CN111900228A - 一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，属晶硅太阳电池技术领域。本发明包括如下功能层：晶硅衬底、钝化薄膜、钙钛矿薄膜、缓冲层、透明导电薄膜和电极；其组成顺序方式是：在晶硅衬底上沉积钝化薄膜，钙钛矿薄层沉积在钝化薄膜上，然后缓冲层制备在钙钛矿薄层上，在缓冲层上沉积透明导电薄膜，最后在透明导电薄膜上制备电极。本发明的电子选择性接触可以实现高效的电子选择功能，同时具有低的寄生光学吸收，或者被钙钛矿层吸收的光子能有效转化成电池的光电流并被输出，因而提高晶硅太阳电池的光谱响应，最终提高转换效率。并且该结构有利于实现结构简单、成本低廉的晶硅太阳电池。
Description
技术领域
本发明涉及晶硅太阳电池技术领域，尤其涉及构建晶硅太阳电池的电子选择性接触结构。
背景技术
实现优越的电子选择性接触对于制备高效太阳电池是一个关键因素。目前产业界，主要是基于以下几种常见的方式来实现晶硅太阳电池的电子选择性接触：
（1）在传统晶硅太阳电池中，通过磷源在硅衬底中进行高温扩散（>800°C）形成n型重掺杂晶硅薄层。目前这种电池的典型代表是所谓的PERC（即passivated emitter and rearcontact）电池。
（2）通过在晶硅表面生长重掺杂的n型非晶硅薄膜实现电子选择性接触，构成异质结太阳电池。这种电池的典型代表是HIT（heterojunction with intrinsic thin layer）电池。
（3）通过在晶硅表面生长超薄氧化硅作为隧穿层，同时配合重掺杂的n型微晶硅或多晶硅来实现载流子的选择性接触，构成所谓的TOPCon太阳电池。
在器件性能方面，尽管这几种电池结构都能实现较高的光电转换效率，但这几种太阳电池载流子的选择需依靠重掺杂的晶硅、非晶硅或多晶硅（微晶硅）。一方面不管是哪种形态的硅，其带隙都较窄（＜2 eV），会对可见光产生吸收；另一方面，重掺杂的硅（不管哪种形态）都具有严重的载流子复合。因而这重掺杂层中的光吸收不能有效转换成太阳电池的光生电流，制约了光谱响应的改善，进而影响转换效率的进一步提高。
此外，传统同质结太阳电池的载流子选择特性仍不够优越，而且金属电极直接与硅接触的区域具有高的缺陷态密度而导致严重的载流子复合，这些因素都制约了开路电压的提高。除了器件性能方面，传统的这几种太阳电池制备或者需要经历高温过程（>800°C），较为复杂的制备工艺，或者需要较高昂的初始投资成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提出一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触，它可以实现优越的电子选择功能同时能显著提升太阳电池的光谱响应，尤其是短波光谱响应，实现太阳电池高转换效率、低制备成本的目的。
本发明所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的。本发明是一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，其特点是：它包括如下功能层：晶硅衬底、钝化薄膜、钙钛矿薄膜、缓冲层、透明导电薄膜、电极；其组成顺序方式是：在晶硅衬底上沉积钝化薄膜，钙钛矿薄层沉积在钝化薄膜上，然后缓冲层制备在钙钛矿薄层上，接着在缓冲层上沉积透明导电薄膜，最后在透明导电薄膜上制备电极。
上述一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，优选的，所述晶硅衬底为n型或p型晶硅，其厚度为10-500μm。
上述一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，优选的，所述钝化薄膜主要起钝化晶硅表面缺陷的目的，典型材料为本征氢化非晶硅薄膜，二氧化硅薄膜，氧化铝薄膜，氮化硅薄膜，这些材料的厚度为0.5-10nm。
上述一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，优选的，所述钙钛矿薄膜具有与晶硅衬底匹配的能带结构，即与晶硅具有小的导带阶，有利于电子从晶硅向钙钛矿方向流动，但与晶硅具有较大的价带阶，有利于阻挡空穴从晶硅向钙钛矿方向流动。代表性材料如FAPbCl3和CsSnBr3，但不限于这两种材料。
上述一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，优选的，所述钙钛矿薄膜具有比晶硅低的功函数，有利于诱导晶硅的能带下弯，从而有利于电子从晶硅向钙钛矿薄膜传输。典型材料是钙钛矿氧化物，如SrVO3，但不限于这种材料。
上述一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，优选的，所述钙钛矿薄膜具有与晶硅衬底匹配的能带结构，即与晶硅具有小的导带阶，有利于电子从晶硅向钙钛矿方向流动，同时钙钛矿薄膜具有与晶硅相当或更低的功函数。代表性材料如MAPbI3，但不限于这种材料。
上述一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，优选的，所述钙钛矿薄膜厚度为1nm-10μm。
上述一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，优选的，所述缓冲层主要指通过原子层沉积或热蒸发等柔性方法沉积的电子传输性材料，典型材料如氧化锡、氧化钛和氧化锌等，但不限于这几种材料，厚度为1-20nm。
上述一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，优选的，所述透明导电薄膜指ITO、IWO、掺杂的氧化锌等，但不限于这几种材料，其厚度为50-100nm。
上述一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，优选的，所述电极为银电极、铜电极或铝电极。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
第一，本发明提出的电子选择性接触可以实现高效的电子选择功能，同时具有低的寄生光学吸收，或者被钙钛矿层吸收的光子能有效转化成电池的光电流并被输出，因而提高晶硅太阳电池的光谱响应，尤其是中短波段的光谱响应，最终提高转换效率。
第二，本发明提出的电子选择性接触有利于实现结构简单、成本低廉的晶硅太阳电池。
附图说明
图1是本发明面向晶硅太阳电池的电子选择性接触的结构示意图，图中，1是晶硅衬底，2是钝化薄膜，3是钙钛矿薄膜，4是缓冲层，5是透明导电薄膜，6是电极；
