CN111934086A - 天线结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种天线结构，其包括：一辐射金属部、一第一馈入金属部、一第二馈入金属部、一金属环、一接地金属部、一第一介质层、一第二介质层，以及一贯通金属部。辐射金属部具有一第一槽孔、一第二槽孔、一第三槽孔、一第四槽孔，其共同包围住一第一开孔、一第二开孔、一第三开孔，以及一第四开孔。第一馈入金属部延伸进入第一开孔。第二馈入金属部延伸进入第二开孔。第一介质层设置于辐射金属部和金属环之间。第二介质层设置于金属环和接地金属部之间。贯通金属部将辐射金属部上的一第一连接点耦接至接地金属部上的一第二连接点。

Description

天线结构

技术领域

本发明涉及一种天线结构(Antenna Structure)，特别是涉及一种多频带(Multiband)的天线结构。

背景技术

随着移动通讯技术的发达，移动装置在近年日益普遍，常见的例如：手提式计算机、移动电话、多媒体播放器以及其他混合功能的携带型电子装置。为了满足人们的需求，移动装置通常具有无线通讯的功能。有些涵盖长距离的无线通讯范围，例如：移动电话使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系统及其所使用700MHz、850MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的频带进行通讯，而有些则涵盖短距离的无线通讯范围，例如：Wi-Fi、Bluetooth系统使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的频带进行通讯。

天线(Antenna)为无线通讯领域中不可缺少的元件。倘若用于接收或发射信号的天线其频宽(Bandwidth)不足，则很容易造成移动通讯装置的通讯品质下降。因此，如何设计出小尺寸、多频带的天线元件，对天线设计者而言是一项重要课题。

发明内容

在优选实施例中，本发明提出一种天线结构，包括：一辐射金属部，具有一第一槽孔、一第二槽孔、一第三槽孔、一第四槽孔、一第一开孔、一第二开孔、一第三开孔，以及一第四开孔，其中该第一槽孔、该第二槽孔、该第三槽孔，以及该第四槽孔的一组合包围住该第一开孔、该第二开孔、该第三开孔，以及该第四开孔；一第一馈入金属部，耦接至一第一馈入点，并延伸进入该第一开孔；一第二馈入金属部，耦接至一第二馈入点，并延伸进入该第二开孔；一金属环；一接地金属部；一第一介质层，设置于该辐射金属部和该金属环之间；一第二介质层，设置于该金属环和该接地金属部之间；以及一贯通金属部，将该辐射金属部上的一第一连接点耦接至该接地金属部上的一第二连接点。

在一些实施例中，该第一连接点位于该辐射金属部的中心处，而该第二连接点位于该接地金属部的中心处。

在一些实施例中，该第一槽孔、该第二槽孔、该第三槽孔，以及该第四槽孔彼此完全分离。

在一些实施例中，该第一槽孔、该第二槽孔、该第三槽孔，以及该第四槽孔的每一者都呈现一圆弧形或一倒U字形。

在一些实施例中，该第一槽孔、该第二槽孔、该第三槽孔，以及该第四槽孔都排列于一特定圆周上，而该特定圆周的中心位于该第一连接点处。

在一些实施例中，该第一槽孔对应于一第一圆心角，该第二槽孔对应于一第二圆心角，该第三槽孔对应于一第三圆心角，该第四槽孔对应于一第四圆心角，而该第一圆心角、该第二圆心角、该第三圆心角，以及该第四圆心角都介于30度至80度之间。

在一些实施例中，该第一开孔、该第二开孔、该第三开孔，以及该第四开孔的每一者都呈现一圆形。

在一些实施例中，该第一开孔、该第二开孔、该第三开孔，以及该第四开孔分别位于一特定正方形的四个顶点上，而该特定正方形的中心位于该第一连接点处。

在一些实施例中，该金属环于该辐射金属部上具有一垂直投影，而该金属环的该垂直投影大致与该特定圆周互相重合。

在一些实施例中，该天线结构的一操作频带涵盖介于1117MHz至1137MHz之间的一第一频率区间、介于1166MHz至1186MHz之间的一第二频率区间，或(且)介于1565MHz至1585MHz之间的一第三频率区间。

