CN111929986A - 纳米压印工艺监测方法、监测装置及纳米压印设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种纳米压印工艺监测方法、监测装置及纳米压印设备，其中，纳米压印工艺监测方法包括以下步骤：光源向待测物上的PCM模块发射监测激光；其中，所述待测物包括纳米压印模板和/或纳米压印产品；成像模块接收所述PCM模块的反射激光，以获取所述反射激光所形成的反射光斑；以及处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断所述待测物是否合格。本发明技术方案采用监测激光对PCM模块进行监测，可对待测物进行间接的非接触实时工艺监测，从而在纳米压印量产中提供实时的工艺监测。

Description

纳米压印工艺监测方法、监测装置及纳米压印设备

技术领域

本发明涉及工艺监测领域，特别涉及一种纳米压印工艺监测方法、监测装置及纳米压印设备。

背景技术

目前对纳米压印工艺制程的监测多以间接的、针对纳米压印成品的线下监测方法为主，包括应用如光学显微镜，原子力显微镜等无损检测方法对压印成的纳米结构做直接的表面形貌表征；使用电子显微镜对纳米压印产品的表面和切面结构进行解析等。这些方法虽然可以较为精确的反应压印成品的表面形貌，进行详细的工艺分析，却无法在纳米压印量产中提供实时的工艺监测。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种纳米压印工艺监测方法，旨在实现在纳米压印量产中提供实时的工艺监测。

为实现上述目的，本发明提出一种纳米压印工艺监测方法，所述纳米压印工艺监测方法包括以下步骤：

光源向待测物上的PCM模块发射监测激光；其中，所述待测物包括纳米压印模板和/或纳米压印产品；

成像模块接收所述PCM模块的反射激光，以获取所述反射激光所形成的反射光斑；以及

处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断所述待测物是否合格。

可选地，所述成像模块接收所述PCM模块的反射激光，以获取所述反射激光所形成的反射光斑的步骤具体为：

反射镜接收所述PCM模块的反射激光，并将所述反射激光反射至所述成像模块，以供所述成像模块获取所述反射激光所形成的反射光斑。

可选地，所述处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断所述待测物是否合格的步骤具体包括：

处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑的位置，并判断所述位置是否偏离预设区域；

若所述位置偏离所述预设区域，则所述处理器判定所述待测物为不合格；

若所述位置未偏离所述预设区域，则所述处理器判定所述待测物为合格；

和/或，

处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑的光强，并判断所述光强是否在预设光强范围内；

若所述光强未在所述预设光强范围内，则所述处理器判定所述待测物为不合格；

若所述光强在所述预设光强范围内，则所述处理器判定所述待测物为合格。

可选地，所述PCM模块为纳米光栅。

可选地，所述纳米光栅包括但不限于如闪耀光栅、倾斜光栅、一维光栅、二元光栅、多台阶光栅等中的至少一种。

可选地，在所述处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断待测物是否合格的步骤之后，所述纳米压印工艺监测方法还包括：当所述处理器判定所述待测物为不合格时，告警模块发出警告。

本发明还提出一种纳米压印工艺监测装置，所述纳米压印工艺监测装置包括：

光源，用于向待测物上的PCM模块发射监测激光；其中，所述待测物包括纳米压印模板和/或纳米压印产品；

成像模块，用于接收来自于所述PCM模块的反射激光，并获取所述反射激光所形成的反射光斑；以及

处理器，用于获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断所述待测物是否合格。

可选地，所述纳米压印工艺监测装置还包括：反射镜，用于接收所述PCM模块的反射激光，并将所述反射激光反射至所述成像模块，以供所述成像模块获取所述反射激光所形成的反射光斑。

