CN111965223A - 一种ppb级探测下限的氢气传感器及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种ppb级探测下限的氢气传感器，属于传感器技术领域。所述氢气传感器包括氧化泡沫金属以及负载于氧化泡沫金属之上的钯纳米颗粒，其中，所述钯纳米颗粒的粒径为5～10nm，所述氧化泡沫金属是将泡沫金属在空气气氛中高温热处理得到的，热处理温度为500～1000℃，时间为3～6h。本发明通过在一定温度下将泡沫金属充分氧化，在泡沫金属表面得到大量绝缘的金属氧化物纳米皱纹，该氧化泡沫金属衬底具有较大的表面积以粘附Pd纳米颗粒；利用Pd与高浓度氢气反应会生成不完全可逆的β相Pd‑H化合物的现象，首次提出了通过高浓度氢气对氢气传感器进行激活的方法，实现了该氢气传感器稳定的ppb级别的氢气传感性能。

Description

一种ppb级探测下限的氢气传感器及其制备方法
技术领域
本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种探测下限为ppb级别的高灵敏氢气传感器及其制备方法。
背景技术
氢气由于燃烧效率高，产物无污染等优点，氢能与太阳能、核能一起被称为三大新能源。而氢气传感器作为实现氢气能源安全有效利用的关键技术之一，也受到了人们广泛的关注。此外氢元素作为宇宙中最丰富的物质占物质总质量的75％，占原子总数的90％以上。因此氢探测在探索外太空的奥秘和宇宙起源、探测地球状态、寻找地外生命等方面起着举足轻重的作用。如今，越来越多的国家积极开展了原位空间氢探测的研究，并做出了巨大的努力。但由于太空属于高真空状态，氢气浓度会非常低，可能低至ppb级别，因而氢气探测更加困难。同时由于航天器中的资源非常有限，氢气传感器的体积和功耗也要尽可能低。因此低功耗、小体积、高选择性高稳定性的ppb级氢气传感器是实现空间氢原位探测的技术瓶颈。
近年来各种氢气传感器发展迅速，却难以满足低功耗、小体积、高选择性、高稳定性和测试下限为ppb级别的需求。例如，光学氢传感器必须配备复杂且消耗功率高的测试仪器；半导体氢传感器通常需要提供额外的电源和设备来维持较高的工作环境温度，并且特殊的氧气浓度对于准确检测氢气浓度至关重要。基于钯(Pd)的电阻式氢传感器由于其极低的功耗和氢探测的特殊潜力而受到科研工作者的持续关注。其工作机理是当暴露在H2气氛中时，Pd金属会在表面吸附氢分子并将氢分子分解为氢原子，氢原子进入Pd金属的晶格中，并生成Pd氢化物(Pd-H)引起晶格畸变，从而引起电阻的变化，根据氢浓度与电阻变化之间对应关系实现氢浓度的探测。
为了开发具有低检测下限(LOD)的氢传感器，一些研究试图通过Pd的纳米化来增加Pd材料对H2的敏感性。Xuefei Li等人(Sensors and Actuators:B.Chemical 295:101–109(2019))通过化学法制备了Pd纳米空心球，其LOD为75ppm。Shim等(Sensors andActuators:B.Chemical 255:1841–1848(2018))制备了包覆Pd膜的垂直有序金属氧化物纳米棒，将氢气传感器的LOD降低到10ppm。Soo-Yeon Cho等人通过低能Ar+等离子体轰击光刻技术，制造了具有窄间隙(<2nm)的超小Pd晶粒(晶粒尺寸为5nm)，其LOD低至2.5ppm。然而到目前为止，大部分研究都无法实现ppb级别氢气检测极限(ACS Sensors 3:1876-1883(2018))。
氢气环境中，Pd会与H2发生如下反应：
Figure BDA0002631108970000021
当氢气浓度低于2％时，Pd与氢气会生成α相的钯氢化合物，导致Pd的晶格轻微膨胀，Pd的晶格在氢气被排出后完全恢复。但是，当H2的浓度增加到2％以上时，α相钯氢化合物会转变为β相钯氢化合物，这意味着Pd晶格将产生剧烈的不完全可逆的晶格膨胀，并引起其电学性质的突变。对于普遍使用的Pd基薄膜电阻传感器，β相变化甚至会导致Pd薄膜损坏，电路短路，从而限制了传感器的测试范围。因此在先前的研究中，研究人员通常会尽力避免β相钯氢化合物的生成。
发明内容
