CN111916538A - 一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法 - Google Patents
一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111916538A CN111916538A CN202010806206.9A CN202010806206A CN111916538A CN 111916538 A CN111916538 A CN 111916538A CN 202010806206 A CN202010806206 A CN 202010806206A CN 111916538 A CN111916538 A CN 111916538A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ingan
- gan
- layer
- growing
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 43
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 252
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 28
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 7
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 15
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000005699 Stark effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical class [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
- H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen characterised by the doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，包括：(1)在蓝宝石衬底上依次生长低温GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格应力释放层；(2)生长InGaN/GaN多量子阱有源区，每个InGaN阱层的生长过程如下：①680～710℃下，使三甲基铟流速由0逐渐增加至600～700sccm，生长第一子层；②温度及步骤①中最大的三甲基铟流速不变，生长第二子层；③降温20～30℃，生长第三子层；(3)依次生长p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层、p型InGaN欧姆接触层。本发明提高了自发辐射效率，增加了长波长辐射区域的态密度并使得辐射光向长波长方向拓展。
Description
技术领域
本发明涉及一种利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的方法，属于微电子技术领域。
背景技术
近年来，白光LED已被广泛应用于液晶显示和固态照明等领域。利用LED实现白光发射的途径主要有三种：一是将分别发出蓝光、绿光和红光(三基色)的三个LED芯片集成一个整体LED，发出白光；二是利用紫光LED芯片作为基础光源，通过紫光激发特定的荧光粉使其同时发出红、绿、蓝三基色从而实现白光发射；三是利用蓝光LED芯片发出的蓝光作为基础光源，激发荧光粉使其发出黄光，这样LED发出的蓝光和荧光粉发出的黄光混合形成白光。通过LED激发荧光粉产生白光的方法已经被商用，但是荧光粉的转换效率却较低，同时还存在环境污染和显色指数较低等问题。因此，人们正在积极探索一种通过单片集成红、绿、蓝三基色LED来实现白光发射以替代基于荧光粉的白光LED。
GaN材料作为III-V族化合物半导体材料的代表，具有优良的物理、化学性质和光电特性，可在高温、酸碱、辐射环境下使用，近些年来被科学界广泛研究。其中，InGaN/GaN多量子阱基LED可通过调节In组分来改变带隙宽度，从而使其发光波长能够覆盖从近紫外到近红外的极宽光谱范围。因此，通过集成InGaN/GaN多量子阱基的蓝光、绿光和红光LED来制备高效节能、高显色指数的白光LED是一个可行性方案。目前，InGaN/GaN多量子阱基的蓝光和绿光LED已经实现商品化，但长波长的InGaN/GaN多量子阱基红光LED的研发却仍然面临诸多问题。这是由于In和Ga的原子尺寸相差较大，使InN和GaN之间的晶格失配高达约11％，并因此引发InGaN合金较大的组分起伏或较强的相分离，这使得制备高质量高In组分InGaN外延层存在困难。此外，在高In组分InGaN/GaN多量子阱中，由于InGaN阱层和GaN垒层之间较大的晶格失配会导致较强的压电极化电场，这使得量子阱中电子和空穴的空间分离变大(即量子限制斯塔克效应增强)，从而降低了其辐射复合效率。
文献“Method Development of InGaN-based red LED grown on(0001)polarsurface”(见日本学术期刊《Applied Physics Express》，2014年，第7卷，第071003页)报道了一种利用MOCVD生长工艺，通过在InGaN阱层和GaN垒层之间嵌入Al0.9Ga0.1N插入层，实现红光发射的方法。但是，该方法未对InGaN阱层进行能带调节，以及阱层生长结束后未进行生长停顿，这样会在有源区中导致较强的量子限制斯塔克效应和较高的应变能，不利于阱层表面的In原子驰豫到合适的格点位置并达到热力学平衡。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法；
为实现InGaN/GaN多量子阱基红光LED的制备，本发明提出了利用MOCVD工艺，并采用能带调节/应力调控、生长停顿和低温AlN保护层等方法制备InGaN/GaN多量子阱基红光LED。