可选地，所述反射镜为反射棱镜。

可选地，所述处理器存储有反射光斑的预设区域和/或预设光强范围；

所述预设区域用以供所述处理器将获取的所述反射光斑的位置与之比对，并根据比对结果判断所述待测物是否合格；

所述预设光强范围用以供所述处理器将获取的所述反射光斑的光强与之比对，并根据比对结果判断所述待测物是否合格。

可选地，所述PCM模块为纳米光栅。

可选地，所述纳米光栅包括但不限于如闪耀光栅、倾斜光栅、一维光栅、二元光栅、多台阶光栅等中的至少一种。

可选地，所述纳米压印工艺监测装置还包括：告警模块，用于在所述处理器判定所述待测物为不合格时发出警告。

可选地，所述告警模块包括声音告警模块、光告警模块、振动告警模块及电子信息告警模块的至少一种；其中，电子信息告警模块用于向外部终端发送告警信息。

本发明还提出一种纳米压印设备，包括前述的纳米压印工艺监测装置。

本发明技术方案通过采用监测激光对PCM模块进行监测，可对待测物进行间接的非接触实时工艺监测，从而提升纳米压印批量化生产的效率和良品率。目前对纳米压印工艺制成的监测多以间接的、针对纳米压印成品的线下监测方法为主；而本发明的纳米压印工艺监测方法通过向纳米压印模板上的PCM模块发射监测激光，可实现对纳米压印模板性能的实时监测，填补了对纳米压印模板尤其是软质纳米压印模板进行现场监测的技术空白；通过向纳米压印产品上的PCM模块发射监测激光，可实现对产品的实时监测；当本发明的光源同时向纳米压印模板和纳米压印产品上的PCM模块上发射监测激光，可进一步实现对工艺过程的实时监测。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明纳米压印工艺监测方法一实施例的流程示意图；

图2为本发明纳米压印工艺监测方法一实施例的监测激光在PCM模块上的光路图；

图3为本发明纳米压印工艺监测设备一实施例的结构示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				a	监测激光	100	PCM模块
110	第一PCM模块	120	第二PCM模块
				200	纳米压印模板	300	纳米压印胶材
400	成像模块	500	反射镜

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……），则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，若全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种纳米压印工艺监测方法。

在一实施例中，如图1所示，该纳米压印工艺监测方法，包括以下步骤：

S100、光源向待测物上的PCM（Process Control Monitor，工艺控制监测）模块发射监测激光；其中，待测物包括纳米压印模板和/或纳米压印产品；

PCM模块包括第一PCM模块和第二PCM模块，第一PCM模块和纳米压印产品的功能结构同时集成于纳米压印模板上，在纳米压印过程中，纳米压印产品的功能结构随纳米压印模板压印于纳米压印胶材上，以在纳米压印胶材上形成纳米压印产品，同样地，第一PCM模块随纳米压印模板压印于纳米压印胶材上，以在纳米压印胶材上形成第二PCM模块，可以理解，PCM模块为纳米结构。光源向第一PCM模块发射监测激光，即可监测纳米压过程中出现的模板性能的问题；光源向第二PCM模块发射监测激光，即可监测纳米压印过程中出现的产品不良问题；光源同时向第一PCM模块和第二PCM模块上发射监测激光，可随时监控纳米压印模板和纳米压印产品的状态，如此，在纳米压印产品不良时，能够快速分析是由于纳米压印模板性能问题所导致的，还是由于在压印过程中产生的工艺质量问题所导致的。

S200、成像模块接收所述PCM模块的反射激光，以获取所述反射激光所形成的反射光斑；

可以理解，当光源发出的监测激光到达PCM模块，会在其表面发生反射。在此，监测激光可为单波长、多波长或可变波长激光中的一种，以适应纳米压印工艺中所用到的不同纳米结构尺度。本实施例中，成像模块可但不限于采用CCD（Charge-coupled Device，电荷耦合元件）或CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体），以感光成像。