本发明的目的在于，针对背景技术存在的缺陷，提出了一种低功耗、小体积、高选择性高稳定性的ppb级探测下限的氢气传感器及其制备方法。本发明在泡沫金属基底上采用磁控溅射法制备Pd纳米颗粒得到高灵敏氢气传感器，利用β相钯氢化合物的生成引起的不可逆晶格膨胀来改善Pd纳米颗粒氢气传感器对ppb浓度氢气的响应，实现ppb级探测下限的氢气传感器。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种ppb级探测下限的氢气传感器，其特征在于，包括氧化泡沫金属以及负载于氧化泡沫金属之上的钯纳米颗粒氢敏感材料，其中，所述钯纳米颗粒的粒径为5nm～10nm，所述氧化泡沫金属是将泡沫金属在空气气氛中高温热处理得到的，热处理温度为500～1000℃，热处理时间为3～6h。
进一步地，所述泡沫金属为泡沫镍、泡沫铜、泡沫锌、泡沫铝、泡沫钴等，所述泡沫金属的厚度为0.1mm～1mm，孔隙率为98％以上。
一种ppb级探测下限的氢气传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、清洗泡沫金属，干燥；
步骤2、将步骤1清洗干燥后的泡沫金属在空气气氛中进行热处理，热处理温度为500～1000℃，热处理时间为3～6h，完成后，自然冷却至室温，取出，得到氧化泡沫金属；
步骤3、采用直流磁控溅射法，在步骤2得到的氧化泡沫金属表面溅射得到粒径为5nm～10nm的Pd纳米颗粒，其中，溅射速率为8nm/min，溅射时间为60s～180s，溅射靶材为纯Pd(99.9995wt％)靶；
步骤4、在步骤3得到的负载钯纳米颗粒的氧化泡沫金属两端涂覆导电银浆或者溅射Au薄膜作为电极，制备得到氢气传感器；
步骤5、对步骤4得到的氢气传感器进行激活处理，具体为：
5.1将步骤4得到的氢气传感器在氮气气氛、15～35℃温度下处理30min以上，使其电阻恒定；
5.2步骤5.1处理后的氢气传感器在氮氢混合气体气氛、15～35℃温度下处理10min～30min，直到其电阻恒定；
5.3步骤5.2处理后的氢气传感器在氮气气氛、15～35℃温度下处理30min以上，使其电阻再次恒定。
进一步地，步骤1所述泡沫金属为泡沫镍、泡沫铜、泡沫锌、泡沫铝、泡沫钴等，所述泡沫金属的厚度为0.1mm～1mm，孔隙率为98％以上。
进一步地，步骤5.2中所述氮氢混合气体中，氢气的体积百分比为3％～4％。
本发明提供的一种ppb级探测下限的氢气传感器，采用氧化泡沫金属作为衬底，泡沫金属独特的三维网络结构有助于气体循环，同时，其巨大的表面积有利于传感器与测试气体的充分接触；另外，将泡沫金属在空气气氛中进行氧化热处理，形成氧化泡沫金属，进一步增大了表面积并使衬底绝缘。采用磁控溅射法在氧化泡沫金属衬底上负载粒径为5nm～10nm的钯纳米颗粒作为氢敏感纳米材料，氧化泡沫金属巨大的比表面积有利于钯纳米颗粒的充分负载，同时也为钯纳米颗粒在之后激活以及测试过程中发生形变以及晶格畸变提供了足够的空间。
本发明提供的一种ppb级探测下限的氢气传感器在使用前需要进行激活处理，以实现其对ppb级别氢气的高响应性能，激活处理过程如图2所示。对于没有经过激活处理的步骤4得到的氢气传感器，其钯纳米颗粒中的钯原子排列紧密有序，ppb级别的氢气很难进入该钯颗粒并使钯颗粒产生一定的形变和电子衍射从而引起电阻变化。将步骤4氢气传感器经步骤5激活处理，在氢气体积百分比为3％～4％的氮氢混合气体中，大量的氢气会与氢气传感器的Pd纳米颗粒剧烈反应并进入Pd的晶格，引起强烈的晶格膨胀和电子衍射。3％～4％的氢气会与Pd反应生成β相Pd-H化合物，这意味着Pd纳米颗粒中会产生不可逆的结构变化。因此，即使随后氢气被排空，氢原子从钯颗粒中充分地脱附，Pd纳米颗粒的结构变化仍不能完全恢复，即Pd的晶格被拉伸，Pd原子的规则排列被破坏，并产生大量缺陷。这为H原子提供了许多与Pd纳米颗粒复合的活性位点，从而使该传感器能够对ppb级别的氢气产生明显响应。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
(1)本发明采用具有三维网络结构的泡沫金属作为衬底，有利于气体的充分流通，同时提供了便于氧化镍纳米褶皱充分生成的较大比表面积。
(2)本发明通过在一定温度下将泡沫金属充分氧化，在泡沫金属表面得到大量绝缘的金属氧化物纳米皱纹，该氧化泡沫金属衬底具有较大的表面积以粘附Pd纳米颗粒。
(3)本发明利用Pd与高浓度氢气反应会生成不完全可逆的β相Pd-H化合物的现象，首次提出了通过高浓度氢气对氢气传感器进行激活的方法，实现了该氢气传感器稳定的ppb级别的氢气传感性能。