本发明的技术方案如下：
一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，所述InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构自下而上依次生长有蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格应力释放层、InGaN/GaN多量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层、p型InGaN欧姆接触层，所述InGaN/GaN多量子阱有源区包括若干个周期的InGaN/GaN多量子阱，所述InGaN/GaN多量子阱包括自下而上依次生长的InGaN阱层、低温AlN保护层、GaN垒层，所述InGaN阱层包括自下而上依次生长的第一子层、第二子层、第三子层，包括步骤如下：
(1)在所述蓝宝石(Al2O3)衬底上依次生长所述低温GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、所述InGaN/GaN超晶格应力释放层；
(2)在所述InGaN/GaN超晶格应力释放层上生长所述InGaN/GaN多量子阱有源区，是指：在所述InGaN/GaN超晶格应力释放层上生长若干个周期的InGaN/GaN多量子阱，其中，在气氛为氮气的反应室内生长1个周期的InGaN/GaN量子阱的过程如下：
A、生长InGaN阱层，包括：
①生长所述第一子层：在680～710℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铟，使三甲基铟流速逐渐增加，由0逐渐增加至600～800sccm，生长所述第一子层；
②生长所述第二子层：在与步骤①相同的温度条件，以及在保持与步骤A中最大的三甲基铟流速条件下，生长所述第二子层；
③生长所述第三子层：降温20～30℃，以及在保持与步骤①中最大的三甲基铟流速条件下，生长所述第三子层；
B、生长低温AlN保护层：保持温度不变，关闭反应室内的三甲基镓和三甲基铟(Ga源和In源)，通入三甲基铝，生长低温AlN保护层；
C、生长GaN垒层；
(3)在所述InGaN/GaN多量子阱有源区上依次生长p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层、p型InGaN欧姆接触层，既得。
本发明中，能带调节/应力调控主要体现在每个InGaN阱层的三个生长过程：第一子层生长过程中，三甲基铟流速逐渐增加(即In组分逐渐增加)，使得第一子层的带隙逐渐变窄。第二子层的生长温度与第一子层相同，并且三甲基铟的流速与第一子层生长过程中的最大流速保持相同，而对于第三子层，其生长温度比第二子层生长温度低20～30℃，三甲基铟流速与第二子层的相同。这使得第二子层和第三子层的能带呈现台阶状。上述生长过程或量子阱结构，不仅缓解了GaN垒层与第一子层之间、各子层之间的应力，降低了有源区内极化电场引起的量子限制斯塔克效应、增强了其局域效应，并因此提高了自发辐射效率，而且还增加了长波长辐射区域的态密度并使得辐射光向长波长方向拓展。
对于低温AlN保护层的导入，保持温度不变，关闭反应室内的Ga源和In源，通入三甲基铝，生长低温AlN保护层。该低温AlN保护层的作用主要有以下两点：1)在高温GaN垒层生长前的升温等待期间，防止InGaN阱层中的In挥发以增长辐射波长；2)在InGaN阱层和低温AlN保护层界面区域形成AlInGaN四元合金，以降低InGaN阱层与GaN垒层之间的晶格失配(即起到应力补偿作用)，抑制位错的传播及产生，从而改善晶体形态和有源区的发光性能。此外，由于该技术方案能够有效地降低量子阱结构中的应力，所以有助于In原子的并入，使辐射光向长波长方向发展。
进一步优选的，步骤A中，生长厚度为3～5nm的InGaN阱层；
步骤①中，在690～700℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铟，使三甲基铟流速逐渐增加，由0逐渐增加至600～700sccm，生长InGaN为所述第一子层。
最优选的，步骤A中，生长厚度为4nm的InGaN阱层；
步骤①中，在700℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铟，使三甲基铟流速逐渐增加，由0逐渐增加至600sccm，生长所述第一子层；
步骤②中，在700℃温度条件，以及三甲基铟流速保持600sccm流速条件下，生长InGaN为所述第二子层；
步骤③中，在680℃温度条件，以及三甲基铟流速保持600sccm流速条件下，生长InGaN为所述第三子层。
InGaN阱层总厚度为4nm，因为如果阱层总厚度过大会使得量子阱对载流子的限制能力变差，且量子限制斯塔克效应变强，进而导致发光效率下降。然而，如果阱层总厚度过小会使得量子阱内态密度变小，且导致量子限制效应，使得发光波长蓝移。此外，所述温度如果过高会导致In原子并入减少，发光波长蓝移。如果温度过低会使得结晶质量变差，非辐射复合中心增多，进而导致发光效率下降。如果所述三甲基铟流速过低，会使得InGaN阱层中In原子含量较低，然而如果当流速超过某一临界值时，会导致InGaN阱层中In原子含量过多或者导致In原子的并入达到饱和。在取上述最优值的情况下效果最好。
进一步优选的，步骤A中，
步骤①中，生长1～2nm的InGaN为所述第一子层；
步骤②中，生长1～2nm的InGaN为所述第二子层；
步骤③中，生长1～3nm的InGaN为所述第三子层。
最优选的，步骤A中，
步骤①中，生长1nm的InGaN为所述第一子层；
步骤②中，生长1nm的InGaN为所述第二子层；
步骤③中，生长2nm的InGaN为所述第三子层。
根据本发明优选的，所述步骤B中，生长厚度为1～3nm的低温AlN保护层。
进一步优选的，所述步骤B中，在680℃的温度条件下，生长厚度为2nm的低温AlN保护层。
因为如果AlN保护层过薄，将难以起到防止In挥发的作用；然而如果过厚，将会导致结构质量变差并同时导致能带严重变形。在取该最优值厚度的情况下效果最好。
根据本发明优选的，步骤A与步骤B之间执行如下步骤：保持反应室内温度不变，关闭三甲基镓(Ga源)，只通三甲基铟(In源)，并停顿10～30s。