当纳米压印模板性能良好，其上的第一PCM模块的结构无明显改变，光源若以一特定角度（为方便后文引用，将该特定角度称为角度一，当监测激光发射角为角度一时，从光源至成像模块的传播过程中，光路的所有概念，均对应以“一”作为后缀以示区别）发射监测激光至第一PCM模块时，监测激光会以入射角一到达第一PCM模块表面，以反射角一在第一PCM模块表面发生反射，成像模块也将接受到反射激光一，形成反射光斑一；或者，当纳米压印模板性能良好，纳米压印工艺质量良好时，压印后得到的产品也无品质问题，此时，第二PCM模块的结构也无明显改变，光源若以另一特定角度（同样地，为方便后文引用，将该特定角度称为角度二，当监测激光发射角为角度二时，从光源至成像模块的传播过程中，光路的所有概念，均对应以“二”作为后缀以示区别）发射监测激光至第二PCM模块时，监测激光会以入射角二到达第二PCM模块表面，以反射角二在第二PCM模块表面发生反射，成像模块也将接受到反射激光二，形成反射光斑二。

当纳米压印模板由于多次压印产生磨损，导致模板的性能退化，其上的第一PCM的模块结构也会发生相应变化，即使纳米压印过程中，工艺质量稳定，也会造成纳米压印产品不良，相应地，纳米压印胶材上的第二PCM模块的结构也会发生相应变化；或者，由于生产环境和参数（如压力、湿度、温度等）发生变化，纳米压印过程中出现局部拉伸，即使模板性能良好，也即第一PCM模块结构不变时，也会导致纳米压印产品不良，此时纳米压印胶材上的第二PCM模块的结构也将发生改变；亦或者，当纳米压印模板性能退化和工艺质量漂移的情况同时发生时，第一PCM模块和第二PCM模块的结构将同时发生改变。

基于上述情况的PCM模块的结构变化，光源以角度一发射监测激光至第一PCM模块时，监测激光会以与入射角一所不同的入射角到达第一PCM模块表面，以与反射角一所不同的反射角在第一PCM模块表面发生反射，成像模块也将接受到与反射激光一所不同的反射激光，形成与反射光斑一所不同的反射光斑；同样地，光源若以角度二发射监测激光至第二PCM模块时，监测激光会以与入射角二所不同的入射角到达第二PCM模块表面，以与反射角二所不同的反射角在第二PCM模块表面发生反射，成像模块也将接受到与反射激光二所不同的反射激光，形成与反射光斑二所不同的反射光斑。

S300、处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断所述待测物是否合格。

成像模块能将接受的反射光斑的光信号转变为电信号，处理器获取反射光斑的电信号后对其进行分析，若该反射光斑是来自于第一PCM模块，则将其与反射光斑一进行比对；若该反射光斑是来自于第二PCM模块，则将其与上述反射光斑二进行比对。处理器将根据比对结果来判断第一PCM模块对应的纳米压印模板的性能或第二PCM模块对应的纳米压印产品的品质是否合格。

目前对纳米压印工艺制成的监测多以间接的、针对纳米压印成品的线下监测方法为主；而本发明的纳米压印工艺监测方法可对纳米压印模板和/或纳米压印成品进行实时工艺监测，从而实现对纳米压印模板和纳米压印产品的无损、非接触监测。本发明的纳米压印工艺监测方法通过向纳米压印模板上的第一PCM模块发射监测激光，可实现对纳米压印模板性能的实时监测，填补了对纳米压印模板尤其是软质纳米压印模板进行现场监测的技术空白；通过向纳米压印胶材上的第二PCM模块发射监测激光，可实现对产品的实时监测；当本发明的光源同时向第一PCM模块和第二PCM模块上发射监测激光，可进一步实现对工艺过程的实时监测，从而提升纳米压印批量化生产的效率和良品率。

进一步地，在本实施例中，所述步骤S200具体为：

反射镜接收所述PCM模块的反射激光，并将所述反射激光反射至所述成像模块，以供所述成像模块获取所述反射激光所形成的反射光斑。

在反射激光传播的过程中，增设反射镜的目的在于增强成像模块对PCM模块反射的角度变化的灵敏度，当PCM模块的结构发生变化时，因PCM模块为纳米结构，其变化也将是纳米级的，因此反射激光的变化很微小。反射镜将反射激光进行二次反射，相当于间接延长了反射激光的光路，能将反射激光的微小变化放大，从而扩大成像模块上的反射光斑与反射光斑一或反射光斑二的区别。当然，在其他实施例中，也可以是，不增设反射镜，将PCM模块至成像模块的距离适当拉长，通过直接延长反射激光的光路，同样可以达到增大监测灵敏度的目的。

进一步地，在本实施例中，所述步骤S300具体包括：

S310、处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑的位置，并判断所述位置是否偏离预设区域；

若是，执行步骤S311；若否，执行步骤S312；

S311、所述处理器判定所述待测物为不合格；

S312、所述处理器判定所述待测物为合格。

可以理解，在误差允许范围内，反射光斑一或反射光斑二都应分别在某特定区域内（遵从前文，将反射光斑一对应的特定区域称为预设区域一，将反射光斑对应的特定区域称为预设区域二）。当第一PCM模块的反射激光在成像模块上形成的反射光斑偏离了预设区域一，则处理器判定该纳米压印模板的性能不合格；反之，则处理器判定该纳米压印模板的性能合格。同样地，当第二PCM模块的反射激光在成像模块上形成的反射光斑偏离了预设区域二，处理器判定该纳米压印产品的品质为不合格，反之，则判定该纳米压印产品的品质为合格。

然本设计不限于此，于其他一些实施例中，所述步骤S300还可包括：

S320、处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑的光强，并判断所述光强是否在预设光强范围内；

若是，执行步骤S321；若否，执行步骤S322；

S321、所述处理器判定所述待测物为合格；

S322、所述处理器判定所述待测物为不合格。

可以理解，当纳米压印结构的深度过低或过高而偏离设计值，会导致其反射、衍射效率的改变，因此，在成像模块和处理器处所获取到的反射光斑的光强数值会出现相应地改变，从而可以对反射光斑的光强变化进行表征，以此反映纳米压印结构在深度方向的变化。

在其他再一些实施例中，还可以是，将监测到的成像模块上的反射光斑与反射光斑一或反射光斑二进行大小比对，以大小为标准来判断待测物是否合格。可以理解，在误差允许范围内，反射光斑一或反射光斑二的大小都应分别在某特定范围内（遵从前文，将反射光斑一对应的大小范围称为预设范围一，将反射光斑二对应的大小范围称为预设范围二）。当第一PCM模块的反射激光在成像模块上形成的反射光斑的大小超出了预设范围一，则处理器判定该纳米压印模板的性能不合格；反之，则处理器判定该纳米压印模板的性能合格。同样地，当第二PCM模块的反射激光在成像模块上形成的反射光斑的大小超出了预设范围二，处理器判定该纳米压印产品的品质为不合格，反之，则判定该纳米压印产品的品质为合格。

进一步地，在本实施例中，PCM模块为纳米光栅，如此，可实现高分辨力和高精度的测量，以满足将纳米压印产品结构尺寸的误差控制在更小的范围内的要求。

进一步地，在本实施例中，纳米光栅包括但不限于如闪耀光栅、倾斜光栅、一维光栅、二元光栅、多台阶光栅等中的至少一种。监测激光在闪耀光栅、倾斜光栅、一维光栅、二元光栅或多台阶光栅等上发生反射时，光功率的损失较小，如此可在成像模块上形成较清晰的光斑，便于处理器读取分析。

