CN111929941A - 显示器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示器，包括显示面板以及背光模块。显示面板具有多个开口区以及非开口区。显示面板包括第一基板、第二基板、第一偏光结构、第二偏光结构以及四分之一波板。第一偏光结构位于该第一基板上，且包括多条栅线。第二偏光结构位于第二基板上。四分之一波板位于第一基板上。第一基板位于背光模块与第二基板之间。四分之一波板相较于第一偏光结构更靠近背光模块。
Description
技术领域
本发明是有关于一种显示器，且特别是有关于一种包括四分之一波板的显示器。
背景技术
金属栅线偏振器(Wire-grid Polarizer,WGP)是一种利用纳米压印技术(Nanoimprint lithography，NIL)制备的金属一维光栅。偏振方向垂直光栅的P波可以穿透金属栅线偏振器，且偏振方向平行光栅的S波会被金属栅线偏振器反射。因此，当以非偏振光照射金属栅线偏振器时，光线中的P波与S波得以分离。
在一些现有的液晶显示器中，金属栅线偏振器被用来偏振背光模块所射出的光线。然而，背光模块射出的部分光线不能穿透金属栅线偏振器，导致液晶显示器的亮度不足。
发明内容
本发明提供一种显示器，能提升光线的利用率。
本发明的至少一实施例提供一种显示器。显示器包括显示面板以及背光模块。显示面板具有多个开口区以及非开口区。显示面板包括第一基板、第二基板、第一偏光结构、第二偏光结构以及四分之一波板。第一偏光结构位于第一基板上，且包括多条栅线。第二偏光结构位于第二基板上。四分之一波板位于第一基板上。第一基板位于背光模块与第二基板之间。四分之一波板相较于第一偏光结构更靠近背光模块。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图2是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图3是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图4是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图5是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图6是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图7是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图8是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图9是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图10是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图11是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图12是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图13是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图14是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图15是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图16是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图17是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图18是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
图19是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
其中，附图标记：
1、1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i、1j、1k、1l、1m、1n、1o、1p、1q、1r:显示器
100:显示面板
110:第一基板
110a、120a:第一面
110b、120b:第二面
120:第二基板
130:第一偏光结构
140:第二偏光结构
150:四分之一波板
160、360:显示介质
170、370:彩色滤光元件
180、380:黑矩阵
190:反射层
200:背光模块
300:显示面板
320:第四基板
330:第三偏光结构
340:第四偏光结构
AL、ALa:主动元件层
CH:半导体通道层
D1:方向
DE:漏极
DL:数据线
GE:栅极
GI:栅极绝缘层
L:光线
NOA:非开口区
OA:开口区
P:P波
PE:像素电极
PL:平坦层
S:S波
SE:源极
T:主动元件
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解的是，这些实务上的细节不应用被以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有的结构与元件在图式中将省略或以简单示意的方式为之。
图1是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
请参考图1，显示器1包括显示面板100以及背光模块200。
显示面板100包括第一基板110、第二基板120、第一偏光结构130、第二偏光结构140以及四分之一波板150。第一基板110与第二基板120的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或其他合适的材料。第一基板110位于背光模块200与第二基板120之间。在本实施例中，显示面板100还包括主动元件层AL、显示介质160、彩色滤光元件170、黑矩阵180以及反射层190。主动元件层AL、显示介质160、彩色滤光元件170以及黑矩阵180位于第一基板110以及第二基板120之间。显示介质160例如包括液晶分子。在本实施例中，显示面板1具有多个开口区OA以及非开口区NOA。