该方法可在有效抑制In挥发的同时，使得阱层中的In原子，尤其是阱层表面的In原子，有充分的时间驰豫到合适的格点位置并达到热力学平衡。
进一步优选的，停顿25s。
因为如果停顿时间过短，In原子没有充分的时间驰豫到合适的格点位置并达到热力学平衡；如果停顿时间过长，会导致杂质并入的增多。在取该最优值停顿时间的情况下效果最好。
根据本发明优选的，步骤C中，生长GaN垒层，是指：在气氛为氮气的反应室内，通入三甲基镓，在温度为800～870℃，压力为200～300mbar的条件下，以硅烷为硅源，生长8～12nm GaN垒层，其中硅掺杂浓度为3e17～3e18cm-3。
进一步优选的，步骤C中，生长GaN垒层，是指：在气氛为氮气的反应室内，通入三甲基镓，在温度为830℃，压力为200mbar的条件下，以硅烷为硅源，生长10nm GaN垒层。
根据本发明优选的，所述InGaN/GaN多量子阱有源区包括3～15个周期的InGaN/GaN多量子阱；周期数过少会导致有源区对载流子的限制作用减弱，周期数过多会导致后期生长的阱层结晶质量变差，对发光亮度的贡献减弱。
进一步优选的，所述InGaN/GaN多量子阱有源区包括9个周期的InGaN/GaN多量子阱。取该最优值的条件下，效果最佳。
根据本发明优选的，步骤(1)中，生长所述非掺杂GaN层，是指：在1050～1150℃温度，以及550～650mbar压力范围条件下，生长厚度为2～4μm的所述非掺杂GaN层；
进一步优选的，在1080℃温度，以及600mbar压力条件下，生长厚度为2μm的所述非掺杂GaN层。
根据本发明优选的，步骤(1)中，生长所述n型GaN层，是指：在1050～1150℃温度，以及550～650mbar压力范围条件下，生长厚度为2～4μm的所述n型GaN层；
进一步优选的，在1080℃温度，以及600mbar压力条件下，生长厚度为2.5μm的所述n型GaN层，其中硅掺杂浓度为8e18～8e19 cm-3。
根据本发明优选的，所述InGaN/GaN超晶格应力释放层包括5～15个周期的InGaN/GaN超晶格，InGaN/GaN超晶格包括InGaN层、GaN层，InGaN层厚度为1～2nm，In含量1～6％，GaN层厚度为2～5nm。
进一步优选的，所述InGaN/GaN超晶格应力释放层包括10个周期的InGaN/GaN超晶格，InGaN/GaN超晶格包括InGaN层、GaN层，InGaN层厚度为1nm，In含量2％，GaN层厚度为3nm。
根据本发明优选的，步骤(3)中，生长所述p型AlGaN电子阻挡层，是指：在1000℃温度，以及200～300mbar压力条件下，生长厚度为25～35nm的所述p型AlGaN电子阻挡层，其中Al组分约为15％，Mg掺杂浓度为4e19～6e19cm-3。
进一步优选的，在200mbar压力条件下，生长厚度为30nm的所述p型AlGaN电子阻挡层，
根据本发明优选的，步骤(3)中，生长所述p型GaN层，是指：在950℃温度，以及200～300mbar压力条件下，生长厚度为150～400nm的所述p型GaN层，其中Mg掺杂浓度为8e19～1.5e20cm-3。
进一步优选的，在200mbar压力条件下，生长厚度为200nm的所述p型GaN层。
根据本发明优选的，步骤(3)中，生长所述p型InGaN欧姆接触层，是指：在780℃温度，以及300mbar压力条件下，生长厚度为2～5nm的所述p型InGaN欧姆接触层，其中Mg掺杂浓度约为2.1e20cm-3。
进一步优选的，生长厚度为2.5nm的所述p型InGaN欧姆接触层。
本发明的有益效果为：
1、采用本发明专利的制备方法，在蓝宝石衬底上制备的InGaN/GaN多量子阱基LED，可以实现红光发射，采用优选的生长工艺制备的样品，发光波长约为664nm。
2、通过能带调节/应力调控可以降低有源区内极化电场引起的量子限制斯塔克效应，并同时增强其局域效应。因此不仅能够提高自发辐射效率，还增加了长波长辐射区域的态密度并使得辐射光向长波长方向拓展。
3、通过导入低温AlN保护层可以有效抑制InGaN阱层的In挥发，以增长辐射波长；同时，可以降低InGaN阱层与GaN垒层之间的晶格失配(即起到应力补偿作用)，抑制位错的传播及产生，从而改善晶体形态和有源区的发光性能。
4、通过能带调节/应力调控和导入低温AlN保护层，均能够有效地降低量子阱结构中的应力，有助于In原子的并入，使辐射光向长波长方向发展。
5、通过生长停顿，可在有效抑制In挥发的同时，使得阱层中的In原子，尤其是阱层表面的In原子，有充分的时间驰豫到合适的格点位置并达到热力学平衡。
附图说明
图1是本发明InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的结构示意图。
图2是本发明InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构截面图和InGaN/GaN多量子阱有源区中第一个周期的阱/垒能带结构示意图。
图3是利用本发明方法制备的InGaN/GaN多量子阱基红光LED的光致发光谱示意图。
1、蓝宝石衬底，2、低温GaN缓冲层，3、非掺杂GaN层，4、n型GaN层，5、InGaN/GaN超晶格应力释放层，6、InGaN/GaN多量子阱有源区，7、p型AlGaN电子阻挡层，8、p型GaN层，9、p型InGaN欧姆接触层。
具体实施方式
下面结合说明书附图和实施例对本发明进一步说明，但不仅限于此。
实施例1
一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，如图1所示，InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构自下而上依次生长有蓝宝石衬底1、低温GaN缓冲层2、非掺杂GaN层3、n型GaN层4、InGaN/GaN超晶格应力释放层5、InGaN/GaN多量子阱有源区6、p型AlGaN电子阻挡层7、p型GaN层8、p型InGaN欧姆接触层9，InGaN/GaN多量子阱有源区6包括若干个周期的InGaN/GaN多量子阱，InGaN/GaN多量子阱包括自下而上依次生长的InGaN阱层、低温AlN保护层、GaN垒层，InGaN阱层包括自下而上依次生长的第一子层、第二子层、第三子层，包括步骤如下：
