CN215008191U - 一种毫米波芯片封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种毫米波芯片封装结构,其包括芯片载板;连接台,所述连接台连接在所述芯片载板上方两侧;基板,所述基板连接在所述芯片载板上方位于所述连接台之间位置;U型安装台,所述U型安装台连接在所述基板的上方;连接件,所述连接件设置在所述U型安装台的U型槽底部;毫米波芯片,所述毫米波芯片与连接件连接;阻抗匹配结构,所述阻抗匹配结构与所述毫米波芯片的输出端连接;外接引脚,所述外接引脚连接在所述阻抗匹配结构的上方;U型芯片盖板,所述U型芯片盖板与所述连接台连接;金属脊,所述金属脊连接在所述U型芯片盖板的U型槽底部。本实用新型结构简单、操作方便、降低劳动强度、提高工作效率。
Description
技术领域
本实用新型属于芯片封装技术领域,具体涉及一种毫米波芯片封装结构。
背景技术
近年来,毫米波电路被广泛应用于无线通信、成像、汽车雷达等系统中。而高性能的多通道毫米波芯片是系统的核心部分,对于批量生产的商业应用而言,封装技术正变得愈发重要。对于毫米波封装而言,紧凑的尺寸,较低的射频转接损耗、良好的温度性能是相较于传统低频封装最重要的挑战。为了解决上述三点问题,金丝键合和Flip chip类型的封装得到了一定的发展。金丝键合的方式被广泛应用在裸片和PCB之间的互联,由于键合线较短且额外的匹配结构可以在一定程度上保证射频性能,实现低损耗的信号传输,同时也可以建立芯片收发通道与外部天线的连接。但由于在量产时键合的一致性无法保障,同时键合线容易受到环境的干扰,因此金丝键合类型的封装在量产应用中未得到广泛应用。Flipchip类型的封装类似于芯片尺寸封装(Chip Scale Package),转接结构较短的特点使它具有较为一致的性能和宽带的特性。但对于当前多通道的雷达或者通信芯片而言,高集成度使得芯片的引脚数大大增多,Flip chip类型的封装无法满足于引脚数量较多的芯片。
鉴于此,FOWLP因其具备低损耗,低剖面,良好的电性能和较多引脚数的特性,被工业界和学术界广泛研究。该种类型封装采用RDL把芯片引脚和封装焊球之间的连接扇出,RDL的采用使得封装布线有很高的灵活度,同时扇出的连接类型保证了高集成度芯片具备较高的引脚数。
对于毫米波封装的测试而言,因为该频段仪器设备的接口通常为波导形式,转接到波导接口是一种常用的测试方案。但由于标准波导件尺寸较大,在应用于多通道测试时,需要很长的传输线才能把信号转接到波导口上。较长的传输线对于毫米波频段的信号电尺寸较大,信号在传输过程中形成了若干谐振点,同时长传输线的线损也较大,增大了测试误差。因此传统的波导测试方案对于尺寸较小的毫米波封装而言并不实用。
公布号为CN211404488公开了一种毫米波芯片封装结构及测试结构,毫米波芯片封装结构包括裸片以及用于裸片扇出的再分配层;其特征在于:所述再分配层为地-信号-地结构,再分配层的信号结构被其周围的地结构包围。所述信号结构包括圆形部和与圆形部连接的延伸部;两个地结构位于所述的延伸部的两侧。
现有技术存在的问题是:现有的毫米波芯片封装结构加工组装比较负责,生产效率低,同时不具有阻抗匹配结构,传输效率低。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种毫米波芯片封装结构,结构简单,操作方便。
本实用新型提供了如下的技术方案:一种毫米波芯片封装结构,包括:
芯片载板;
连接台,所述连接台连接在所述芯片载板上方两侧;
基板,所述基板连接在所述芯片载板上方位于所述连接台之间位置;
U型安装台,所述U型安装台连接在所述基板的上方;
连接件,所述连接件设置在所述U型安装台的U型槽底部;
毫米波芯片,所述毫米波芯片与连接件连接;
阻抗匹配结构,所述阻抗匹配结构与所述毫米波芯片的输出端连接;
外接引脚,所述外接引脚连接在所述阻抗匹配结构的上方;
U型芯片盖板,所述U型芯片盖板与所述连接台连接;
金属脊,所述金属脊连接在所述U型芯片盖板的U型槽底部。
优选的,所述连接台为U型结构,且所述连接台的U型槽底部设有粘接剂。
优选的,所述基板包括底部金属层、顶部金属层和绝缘层,所述底部金属层与所述芯片载板连接,所述绝缘层与所述底部金属层连接,所述顶部金属层与所述绝缘层连接。
优选的,所述U型芯片盖板上设有与外接引脚相配合的第一通孔。
优选的,所述U型安装台上设有三个通孔,金属柱和信号柱分别穿过通孔与所述毫米波芯片连接。
优选的,所述基板的绝缘层上设有多个基板通孔。
优选的,所述金属脊与U型芯片盖板之间为可拆卸固定连接。
本实用新型的有益效果为:1、采用一次性封装结构,便于操作,降低加工难度;2、增加阻抗匹配机构,能够提升能量传输的效率;3具有良好的空间隔离性能;4、结构简单操作方便。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1是本实用新型结构示意图。
