射功率的第二参考匹配时间；第二参考匹配时间包括第二平均匹配时间或第二最大匹配时间；

第四控制子模块，与第三控制子模块电连接，用于根据第二参考匹配时间确定第二延迟时间。

在一个实施例中，采集存储模块包括：

第三确定单元，用于确定下射频电源BRF从开启到对应的反射功率满足第二预设条件时的第二时长；第二预设条件包括：下射频电源BRF的反射功率小于或者等于预设的第二功率阈值；

第四确定单元，与第三确定单元电连接，用于确定第二时长为第二匹配时间。

采用本说明书一个或多个实施例的装置，通过在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率，并在上射频电源SRF的加载功率大于或者等于第一电源开启功率时开启上射频电源SRF，当上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，进一步判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率，并在下射频电源BRF的加载功率大于或者等于第二电源开启功率时开启下射频电源BRF，当下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制半导体设备执行后续工艺。由于在工艺流程中，射频起辉时间的波动主要是上射频电源SRF和下射频电源BRF开启后的参数匹配时长不同造成的，因此，该装置通过控制上射频电源SRF和下射频电源BRF在开启后的延迟时间，实现了减小射频起辉时间波动的效果，从而能够保证工艺结果的稳定性，提高批量生产率。

本领域的技术人员应可理解，上述半导体设备的射频起辉控制装置能够用来实现前文所述的半导体设备的射频起辉控制方法，其中的细节描述应与前文方法部分描述类似，为避免繁琐，此处不另赘述。

基于同样的思路，本说明书一个或多个实施例还提供一种半导体设备的射频起辉控制设备，如图7所示。半导体设备的射频起辉控制设备可因配置或性能不同而产生比较大的差异，可以包括一个或一个以上的处理器701和存储器702，存储器702中可以存储有一个或一个以上存储应用程序或数据。其中，存储器702可以是短暂存储或持久存储。存储在存储器702的应用程序可以包括一个或一个以上模块(图示未示出)，每个模块可以包括对半导体设备的射频起辉控制设备中的一系列计算机可执行指令。更进一步地，处理器701可以设置为与存储器702通信，在半导体设备的射频起辉控制设备上执行存储器702中的一系列计算机可执行指令。半导体设备的射频起辉控制设备还可以包括一个或一个以上电源703，一个或一个以上有线或无线网络接口704，一个或一个以上输入输出接口705，一个或一个以上键盘706。

具体在本实施例中，半导体设备的射频起辉控制设备包括有存储器，以及一个或一个以上的程序，其中一个或者一个以上程序存储于存储器中，且一个或者一个以上程序可以包括一个或一个以上模块，且每个模块可以包括对半导体设备的射频起辉控制设备中的一系列计算机可执行指令，且经配置以由一个或者一个以上处理器执行该一个或者一个以上程序包含用于进行以下计算机可执行指令：

在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；腔室参数包括腔室内的通气量、压力和温度中的至少一项；

若是，则开启上射频电源SRF；

当上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；

若是，则开启下射频电源BRF；

当下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制半导体设备执行后续工艺。

可选地，第一延迟时间基于上射频电源SRF的反射功率和电流比例的匹配时间确定；第二延迟时间基于下射频电源BRF的反射功率的匹配时间确定。

可选地，计算机可执行指令在被执行时，还可以使所述处理器：

预先根据上射频电源SRF的反射功率和电流比例对应的第一预设条件，分别对上射频电源SRF的反射功率和电流比例进行多次匹配，得到多个第一匹配时间；

根据多个第一匹配时间，确定上射频电源SRF的反射功率和电流比例的第一参考匹配时间；第一参考匹配时间包括第一平均匹配时间或第一最大匹配时间；

根据第一参考匹配时间确定第一延迟时间。

可选地，计算机可执行指令在被执行时，还可以使所述处理器：

确定上射频电源SRF从开启到对应的反射功率和电流比例满足第一预设条件时的第一时长；第一预设条件包括：上射频电源SRF的电流比例处于预设的电流比例范围中、且上射频电源SRF的反射功率小于预设的第一功率阈值；

确定第一时长为第一匹配时间。

可选地，计算机可执行指令在被执行时，还可以使所述处理器：

预先根据下射频电源BRF的反射功率对应的第二预设条件，对下射频电源BRF的反射功率进行多次匹配，得到多个第二匹配时间；

根据多个第二匹配时间，确定下射频电源BRF的反射功率的第二参考匹配时间；第二参考匹配时间包括第二平均匹配时间或第二最大匹配时间；

根据第二参考匹配时间确定第二延迟时间。

可选地，计算机可执行指令在被执行时，还可以使所述处理器：

确定下射频电源BRF从开启到对应的反射功率满足第二预设条件时的第二时长；第二预设条件包括：下射频电源BRF的反射功率小于或者等于预设的第二功率阈值；

确定第二时长为第二匹配时间。

采用本说明书一个或多个实施例的设备，通过在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率，并在上射频电源SRF的加载功率大于或者等于第一电源开启功率时开启上射频电源SRF，当上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，进一步判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率，并在下射频电源BRF的加载功率大于或者等于第二电源开启功率时开启下射频电源BRF，当下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制半导体设备执行后续工艺。由于在工艺流程中，射频起辉时间的波动主要是上射频电源SRF和下射频电源BRF开启后的参数匹配时长不同造成的，因此，该设备通过控制上射频电源SRF和下射频电源BRF在开启后的延迟时间，实现了减小射频起辉时间波动的效果，从而能够保证工艺结果的稳定性，提高批量生产率。

本说明书一个或多个实施例还提出了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储一个或多个程序，该一个或多个程序包括指令，该指令当被包括多个应用程序的半导体设备的射频起辉控制设备执行时，能够使该半导体设备的射频起辉控制设备执行上述半导体设备的射频起辉控制方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。

上述实施例阐明的系统、装置、模块或单元，具体可以由计算机芯片或实体实现，或者由具有某种功能的产品来实现。一种典型的实现设备为计算机。具体的，计算机例如可以为个人计算机、膝上型计算机、蜂窝电话、相机电话、智能电话、个人数字助理、媒体播放器、导航设备、电子邮件设备、游戏控制台、平板计算机、可穿戴设备或者这些设备中的任何设备的组合。

为了描述的方便，描述以上装置时以功能分为各种单元分别描述。当然，在实施本说明书一个或多个实施例时可以把各单元的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。

本领域内的技术人员应明白，本说明书一个或多个实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本说明书一个或多个实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本说明书一个或多个实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本说明书一个或多个实施例是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(CPU)、输入/输出接口、网络接口和内存。

内存可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)。内存是计算机可读介质的示例。

计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitory media)，如调制的数据信号和载波。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

本说明书一个或多个实施例可以在由计算机执行的计算机可执行指令的一般上下文中描述，例如程序模块。一般地，程序模块包括执行特定任务或实现特定抽象数据类型的例程、程序、对象、组件、数据结构等等。也可以在分布式计算环境中实践本申请，在这些分布式计算环境中，由通过通信网络而被连接的远程处理设备来执行任务。在分布式计算环境中，程序模块可以位于包括存储设备在内的本地和远程计算机存储介质中。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上所述仅为本说明书一个或多个实施例而已，并不用于限制本说明书。对于本领域技术人员来说，本说明书一个或多个实施例可以有各种更改和变化。凡在本说明书一个或多个实施例的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本说明书一个或多个实施例的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体设备的射频起辉控制方法，其特征在于，包括：

在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；所述腔室参数包括腔室内的通气量、压力和温度中的至少一项；

若是，则开启所述上射频电源SRF；

当所述上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；

若是，则开启所述下射频电源BRF；

当所述下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制所述半导体设备执行后续工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一延迟时间基于所述上射频电源SRF的反射功率和电流比例的匹配时间确定；所述第二延迟时间基于所述下射频电源BRF的反射功率的匹配时间确定。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