(1)在蓝宝石衬底1(Al2O3)上依次生长低温GaN缓冲层2、非掺杂GaN层3、n型GaN层4、InGaN/GaN超晶格应力释放层5；
(2)在InGaN/GaN超晶格应力释放层5上生长InGaN/GaN多量子阱有源区6，是指：在InGaN/GaN超晶格应力释放层5上生长若干个周期的InGaN/GaN多量子阱，其中，在气氛为氮气的反应室内生长1个周期的InGaN/GaN量子阱的过程如下：
A、生长InGaN阱层，包括：
①生长第一子层：在680～710℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铟，使三甲基铟流速逐渐增加，由0逐渐增加至600～800sccm，生长第一子层；
②生长第二子层：在与步骤①相同的温度条件，以及在保持与步骤A中最大的三甲基铟流速条件下，生长第二子层；
③生长第三子层：降温20～30℃，以及在保持与步骤①中最大的三甲基铟流速条件下，生长第三子层；
B、生长低温AlN保护层：保持温度不变，关闭反应室内的三甲基镓和三甲基铟(Ga源和In源)，通入三甲基铝，生长低温AlN保护层；
C、生长GaN垒层；
(3)在InGaN/GaN多量子阱有源区6上依次生长p型AlGaN电子阻挡层7、p型GaN层8、p型InGaN欧姆接触层9，既得。
本发明中，能带调节/应力调控主要体现在每个InGaN阱层的三个生长过程：第一子层生长过程中，三甲基铟流速逐渐增加(即In组分逐渐增加)，使得第一子层的带隙逐渐变窄。第二子层的生长温度与第一子层相同，并且三甲基铟的流速与第一子层生长过程中的最大流速保持相同，而对于第三子层，其生长温度比第二子层生长温度低20～30℃，三甲基铟流速与第二子层的相同。这使得第二子层和第三子层的能带呈现台阶状。上述生长过程或量子阱结构，不仅缓解了GaN垒层与第一子层之间、各子层之间的应力，降低了有源区内极化电场引起的量子限制斯塔克效应、增强了其局域效应，并因此提高了自发辐射效率，而且还增加了长波长辐射区域的态密度并使得辐射光向长波长方向拓展。
对于低温AlN保护层的导入，保持温度不变，关闭反应室内的Ga源和In源，通入三甲基铝，生长低温AlN保护层。该低温AlN保护层的作用主要有以下两点：1)在高温GaN垒层生长前的升温等待期间，防止InGaN阱层中的In挥发以增长辐射波长；2)在InGaN阱层和低温AlN保护层界面区域形成AlInGaN四元合金，以降低InGaN阱层与GaN垒层之间的晶格失配(即起到应力补偿作用)，抑制位错的传播及产生，从而改善晶体形态和有源区的发光性能。此外，由于该技术方案能够有效地降低量子阱结构中的应力，所以有助于In原子的并入，使辐射光向长波长方向发展。
实施例2
根据实施例1所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其区别在于：
步骤A与步骤B之间执行如下步骤：保持反应室内温度不变，关闭三甲基镓(Ga源)，只通三甲基铟(In源)，并停顿10～30s。
该方法可在有效抑制In挥发的同时，使得阱层中的In原子，尤其是阱层表面的In原子，有充分的时间驰豫到合适的格点位置并达到热力学平衡。
实施例3
根据实施例1所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其区别在于：
步骤A与步骤B之间执行如下步骤：保持反应室内温度不变，关闭三甲基镓(Ga源)，只通三甲基铟(In源)，并停顿25s。
实施例4
根据实施例2或3所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其区别在于：
步骤A中，生长厚度为3～5nm的InGaN阱层；
步骤①中，在690～700℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铟，使三甲基铟流速逐渐增加，由0逐渐增加至600～700sccm，生长1～2nm的InGaN为第一子层；
步骤②中，生长1～2nm的InGaN为第二子层；
步骤③中，生长1～3nm的InGaN为第三子层。
实施例5
根据实施例3所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其区别在于：
步骤A中，生长厚度为4nm的InGaN阱层；
步骤①中，在700℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铟，使三甲基铟流速逐渐增加，由0逐渐增加至600sccm，生长1nm的InGaN为第一子层；
步骤②中，在700℃温度条件，以及三甲基铟流速保持600sccm流速条件下，生长1nm的InGaN为第二子层；
步骤③中，在680℃温度条件，以及三甲基铟流速保持600sccm流速条件下，生长2nm的InGaN为第三子层。
图2是本发明InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的截面图和InGaN/GaN多量子阱有源区6中第一个周期的阱/垒能带结构示意图。其中下图为整个样品结构的截面图，上图为有源区中第一个周期的阱/垒能带结构示意图。EC和EV分别代表导带和价带，箭头所指方向为沿着蓝宝石衬底1(0001)面的生长方向。
InGaN阱层第一子层生长过程中三甲基铟流速逐渐增加(即In组分逐渐增加)；InGaN阱层第二子层的生长温度与第一子层相同，并且三甲基铟的流速与第一子层中的最大流速相同且保持恒定；第二子层生长结束后，首先降低温度，然后再生长InGaN阱层中的第三子层；InGaN阱层第三子层生长结束后，立即关闭Ga源，只通In源，并且在保持温度不变的条件下停顿10～30s，然后接续生长低温AlN保护层。
图3是利用本发明方法制备的InGaN/GaN多量子阱基红光LED的光致发光谱示意图，横坐标为发光波长，纵坐标为发光强度。从图中可以看出该样品的发光波长约为664nm，实现了红光发射。
实施例6
根据实施例4或5所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其区别在于：
步骤B中，生长厚度为1～3nm的低温AlN保护层。
实施例7