不失一般性，如图2所示，第二PCM模块为纳米光栅中的闪耀角为45度的闪耀光栅，监测激光以与水平面呈-45度的角度二到达第二PCM模块的表面，当第二PCM模块无形变时，监测激光的入射角二为0度，反射激光二将沿原路返回，此时入射光线与铅垂线之间的夹角α等于反射光线与铅垂线之间的夹角β；当纳米压印工艺质量漂移产生局部拉伸时，第二PCM模块的周期发生变化，闪耀角也随之改变，监测激光同样地以与水平面呈-45度的角度二到达第二PCM模块的表面时，其入射角将不再是0度的入射角二，反射角也相应改变，此时入射光线与铅垂线之间的夹角α大于反射光线与铅垂线之间的夹角β，因此反射激光的路径与反射激光二的路径不同，反射激光在成像模块上形成的反射光斑也将与反射光斑二也将有所不同，该差异被传输至处理器后，处理器将判定该纳米压印产品为不合格。

进一步地，在本实施例中，如图1所示，在所述步骤S300之后，所述纳米压印工艺监测方法还包括：

S400、当所述处理器判定所述待测物为不合格时，告警模块发出警告。

如此，一方面可提醒操作人员注意到不合格产品，避免不合格产品流向后一流程；另一方面能够及时向产线技术人员传递信息，使技术人员在问题出现的第一时间就能对不合格品进行检验，排查是纳米压印模板的性能问题或是纳米压印过程中的工艺质量问题，从而大大降低产品的不良率。

本发明还提出一种纳米压印工艺监测装置。

在一实施例中，如图3所示，该纳米压印工艺监测装置包括：

光源（未图示），用于向待测物上的PCM模块100发射监测激光a；其中，待测物包括纳米压印模板200和/或纳米压印产品（未图示）；

成像模块400，用于接收来自于PCM模块100的反射激光，并获取反射激光所形成的反射光斑；以及

处理器（未图示），用于获取成像模块400所反馈的反射光斑，并根据反射光斑判断待测物是否合格。

本发明通过光源向待测物上的PCM模块100发射监测激光a，可实现在纳米压印量产中提供实时的工艺监测。光源处的监测激光a到达PCM模块100表面将发生反射，PCM模块100的反射激光将在成像模块400上形成反射光斑，随后成像模块400将反射光斑的光信号转化为电信号以传输至处理器，处理器对该反射光斑进行分析并判断待测物合格与否。

具体地，PCM模块100包括第一PCM模块110和第二PCM模块120，第一PCM模块110和产品的功能结构同时集成于纳米压印模板200上，在纳米压印过程中，第一PCM模块110随纳米压印模板200压印于纳米压印胶材300上，以在纳米压印胶材300上形成第二PCM模块120，可以理解的是，PCM模块100为纳米结构。光源向第一PCM模块110发射监测激光a，即可监测纳米压过程中出现的模板性能的问题；光源向第二PCM模块120发射监测激光a，即可监测纳米压印过程中出现的产品不良问题；光源同时向第一PCM模块110和第二PCM模块120上发射监测激光a，可随时监控纳米压印模板200和纳米压印产品的状态，如此，在监测到纳米压印产品不良时，能够快速分析是由于纳米压印模板200性能问题所导致的，还是由于在压印过程中产生的工艺质量问题所导致的。

进一步地，在本实施例中，纳米压印工艺监测装置还包括：反射镜500，用于接收PCM模块100的反射激光，并将反射激光反射至成像模块400，以供成像模块400获取反射激光所形成的反射光斑。

在该纳米压印监测装置中，增设反射镜500的目的在于增强成像模块400对PCM模块100反射的角度变化的灵敏度，当PCM模块100的结构发生变化时，因PCM模块100为纳米结构，其变化也将是纳米级的，因此反射激光的变化也很微小。反射镜500将反射激光进行二次反射，相当于间接延长了反射激光的光路，可将反射激光的微小变化放大，从而扩大成像模块400上的反射光斑与反射光斑一或反射光斑二的区别。当然，在其他实施例中，也可以是，不增设反射镜，将PCM模块100至成像模块400的距离适当拉长，通过直接延长反射激光的光路，同样可以达到增大监测灵敏度的目的。