第一偏光结构130位于第一基板110上。在本实施例中，第一偏光结构130位于第一基板110的第一面110a上。第一偏光结构130包括多条栅线，且第一偏光结构130为金属栅线偏振器。栅线的高度H1例如大于100纳米。第一偏光结构130的材料例如包括铝、银、钛、其他金属或包含前述金属的合金。在垂直第一基板110的方向D1上，反射层190重叠于非开口区NOA，且第一偏光结构130重叠于开口区OA。在本实施例中，反射层190与栅线属于相同膜层。举例来说，反射层190与第一偏光结构130是藉由同一道图案化制程形成，且反射层190与第一偏光结构130包括相同材料。
四分之一波板150位于第一基板110上。在本实施例中，四分之一波板150位于第一基板110的第一面110a上。在垂直第一基板110的方向D1上，四分之一波板150重叠于非开口区NOA，且形成于反射层190上。在垂直第一基板110的方向D1上，四分之一波板150不重叠于第一偏光结构130。四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200。
四分之一波板150例如为纳米光栅延迟片(Nanograting retarder)、聚合物波板、液晶波板、反射型波板、多层膜堆叠的波板或其他形式的波板。在本实施例中，四分之一波板150的快轴与各栅线的延伸方向的夹角不等于0度与90度。换句话说，四分之一波板150的快轴与第一偏光结构130的穿透轴的夹角不等于0度与90度。在本实施例中，四分之一波板150的快轴与各栅线的延伸方向的夹角例如为45度。
主动元件层AL位于第一基板110上。在本实施例中，主动元件层AL位于第一基板110的第二面110b上。主动元件层AL包括主动元件T以及像素电极PE。在垂直第一基板110的方向D1上，主动元件T重叠于非开口区NOA，且像素电极PE重叠于开口区OA。主动元件T包括栅极GE、半导体通道层CH、源极SE以及漏极DE。栅极GE位于第一基板110的第二面110b上，且栅极GE电性连接于扫描线(未绘出)。在垂直第一基板110的方向D1上，半导体通道层CH重叠于栅极GE，且半导体通道层CH与栅极GE之间夹有栅极绝缘层GI。源极SE以及漏极DE位于半导体通道层CH上。源极SE电性连接于数据线DL，且漏极DE电性连接于像素电极PE。在本实施例中，源极SE、漏极DE以及像素电极PE属于相同导电膜层，且源极SE、漏极DE以及像素电极PE包括相同的透明导电材料，但本发明不以此为限。在其他实施例中，源极SE以及漏极DE包括金属材料，且像素电极PE包括透明导电材料。
虽然在本实施例中，主动元件T是以底部栅极型的薄膜晶体管为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，主动元件T也可以是顶部栅极型或其他类型的薄膜晶体管。
在一些实施例中，显示器1还包括位于第一基板110以及第二基板120之间的共用电极(未绘出)。共用电极可以形成于第一基板110上，且显示器1可以采用边缘场切换(Fringe Field Switching，FFS)技术或横向电场(In-Plane-Switching，IPS)技术驱动液晶分子。在一些实施例中，共用电极可以形成于第二基板120上，且显示器1可以为扭曲向列型液晶(Twisted Nematic，TN)型液晶显示器。在其他实施例中，显示器1也可以利用其他方式驱动液晶分子。
彩色滤光元件170以及黑矩阵180位于第二基板120上。在本实施例中，彩色滤光元件170以及黑矩阵180位于第二基板120的第一面120a上。在垂直第一基板110的方向D1上，黑矩阵180重叠于非开口区NOA，且彩色滤光元件170重叠于开口区OA。在本实施例中，显示面板1的黑矩阵180定义出及非开口区NOA以及开口区OA的位置。
虽然在本实施例中，彩色滤光元件170与主动元件层AL分别形成于不同基板上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，彩色滤光元件170与主动元件层AL形成于相同基板上，并构成彩色滤光层于像素阵列上(Color filter on array，COA)的结构。虽然在本实施例中，黑矩阵180与主动元件层AL分别形成于不同基板上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，黑矩阵180与主动元件层AL形成于相同基板上，并构成黑矩阵于像素阵列上(Blackmatrix on array，BOA)的结构。
第二偏光结构140位于第二基板120上。在本实施例中，第二偏光结构140位于第二基板120的第二面120b上。第二偏光结构140可以包括聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol，PVA)偏光膜、三醋酸纤维素膜膜(Triacetate Cellulose film，TAC)偏光膜、高度偏光转换薄膜(Advanced polarization conversion film，APCF)、反射型偏光增亮膜(Dual BrightnessEnhancement Film，DBEF)或其他偏光结构。在一些实施例中，第二偏光结构140也可以包括金属栅线偏振器。在本实施例中，第一偏光结构130的穿透轴方向与第二偏光结构140的穿透轴方向互相垂直。
在本实施例中，背光模块200可以为侧入式背光模块或直下式背光模块，且背光模块200中包括反射层以及光源。背光模块200所发出的光线L为非偏振光。当光线L抵达第一偏光结构130时，P波会穿过第一偏光结构130，且S波会被第一偏光结构130反射。在本实施例中，背光模块200中具有反射层。部分被背光模块200反射的S波会被解偏(depolarizing)为非偏振光，并且再次抵达第一偏光结构130。部分被背光模块200反射的S波未被解偏，并抵达四分之一波板150。S波穿过一次四分之一波板150后会先变成椭圆偏振光(Ellipticalpolarized light)，接着被重叠于四分之一波板150的反射层190反射，再第二次穿过四分之一波板150，并转换为P波。P波被背光模块200反射，接着穿过第一偏光结构130。