图2是本发明面向晶硅太阳电池的电子选择性接触中晶硅衬底和钙钛矿层之间的一种能带排列图和载流子输运示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例做进一步说明，以充分地了解本发明面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，需要指出的是实施例的列举旨在便于对本发明的理解，而对其不起任何限定作用。
实施例1，一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触：
包括如下功能层：晶硅衬底、钝化薄膜、钙钛矿薄膜、缓冲层、透明导电薄膜和电极；其组成顺序方式是：在晶硅衬底上沉积钝化薄膜，钙钛矿薄层沉积在钝化薄膜上，然后缓冲层制备在钙钛矿薄层上，在缓冲层上沉积透明导电薄膜，最后在透明导电薄膜上制备电极。
参照图1，1为n型晶硅衬底，厚度为180μm，2为5nm的氢化本征非晶硅薄膜，3是100nm的MAPbI3薄膜，4是10nm厚的氧化锡，5为75nm厚的ITO，6是银电极。
实施例2，一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触：
晶硅衬底为p型晶硅衬底，其余层状结构与实施例1相同。
实施例3，一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触：
钙钛矿薄膜采用100nm的FAPbCl3薄膜，其余层状结构与实施例1相同。
实施例4，一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触：
晶硅衬底为p型晶硅衬底，厚度为180μm，透明导电薄膜为70nm厚的IWO，钙钛矿薄膜采用100nm的FAPbCl3薄膜，其余层状结构与实施例1相同。
实施例5，一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触：
钙钛矿薄膜采用的是20nm的SrVO3薄膜，其余层状结构与实施例1相同。
实施例6，一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触：
晶硅衬底为p型晶硅衬底，厚度为180μm，钙钛矿薄膜采用100nm的SrVO3薄膜，其余层状结构与实施例1相同。晶硅衬底和钙钛矿层之间的一种能带排列图和载流子输运参照图2。
Claims (10)
1.一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，其特征在于：包括如下功能层：晶硅衬底、钝化薄膜、钙钛矿薄膜、缓冲层、透明导电薄膜和电极；其组成顺序方式是：在晶硅衬底上沉积钝化薄膜，钙钛矿薄层沉积在钝化薄膜上，然后缓冲层制备在钙钛矿薄层上，在缓冲层上沉积透明导电薄膜，最后在透明导电薄膜上制备电极。
2.根据权利要求1所述的一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，其特征在于：所述晶硅衬底为n型或p型晶硅，其厚度为10-500μm。
3.根据权利要求1所述的一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，其特征在于：所述钝化薄膜用于钝化晶硅表面缺陷，钝化薄膜的材料选自本征氢化非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜、氧化铝薄膜或者氮化硅薄膜，其厚度为0.5-10nm。
4.根据权利要求1所述的一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，其特征在于：所述钙钛矿薄膜具有与晶硅衬底匹配的能带结构，即与晶硅具有有利于电子从晶硅向钙钛矿方向流动的小的导带阶，但与晶硅具有有利于阻挡空穴从晶硅向钙钛矿方向流动的较大的价带阶；钙钛矿薄膜优选FAPbCl3和CsSnBr3。
5.根据权利要求1所述的一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，其特征在于：所述钙钛矿薄膜具有比晶硅低的功函数；优选钙钛矿氧化物，再优选SrVO3。
6.根据权利要求1所述的一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，其特征在于：所述钙钛矿薄膜具有与晶硅衬底匹配的能带结构，即与晶硅具有有利于电子从晶硅向钙钛矿方向流动的小的导带阶，同时钙钛矿薄膜具有与晶硅相当或更低的功函数；钙钛矿薄膜优选MAPbI3。
7.根据权利要求1-6中任何一项所述的一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，其特征在于：所述钙钛矿薄膜的厚度为1nm-10μm。
8.根据权利要求1所述的一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，其特征在于：所述缓冲层主要指通过原子层沉积或热蒸发沉积的电子传输性材料，优选氧化锡、氧化钛或者氧化锌，厚度为1-20nm。
9.根据权利要求1所述的一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，其特征在于：所述透明导电薄膜选自ITO、IWO、掺杂的氧化锌，其厚度为50-100nm。
10.根据权利要求1所述的一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，其特征在于：所述电极为银电极、铜电极或铝电极。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114284374A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-05 | 江苏海洋大学 | 钛酸锌在晶硅太阳电池中的应用 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160035927A1 (en) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | International Business Machines Corporation | Tandem Kesterite-Perovskite Photovoltaic Device |
| CN105449103A (zh) * | 2015-11-15 | 2016-03-30 | 河北工业大学 | 一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法 |
| US20170271622A1 (en) * | 2016-06-03 | 2017-09-21 | Solar-Tectic, Llc | High efficiency thin film tandem solar cells and other semiconductor devices |
| CN208256688U (zh) * | 2018-05-18 | 2018-12-18 | 嘉兴尚羿新能源有限公司 | 一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构 |
| CN109888034A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-06-14 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池 |
| CN110649163A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-03 | 吉林师范大学 | 一种三明治结构电子传输层的钙钛矿太阳电池及制备方法 |
| CN110783464A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-02-11 | 华东师范大学 | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| US20200176196A1 (en) * | 2017-07-24 | 2020-06-04 | University Of Pittsburgh-Of The Commonwealth System Of Higher Education | Perovskite solar cell configurations |
| CN111244278A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 非掺杂晶硅异质结钙钛矿叠层太阳电池结构及制备方法 |
-
2020
- 2020-08-08 CN CN202010792011.3A patent/CN111900228B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160035927A1 (en) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | International Business Machines Corporation | Tandem Kesterite-Perovskite Photovoltaic Device |
| CN105449103A (zh) * | 2015-11-15 | 2016-03-30 | 河北工业大学 | 一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法 |
| US20170271622A1 (en) * | 2016-06-03 | 2017-09-21 | Solar-Tectic, Llc | High efficiency thin film tandem solar cells and other semiconductor devices |
| US20200176196A1 (en) * | 2017-07-24 | 2020-06-04 | University Of Pittsburgh-Of The Commonwealth System Of Higher Education | Perovskite solar cell configurations |
| CN208256688U (zh) * | 2018-05-18 | 2018-12-18 | 嘉兴尚羿新能源有限公司 | 一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构 |
| CN111244278A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 非掺杂晶硅异质结钙钛矿叠层太阳电池结构及制备方法 |
| CN109888034A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-06-14 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池 |
| CN110649163A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-03 | 吉林师范大学 | 一种三明治结构电子传输层的钙钛矿太阳电池及制备方法 |
| CN110783464A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-02-11 | 华东师范大学 | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| YAN-SYUN CHEN ET.AL: "Evaluation of Perovskite Hole Selective Contacts for Silicon Solar Cells", 《IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE》 * |
| 李春静: "钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的研究进展", 《物理》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114284374A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-05 | 江苏海洋大学 | 钛酸锌在晶硅太阳电池中的应用 |
| CN114284374B (zh) * | 2021-12-24 | 2023-11-28 | 江苏海洋大学 | 钛酸锌在晶硅太阳电池中的应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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