CN111900521A - 硅基微同轴结构 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 306
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 304
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 304
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 242
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 107
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 107
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 17
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 19
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基微同轴结构，包括：上层硅片、中层硅片和下层硅片；所述上层硅片上设置有第一凹槽，在距离所述上层硅片的外边缘第一预设距离的位置截止；所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多个第一通孔；所述中层硅片包括U型硅片、芯子硅片、多个左支撑梁硅片和多个右支撑梁硅片，并设置有贯穿上下表面的多个第二通孔；所述下层硅片设置有转接凹槽、第三凹槽、焊盘、转接支撑结构、第三通孔、第四通孔和多个第五通孔；上层硅片、中层硅片和下层硅片通过预设区域的金属层键合，使第一凹槽、U型硅片和第三凹槽形成包围芯子硅片且填充空气的空腔，与芯子硅片构成同轴结构，传输性能好且易于集成。
Description
技术领域
本发明属于射频微波技术领域，尤其涉及一种硅基微同轴结构。
背景技术
近年来，微波集成电路和射频微系统的发展极大地促进了射频器件的多功能化和小型化，也对射频传输线提出了更高频、更小型和更低损的要求。但是，由于现有微波集成电路中多采用基于平面印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)技术的微带线、共面波导和带状线等开腔形式的平面半开放结构，集成度较高时，传输线间信号耦合和辐射损耗较大，且应用频率受限。平面工艺的微波集成电路技术很难进一步实现射频和微波系统的集成化与微型化。
随着微机电系统(Micro Electro Mechanical System，MEMS)技术的发展，通过光刻、溅射等微加工工艺手段精确实现的微同轴传输线成为改善传输线高频性能的重要研究方向。但是现有的微同轴结构的传输性能难以保证，难以形成精确的互连，不易集成。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种硅基微同轴结构，以解决现有技术中的微同轴传输线的传输性能较差、不易集成的问题。
本发明实施例提供了一种硅基微同轴结构，包括：上层硅片、中层硅片和下层硅片；
所述上层硅片上设置有第一凹槽，所述第一凹槽的一端沿信号传输方向贯穿所述上层硅片，所述第一凹槽的另一端在距离所述上层硅片的外边缘第一预设距离的位置截止；所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多个第一通孔；
所述中层硅片包括U型硅片、芯子硅片、多个左支撑梁硅片和多个右支撑梁硅片；所述芯子硅片设置在所述U型硅片内；间隔排列的所述多个左支撑梁硅片一端连接所述U型硅片的左侧壁，另一端连接所述芯子硅片；间隔排列的所述多个右支撑梁硅片一端连接所述芯子硅片，另一端连接所述U型硅片的右侧壁；所述中层硅片的U弯上设置有贯穿上下表面的多个第二通孔；
所述下层硅片设置有第二凹槽，第二凹槽包括转接凹槽和第三凹槽；所述下层硅片的下表面设置有焊盘，所述焊盘上设置有贯穿所述焊盘和所述下层硅片的第三通孔；所述转接凹槽内设置有转接支撑结构，所述转接支撑结构上设置有第四通孔；其中，所述第三通孔与所述第四通孔位置对应且连通；所述转接凹槽周围设置有多个第五通孔；
所述上层硅片、中层硅片和下层硅片的预设区域设置有金属层，以使所述上层硅片、中层硅片和下层硅片通过所述金属层键合，并使所述第一凹槽、所述U型硅片和所述第三凹槽形成包围所述芯子硅片的空腔，构成同轴结构；其中，所述芯子硅片连接并覆盖所述转接支撑结构。
可选的，所述上层硅片的下表面设置有第一金属层；其中，设置有所述第一凹槽的一面为所述上层硅片的下表面；
所述U型硅片的上下表面设置有第二金属层；当所述芯子硅片的一端与所述U型硅片的U弯处连接时，芯子硅片中除距离所述U型硅片的边缘第二预设距离内的部分之外，其余芯子硅片的外表面均设置有第二金属层；当所述芯子硅片的一端不与所述U型硅片的U弯处连接时，所述芯子硅片的外表面设置有第二金属层；
所述下层硅片的上表面中，除所述转接凹槽所对应的区域之外，均设置第三金属层；所述芯子硅片与所述转接支撑结构的连接面设置第三金属层；
所述下层硅片的下表面中，所述焊盘所对应的区域和所述转接凹槽在所述下层硅片的下表面的投影对应的区域之外的区域，均设置有第三金属层。
可选的，所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层用于依次将所述上层硅片、所述中层硅片和所述下层硅片键合连接。
可选的，所述多个第一通孔的通孔内部、所述多个第二通孔结构的通孔内部、所述第三通孔的通孔内部、所述第四通孔的通孔内部、所述多个第五通孔的通孔内部设置有第四金属层。
可选的，所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层采用的金属均为同种金属。
可选的，所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层采用的金属为金。
可选的，所述多个左支撑梁硅片间隔第三预设距离进行设置；
所述多个右支撑梁硅片间隔第四预设距离进行设置；
每个左支撑梁硅片与每个右支撑梁硅片的位置一一对应或不对应。
可选的，所述第一凹槽、所述转接凹槽和所述第三凹槽为矩形凹槽；
其中，所述第三凹槽与所述第一凹槽的宽度与深度相同，且在信号传输的垂直方向上边缘对齐；
所述转接凹槽在信号传输方向上的横截面的宽度大于所述第三凹槽在信号传输方向上的横截面的宽度。
可选的，所述多个第一通孔包括多个围绕所述第一凹槽的矩形通孔；
所述多个第二通孔包括多个围绕所述中层硅片的U弯的矩形通孔；
所述多个第五通孔包括多个围绕所述转接凹槽的多个圆形通孔排列组成的通孔阵列；
所述多个第一通孔、所述多个第二通孔和所述多个第五通孔连通，且位置一一对应。
可选的，所述转接支撑结构包括支撑区结构和通孔区结构；
所述通孔区结构包括设置有所述第四通孔的长方体，其中，所述第四通孔包括矩形通孔；所述通孔区结构的一端与所述转接凹槽连接，另一端连接所述芯子硅片；
所述支撑区结构包括设置于所述通孔区结构和所述转接凹槽的槽壁之间的第一支撑梁和第二支撑梁，用于支撑所述通孔区结构；其中，所述第一支撑梁和第二支撑梁位于所述通孔区结构相对的两侧，且位置对应。
本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：本发明实施例提出包括三层的硅片层的硅基微同轴结构，通过键合上中下三层硅片层，使U型硅片、上层硅片刻蚀的第一凹槽和下层硅片刻蚀的第三凹槽形成包围芯子硅片的空腔，通过在预设位置铺设金属层和通孔，形成芯子和地的同轴传输结构，使得传输信号在可以空腔内进行传输，信号在该空腔内传输时近乎全封闭，损耗极低，从而提高了传输性能。且该微同轴通过支撑梁硅片将芯子硅片支撑在空腔之间，保证了芯子的稳定性以及芯子的长度，进而提高了传输性能。本发明实施例中的硅基微同轴结构还具有转接功能，通过设立在转接凹槽中的转接支撑结构、焊盘、多种通孔结构以及预设位置的金属层，可以将芯子和地构成的同轴结构引出至下层硅片的表面，从而可以实现3D垂直互联，更易于集成。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的上层硅片的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的中层硅片的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的下层硅片的上表面的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的下层硅片的下表面的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的硅基微同轴结构的一个角度的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的硅基微同轴结构的另一个角度的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的另一种中层硅片的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的另一种下层硅片的上表面的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的转接支撑结构的结构示意图。
具体实施方式
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
图1至图5为本发明实施例提供的硅基微同轴结构的示意图，请联合参示图1至图5，该硅基微同轴结构包括：上层硅片100、中层硅片200和下层硅片300。
参示图1，所述上层硅片100上设置有第一凹槽110，所述第一凹槽110的一端沿信号传输方向贯穿所述上层硅片100，所述第一凹槽110的另一端在距离所述上层硅片100的外边缘第一预设距离的位置截止；所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多个第一通孔120。
参示图2，所述中层硅片200包括U型硅片210、芯子硅片220、多个左支撑梁硅片230和多个右支撑梁硅片240；所述芯子硅片220设置在所述U型硅片210内；间隔排列的所述多个左支撑梁硅片230一端连接所述U型硅片210的左侧壁，另一端连接所述芯子硅片220；间隔排列的所述多个右支撑梁硅片240一端连接所述芯子硅片220，另一端连接所述U型硅片210的右侧壁；所述中层硅片200的U弯上设置有贯穿上下表面的多个第二通孔250。
参示图3和图4，所述下层硅片300设置有第二凹槽，第二凹槽包括转接凹槽310和第三凹槽320；所述下层硅片的下表面设置有焊盘330，所述焊盘330上设置有贯穿所述焊盘330和所述下层硅片330的第三通孔340；所述转接310凹槽内设置有转接支撑结构350，所述转接支撑结构350上设置有第四通孔360；其中，所述第三通孔340与所述第四通孔360位置对应且连通；所述转接凹槽310周围设置有多个第五通孔370。
参示图1至图4，所述上层硅片100、中层硅片200和下层硅片300的预设区域设置有金属层，以使所述上层硅片100、中层硅片200和下层硅片300通过所述金属层键合，并使所述第一凹槽110、所述U型硅片210和所述第三凹槽320形成包围所述芯子硅片220的空腔，构成同轴结构；其中，所述芯子硅片220连接并覆盖所述转接支撑结构350。其中，可以根据芯子硅片220传输的信号的频率范围、阻抗等指标设置第一凹槽110和第三凹槽320的形状、宽度和深度，芯子硅片220的宽度小于第一凹槽110的宽度。转接凹槽310的深度也可以根据频率和性能要求进行优化，但不贯通所述下层硅片300。
本发明实施例中，在预设位置镀金属层用于使上述硅片结构对应形成芯子和地，从而形成同轴结构，本实施例中，上述预设位置如图1至图4中的填充的位置所示。
本发明实施例提供的硅基微同轴结构的整体结构如图5与图6所示，为了方便整体的结构表示，图5与图6中的未对镀金属层的区域进行填充表示，具体的镀金属层区域请参示上文所述的图1至图4。
本发明实施例提出包括三层的硅片层的硅基微同轴结构，由图5和图6示出的，通过键合上中下三层硅片层，使U型硅片、上层硅片刻蚀的第一凹槽和下层硅片刻蚀的第三凹槽形成包围芯子硅片的空腔，通过在预设位置铺设金属层和通孔，形成芯子和地的同轴传输结构，空腔结构内填充空气，传输信号在可以空腔内进行传输，信号在该空腔结构内传输时在非传输方向上近乎全封闭，因此损耗极低，不仅提高了传输性能，还提供了一定的水密特性。该微同轴通过支撑梁硅片将芯子硅片支撑在空腔之间，保证了芯子的稳定性以及芯子的长度，进而提高了传输性能。本发明实施例中的硅基微同轴结构还具有转接功能，通过设立在转接凹槽中的转接支撑结构、焊盘、多种通孔结构以及预设位置的金属层，可以将芯子和地构成的同轴结构引出至下层硅片的表面，从而可以实现3D垂直互联，更易于集成。
一些实施例中，参示图1，所述上层硅片100的下表面设置有第一金属层；其中，设置有所述第一凹槽110的一面为所述上层硅片的下表面。
一些实施例中，参示图2，所述U型硅片210的上下表面设置有第二金属层。所述芯子硅片220的一端与所述U型硅片210的U弯处连接，芯子硅片220中除距离所述U型硅片210的边缘第二预设距离内的部分之外，其余芯子硅片210的外表面均设置有第二金属层(参见图2中的填充部分)。设置第二金属层的芯子硅片用于形成传输芯子，设置第二金属层的U型硅片则用于形成周围的地，而设置距离所述U型硅片210的边缘第二预设距离内的部分的芯子硅片不镀第二金属层，则是防止形成的传输芯子与周围的地进行连接，防止破坏信号的传输。
一些实施例中，参示图7，当所述芯子硅片720的一端不与所述U型硅片210的U弯处连接时，所述芯子硅片720的外表面可以全部设置有第二金属层。
一些实施例中，参示图3，所述下层硅片300的上表面中，除所述转接凹槽310所对应的区域之外，均设置第三金属层。当下层硅片和中层硅片进行键合时，镀有金属层的芯子硅片将连接且覆盖转接支撑的第四通孔区域，因此，为了形成芯子的对外输出端口，所述芯子硅片与所述转接支撑结构的连接面也设置第三金属层(即图3中的填充部分)。
一些实施例中，参示图4，所述下层硅片300的下表面中，所述焊盘330所对应的区域和所述转接凹槽在所述下层硅片300的下表面的投影对应的区域之外的区域，均设置有第三金属层(即图4中的填充部分)。
一些实施例中，所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层用于依次将所述上层硅片、所述中层硅片和所述下层硅片键合连接。
一些实施例中，所述多个第一通孔的通孔内部、所述多个第二通孔结构的通孔内部、所述第三通孔的通孔内部、所述第四通孔的通孔内部、所述多个第五通孔的通孔内部设置有第四金属层(即图1至图4中各个通孔的填充部分)。
本发明实施例中，在所述多个第一通孔的通孔内部设置第四金属层，可以通过所述多个第一通孔将上层硅片的下表面的第一金属层和U型硅片的上表面的第二金属层进行连接；在所述多个第二通孔结构的通孔内部置第四金属层，可以将U型硅片的上下表面的第二金属层进行连接；在所述多个第五通孔的通孔内部设置第四金属层，可以将U型硅片的下表面的第二金属层和下层硅片的上表面中除所述转接凹槽所对应的区域之外的第三金属层进行连接，同时将下层硅片的上表面中除所述转接凹槽310所对应的区域之外的第三金属层和下层硅片的下表面中所述转接凹槽在所述下层硅片的下表面的投影对应的区域之外的区域的第三金属层进行连接，即对同轴芯子结构的周边地进行了引出；通过在所述第三通孔的通孔内部和所述第四通孔的通孔内部设置第四金属层，可以使焊盘依次与所述第三通孔、所述第四通孔和所述芯子硅片连接，从而将芯子引出到下层硅片的下表面。
一些实施例中，所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层采用的金属均为同种金属。
一些实施例中，所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层采用的金属为金。
一些实施例中，可以采用电镀的方式设置第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层。
当第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层采用的金属都为金时，可以采用金金键合工艺，通过第一金属层、第二金属层和第三金属层依次将上层硅片100、中层硅片200和下层硅片300键合连接，形成基于MEMS工艺的硅基微同轴结构。
一些实施例中，所述多个左支撑梁硅片间隔第三预设距离进行设置；所述多个右支撑梁硅片间隔第四预设距离进行设置；每个左支撑梁硅片与每个右支撑梁硅片的位置一一对应或不对应。
本发明实施例中，参示图2，制作中层硅片200时，可以利用MEMS工艺进行硅的深刻蚀，将完整的硅片刻蚀为由U型硅片210、芯子硅片220、多个左支撑梁硅片230和多个右支撑梁硅片240组成的中层硅片200的结构，多个左支撑梁硅片230和多个右支撑梁硅片240用于支撑中间的芯子硅片220，保证芯子硅片220的长度和牢固性。本发明实施例中，第三预设距离和第四预设距离可以相等也可以不相等，当多个左支撑梁硅片230之间的第一预设距离与多个右支撑梁硅片240之间的第二预设距离相同时，多个左支撑梁硅片230中的每个支撑梁硅片与多个右支撑梁硅片240中的每个支撑梁硅片的位置可以一一对应，如图2所示。或者，当多个左支撑梁硅片230之间的第一预设距离与多个右支撑梁硅片240之间的第二预设距离相同时，多个左支撑梁硅片230中的每个支撑梁硅片与多个右支撑梁硅片240中的每个支撑梁硅片的位置不对应。或者，当多个左支撑梁硅片230之间的第一预设距离与多个右支撑梁硅片240之间的第二预设距离不相同时，多个左支撑梁硅片230中的每个支撑梁硅片与多个右支撑梁硅片240中的每个支撑梁硅片的位置不对应。多个左支撑梁硅片230之间的第三预设距离和多个右支撑梁硅片240之间的第四预设距离以能够支撑中间的芯子硅片220和保证芯子硅片220的长度、牢固性为目的进行设置，对此不进行限定。
一些实施例中，所述第一凹槽、所述转接凹槽和所述第三凹槽为矩形凹槽；其中，所述第三凹槽与所述第一凹槽的宽度与深度相同，且在信号传输的垂直方向上边缘对齐；所述转接凹槽在信号传输方向上的横截面的宽度大于所述第三凹槽在信号传输方向上的横截面的宽度。
本发明实施例中，参示图1和图3，所述第一凹槽110、所述转接凹槽310和所述第三凹槽320为矩形凹槽；其中，所述第三凹槽320与所述第一凹槽110的宽度与深度相同，且在信号传输的垂直方向上边缘对齐；所述转接凹槽310在信号传输方向上的横截面的宽度大于所述第三凹槽320在信号传输方向上的横截面的宽度。上述设置易于工艺制作，且可以进一步提高信号传输的性能。
一些实施例中，所述多个第一通孔包括多个围绕所述第一凹槽的矩形通孔；所述多个第二通孔包括多个围绕所述中层硅片的U弯的矩形通孔；所述多个第五通孔包括多个围绕所述转接凹槽的多个圆形通孔排列组成的通孔阵列；所述多个第一通孔、所述多个第二通孔和所述多个第五通孔连通，且位置一一对应。
参示图1至图4，所述多个第一通孔120为三个围绕在第一凹槽110周围的矩形通孔；所述多个第二通孔250为三个与所述多个第一通孔120对应的，围绕在所述中层硅片200的U弯的矩形通孔；所述多个第五通孔370为三个与所述多个第二通孔250的位置对应的，由多个圆形通孔排列组成的围绕在转接凹槽310周围的通孔阵列。将第一通孔、第二通孔设置为矩形，可以减小工艺制作的难度，而将第五通孔设置为多个圆形通孔排列组成的通孔阵列，可以将微同轴结构的地更好的引出。
一些实施例中，参示图4和图8，所述多个第五通孔370在所述下层硅片300的下表面为多个圆形通孔排列组成的通孔阵列，在所述下层硅片300的上表面为三个围绕在转接凹槽310周围的矩形通孔，上述两类通孔在所述下层硅片300的内部相连通。
一些实施例中，所述转接支撑结构包括支撑区结构和通孔区结构；所述通孔区结构包括设置有所述第四通孔的长方体，其中，所述第四通孔包括矩形通孔；所述通孔区结构的一端与所述转接凹槽连接，另一端连接所述芯子硅片；所述支撑区结构包括设置于所述通孔区结构和所述转接凹槽的槽壁之间的第一支撑梁和第二支撑梁，用于支撑所述通孔区结构；其中，所述第一支撑梁和第二支撑梁位于所述通孔区结构相对的两侧，且位置对应。
本发明实施例中，参示图9，所述转接支撑结构350包括支撑区结构和通孔区结构352；所述通孔区结构352包括设置有所述第四通孔的长方体，其中，所述第四通孔360包括矩形通孔；所述通孔区结构352的一端与所述转接凹槽310的槽底连接，另一端连接所述芯子硅片；所述支撑区结构包括设置于所述通孔区结构352和所述转接凹槽310的槽壁之间的第一支撑梁3511和第二支撑梁3512，用于支撑所述通孔区结构352；其中，所述第一支撑梁3511和第二支撑梁3512位于所述通孔区结构352相对的两侧，且位置对应。上述设置可以提高转接支撑结构的稳定性，保证第四通孔的连通性。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种硅基微同轴结构，其特征在于，包括：上层硅片、中层硅片和下层硅片；
所述上层硅片上设置有第一凹槽，所述第一凹槽的一端沿信号传输方向贯穿所述上层硅片，所述第一凹槽的另一端在距离所述上层硅片的外边缘第一预设距离的位置截止；所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多个第一通孔；
所述中层硅片包括U型硅片、芯子硅片、多个左支撑梁硅片和多个右支撑梁硅片；所述芯子硅片设置在所述U型硅片内；间隔排列的所述多个左支撑梁硅片一端连接所述U型硅片的左侧壁，另一端连接所述芯子硅片；间隔排列的所述多个右支撑梁硅片一端连接所述芯子硅片，另一端连接所述U型硅片的右侧壁；所述中层硅片的U弯上设置有贯穿上下表面的多个第二通孔；
所述下层硅片设置有第二凹槽，第二凹槽包括转接凹槽和第三凹槽；所述下层硅片的下表面设置有焊盘，所述焊盘上设置有贯穿所述焊盘和所述下层硅片的第三通孔；所述转接凹槽内设置有转接支撑结构，所述转接支撑结构上设置有第四通孔；其中，所述第三通孔与所述第四通孔位置对应且连通；所述转接凹槽周围设置有多个第五通孔；
所述上层硅片、中层硅片和下层硅片的预设区域设置有金属层，以使所述上层硅片、中层硅片和下层硅片通过所述金属层键合，并使所述第一凹槽、所述U型硅片和所述第三凹槽形成包围所述芯子硅片的空腔，构成同轴结构；其中，所述芯子硅片连接并覆盖所述转接支撑结构。
2.如权利要求1所述的硅基微同轴结构，其特征在于，
所述上层硅片的下表面设置有第一金属层；其中，设置有所述第一凹槽的一面为所述上层硅片的下表面；
所述U型硅片的上下表面设置有第二金属层；当所述芯子硅片的一端与所述U型硅片的U弯处连接时，芯子硅片中除距离所述U型硅片的边缘第二预设距离内的部分之外，其余芯子硅片的外表面均设置有第二金属层；当所述芯子硅片的一端不与所述U型硅片的U弯处连接时，所述芯子硅片的外表面设置有第二金属层；
所述下层硅片的上表面中，除所述转接凹槽所对应的区域之外，均设置第三金属层；所述芯子硅片与所述转接支撑结构的连接面设置第三金属层；
所述下层硅片的下表面中，所述焊盘所对应的区域和所述转接凹槽在所述下层硅片的下表面的投影对应的区域之外的区域，均设置有第三金属层。
3.如权利要求2所述的硅基微同轴结构，其特征在于，
所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层用于依次将所述上层硅片、所述中层硅片和所述下层硅片键合连接。
4.如权利要求2所述的硅基微同轴结构，其特征在于，
所述多个第一通孔的通孔内部、所述多个第二通孔结构的通孔内部、所述第三通孔的通孔内部、所述第四通孔的通孔内部、所述多个第五通孔的通孔内部设置有第四金属层。
5.如权利要求4所述的硅基微同轴结构，其特征在于，
所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层采用的金属均为同种金属。
6.如权利要求5所述的硅基微同轴结构，其特征在于，
所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层采用的金属为金。
7.如权利要求1所述的硅基微同轴结构，其特征在于，
所述多个左支撑梁硅片间隔第三预设距离进行设置；
所述多个右支撑梁硅片间隔第四预设距离进行设置；
每个左支撑梁硅片与每个右支撑梁硅片的位置一一对应或不对应。
8.如权利要求1所述的硅基微同轴结构，其特征在于，
所述第一凹槽、所述转接凹槽和所述第三凹槽为矩形凹槽；
其中，所述第三凹槽与所述第一凹槽的宽度与深度相同，且在信号传输的垂直方向上边缘对齐；
所述转接凹槽在信号传输方向上的横截面的宽度大于所述第三凹槽在信号传输方向上的横截面的宽度。
9.如权利要求1所述的硅基微同轴结构，其特征在于，
所述多个第一通孔包括多个围绕所述第一凹槽的矩形通孔；
所述多个第二通孔包括多个围绕所述中层硅片的U弯的矩形通孔；
所述多个第五通孔包括多个围绕所述转接凹槽的多个圆形通孔排列组成的通孔阵列；
所述多个第一通孔、所述多个第二通孔和所述多个第五通孔连通，且位置一一对应。
10.如权利要求1所述的硅基微同轴结构，其特征在于，所述转接支撑结构包括支撑区结构和通孔区结构；
所述通孔区结构包括设置有所述第四通孔的长方体，其中，所述第四通孔包括矩形通孔；所述通孔区结构的一端与所述转接凹槽连接，另一端连接所述芯子硅片；
所述支撑区结构包括设置于所述通孔区结构和所述转接凹槽的槽壁之间的第一支撑梁和第二支撑梁，用于支撑所述通孔区结构；其中，所述第一支撑梁和第二支撑梁位于所述通孔区结构相对的两侧，且位置对应。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202010519141.XA CN111900521B (zh) | 2020-06-09 | 2020-06-09 | 硅基微同轴结构 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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| CN111900521A true CN111900521A (zh) | 2020-11-06 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202010519141.XA Active CN111900521B (zh) | 2020-06-09 | 2020-06-09 | 硅基微同轴结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111900521B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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