(4)本发明氢气传感器测试范围广，探测下限降低至ppb级别，具有高循环稳定性，湿度稳定性和选择性且室温环境适用，是检测临近空间中低浓度氢探测的理想选择。
(5)本发明通过常用的磁控溅射技术制备得到Pd纳米颗粒，制备方法简单，利于实现工业化大规模生产。
附图说明
图1为本发明所述的一种ppb级探测下限氢气传感器的制备流程图。
图2为本发明所述的一种ppb级探测下限氢气传感器的激活过程示意图。
图3为本发明所述的一种ppb级探测下限氢气传感器的结构示意图。
图4为实施例1的ppb级探测下限氢气传感器在30℃环境温度中的电阻随氢气浓度的实时变化关系图(插图为H2浓度从150ppb到7ppb的放大部分)。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种ppb级探测下限的氢气传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、将泡沫金属裁剪为合适大小，依次用去离子水、无水乙醇和丙酮清洗，干燥；所述泡沫金属为泡沫镍、泡沫铜、泡沫锌、泡沫铝、泡沫钴等，所述泡沫金属的厚度为0.1mm～1mm，孔隙率为98％以上；
步骤2、将步骤1清洗干燥后的泡沫金属在空气气氛中进行热处理，热处理温度为500～1000℃，热处理时间为3～6h，完成后，自然冷却至室温，取出，得到氧化泡沫金属；
步骤3、采用直流磁控溅射法，在步骤2得到的氧化泡沫金属表面溅射得到粒径为5nm～10nm的Pd纳米颗粒，其中，溅射速率为8nm/min，溅射时间为60s～180s，溅射靶材为纯Pd(99.9995wt％)靶；
步骤4、在步骤3得到的负载钯纳米颗粒的氧化泡沫金属两端涂覆导电银浆或者溅射Au薄膜作为电极，并固定在特制柔性印刷电路板上；然后将负载钯纳米颗粒的氧化泡沫金属的电极与特制柔性印刷电路板的焊盘通过导电银浆或者金丝球焊连接，得到如图3所示结构的氢气传感器；
步骤5、对步骤4得到的氢气传感器进行激活处理，具体为：
5.1将步骤4得到的氢气传感器在纯氮气气氛中处理30min以上，温度控制在15～35℃，使其电阻恒定；
5.2步骤5.1处理后的氢气传感器在氮氢混合气体中处理10～30min，温度控制在15～35℃，直到其电阻恒定；
5.3步骤5.2处理后的氢气传感器在纯氮气气氛中处理30min以上，温度控制在15～35℃，使其电阻再次恒定。
进一步地，步骤5.2中所述氮氢混合气体中，氢气的体积百分比为3％～4％。
实施例1
一种ppb级探测下限氢气传感器的制备及激活方法，具体步骤为：
步骤1、选择厚度为0.3mm、孔隙率为98％的泡沫镍，将泡沫镍裁剪为3mm×8mm的小方块，然后依次在去离子水、无水乙醇和丙酮中超声清洗15min；
步骤2、将步骤1清洗干燥后的泡沫镍在空气气氛中进行热处理，热处理温度为800℃，热处理时间为3h，完成后，自然冷却至室温，取出，得到氧化泡沫镍；
步骤3、采用直流磁控溅射法，在步骤2得到的氧化泡沫镍表面溅射得到粒径约为8nm的Pd纳米颗粒，其中，溅射速率为8nm/min，溅射时间为180s，溅射靶材为纯Pd(99.9995wt％)靶；
步骤4、在步骤3得到的负载钯纳米颗粒的氧化泡沫镍两端涂覆导电银浆作为电极，并固定在特制柔性印刷电路板上；然后将负载钯纳米颗粒的氧化泡沫镍的电极与特制柔性印刷电路板的焊盘通过导电银浆连接，得到如图3所示结构的氢气传感器；
步骤5、对步骤4得到的氢气传感器进行激活处理，具体为：
5.1将步骤4得到的氢气传感器在纯氮气气氛中处理30min，温度控制在30℃，使其电阻恒定；
5.2步骤5.1处理后的氢气传感器在氢气的体积百分比为4％的氮氢混合气体中处理10min，温度控制在30℃，直到其电阻恒定；
5.3步骤5.2处理后的氢气传感器在纯氮气气氛中处理30min，温度控制在30℃，使其电阻再次恒定。
图4为实施例1的ppb级探测下限氢气传感器在30℃环境温度中的电阻随氢气浓度的实时变化关系图；由图4可知，实施例1氢气传感器的氢浓度探测下限低至7ppb。
实施例2
一种ppb级探测下限氢气传感器的制备及激活方法，具体步骤为：
步骤1、选择厚度为0.5mm、孔隙率为98％的泡沫铜，将泡沫铜裁剪为3mm×8mm的小方块，然后依次在去离子水、无水乙醇和丙酮中超声清洗15min；
步骤2、将步骤1清洗干燥后的泡沫铜在空气气氛中进行热处理，热处理温度为650℃，热处理时间为6h，完成后，自然冷却至室温，取出，得到氧化泡沫铜；