基于上述，由于四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200，可以使被第一偏光结构130反射的S波转换为P波，藉此提升光线L的利用率。
图2是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图2的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图2的显示器1a与图1的显示器1的主要差异在于：显示器1a更包括平坦层PL。
请参考图2，平坦层PL形成于第一偏光结构130的栅线上以及反射层190上。藉由平坦层PL的设置，可以降低四分之一波板150的制程难度，并保护第一偏光结构130。举例来说，在蚀刻波板材料以形成四分之一波板150时，平坦层PL可以避免第一偏光结构130在蚀刻制程中受损。此外，相较于形成在具有空隙的第一偏光结构130上，波板材料可以较佳的形成于平坦层PL上。
图3是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图3的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图3的显示器1b与图1的显示器1的主要差异在于：显示器1b中的四分之一波板150与第一偏光结构130分别位于第一基板110的不同侧。
在本实施例中，四分之一波板150位于第一基板110的第一面110a，且第一偏光结构130以及反射层190位于第一基板110的第二面110b。主动元件层AL位于第一偏光结构130以及反射层190上。
基于上述，由于四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200，可以使被第一偏光结构130反射的S波转换为P波，藉此提升光线L的利用率。
图4是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图3的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图4的显示器1c与图3的显示器1b的主要差异在于：显示器1c更包括平坦层PL。
请参考图4，平坦层PL形成于第一偏光结构130的栅线上以及反射层190上。藉由平坦层PL的设置，可以降低主动元件层AL的制程难度，并保护第一偏光结构130。举例来说，在形成主动元件层AL时，平坦层PL可以避免第一偏光结构130在蚀刻制程中受损(例如形成栅极G时的蚀刻制程)。此外，相较于形成在具有空隙的第一偏光结构130上，主动元件层AL可以较佳的形成于平坦层PL上。
图5是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图5的显示器1d与图1的显示器1的主要差异在于：显示器1d的彩色滤光元件170以及黑矩阵180形成于第一基板110上，且显示器1d的主动元件层AL形成于第二基板120上。
请参考图5，背光模块200发出的光线L会在穿过彩色滤光元件170之后才会抵达像素电极PE。
基于上述，由于四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200，可以使被第一偏光结构130反射的S波转换为P波，藉此提升光线L的利用率。
图6是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图6的实施例沿用图5的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图6的显示器1e与图5的显示器1d的主要差异在于：显示器1e更包括平坦层PL。
请参考图6，平坦层PL形成于第一偏光结构130的栅线上以及反射层190上。藉由平坦层PL的设置，可以降低四分之一波板150的制程难度，并保护第一偏光结构130。举例来说，在蚀刻波板材料以形成四分之一波板150时，平坦层PL可以避免第一偏光结构130在蚀刻制程中受损。此外，相较于形成在具有空隙的第一偏光结构130上，波板材料可以较佳的形成于平坦层PL上。
图7是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图7的实施例沿用图5的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图7的显示器1f与图5的显示器1d的主要差异在于：显示器1f中的四分之一波板150与第一偏光结构130分别位于第一基板110的不同侧。
在本实施例中，四分之一波板150位于第一基板110的第一面110a，且第一偏光结构130以及反射层190位于第一基板110的第二面110b。黑矩阵180位于反射层190上，且彩色滤光元件170位于第一偏光结构130上。
基于上述，由于四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200，可以使被第一偏光结构130反射的S波转换为P波，藉此提升光线L的利用率。
图8是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图8的实施例沿用图7的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图8的显示器1g与图7的显示器1f的主要差异在于：显示器1g更包括平坦层PL。
请参考图8，平坦层PL形成于第一偏光结构130的栅线上以及反射层190上。藉由平坦层PL的设置，可以降低彩色滤光元件170以及黑矩阵180的制程难度，并保护第一偏光结构130。举例来说，在蚀刻遮光材料以形成黑矩阵180时，平坦层PL可以避免第一偏光结构130在蚀刻制程中受损。此外，相较于形成在具有空隙的第一偏光结构130上，彩色滤光元件170可以较佳的形成于平坦层PL上。