图中:1芯片载板、2基板、21底部金属层、22顶部金属层、23绝缘层、 3连接台、4U型芯片盖板、41第一通孔、42金属脊、5阻抗匹配结构、51外接引脚、6毫米波芯片、7U型安装台、71金属柱、72信号柱、8连接件。
具体实施方式
下面将结合本实用新型中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域技术人员在没有创造性成果的前提下获得的其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图所示,本实用新型提供一种技术方案:一种毫米波芯片封装结构,包括:
芯片载板1;连接台3,所述连接台3连接在所述芯片载板1上方两侧,所述连接台3为U型结构,且所述连接台3的U型槽底部设有粘接剂,U型芯片盖板4,所述U型芯片盖板4与所述连接台3连接,金属脊42,所述金属脊42 可拆卸固定连接在所述U型芯片盖板4的U型槽底部,金属脊42能够在U型芯片盖板4和芯片载板1形成的金属腔体中实现延伸,使得U型芯片盖板4和芯片载板1形成脊波导机构,从而产生耦合效应,起到抑制电磁能量在腔体中传输的作用,实现提供空间隔离度的功能,同时,U型芯片盖板4和芯片载板 1的连接方式简单快捷,能够实现一次封装,降低了加工难度;
基板2,所述基板2连接在所述芯片载板1上方位于所述连接台3之间位置,所述基板2包括底部金属层21、顶部金属层22和绝缘层23,所述底部金属层21与所述芯片载板1连接,所述绝缘层23与所述底部金属层21连接,所述顶部金属层22与所述绝缘层23连接,所述基板2的绝缘层23上设有多个基板通孔,通过基板通孔将顶部金属层22和底部金属层21电连接;
U型安装台7,所述U型安装台7连接在所述基板2的上方;所述U型安装台7上设有三个通孔,金属柱71和信号柱72分别穿过通孔与所述毫米波芯片6连接,以实现GSG柱机构,实现平滑的毫米波信号传输;连接件8,所述连接件8设置在所述U型安装台7的U型槽底部;毫米波芯片6,所述毫米波芯片6与连接件8连接;阻抗匹配结构5,所述阻抗匹配结构5与所述毫米波芯片6的输出端连接,阻抗匹配结构5能够起到调节阻抗,以提升传输效率的作用;
外接引脚51,所述外接引脚51连接在所述阻抗匹配结构5的上方;所述 U型芯片盖板4上设有与外接引脚51相配合的第一通孔41,能够便于装置的安装,同时,外接引脚51和第一通孔41的配合还能够起到定位的作用。
虽然本实用新型已按照上述具体实施方式做了描述,但是本实用新型的发明思想并不限于此实用新型,任何运用本实用新型思想的改进,都将纳入本专利专利权利的保护范围内。
Claims (7)
1.一种毫米波芯片封装结构,其特征在于,包括:
芯片载板(1);
连接台(3),所述连接台(3)连接在所述芯片载板(1)上方两侧;
基板(2),所述基板(2)连接在所述芯片载板(1)上方位于所述连接台(3)之间位置;
U型安装台(7),所述U型安装台(7)连接在所述基板(2)的上方;
连接件(8),所述连接件(8)设置在所述U型安装台(7)的U型槽底部;
毫米波芯片(6),所述毫米波芯片(6)与连接件(8)连接;
阻抗匹配结构(5),所述阻抗匹配结构(5)与所述毫米波芯片(6)的输出端连接;
外接引脚(51),所述外接引脚(51)连接在所述阻抗匹配结构(5)的上方;
U型芯片盖板(4),所述U型芯片盖板(4)与所述连接台(3)连接;
金属脊(42),所述金属脊(42)连接在所述U型芯片盖板(4)的U型槽底部。
2.根据权利要求1所述的一种毫米波芯片封装结构,其特征在于:所述连接台(3)为U型结构,且所述连接台(3)的U型槽底部设有粘接剂。
3.根据权利要求1所述的一种毫米波芯片封装结构,其特征在于:所述基板(2)包括底部金属层(21)、顶部金属层(22)和绝缘层(23),所述底部金属层(21)与所述芯片载板(1)连接,所述绝缘层(23)与所述底部金属层(21)连接,所述顶部金属层(22)与所述绝缘层(23)连接。
4.根据权利要求1所述的一种毫米波芯片封装结构,其特征在于:所述U型芯片盖板(4)上设有与外接引脚(51)相配合的第一通孔(41)。
5.根据权利要求1所述的一种毫米波芯片封装结构,其特征在于:所述U型安装台(7)上设有三个通孔,金属柱(71)和信号柱(72)分别穿过通孔与所述毫米波芯片(6)连接。
6.根据权利要求1所述的一种毫米波芯片封装结构,其特征在于:所述基板(2)的绝缘层(23)上设有多个基板通孔。
7.根据权利要求1所述的一种毫米波芯片封装结构,其特征在于:所述金属脊(42)与U型芯片盖板(4)之间为可拆卸固定连接。
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