进一步地，在本实施例中，如图3所示，反射镜500为反射棱镜。反射棱镜的反射率更高，反射激光在其表面发生反射时，光功率的损失更小，从而能在成像模块400获得更清晰的反射光斑，便于处理器识别分析。在其他实施例中，反射镜也可选用平面反射镜，以使该监测装置具有更紧凑的结构设计。

进一步地，在本实施例中，处理器存储有反射光斑的预设区域，以供处理器将获取的反射光斑的位置与之比对。可以理解，在误差允许范围内，反射光斑一应在预设区域一内，反射光斑二应在预设区域二内。当第一PCM模块的反射激光在成像模块上形成的反射光斑偏离了预设区域一，则处理器判定该纳米压印模板的性能不合格；反之，则处理器判定该纳米压印模板的性能合格。同样地，当第二PCM模块的反射激光在成像模块上形成的反射光斑偏离了预设区域二，处理器判定该纳米压印产品的品质为不合格，反之，则判定该纳米压印产品的品质为合格。

然本设计不限于此，于其他一些实施例中，处理器还可存储有反射光斑的预设光强范围，以供处理器将获取的反射光斑的光强与之比对，并根据比对结果判断所述待测物是否合格。可以理解，当纳米压印结构的深度过低或过高而偏离设计值，会导致其反射、衍射效率的改变，因此，在成像模块和处理器处所获取到的反射光斑的光强数值会出现相应地改变，从而可以对反射光斑的光强变化进行表征，以此反映纳米压印结构在深度方向的变化。

在其他再一些实施例中，还可以是，处理器存储有反射光斑的大小的预设范围，以供处理器将获取的反射光斑的大小与之比对。可以理解，在误差允许范围内，反射光斑一的大小应在预设范围一内，反射光斑二的大小应在预设范围二内。当第一PCM模块的反射激光在成像模块上形成的反射光斑的大小超出了预设范围一，则处理器判定该纳米压印模板的性能不合格；反之，则处理器判定该纳米压印模板的性能合格。同样地，当第二PCM模块的反射激光在成像模块上形成的反射光斑的大小超出了预设范围二，处理器判定该纳米压印产品的品质为不合格，反之，则判定该纳米压印产品的品质为合格。

进一步地，在本实施例中，PCM模块100为纳米光栅，如此，可实现高分辨力和高精度的测量，以满足将纳米压印产品结构尺寸误差控制在更小的范围内的要求。

进一步地，在本实施例中，纳米光栅包括但不限于如闪耀光栅、倾斜光栅、一维光栅、二元光栅、多台阶光栅等中的至少一种。监测激光a在闪耀光栅、倾斜光栅、一维光栅、二元光栅或多台阶光栅等上发生反射时，光功率的损失较小，如此可在成像模块400上形成较清晰的光斑，便于处理器的读取分析。

进一步地，在本实施例中，纳米压印工艺监测装置还包括：告警模块，用于在处理器判定待测物为不合格时发出警告。如此，可即时引起操作人员或技术人员的注意，使得纳米压印过程中的产品不良问题得到及时处理，从而避免不良产品持续生产，造成物料及能源浪费。

进一步地，在本实施例中，所述告警模块包括声音告警模块、光告警模块、振动告警模块及电子信息告警模块的至少一种；其中，电子信息告警模块用于向外部终端发送告警信息。可以理解，警告方式有多种，技术人员可根据实际需求选择上述诸多告警模块中的至少一者，以满足示警要求。例如，在车间常用的安灯系统中，该纳米压印工艺监测装置的告警模块可为声音告警模块与灯光告警模块相结合的一种告警模块。

本发明还提出一种纳米压印设备，该纳米压印设备包括纳米压印工艺监测装置，该纳米压印工艺监测装置的具体结构参照上述实施例，由于该纳米压印设备采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (15)

1.一种纳米压印工艺监测方法，其特征在于，所述纳米压印工艺监测方法包括以下步骤：

光源向待测物上的PCM模块发射监测激光；其中，所述待测物包括纳米压印模板和/或纳米压印产品；

成像模块接收所述PCM模块的反射激光，以获取所述反射激光所形成的反射光斑；以及

处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断所述待测物是否合格。

2.如权利要求1所述的纳米压印工艺监测方法，其特征在于，所述成像模块接收所述PCM模块的反射激光，以获取所述反射激光所形成的反射光斑的步骤具体为：

反射镜接收所述PCM模块的反射激光，并将所述反射激光反射至所述成像模块，以供所述成像模块获取所述反射激光所形成的反射光斑。

3.如权利要求1所述的纳米压印工艺监测方法，其特征在于，所述处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断所述待测物是否合格的步骤具体包括：

处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑的位置，并判断所述位置是否偏离预设区域；

若所述位置偏离所述预设区域，则所述处理器判定所述待测物为不合格；

若所述位置未偏离所述预设区域，则所述处理器判定所述待测物为合格；

和/或，

处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑的光强，并判断所述光强是否在预设光强范围内；

若所述光强未在所述预设光强范围内，则所述处理器判定所述待测物为不合格；

若所述光强在所述预设光强范围内，则所述处理器判定所述待测物为合格。

4.如权利要求1所述的纳米压印工艺监测方法，其特征在于，所述PCM模块为纳米光栅。

5.如权利要求4所述的纳米压印工艺监测方法，其特征在于，所述纳米光栅包括闪耀光栅、倾斜光栅、一维光栅、二元光栅、多台阶光栅中的至少一种。

6.如权利要求1至5任一项所述的纳米压印工艺监测方法，其特征在于，在所述处理器获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断待测物是否合格的步骤之后，所述纳米压印工艺监测方法还包括：

当所述处理器判定所述待测物为不合格时，告警模块发出警告。

7.一种纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述纳米压印工艺监测装置包括：

光源，用于向待测物上的PCM模块发射监测激光；其中，所述待测物包括纳米压印模板和/或纳米压印产品；

成像模块，用于接收来自于所述PCM模块的反射激光，并获取所述反射激光所形成的反射光斑；以及

处理器，用于获取所述成像模块所反馈的所述反射光斑，并根据所述反射光斑判断所述待测物是否合格。

8.如权利要求7所述的纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述纳米压印工艺监测装置还包括：

反射镜，用于接收所述PCM模块的反射激光，并将所述反射激光反射至所述成像模块，以供所述成像模块获取所述反射激光所形成的反射光斑。

9.如权利要求8所述的纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述反射镜为反射棱镜。

10.如权利要求7所述的纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述处理器存储有反射光斑的预设区域和/或预设光强范围；

所述预设区域用以供所述处理器将获取的所述反射光斑的位置与之比对，并根据比对结果判断所述待测物是否合格；

所述预设光强范围用以供所述处理器将获取的所述反射光斑的光强与之比对，并根据比对结果判断所述待测物是否合格。

11.如权利要求7所述的纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述PCM模块为纳米光栅。

12.如权利要求11所述的纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述纳米光栅包括闪耀光栅、倾斜光栅、一维光栅、二元光栅、多台阶光栅中的至少一种。

13.如权利要求7至12任一项所述的纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述纳米压印工艺监测装置还包括：

告警模块，用于在所述处理器判定所述待测物为不合格时发出警告。

14.如权利要求13所述的纳米压印工艺监测装置，其特征在于，所述告警模块包括声音告警模块、光告警模块、振动告警模块及电子信息告警模块的至少一种；其中，电子信息告警模块用于向外部终端发送告警信息。

15.一种纳米压印设备，其特征在于，包括权利要求7至14任一项所述的纳米压印工艺监测装置。

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