图9是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。
请参考图9，显示器1h包括显示面板100以及背光模块200。
显示面板100包括第一基板110、第二基板120、第一偏光结构130、第二偏光结构140以及四分之一波板150。第一基板110与第二基板120的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或其他合适的材料。第一基板110位于背光模块200与第二基板120之间。在本实施例中，显示面板100还包括主动元件层AL、显示介质160、彩色滤光元件170、黑矩阵180以及反射层190。主动元件层AL、显示介质160、彩色滤光元件170以及黑矩阵180位于第一基板110以及第二基板120之间。显示介质160例如包括液晶分子。在本实施例中，显示面板1h具有多个开口区OA以及非开口区NOA。
第一偏光结构130位于第一基板110上。在本实施例中，第一偏光结构130位于第一基板110的第二面110b上。在垂直第一基板110的方向D1上，第一偏光结构130重叠于开口区OA与非开口区NOA。第一偏光结构130包括多条栅线，且第一偏光结构130为金属栅线偏振器。栅线的高度H1例如为100纳米至1000纳米。第一偏光结构130的材料例如包括铝、银、钛、其他金属或包含前述金属的合金。在垂直第一基板110的方向D1上，反射层190重叠于非开口区NOA，且第一偏光结构130的部分栅线重叠于反射层190。在本实施例中，反射层190与第一偏光结构130的栅线属于不同膜层，且反射层190与第一偏光结构130包括相同或不同的材料。
四分之一波板150位于第一基板110上。在本实施例中，四分之一波板150位于第一基板110的第一面110a上。在垂直第一基板110的方向D1上，四分之一波板150重叠于开口区OA以及第一偏光结构130。四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200。
四分之一波板150例如为一相位差膜(Retardation film)，材料可包含有机高分子聚合物、液晶、多层膜堆叠的波板或其他合适的材料。在本实施例中，四分之一波板150的快轴与各栅线的延伸方向的夹角约为40度至50度。换句话说，四分之一波板150的快轴与第一偏光结构130的穿透轴的夹角约为40度至50度。在本实施例中，四分之一波板150的快轴与各栅线的延伸方向的夹角为45度。
主动元件层AL位于第一基板110上。在本实施例中，主动元件层AL位于第一基板110的第二面110b上，且主动元件层AL形成于第一偏光结构130上。
在一些实施例中，显示器1h可以采用边缘场切换(Fringe Field Switching，FFS)技术或横向电场(In-Plane-Switching，IPS)技术驱动液晶分子。在一些实施例中，显示器1h可以为扭曲向列型(Twisted Nematic，TN)液晶显示器或垂直排列技术(Verticalalignment，VA)液晶显示器。在其他实施例中，显示器1h也可以利用其他方式驱动液晶分子。
彩色滤光元件170以及黑矩阵180位于第二基板120上。在本实施例中，彩色滤光元件170以及黑矩阵180位于第二基板120的第一面120a上。在垂直第一基板110的方向D1上，黑矩阵180重叠于非开口区NOA，且彩色滤光元件170重叠于开口区OA。在本实施例中，显示面板1h的黑矩阵180定义出及非开口区NOA以及开口区OA的位置。
虽然在本实施例中，彩色滤光元件170与主动元件层AL分别形成于不同基板上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，彩色滤光元件170与主动元件层AL形成于相同基板上，并构成彩色滤光层于像素阵列上(Color filter on array，COA)的结构。虽然在本实施例中，黑矩阵180与主动元件层AL分别形成于不同基板上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，黑矩阵180与主动元件层AL形成于相同基板上，并构成黑矩阵于像素阵列上(Blackmatrix on array，BOA)的结构。
第二偏光结构140位于第二基板120上。在本实施例中，第二偏光结构140位于第二基板120的第二面120b上。第二偏光结构140可以包括碘系偏光板、染料系偏光板或金属栅线式偏光板。在一些实施例中，第二偏光结构140也可以包括金属栅线偏振器。在本实施例中，第一偏光结构130的穿透轴方向与第二偏光结构140的穿透轴方向互相垂直。
在本实施例中，背光模块200可以为侧入式背光模块或直下式背光模块，且背光模块200中包括反射层以及光源。背光模块200所发出的光线L为非偏振光。光线L会先抵达四分之一波板150。非偏振光在穿过四分之一波板150之后仍然维持非偏振光的状态。当光线抵达第一偏光结构130时，P波会穿过第一偏光结构130，且S波会被第一偏光结构130反射。被第一偏光结构130反射的S波穿过四分之一波板150，并转变成椭圆偏振光(Ellipticalpolarized light)或圆偏振光(Circularly polarized light)，接着被背光模块200中的反射层所反射，其中部分椭圆偏振光或部分圆偏振光还会被反射层190反射。被背光模块200反射的椭圆偏振光或圆偏振光再次穿过四分之一波板150之后会转换为P波，接着穿过第一偏光结构130。
基于上述，由于四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200，可以使被第一偏光结构130反射的S波转换为P波，藉此提升光线L的利用率。
图10是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图10的实施例沿用图9的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图10的显示器1i与图9的显示器1h的主要差异在于：显示器1i的第一偏光结构130未设置于非开口区NOA。
请参考图10，在垂直第一基板110的方向D1上，第一偏光结构130重叠于开口区OA，且不重叠于反射层190。
基于上述，由于四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200，可以使被第一偏光结构130反射的S波转换为P波，藉此提升光线L的利用率。
图11是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图11的实施例沿用图10的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图11的显示器1j与图10的显示器1i的主要差异在于：显示器1j的第一偏光结构130的栅线与反射层190属于相同膜层。
请参考图11，第一偏光结构130的栅线与反射层190皆位于第一基板110的第二面110b。第一偏光结构130的栅线与反射层190例如是藉由同一道图案化制程形成。在一些实施例中，第一偏光结构130与反射层190包括相同的材料。
基于上述，由于四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200，可以使被第一偏光结构130反射的S波转换为P波，藉此提升光线L的利用率。
图12是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图12的实施例沿用图9的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图12的显示器1k与图9的显示器1h的主要差异在于：显示器1k的四分之一波板150在垂直第一基板110的方向D1上重叠于开口区OA以及非开口区NOA。
请参考图12，在本实施例中，四分之一波板150形成于第一基板110的第一面110a上，且反射层190形成于四分之一波板150上。在本实施例中，四分之一波板150位于反射层190与第一基板110之间。
基于上述，由于四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200，可以使被第一偏光结构130反射的S波转换为P波，藉此提升光线L的利用率。
图13是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图13的实施例沿用图12的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图13的显示器1l与图12的显示器1k的主要差异在于：显示器1l的第一偏光结构130在垂直第一基板110的方向D1上未重叠于非开口区NOA。
请参考图13，在垂直第一基板110的方向D1上，第一偏光结构130重叠于开口区OA，且不重叠于反射层190。
基于上述，由于四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200，可以使被第一偏光结构130反射的S波转换为P波，藉此提升光线L的利用率。
图14是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图14的实施例沿用图13的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图14的显示器1m与图13的显示器1l的主要差异在于：显示器1m的第一偏光结构130的栅线与反射层190属于相同膜层。
请参考图14，第一偏光结构130的栅线与反射层190皆位于第一基板110的第二面110b。第一偏光结构130的栅线与反射层190例如是藉由同一道图案化制程形成。在一些实施例中，第一偏光结构130与反射层190包括相同的材料。
基于上述，由于四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200，可以使被第一偏光结构130反射的S波转换为P波，藉此提升光线L的利用率。
图15是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图15的实施例沿用图9的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图15的显示器1n与图9的显示器1i的主要差异在于：显示器1n的第一偏光结构130形成于第一基板110的第一面110a上。
在本实施例中，第一偏光结构130形成于第一基板110的第一面110a上。显示器1n还包括平坦层PL。平坦层PL形成于第一偏光结构130上，且填入栅线之间的间隙。在其他实施例中，平坦层PL除了填入栅线之间的间隙以外，还覆盖栅线的顶面。换句话说，平坦层PL的厚度不小于第一偏光结构130。藉由平坦层PL的设置，可以降低四分之一波板150以及反射层190的制程难度。在一些实施例中，平坦层PL的材料包括液晶或折射率与第一偏光结构130的折射率差异较大的材料，以增强第一偏光结构130的对比。
图16是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图16的实施例沿用图15的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图16的显示器1o与图15的显示器1n的主要差异在于：显示器1o的第一偏光结构130在垂直于第一基板110的方向D1上不重叠于非开口区NOA。
请参考图10，第一偏光结构130设置于开口区OA，且不重叠于反射层190。
基于上述，由于四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200，可以使被第一偏光结构130反射的S波转换为P波，藉此提升光线L的利用率。
图17是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图17的实施例沿用图16的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图17的显示器1p与图16的显示器1o的主要差异在于：显示器1p的四分之一波板150在垂直于第一基板110的方向D1上重叠于开口区OA以及非开口区NOA。