步骤3、采用直流磁控溅射法，在步骤2得到的氧化泡沫铜表面溅射得到粒径约为8nm的Pd纳米颗粒，其中，溅射速率为8nm/min，溅射时间为180s，溅射靶材为纯Pd(99.9995wt％)靶；
步骤4、在步骤3得到的负载钯纳米颗粒的氧化泡沫铜两端涂覆导电银浆作为电极，并固定在特制柔性印刷电路板上；然后将负载钯纳米颗粒的氧化泡沫铜的电极与特制柔性印刷电路板的焊盘通过导电银浆连接；
步骤5、对步骤4得到的氢气传感器进行激活处理，具体为：
5.1将步骤4得到的氢气传感器在纯氮气气氛中处理30min，温度控制在20℃，使其电阻恒定；
5.2步骤5.1处理后的氢气传感器在氢气的体积百分比为4％的氮氢混合气体中处理10min，温度控制在20℃，直到其电阻恒定；
5.3步骤5.2处理后的氢气传感器在纯氮气气氛中处理30min，温度控制在20℃，使其电阻再次恒定。
实施例3
一种ppb级探测下限氢气传感器的制备及激活方法，具体步骤为：
步骤1、选择厚度为0.3mm、孔隙率为98％的泡沫镍，将泡沫镍裁剪为3mm×5mm的小方块，然后依次在去离子水、无水乙醇和丙酮中超声清洗15min；
步骤2、将步骤1清洗干燥后的泡沫镍在空气气氛中进行热处理，热处理温度为800℃，热处理时间为3h，完成后，自然冷却至室温，取出，得到氧化泡沫镍；
步骤3、采用直流磁控溅射法，在步骤2得到的氧化泡沫镍表面溅射得到粒径为5nm的Pd纳米颗粒，其中，溅射速率为8nm/min，溅射时间为60s，溅射靶材为纯Pd(99.9995wt％)靶；
步骤4、在步骤3得到的负载钯纳米颗粒的氧化泡沫镍两端涂覆导电银浆作为电极，并固定在特制柔性印刷电路板上；然后将负载钯纳米颗粒的氧化泡沫镍的电极与特制柔性印刷电路板的焊盘通过导电银浆连接；
步骤5、对步骤4得到的氢气传感器进行激活处理，具体为：
5.1将步骤4得到的氢气传感器在纯氮气气氛中处理30min，温度控制在30℃，使其电阻恒定；
5.2步骤5.1处理后的氢气传感器在氢气的体积百分比为3％的氮氢混合气体中处理10min，温度控制在30℃，直到其电阻恒定；
5.3步骤5.2处理后的氢气传感器在纯氮气气氛中处理30min，温度控制在30℃，使其电阻再次恒定。

Claims (5)

1.一种ppb级探测下限的氢气传感器，其特征在于，包括氧化泡沫金属以及负载于氧化泡沫金属之上的钯纳米颗粒，其中，所述钯纳米颗粒的粒径为5nm～10nm，所述氧化泡沫金属是将泡沫金属在空气气氛中高温热处理得到的，热处理温度为500～1000℃，热处理时间为3～6h。
2.根据权利要求1所述的ppb级探测下限的氢气传感器，其特征在于，所述泡沫金属为泡沫镍、泡沫铜、泡沫锌、泡沫铝或泡沫钴，泡沫金属的厚度为0.1mm～1mm，孔隙率为98％以上。
3.一种ppb级探测下限的氢气传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、清洗泡沫金属，干燥；
步骤2、将步骤1清洗干燥后的泡沫金属在空气气氛中进行热处理，热处理温度为500～1000℃，热处理时间为3～6h，完成后，自然冷却至室温，取出，得到氧化泡沫金属；
步骤3、采用直流磁控溅射法，在步骤2得到的氧化泡沫金属表面溅射得到粒径为5nm～10nm的Pd纳米颗粒，其中，溅射速率为8nm/min，溅射时间为60s～180s，溅射靶材为Pd靶；
步骤4、在步骤3得到的负载钯纳米颗粒的氧化泡沫金属两端涂覆导电银浆或者溅射Au薄膜作为电极，制备得到氢气传感器；
步骤5、对步骤4得到的氢气传感器进行激活处理，具体为：
5.1将步骤4得到的氢气传感器在氮气气氛、15～35℃温度下处理30min以上；
5.2步骤5.1处理后的氢气传感器在氮氢混合气体气氛、15～35℃温度下处理10min～30min；
5.3步骤5.2处理后的氢气传感器在氮气气氛、15～35℃温度下处理30min以上。
4.根据权利要求3所述的ppb级探测下限的氢气传感器的制备方法，其特征在于，步骤1所述泡沫金属为泡沫镍、泡沫铜、泡沫锌、泡沫铝或泡沫钴，泡沫金属的厚度为0.1mm～1mm，孔隙率为98％以上。
5.根据权利要求3所述的ppb级探测下限的氢气传感器的制备方法，其特征在于，步骤5.2中所述氮氢混合气体中，氢气的体积百分比为3％～4％。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114235904A (zh) * 2021-12-17 2022-03-25 电子科技大学 一种ppb级氢气传感器及其制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0545316A (ja) * 1991-08-14 1993-02-23 Isuzu Motors Ltd ＮＯｘセンサの製造方法
US20100324155A1 (en) * 2003-07-08 2010-12-23 Los Alamos National Security, Llc Preparation of inorganic foam
KR101327421B1 (ko) * 2011-04-13 2013-11-11 한국표준과학연구원 발포체 시료 가스 분석 방법
CN104807861A (zh) * 2015-04-09 2015-07-29 山东师范大学 一种海绵状石墨烯基可拉伸气敏传感器的制备方法
CN107478699A (zh) * 2017-08-16 2017-12-15 太原理工大学 一种泡沫过渡金属磷化物负载贵金属的制备方法及其用途
CN109187660A (zh) * 2018-08-23 2019-01-11 电子科技大学 一种基于石墨烯网状结构的半导体型氢气传感器
US20190079041A1 (en) * 2017-08-22 2019-03-14 Nutech Ventures Carbon nanostructure based gas sensors and method of making same
CN110600681A (zh) * 2019-08-14 2019-12-20 湖南艾华集团股份有限公司 一种泡沫铜的制备方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0545316A (ja) * 1991-08-14 1993-02-23 Isuzu Motors Ltd ＮＯｘセンサの製造方法
US20100324155A1 (en) * 2003-07-08 2010-12-23 Los Alamos National Security, Llc Preparation of inorganic foam
KR101327421B1 (ko) * 2011-04-13 2013-11-11 한국표준과학연구원 발포체 시료 가스 분석 방법
CN104807861A (zh) * 2015-04-09 2015-07-29 山东师范大学 一种海绵状石墨烯基可拉伸气敏传感器的制备方法
CN107478699A (zh) * 2017-08-16 2017-12-15 太原理工大学 一种泡沫过渡金属磷化物负载贵金属的制备方法及其用途
US20190079041A1 (en) * 2017-08-22 2019-03-14 Nutech Ventures Carbon nanostructure based gas sensors and method of making same
CN109187660A (zh) * 2018-08-23 2019-01-11 电子科技大学 一种基于石墨烯网状结构的半导体型氢气传感器
CN110600681A (zh) * 2019-08-14 2019-12-20 湖南艾华集团股份有限公司 一种泡沫铜的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HONGCHUAN JIANG ET AL.: "Flexible and Highly Sensitive Hydrogen Sensor Based on Organic Nanofibers Decorated by Pd Nanoparticles", 《SENSORS》 *
肖贤平: "过渡金属（氧化物）基纳米复合材料的制备及其电化学性能研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114235904A (zh) * 2021-12-17 2022-03-25 电子科技大学 一种ppb级氢气传感器及其制备方法

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