根据实施例4或5所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其区别在于：
步骤B中，在680℃的温度条件下，生长厚度为2nm的低温AlN保护层。
实施例8
根据实施例1-7所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其区别在于：
步骤C中，生长GaN垒层，是指：在气氛为氮气的反应室内，通入三甲基镓，在温度为800～870℃，压力为200～300mbar的条件下，以硅烷为硅源，生长8～12nm GaN垒层，其中硅掺杂浓度为3e17～3e18cm-3。
InGaN/GaN多量子阱有源区6包括3～15个周期的InGaN/GaN多量子阱；
步骤(1)中，生长非掺杂GaN层3，是指：在1050～1150℃温度，以及550～650mbar压力范围条件下，生长厚度为2～4μm的非掺杂GaN层3；
步骤(1)中，生长n型GaN层4，是指：在1050～1150℃温度，以及550～650mbar压力范围条件下，生长厚度为2～4μm的n型GaN层4；
InGaN/GaN超晶格应力释放层5包括5～15个周期的InGaN/GaN超晶格，InGaN/GaN超晶格包括InGaN层、GaN层，InGaN层厚度为1～2nm，In含量1～6％，GaN层厚度为2～5nm。
步骤(3)中，生长p型AlGaN电子阻挡层7，是指：在1000℃温度，以及200～300mbar压力条件下，生长厚度为25～35nm的p型AlGaN电子阻挡层7，其中Al组分约为15％，Mg掺杂浓度为4e19～6e19cm-3。
步骤(3)中，生长p型GaN层8，是指：在950℃温度，以及200～300mbar压力条件下，生长厚度为150～400nm的p型GaN层8，其中Mg掺杂浓度为8e19～1.5e20cm-3。
步骤(3)中，生长p型InGaN欧姆接触层9，是指：在780℃温度，以及300mbar压力条件下，生长厚度为2～5nm的p型InGaN欧姆接触层9，其中Mg掺杂浓度约为2.1e20cm-3。
实施例9
根据实施例1-7所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其区别在于：
步骤C中，生长GaN垒层，是指：在气氛为氮气的反应室内，通入三甲基镓，在温度为830℃，压力为200mbar的条件下，以硅烷为硅源，生长10nm GaN垒层。
InGaN/GaN多量子阱有源区6包括9个周期的InGaN/GaN多量子阱。
步骤(1)中，生长非掺杂GaN层3，是指：在1080℃温度，以及600mbar压力条件下，生长厚度为2μm的非掺杂GaN层3。
步骤(1)中，生长n型GaN层4，是指：在1080℃温度，以及600mbar压力条件下，生长厚度为2.5μm的n型GaN层4，其中硅掺杂浓度为8e18～8e19 cm-3。
InGaN/GaN超晶格应力释放层5包括10个周期的InGaN/GaN超晶格，InGaN/GaN超晶格包括InGaN层、GaN层，InGaN层厚度为1nm，In含量2％，GaN层厚度为3nm。
步骤(3)中，生长p型AlGaN电子阻挡层7，是指：在200mbar压力条件下，生长厚度为30nm的p型AlGaN电子阻挡层7；
步骤(3)中，生长p型GaN层8，是指：在200mbar压力条件下，生长厚度为200nm的p型GaN层8。
步骤(3)中，生长p型InGaN欧姆接触层9，是指：生长厚度为2.5nm的p型InGaN欧姆接触层9。
对比例1
根据实施例5所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其区别在于：传统样品Ⅰ中，InGaN/GaN多量子阱的生长过程不同，其中，在气氛为氮气的反应室内生长1个周期的InGaN/GaN量子阱的过程如下：
A、生长InGaN阱层，包括：
在700℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铟，并使三甲基铟流速保持600sccm不变，生长3nm的InGaN；
B、生长GaN垒层，包括：
在温度为830℃，压力为200mbar条件下，通入三甲基镓，以硅烷为硅源，生长12nmGaN垒层，其中硅掺杂浓度为3e17～3e18 cm-3。
对比例2
根据对比例1所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其区别在于：传统样品Ⅱ中，InGaN阱层生长温度变为680℃。
采用传统工艺生长的InGaN/GaN多量子阱基LED和采用实施例5所述方法生长的样品，光致发光波长对比分析如表1所示。
表1
由表1可知，采用实施例5所述方法生长的样品发光波长为664nm，实现了红光发射。而采用传统工艺生长的传统样品Ⅰ，当阱层生长温度为700℃时，发光波长为554nm；传统样品Ⅱ，当阱层生长温度为680℃时，常温下几乎不发光，二者均未能实现红光发射。
Claims (10)
1.一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其特征在于，所述InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构自下而上依次生长有蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格应力释放层、InGaN/GaN多量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层、p型InGaN欧姆接触层，所述InGaN/GaN多量子阱有源区包括若干个周期的InGaN/GaN多量子阱，所述InGaN/GaN多量子阱包括自下而上依次生长的InGaN阱层、低温AlN保护层、GaN垒层，所述InGaN阱层包括自下而上依次生长的第一子层、第二子层、第三子层，包括步骤如下：
(1)在所述蓝宝石衬底上依次生长所述低温GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、所述InGaN/GaN超晶格应力释放层；
(2)在所述InGaN/GaN超晶格应力释放层上生长所述InGaN/GaN多量子阱有源区，是指：在所述InGaN/GaN超晶格应力释放层上生长若干个周期的InGaN/GaN多量子阱，其中，在气氛为氮气的反应室内生长1个周期的InGaN/GaN量子阱的过程如下：