请参考图17，在本实施例中，四分之一波板150形成于第一偏光结构130上，且反射层190形成于四分之一波板150上。在本实施例中，四分之一波板150位于反射层190与第一偏光结构130之间。
基于上述，由于四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200，可以使被第一偏光结构130反射的S波转换为P波，藉此提升光线L的利用率。
图18是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图18的实施例沿用图17的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图18的显示器1q与图17的显示器1p的主要差异在于：显示器1q的第一偏光结构130在垂直于第一基板110的方向D1上不重叠于非开口区NOA。
请参考图18，在垂直于第一基板110的方向D1上，第一偏光结构130重叠于开口区OA，且不重叠于反射层190。
基于上述，由于四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200，可以使被第一偏光结构130反射的S波转换为P波，藉此提升光线L的利用率。
图19是依照本发明的一实施例的一种显示器的剖面示意图。在此必须说明的是，图19的实施例沿用图10的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图19，显示器1r包括显示面板100、显示面板300以及背光模块200。显示面板100位于显示面板300以及背光模块200之间。
显示面板100包括第一基板110、第二基板120、第一偏光结构130、第二偏光结构140、四分之一波板150、主动元件层AL、显示介质160、黑矩阵180以及反射层190。在本实施例中，显示面板100不包括彩色滤光元件，但本发明不以此为限。在其他实施例中，显示面板100包括彩色滤光元件。在本实施例中，黑矩阵180定义出显示面板100的开口区与非开口区。
显示面板300包括第三基板310、第四基板320、第三偏光结构330、第四偏光结构340、主动元件层ALa、显示介质360、彩色滤光元件370以及黑矩阵380。主动元件层ALa、显示介质360、彩色滤光元件370以及黑矩阵380位于第三基板310以及第四基板320之间。
第三偏光结构330以及主动元件层Ala分别位于第三基板310的两侧，其中第三偏光结构330相较于主动元件层Ala更靠近显示面板100。在一些实施例中，第三偏光结构330的材料与第二偏光结构140的材料相同。在一些实施例中，第三偏光结构330的穿透轴方向与第二偏光结构140的穿透轴方向相同。在一些实施例中，第三偏光结构330可以被省略。
第四偏光结构340、彩色滤光元件370以及黑矩阵380位于第四基板320上。第四偏光结构340的穿透轴方向与第三偏光结构330或第二偏光结构140的穿透轴方向互相垂直。在本实施例中，黑矩阵380定义出显示面板300的开口区与非开口区。在其他实施例中，显示面板300也可以不包括彩色滤光元件370。
在一些实施例中，显示面板300的开口区的尺寸与显示面板100的开口区的尺寸相同或不相同。在本实施例中，以显示面板300的开口区的尺寸与显示面板100的开口区的尺寸相同为例。在一些实施例中，显示面板100与显示面板300的位置可以互相交换。
基于上述，由于四分之一波板150相较于第一偏光结构130更靠近背光模块200，可以使被第一偏光结构130反射的S波转换为P波，藉此提升光线L的利用率。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明做出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种显示器，其特征在于，包括：
一显示面板，具有多个开口区以及非开口区，且包括：
一第一基板以及一第二基板；
一第一偏光结构，位于该第一基板上，且包括多条栅线；
一第二偏光结构，位于该第二基板上；以及
一四分之一波板，位于该第一基板上；以及
一背光模块，其中该第一基板位于该背光模块与该第二基板之间，且该四分之一波板相较于该第一偏光结构更靠近该背光模块。
2.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，该四分之一波板重叠于该非开口区，且不重叠于该第一偏光结构。
3.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，该四分之一波板重叠于该开口区。
4.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，该四分之一波板重叠于该开口区以及该非开口区。
5.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，该四分之一波板与该第一偏光结构分别位于该第一基板的不同侧。
6.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，更包括：
一反射层，重叠于该非开口区，且该反射层与该些栅线属于相同膜层。
7.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，更包括：
一反射层，重叠于该非开口区，且该反射层与该些栅线属于不同膜层。
8.如权利要求7所述的显示器，其特征在于，部分该些栅线重叠于该反射层。
9.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，该四分之一波板的快轴与各该栅线的延伸方向的夹角不等于0度与90度。
10.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，该显示面板更包括：
一主动元件层、一显示介质、一彩色滤光元件以及一黑矩阵，位于该第一基板以及该第二基板之间，其中该黑矩阵重叠于该非开口区。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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