预先根据所述上射频电源SRF的反射功率和电流比例对应的第一预设条件，分别对所述上射频电源SRF的反射功率和电流比例进行多次匹配，得到多个第一匹配时间；

根据所述多个第一匹配时间，确定所述上射频电源SRF的反射功率和电流比例的第一参考匹配时间；所述第一参考匹配时间包括第一平均匹配时间或第一最大匹配时间；

根据所述第一参考匹配时间确定所述第一延迟时间。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预先根据所述上射频电源SRF的反射功率和电流比例对应的第一预设条件，分别对所述上射频电源SRF的反射功率和电流比例进行多次匹配，得到多个第一匹配时间，包括：

确定所述上射频电源SRF从开启到对应的所述反射功率和所述电流比例满足所述第一预设条件时的第一时长；所述第一预设条件包括：所述上射频电源SRF的电流比例处于预设的电流比例范围中、且所述上射频电源SRF的反射功率小于预设的第一功率阈值；

确定所述第一时长为所述第一匹配时间。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

预先根据所述下射频电源BRF的反射功率对应的第二预设条件，对所述下射频电源BRF的反射功率进行多次匹配，得到多个第二匹配时间；

根据所述多个第二匹配时间，确定所述下射频电源BRF的反射功率的第二参考匹配时间；所述第二参考匹配时间包括第二平均匹配时间或第二最大匹配时间；

根据所述第二参考匹配时间确定所述第二延迟时间。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预先根据所述下射频电源BRF的反射功率对应的第二预设条件，对所述下射频电源BRF的反射功率进行多次匹配，得到多个第二匹配时间，包括：

确定所述下射频电源BRF从开启到对应的所述反射功率满足所述第二预设条件时的第二时长；所述第二预设条件包括：所述下射频电源BRF的反射功率小于或者等于预设的第二功率阈值；

确定所述第二时长为所述第二匹配时间。

7.一种半导体设备的射频起辉控制装置，其特征在于，包括：

判断模块，用于在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；所述腔室参数包括腔室内的通气量、压力和温度中的至少一项；以及用于当所述上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；

控制模块，与所述判断模块电连接，用于若所述判断模块的判断结果为上射频电源SRF的加载功率大于或者等于预设的第一电源开启功率，则开启所述上射频电源SRF；以及用于若所述判断模块的判断结果为下射频电源BRF的加载功率大于或者等于预设的第二电源开启功率，则开启所述下射频电源BRF，且当所述下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制所述半导体设备执行后续工艺。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

采集存储模块，与所述控制模块电连接，用于预先根据所述上射频电源SRF的反射功率和电流比例对应的第一预设条件，分别对所述上射频电源SRF的反射功率和所述电流比例进行多次匹配，得到多个第一匹配时间。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述控制模块包括：

第一控制子模块，与所述采集存储模块电连接，用于根据所述多个第一匹配时间，确定所述上射频电源SRF的反射功率和电流比例的第一参考匹配时间；所述第一参考匹配时间包括第一平均匹配时间或第一最大匹配时间；

第二控制子模块，与所述第一控制子模块电连接，用于根据所述第一参考匹配时间确定所述第一延迟时间。

10.一种半导体设备的射频起辉控制设备，其特征在于，包括：

处理器；以及

存储器，用于存储计算机可执行指令，所述可执行指令在被执行时使所述处理器：

在控制半导体设备的腔室参数满足预设参数稳定条件的过程中，判断上射频电源SRF的加载功率是否大于或者等于预设的第一电源开启功率；所述腔室参数包括腔室内的通气量、压力和温度中的至少一项；

若是，则开启所述上射频电源SRF；

当所述上射频电源SRF开启后的时长达到第一延迟时间时，判断下射频电源BRF的加载功率是否大于或者等于预设的第二电源开启功率；

若是，则开启所述下射频电源BRF；

当所述下射频电源BRF开启后的时长达到第二延迟时间时，控制所述半导体设备执行后续工艺。