A、生长InGaN阱层，包括：
①生长所述第一子层：在680～710℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铟，使三甲基铟流速逐渐增加，由0逐渐增加至600～800sccm，生长所述第一子层；
②生长所述第二子层：在与步骤①相同的温度条件，以及在保持与步骤A中最大的三甲基铟流速条件下，生长所述第二子层；
③生长所述第三子层：降温20～30℃，以及在保持与步骤①中最大的三甲基铟流速条件下，生长所述第三子层；
B、生长低温AlN保护层：保持温度不变，关闭反应室内的三甲基镓和三甲基铟(Ga源和In源)，通入三甲基铝，生长低温AlN保护层；
C、生长GaN垒层；
(3)在所述InGaN/GaN多量子阱有源区上依次生长p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层、p型InGaN欧姆接触层，既得。
2.根据权利要求1所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其特征在于，步骤A与步骤B之间执行如下步骤：保持反应室内温度不变，关闭三甲基镓，只通三甲基铟，并停顿10～30s。
3.根据权利要求2所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其特征在于，停顿25s。
4.根据权利要求1-3任一所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其特征在于，步骤A中，生长厚度为3～5nm的InGaN阱层；
步骤①中，在690～700℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铟，使三甲基铟流速逐渐增加，由0逐渐增加至600～700sccm，生长InGaN为所述第一子层。
5.根据权利要求1-3任一所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其特征在于，步骤A中，生长厚度为4nm的InGaN阱层；
步骤①中，在700℃条件下，通入三甲基镓和三甲基铟，使三甲基铟流速逐渐增加，由0逐渐增加至600sccm，生长所述第一子层；
步骤②中，在700℃温度条件，以及三甲基铟流速保持600sccm流速条件下，生长InGaN为所述第二子层；
步骤③中，在680℃温度条件，以及三甲基铟流速保持600sccm流速条件下，生长InGaN为所述第三子层。
6.根据权利要求1所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其特征在于，步骤A中，
步骤①中，生长1～2nm的InGaN为所述第一子层；
步骤②中，生长1～2nm的InGaN为所述第二子层；
步骤③中，生长1～3nm的InGaN为所述第三子层；
最优选的，步骤A中，
步骤①中，生长1nm的InGaN为所述第一子层；
步骤②中，生长1nm的InGaN为所述第二子层；
步骤③中，生长2nm的InGaN为所述第三子层。
7.根据权利要求1所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，生长厚度为1～3nm的低温AlN保护层；
进一步优选的，所述步骤B中，在680℃的温度条件下，生长厚度为2nm的低温AlN保护层。
8.根据权利要求1所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其特征在于，步骤C中，生长GaN垒层，是指：在气氛为氮气的反应室内，通入三甲基镓，在温度为800～870℃，压力为200～300mbar的条件下，以硅烷为硅源，生长8～12nm GaN垒层，其中硅掺杂浓度为3e17～3e18cm-3；
进一步优选的，步骤C中，生长GaN垒层，是指：在气氛为氮气的反应室内，通入三甲基镓，在温度为830℃，压力为200mbar的条件下，以硅烷为硅源，生长10nm GaN垒层。
9.根据权利要求1所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其特征在于，所述InGaN/GaN多量子阱有源区包括3～15个周期的InGaN/GaN多量子阱；
进一步优选的，所述InGaN/GaN多量子阱有源区包括9个周期的InGaN/GaN多量子阱。
10.根据权利要求1所述的一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，生长所述非掺杂GaN层，是指：在1050～1150℃温度，以及550～650mbar压力范围条件下，生长厚度为2～4μm的所述非掺杂GaN层；
进一步优选的，在1080℃温度，以及600mbar压力条件下，生长厚度为2μm的所述非掺杂GaN层；
步骤(1)中，生长所述n型GaN层，是指：在1050～1150℃温度，以及550～650mbar压力范围条件下，生长厚度为2～4μm的所述n型GaN层；
进一步优选的，在1080℃温度，以及600mbar压力条件下，生长厚度为2.5μm的所述n型GaN层，其中硅掺杂浓度为8e18～8e19cm-3；
所述InGaN/GaN超晶格应力释放层包括5～15个周期的InGaN/GaN超晶格，InGaN/GaN超晶格包括InGaN层、GaN层，InGaN层厚度为1～2nm，In含量1～6％，GaN层厚度为2～5nm；
进一步优选的，所述InGaN/GaN超晶格应力释放层包括10个周期的InGaN/GaN超晶格，InGaN/GaN超晶格包括InGaN层、GaN层，InGaN层厚度为1nm，In含量2％，GaN层厚度为3nm；
步骤(3)中，生长所述p型AlGaN电子阻挡层，是指：在1000℃温度，以及200～300mbar压力条件下，生长厚度为25～35nm的所述p型AlGaN电子阻挡层，其中Al组分约为15％，Mg掺杂浓度为4e19～6e19cm-3；
进一步优选的，在200mbar压力条件下，生长厚度为30nm的所述p型AlGaN电子阻挡层，