在一些实施例中，该辐射金属部为圆形且其直径介于该操作频带的0.36倍至0.69倍波长之间。

在一些实施例中，该第一槽孔、该第二槽孔、该第三槽孔，以及该第四槽孔的每一者的宽度都介于该操作频带的0.003倍至0.02倍波长之间。

在一些实施例中，该金属环为圆形且其直径介于该操作频带的0.294倍至0.525倍波长之间。

在一些实施例中，该金属环的宽度介于该操作频带的0.008倍至0.015倍波长之间。

在一些实施例中，该贯通金属部为圆柱形且其直径介于该操作频带的0.002倍至0.058倍波长之间。

在一些实施例中，该第一介质层具有一第一介电常数，该第二介质层具有一第二介电常数，而该第一介电常数和该第二介电常数的比值介于3至10之间。

在一些实施例中，该第一介质层具有一第一厚度，该第二介质层具有一第二厚度，而该第一厚度和该第二厚度的比值介于3至13之间。

在一些实施例中，该第一馈入金属部包括：一第一馈入圆盘，设置于该辐射金属部的该第一开孔内，其中该第一馈入圆盘和该辐射金属部之间形成一第一耦合间隙；以及一第一连接部，其中该第一馈入圆盘经由该第一连接部耦接至该第一馈入点。

在一些实施例中，该第二馈入金属部包括：一第二馈入圆盘，设置于该辐射金属部的该第二开孔内，其中该第二馈入圆盘和该辐射金属部之间形成一第二耦合间隙；以及一第二连接部，其中该第二馈入圆盘经由该第二连接部耦接至该第二馈入点。

在一些实施例中，该天线结构还包括：一电路层；一第三介质层，设置于该接地金属部和该电路层之间；以及一参考接地金属部，其中该贯通金属部还将该接地金属部上的该第二连接点耦接至该参考接地金属部上的一第三连接点。

附图说明

图1为本发明一实施例所述的天线结构的分解图；

图2为本发明一实施例所述的天线结构的俯视图；

图3为本发明一实施例所述的辐射金属部的俯视图；

图4为本发明一实施例所述的金属环的俯视图；

图5为本发明一实施例所述的天线结构的分解图；

图6为本发明一实施例所述的天线结构的组合图；

图7为本发明一实施例所述的天线结构的S参数图；

图8为本发明一实施例所述的天线结构的辐射效率图。

符号说明

100、500～天线结构；

110、510～辐射金属部；

111、511～第一槽孔；

112、512～第二槽孔；

113、513～第三槽孔；

114、514～第四槽孔；

115、515～第一开孔；

116、516～第二开孔；

117、517～第三开孔；

118、518～第四开孔；

120～第一馈入金属部；

121～第一馈入圆盘；

122～第一连接部；

130～第二馈入金属部；

131～第二馈入圆盘；

132～第二连接部；

140～金属环；

150～接地金属部；

161～第一介质层；

162～第二介质层；

163～第三介质层；

170～贯通金属部；

180～电路层；

190～参考接地金属部；

CP1～第一连接点；

CP2～第二连接点；

CP3～第三连接点；

DE1、DE2、DE3～直径；

DF1、DF2～间距；

E1～第一表面；

E2～第二表面；

E3～第三表面；

E4～第四表面；

E5～第五表面；

E6～第六表面；

FP1～第一馈入点；

FP2～第二馈入点；

GC1～第一耦合间隙；

GC2～第二耦合间隙；

H1～第一厚度；

H2～第二厚度；

L6～长度；

RC～特定圆周；

S11～S11参数；

S21～S21参数；

SC～特定正方形；

W1、W2、W3、W4、W5、W6～宽度；

θ1～第一圆心角；

θ2～第二圆心角；

θ3～第三圆心角；

θ4～第四圆心角。

具体实施方式

为让本发明的目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出本发明的具体实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。

在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求当中所提及的「包含」及「包括」一词为开放式的用语，故应解释成「包含但不仅限定于」。「大致」一词则是指在可接受的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，达到所述基本的技术效果。此外，「耦接」一词在本说明书中包含任何直接及间接的电连接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接至一第二装置，则代表该第一装置可直接电连接至该第二装置，或经由其它装置或连接手段而间接地电连接至该第二装置。

图1显示根据本发明一实施例所述的天线结构(Antenna Structure)100的分解图。图2显示根据本发明一实施例所述的天线结构100的俯视图。如图1、图2所示，天线结构100至少包括：一辐射金属部(Radiation Metal Element)110、一第一馈入金属部(FeedingMetal Element)120、一第二馈入金属部130、一金属环(Metal Loop)140、一接地金属部(Ground Metal Element)150、一第一介质层(Dielectric Layer)161、一第二介质层162，以及一贯通金属部(Via Metal Element)170。图3显示根据本发明一实施例所述的辐射金属部110的俯视图。图4显示根据本发明一实施例所述的金属环140的俯视图。请一并参考图1、图2、图3、图4以理解本发明。

贯通金属部170可以是一螺丝柱(Screw Column)。贯通金属部170穿透第一介质层161和第二介质层162，并将辐射金属部110上的一第一连接点(Connection Point)CP1耦接至接地金属部150上的一第二连接点CP2。例如，第一连接点CP1可位于辐射金属部110的中心处，而第二连接点CP2可位于接地金属部150的中心处，但也不仅限于此。

辐射金属部110具有一第一槽孔(Slot)111、一第二槽孔112、一第三槽孔113、一第四槽孔114、一第一开孔(Opening)115、一第二开孔116、一第三开孔117，以及一第四开孔118，其中第一槽孔111、第二槽孔112、第三槽孔113，以及第四槽孔114的一组合包围住第一开孔115、第二开孔116、第三开孔117，以及第四开孔118。在一些实施例中，第一槽孔111、第二槽孔112、第三槽孔113，以及第四槽孔114的每一者都呈现一圆弧形(Arc-Shape)。第一槽孔111、第二槽孔112、第三槽孔113，以及第四槽孔114彼此完全分离。详细而言，第一槽孔111、第二槽孔112、第三槽孔113，以及第四槽孔114可都排列于一特定圆周(Circumference)RC上，而此特定圆周RC的中心可位于第一连接点CP1处。根据特定圆周RC的中心，第一槽孔111对应于一第一圆心角(Central Angle)θ1，第二槽孔112对应于一第二圆心角θ2，第三槽孔113对应于一第三圆心角θ3，而第四槽孔114对应于一第四圆心角θ4，其中第一圆心角θ1、第二圆心角θ2、第三圆心角θ3，以及第四圆心角θ4可以彼此相等或是不等。在一些实施例中，第一开孔115、第二开孔116、第三开孔117，以及第四开孔118的每一者都呈现一圆形。第一开孔115、第二开孔116、第三开孔117，以及第四开孔118彼此完全分离。详细而言，第一开孔115、第二开孔116、第三开孔117，以及第四开孔118可分别位于一特定正方形SC的四个顶点上，而此特定正方形SC的中心也可位于第一连接点CP1处。换言之，第一槽孔111、第二槽孔112、第三槽孔113，以及第四槽孔114可沿第一连接点CP1而呈现点对称排列，而第一开孔115、第二开孔116、第三开孔117，以及第四开孔118也可沿第一连接点CP1而呈现点对称排列。

第一槽孔111、第二槽孔112、第三槽孔113、第四槽孔114、第一开孔115、第二开孔116、第三开孔117，以及第四开孔118的前述形状都可根据不同需求进行调整，其可呈现任意的几何形状。在另一些实施例中，第一槽孔111、第二槽孔112、第三槽孔113，以及第四槽孔114都排列于一第一几何图形(Geometric Pattern)的外围上，而第一开孔115、第二开孔116、第三开孔117，以及第四开孔118都排列于一第二几何图形的外围上，其中第一几何图形和第二几何图形可具有各种形状，例如：正方形、长方形、八边形，或是椭圆形，但也不仅限于此。

第一馈入金属部120耦接至一第一馈入点(Feeding Point)FP1，并延伸进入辐射金属部110的第一开孔115。详细而言，第一馈入金属部120包括一第一馈入圆盘(FeedingDisc)121和一第一连接部(Connection Element)122，其中第一馈入圆盘121经由第一连接部122耦接至第一馈入点FP1。第一馈入圆盘121可与辐射金属部110位于同一平面上。第一馈入圆盘121设置于辐射金属部110的第一开孔115内，其中第一馈入圆盘121和辐射金属部110之间形成一第一耦合间隙(Coupling Gap)GC1。第一连接部122可与第一馈入圆盘121大致互相垂直，其中第一连接部122可穿通过第一介质层161和第二介质层162再耦接至第一馈入圆盘121。

第二馈入金属部130耦接至一第二馈入点FP2，并延伸进入辐射金属部110的第二开孔116。详细而言，第二馈入金属部130包括一第二馈入圆盘131和一第二连接部132，其中第二馈入圆盘131经由第二连接部132耦接至第二馈入点FP2。第二馈入圆盘131可与辐射金属部110位于同一平面上。第二馈入圆盘131设置于辐射金属部110的第二开孔116内，其中第二馈入圆盘131和辐射金属部110之间形成一第二耦合间隙GC2。第二连接部132可与第二馈入圆盘131大致互相垂直，其中第二连接部132可穿通过第一介质层161和第二介质层162再耦接至第二馈入圆盘131。

在一些实施例中，用于容纳第一馈入圆盘121和第二馈入圆盘131的辐射金属部110的第一开孔115和第二开孔116彼此相邻，而非彼此相对。第一馈入圆盘121和第二馈入圆盘131也可改为分别设置于辐射金属部110的其他任意二个相邻开孔之内，而不影响本发明的效果。第一馈入点FP1和第二馈入点FP2可耦接至同一信号源(Signal Source)或是不同二个信号源。若第一馈入点FP1和第二馈入点FP2之间的一馈入相位差(Feeding PhaseDifference)设定为大致等于90度，则天线结构100将可提供圆极化(Circularly-Polarized)的辐射场型(Radiation Pattern)，以利于传送或接收各种方向的无线信号。

金属环140处于浮接状态(Floating)，其不直接耦接至其他任何金属元件。辐射金属部110、金属环140，以及接地金属部150三者可大致互相平行。金属环140于辐射金属部110上具有一垂直投影(Vertical Projection)，其中金属环140的垂直投影可大致与前述的特定圆周RC互相重合。换言之，金属环140可与辐射金属部110的第一槽孔111、第二槽孔112、第三槽孔113，以及第四槽孔114都大致互相对齐。根据实际测量结果，金属环140由辐射金属部110所耦合激发，从而可增加天线结构100的操作频宽(Operation Bandwidth)并强化天线结构100的隔离度(Isolation)。接地金属部150可用于提供一接地电位(GroundVoltage)。在另一些实施例中，金属环140和接地金属部150的形状都可根据不同需求进行调整，其可呈现任意的几何形状。

第一介质层161设置于辐射金属部110和金属环140之间。第二介质层162设置于金属环140和接地金属部150之间。详细而言，第一介质层161具有相对的一第一表面E1和一第二表面E2，而第二介质层162具有相对的一第三表面E3和一第四表面E4，其中辐射金属部110设置于第一介质层161的第一表面E1上，金属环140设置于第一介质层161的第二表面E2和第二介质层162的第三表面E3之间，而接地金属部150设置于第二介质层162的第四表面E4上。

在一些实施例中，天线结构100的一操作频带(Operation Frequency Band)涵盖下列频率区间(Frequency Interval)的任一或多个者：介于1117MHz至1137MHz之间的一第一频率区间、介于1166MHz至1186MHz之间的一第二频率区间，或(且)介于1565MHz至1585MHz之间的一第三频率区间。因此，天线结构100至少可支援GPS(Global PositioningSystem)的多频带操作。

在一些实施例中，天线结构100的元件尺寸和元件参数可如下列所述。辐射金属部110可为圆形且其直径(Diameter)DE1可介于天线结构100的操作频带的0.36倍至0.69倍波长之间(0.36λ～0.69λ)。例如，天线结构100的操作频带可指第一频率区间、第二频率区间，以及第三频率区间其中的频率最低者，但也不仅限于此。第一槽孔111的第一圆心角θ1、第二槽孔112的第二圆心角θ2、第三槽孔113的第三圆心角θ3，以及第四槽孔114的第四圆心角θ4可都介于30度至80度之间，较佳可都大致等于57.4度。第一槽孔111的宽度W1、第二槽孔112的宽度W2、第三槽孔113的宽度W3，以及第四槽孔114的宽度W4都可介于天线结构100的操作频带的0.003倍至0.02倍波长之间(0.003λ～0.02λ)。第一馈入圆盘121的中心至辐射金属部110的中心的间距DF1可介于天线结构100的操作频带的0.064倍至0.123倍波长之间(0.064λ～0.123λ)。第二馈入圆盘131的中心至辐射金属部110的中心的间距DF2可介于天线结构100的操作频带的0.064倍至0.123倍波长之间(0.064λ～0.123λ)。金属环140可为圆形且其直径DE2(其最外围的直径)可介于天线结构的操作频带的0.294倍至0.525倍波长之间(0.294λ～0.525λ)。金属环140的宽度W5可介于天线结构100的操作频带的0.008倍至0.015倍波长之间(0.008λ～0.015λ)。特定圆周RC的直径可以大致等于金属环140的直径DE2。第一耦合间隙GC1的宽度可介于天线结构100的操作频带的0.006倍至0.012倍波长之间(0.006λ～0.012λ)。第二耦合间隙GC2的宽度可介于天线结构100的操作频带的0.006倍至0.012倍波长之间(0.006λ～0.012λ)。贯通金属部170可为圆柱形且其直径DE3可介于天线结构100的操作频带的0.002倍至0.058倍波长之间(0.002λ～0.058λ)。第一介质层161具有一第一介电常数(Dielectric Substrate)εr1，而第二介质层162具有一第二介电常数εr2，其中第一介电常数和第二介电常数的比值(εr1/εr2)可介于3至10之间，较佳可介于4.5至6.5之间。第一介质层161具有一第一厚度H1，而第二介质层162具有一第二厚度H2，其中第一厚度H1和第二厚度H2的比值(H1/H2)可介于3至13之间，较佳可介于9至11之间。以上元件尺寸和元件参数的范围根据多次实验结果而得出，其有助于最佳化天线结构100的操作频宽和阻抗匹配(Impedance Matching)。

图5显示根据本发明一实施例所述的天线结构500的分解图。图6显示根据本发明一实施例所述的天线结构500的组合图。图5、图6和图1相似。在图5、图6的实施例中，天线结构500包括：一辐射金属部510、一第一馈入金属部120、一第二馈入金属部130、一金属环140、一接地金属部150、一第一介质层161、一第二介质层162、一第三介质层163、一贯通金属部170、一电路层(Circuit Layer)180，以及一参考接地金属部(Reference MetalElement)190。

辐射金属部510具有一第一槽孔511、一第二槽孔512、一第三槽孔513、一第四槽孔514、一第一开孔515、一第二开孔516、一第三开孔517，以及一第四开孔518。第一馈入金属部120耦接至一第一馈入点FP1，并延伸进入第一开孔515。第二馈入金属部130耦接至一第二馈入点FP2，并延伸进入第二开孔516。在图5、图6的实施例中，第一槽孔511、第二槽孔512、第三槽孔513，以及第四槽孔514的每一者都具有二个末端弯折，故其可大致呈现一倒U字形。根据实际测量结果，此种设计可用于微调天线结构500的阻抗匹配。

第三介质层163设置于接地金属部150和电路层180之间。详细而言，第三介质层163具有相对的一第五表面E5和一第六表面E6，其中接地金属部150设置于第三介质层163的第五表面E5上，而电路层180设置于第三介质层163的第六表面E6上。在一些实施例中，天线结构500还包括一控制电路及其相关走线(未显示)，其都可与电路层180互相整合，以微缩整体天线尺寸。参考接地金属部190可用于提供一系统接地电位(System GroundVoltage)。参考接地金属部190可以大致呈现一矩形、一正方形，或其他几何图形。贯通金属部170更穿透接地金属部150、第三介质层163，以及电路层180，并将接地金属部150上的一第二连接点CP2耦接至参考接地金属部190上的一第三连接点CP3，以强化天线结构500的接地稳定度。例如，第三连接点CP3可位于参考接地金属部190的中心处，但也不仅限于此。

图7显示根据本发明一实施例所述的天线结构500的S参数(S-Parameter)图，其中第一馈入点FP1可作为天线结构500的一第一端口(Port 1)，而第二馈入点FP2可作为天线结构500的一第二端口(Port 2)。图8显示根据本发明一实施例所述的天线结构500的辐射效率(Radiation Efficiency)图。根据图7的S11参数，天线结构500的一操作频带可涵盖介于1166MHz至1186MHz之间的一第二频率区间，以及介于1565MHz至1585MHz之间的一第三频率区间。在前述操作频带内，天线结构500的隔离度(亦即，S21参数的绝对值)都可大于30dB，而天线结构500的辐射效率都可高于70％，此已可满足一般通讯装置的实际应用需求。

在一些实施例中，天线结构500的元件尺寸和元件参数可如下列所述。接地金属部150至参考接地金属部190的间距可介于天线结构500的操作频带的0.031倍至0.089倍波长之间(0.031λ～0.089λ)。参考接地金属部190的长度L6可大于天线结构500的操作频带的0.5倍波长(>0.5λ)。参考接地金属部190的宽度W6可大于天线结构500的操作频带的0.5倍波长(>0.5λ)。以上元件尺寸和元件参数的范围根据多次实验结果而得出，其有助于最佳化天线结构500的操作频宽和阻抗匹配。图5、图6的天线结构500的其余特征都与图1、图2、图3、图4的天线结构100类似，故此二实施例均可达成相似的操作效果。

本发明提出一种新颖的天线结构。相较于传统设计，本发明的天线结构至少具有小尺寸(Small Size)、宽频带(Wide Bandwidth)、圆极化(Circular Polarization)，以及低制造成本(Low Manufacturing Cost)等优势，故其很适合应用于各种各式的通讯装置当中。

值得注意的是，以上所述的元件尺寸、元件形状、元件参数，以及频率范围都非为本发明的限制条件。天线设计者可以根据不同需要调整这些设定值。本发明的天线结构并不仅限于图1～图8所图示的状态。本发明可以仅包括图1～图8的任何一或多个实施例的任何一或多项特征。换言之，并非所有图示的特征需同时实施于本发明的天线结构当中。

在本说明书以及权利要求中的序数，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之间并没有顺序上的先后关系，其仅用于标示区分两个具有相同名字的不同元件。

虽然结合以上优选实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉此项技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (20)

1.一种天线结构，其特征在于，该天线结构包括：

辐射金属部，具有第一槽孔、第二槽孔、第三槽孔、第四槽孔、第一开孔、第二开孔、第三开孔以及第四开孔，其中该第一槽孔、该第二槽孔、该第三槽孔以及该第四槽孔的组合包围住该第一开孔、该第二开孔、该第三开孔以及该第四开孔；

第一馈入金属部，耦接至第一馈入点，并延伸进入该第一开孔；

第二馈入金属部，耦接至第二馈入点，并延伸进入该第二开孔；

金属环；

接地金属部；

第一介质层，设置于该辐射金属部和该金属环之间；

第二介质层，设置于该金属环和该接地金属部之间；以及

贯通金属部，将该辐射金属部上的第一连接点耦接至该接地金属部上的第二连接点，其中该第一介质层与该第二介质层的介电常数不同。

2.如权利要求1所述的天线结构，其中该第一连接点位于该辐射金属部的中心处，而该第二连接点位于该接地金属部的中心处。

3.如权利要求1所述的天线结构，其中该第一槽孔、该第二槽孔、该第三槽孔，以及该第四槽孔彼此完全分离。

4.如权利要求1所述的天线结构，其中该第一槽孔、该第二槽孔、该第三槽孔以及该第四槽孔的每一者都呈现圆弧形或倒U字形。

5.如权利要求1所述的天线结构，其中该第一槽孔、该第二槽孔、该第三槽孔以及该第四槽孔都排列于一特定圆周上，而该特定圆周的中心位于该第一连接点处。

6.如权利要求1所述的天线结构，其中该第一槽孔对应于第一圆心角，该第二槽孔对应于第二圆心角，该第三槽孔对应于第三圆心角，该第四槽孔对应于第四圆心角，而该第一圆心角、该第二圆心角、该第三圆心角，以及该第四圆心角都介于30度至80度之间。

7.如权利要求1所述的天线结构，其中该第一开孔、该第二开孔、该第三开孔以及该第四开孔的每一者都呈现一圆形。

8.如权利要求1所述的天线结构，其中该第一开孔、该第二开孔、该第三开孔，以及该第四开孔分别位于一特定正方形的四个顶点上，而该特定正方形的中心位于该第一连接点处。

9.如权利要求5所述的天线结构，其中该金属环于该辐射金属部上具有一垂直投影，而该金属环的该垂直投影大致与该特定圆周互相重合。

10.如权利要求1所述的天线结构，其中该天线结构的操作频带涵盖介于1117MHz至1137MHz之间的第一频率区间、介于1166MHz至1186MHz之间的第二频率区间，或(且)介于1565MHz至1585MHz之间的第三频率区间。

11.如权利要求10所述的天线结构，其中该辐射金属部为圆形且其直径介于该操作频带的0.36倍至0.69倍波长之间。

12.如权利要求10所述的天线结构，其中该第一槽孔、该第二槽孔、该第三槽孔，以及该第四槽孔的每一者的径向宽度都介于该操作频带的0.003倍至0.02倍波长之间。

13.如权利要求10所述的天线结构，其中该金属环为圆形且其直径介于该操作频带的0.294倍至0.525倍波长之间。

14.如权利要求10所述的天线结构，其中该金属环的宽度介于该操作频带的0.008倍至0.015倍波长之间。

15.如权利要求10所述的天线结构，其中该贯通金属部为圆柱形且其直径介于该操作频带的0.002倍至0.058倍波长之间。

16.如权利要求1所述的天线结构，其中该第一介质层具有第一介电常数，该第二介质层具有第二介电常数，而该第一介电常数和该第二介电常数的比值介于3至10之间。

17.如权利要求1所述的天线结构，其中该第一介质层具有第一厚度，该第二介质层具有第二厚度，而该第一厚度和该第二厚度的比值介于3至13之间。

18.如权利要求1所述的天线结构，其中该第一馈入金属部包括：

第一馈入圆盘，设置于该辐射金属部的该第一开孔内，其中该第一馈入圆盘和该辐射金属部之间形成第一耦合间隙；以及

第一连接部，其中该第一馈入圆盘经由该第一连接部耦接至该第一馈入点。

19.如权利要求1所述的天线结构，其中该第二馈入金属部包括：

第二馈入圆盘，设置于该辐射金属部的该第二开孔内，其中该第二馈入圆盘和该辐射金属部之间形成第二耦合间隙；以及

第二连接部，其中该第二馈入圆盘经由该第二连接部耦接至该第二馈入点。

20.如权利要求1所述的天线结构，还包括：

电路层；

第三介质层，设置于该接地金属部和该电路层之间；以及

参考接地金属部，其中该贯通金属部还将该接地金属部上的该第二连接点耦接至该参考接地金属部上的第三连接点。

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