步骤(3)中，生长所述p型GaN层，是指：在950℃温度，以及200～300mbar压力条件下，生长厚度为150～400nm的所述p型GaN层，其中Mg掺杂浓度为8e19～1.5e20cm-3；
进一步优选的，在200mbar压力条件下，生长厚度为200nm的所述p型GaN层；
步骤(3)中，生长所述p型InGaN欧姆接触层，是指：在780℃温度，以及300mbar压力条件下，生长厚度为2～5nm的所述p型InGaN欧姆接触层，其中Mg掺杂浓度约为2.1e20cm-3；
进一步优选的，生长厚度为2.5nm的所述p型InGaN欧姆接触层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010806206.9A CN111916538B (zh) | 2020-08-12 | 2020-08-12 | 一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010806206.9A CN111916538B (zh) | 2020-08-12 | 2020-08-12 | 一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111916538A true CN111916538A (zh) | 2020-11-10 |
| CN111916538B CN111916538B (zh) | 2024-03-26 |
Family
ID=73284334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010806206.9A Active CN111916538B (zh) | 2020-08-12 | 2020-08-12 | 一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111916538B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113555475A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-10-26 | 圆融光电科技股份有限公司 | Uvled外延结构及其制备方法、uvled芯片 |
| CN116111455A (zh) * | 2023-03-08 | 2023-05-12 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 一种GaN基激光器及其制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235758A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法 |
| US20120205613A1 (en) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | The Royal Institution For The Advancement Of Learning / Mcgill University | High Efficiency Broadband Semiconductor Nanowire Devices and Methods of Fabricating without Foreign Catalysis |
| US20160276529A1 (en) * | 2015-03-20 | 2016-09-22 | Enraytek Optoelectronics Co., Ltd. | Gan-based led epitaxial structure and preparation method thereof |
| WO2018076407A1 (zh) * | 2016-10-31 | 2018-05-03 | 华南理工大学 | 生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱led及其制备方法 |
| CN109755361A (zh) * | 2017-11-07 | 2019-05-14 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种提高势阱质量的led外延结构及其制备方法 |
| CN110620168A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-27 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led外延生长方法 |
| CN111223764A (zh) * | 2020-03-18 | 2020-06-02 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种提高辐射复合效率的led外延生长方法 |
-
2020
- 2020-08-12 CN CN202010806206.9A patent/CN111916538B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235758A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法 |
| US20120205613A1 (en) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | The Royal Institution For The Advancement Of Learning / Mcgill University | High Efficiency Broadband Semiconductor Nanowire Devices and Methods of Fabricating without Foreign Catalysis |
| US20160276529A1 (en) * | 2015-03-20 | 2016-09-22 | Enraytek Optoelectronics Co., Ltd. | Gan-based led epitaxial structure and preparation method thereof |
| WO2018076407A1 (zh) * | 2016-10-31 | 2018-05-03 | 华南理工大学 | 生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱led及其制备方法 |
| CN109755361A (zh) * | 2017-11-07 | 2019-05-14 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种提高势阱质量的led外延结构及其制备方法 |
| CN110620168A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-27 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led外延生长方法 |
| CN111223764A (zh) * | 2020-03-18 | 2020-06-02 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种提高辐射复合效率的led外延生长方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113555475A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-10-26 | 圆融光电科技股份有限公司 | Uvled外延结构及其制备方法、uvled芯片 |
| CN116111455A (zh) * | 2023-03-08 | 2023-05-12 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 一种GaN基激光器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111916538B (zh) | 2024-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101488550B (zh) | 高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法 | |
| CN115458650B (zh) | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 | |
| CN104409587B (zh) | 一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法 | |
| WO2017071400A1 (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| CN105103309A (zh) | 紫外发光器件 | |
| CN109360877B (zh) | 一种具有In和Al掺杂，In渐变生长的低温P型GaN外延方法 | |
| CN101355127B (zh) | 提高ⅲ族氮化物发光效率的led量子阱结构及其生长方法 | |
| CN115188863B (zh) | 发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN114883462B (zh) | 发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN111916538B (zh) | 一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法 | |
| CN108447952B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | |
| JP2023511822A (ja) | マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル構造及びその製造方法 | |
| CN115458649A (zh) | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 | |
| CN102044606A (zh) | 一种led外延片及其外延生长方法 | |
| CN109755361A (zh) | 一种提高势阱质量的led外延结构及其制备方法 | |
| CN110620168A (zh) | 一种led外延生长方法 | |
| US20100270583A1 (en) | Manufacturing method of nitride semi-conductor layer, and a nitride semi-conductor light emitting device with its manufacturing method | |
| CN110610849B (zh) | 一种InGaN半导体材料及其外延制备方法和应用 | |
| CN116960248A (zh) | 一种发光二极管外延片及制备方法 | |
| CN114141917B (zh) | 一种低应力GaN基发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN108461582B (zh) | 一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片 | |
| CN116435424A (zh) | 一种辐射复合效率高的发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN114843378A (zh) | 一种多量子阱基发光二极管及其制备方法 | |
| KR100881053B1 (ko) | 질화물계 발광소자 | |
| CN114497306B (zh) | 一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |