CN111864533A - 激光元件 - Google Patents

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Epistar Corp
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Abstract

本发明公开一种激光元件，其包括一永久基板；位于永久基板上的一外延结构，其上表面朝向该永久基板，下表面远离该永久基板，且依序包括一第一半导体结构、一活性结构和一第二半导体结构。由该激光元件的剖视图观之，第二半导体结构具有相对的第一侧边及第二侧边。激光元件包括一粘合层，位于永久基板与上表面之间。激光元件包括一第一连接层，位于上表面且远离第二半导体结构，且具有一第一凸出部由第一侧边向外延伸及一第二凸出部由第二侧边向外延伸。激光元件包括位于该下表面的一第一电极，其接触第一凸出部及第二凸出部，且环绕第一侧边及第二侧边。

Description

激光元件
技术领域
本发明涉及一种激光元件，特别是涉及一种倒装芯片式激光元件。
背景技术
垂直共振腔面射激光(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)是激光元件的一种，其应用之一为数据传输，其具有高速的优势。
当激光元件应用于3D感测时，需要以短脉冲、高电流操作，以提高亮度进而加大感测距离。在此高电流驱动条件下，电流分布及芯片可靠度即显得相当重要。
发明内容
本发明提出一种具倒装芯片(Flip Chip)架构的垂直共振腔面射激光(VCSEL)结构设计，其电极形成于基板同侧，且具有围绕式金属连接设计，由此优化VCSEL芯片的电流分布，同时强化芯片的可靠度。
本发明提出一种激光元件，其包括：一永久基板；一外延结构，位于永久基板上。外延结构包含：一第一半导体结构，一第二半导体结构，位于第一半导体结构上，及一活性结构，位于第一半导体结构及第二半导体结构之间。外延结构具有朝向永久基板的一上表面及远离永久基板的一下表面，且由激光元件的剖视图观之，第二半导体结构具有一第一侧边及相对于该第一侧边的一第二侧边。激光元件包括一黏合层，位于永久基板与该上表面之间。激光元件包括一第一连接层，位于上表面且远离第二半导体结构。第一连接层具有自第一侧边向外延伸的一第一凸出部及自第二侧边向外延伸的一第二凸出部。激光元件包括一第一电极，位于下表面，且第一电极接触第一凸出部及第二凸出部，且环绕第一侧边及第二侧边。
附图说明
为能更进一步了解本发明的特征与技术内容，请参阅下述有关本发明实施例的详细说明及如附的附图。但是所揭详细说明及如附的附图仅提供参考与说明之用，并非用以对本发明加以限制；其中：
图1A为本发明的一例示实施例的激光元件的剖面示意图；
图1B为图1A所示激光元件的下视示意图；
图1C为图1A所示激光元件的上视示意图；
图2A至图2L为在本发明的一实施例的激光元件制作流程的各步骤中所完成的结构的剖面示意图；
图3A至图3I为在本发明的一实施例的激光元件制作流程的各步骤中所完成的结构的上视或下视示意图；
图4为在本发明的一实施例的激光元件制作流程的其一步骤中所完成的结构的下视示意图；
图5为在本发明的一实施例的激光装置的剖面示意图。
符号说明
10 永久基板
100 激光元件
300 激光装置
101 抗反射结构
2 芯片
20 外延结构
2000 成长基板
202 第一半导体结构
2020 第一半导体叠层
204 活性结构
2040 活性叠层
205 电流局限层
2051 电流限制区
2052 电流导通区
206 第二半导体结构
2060 第二半导体叠层
2061 端面
2062 下表面
32 第一绝缘层
322 第一开口
34 第一连接层
341a 第一凸出部
341b 第二凸出部
342 第二开口
344A,344B 标记结构
40 粘合层
50 第二连接层
60 第二绝缘层
601 侧部
602a 第一开口部
602b 第二开口部
603 第五开口部
702 第一电极
7021 本体部
7022 环绕部
704 第二电极
80 第三绝缘层
802 第三开口
804 第四开口
902 第一电极垫结构
9021 中间层
9022 结合层
904 第二电极垫结构
9041 中间层
9042 结合层
B1 光学阵列
B11 光学结构
B2 电路载板
B21 第一电极垫
B22 第二电极垫
B3 支架
P 柱状结构
P0 中心位置
P1 上表面
P2 第一侧表面
E1 第一边缘
E2 第二边缘
S1 第二侧表面
S11 第一侧边
S12 第二侧边
G0 第一间隙
G11 第一间距
G2 第二间隙
G3 第三间隙
C1 第一侧面
C2 第二侧面
D1 第一距离
D2 第二距离
L1 连线
L2 连线
O 中心位置
具体实施方式
下文参照附图、并且以示例实施例说明本发明的概念，在附图或说明中，相似或相同的部分使用相同的元件符号；再者，附图是为利于理解而绘制，附图中各层的厚度与形状并非元件的实际尺寸或成比例关系。需特别注意的是，附图中未绘示、或说明书中未描述的元件，可为熟悉发明所属领域技术的人士所知的形式。
请参阅图1A，其是根据本发明的一实施例的半导体元件的剖面示意图。本实施例半导体为激光元件100且包括永久基板10，以及位于永久基板10一侧上的外延结构20，外延结构20包括至少一个柱状结构P；在本实施例中，外延结构20包含多个柱状结构P。各柱状结构P包含依序位于永久基板10上的一第一半导体结构202、一电流局限层205以及一活性结构204。多个柱状结构P可以为规则排列(regular arrangement)或非规则排列(randomarrangement)于一第二半导体结构206上，所谓规则排列是指多个柱状结构P之间具有特定的空间关系，并以固定的、具重复性的方式排列。在一些规则排列的柱状结构P中，相邻的柱状结构P之间的间隙大致相同；在另一些规则排列的柱状结构P中，多个柱状结构P是沿着一特定方向排列。电流局限层205可选择设置于活性结构204与第一半导体结构202之间，或者设置于活性结构204与第二半导体结构206之间。各柱状结构P包含朝向永久基板10的一上表面P1、以及连接上表面P1及第二半导体结构206的一第一侧表面P2，此外，外延结构20另包含远离永久基板10的一下表面2062，下表面2062为第二半导体结构206的一表面。在本实施例中，第一半导体结构202的导电型态为P型，而第二半导体结构206的导电型态为N型。为求图示简洁，图1A仅以五个柱状结构P作为例示，但是在VCSEL实际产品中，是可视应用时的电流及功率需求来调整柱状结构P的数量，例如为100～1000个，但不以此为限。电流局限层205包含一电流限制区2051、以及由电流限制区2051所围绕的一电流导通区2052，电流导通区2052的导电率高于电流限制区2051，以使电流集中导通于电流导通区2052中。
详言之，根据所述实施例，第一半导体结构202与活性结构204部分覆盖于第二半导体结构206上，并暴露第二半导体结构206的一端面2061。激光元件100还包括第一绝缘层32和第一连接层34。第一绝缘层32覆盖于柱状结构P的第一侧表面P2、第二半导体结构206的端面2061及部分的上表面P1，第一绝缘层32具有多个第一开口322，将部分的上表面P1从第一绝缘层32暴露出来。第一连接层34位于第一绝缘层32上，且通过第一开口322与第一半导体结构202形成电连接。第一连接层34具有多个第二开口342，使得活性结构204所发射的光可以由第二开口342向永久基板10的方向射出于激光元件100外。此外，第二半导体结构206具有一第一侧边S11及相对应于第一侧边S11的一第二侧边S12，且第一连接层34具有一第一凸出部341a延伸至超出第一侧边S11，及一第二凸出部341b延伸至超出第二侧边S12。第一凸出部341a和第二凸出部341b可用以作为后续的电连接之用，详细结构及电连接方式将于下文中详述。
本实施例的激光元件100还包含一粘合层40，上述外延结构20是通过粘合层40而连接于永久基板10。在远离永久基板10侧的第二半导体结构206上具有一第二连接层50，第二连接层50与第二半导体结构206电连接。本发明的激光元件100包括一第二绝缘层60，第二绝缘层60覆盖第二连接层50。第二绝缘层60具有两侧部601，且第一开口部602a、第二开口部602b、第三开口部602c及第四开口部602d穿过第二绝缘层60。两侧部601分别覆盖第二半导体结构206的第一侧边S11、第二侧边S12，第一开口部602a(第四开口部602d)_进一步穿过第一绝缘层32以暴露出第一连接层34的第一凸出部341a，且第二开口部602b(第三开口部602c)进一步穿过第一绝缘层32以暴露出第一连接层34的第二凸出部341b。第二绝缘层60还具有一第五开口部603暴露出第二连接层50。本发明的激光元件100包括一第一电极702及一第二电极704，第一电极702及第二电极704位于永久基板10的同一侧且互相物理性分离。
在本实施例中，激光元件100为倒装芯片式(flip chip type)激光元件，后续可使用焊料将激光元件100接合至外部电路(例如印刷电路板PCB)。第一电极702分别通过开口部602a～602d连接于第一连接层34，并通过第一连接层34的第一凸出部341a和第二凸出部341a电连接于第一半导体结构202，且第一电极702覆盖第二绝缘层60的侧部601并延伸至覆盖于第二金属连接结构50上，第二绝缘层60位于第一电极702及第二金属连接结构50之间，以避免形成一短路路径。第二电极704通过第五开口部603连接第二连接层50，由此使第二电极704电连接于第二半导体结构206。
除上述结构以外，本发明的激光元件100可进一步包括一第一电极垫结构902及一第二电极垫结构904，两者分别位于第一电极702及第二电极704上。本发明的激光元件100进一步包括一第三绝缘层80覆盖第一电极702以及第二电极704。详言之，第三绝缘层80具有一第三开口802以暴露第一电极702、以及一第四开口804以暴露第二电极704；第一电极垫结构902通过第三开口802与第一电极702电连接，第二电极垫结构904则通过第四开口804与第二电极904电连接。此外，第一电极垫结构902及第二电极垫结构904之间具有第一间隙G0介于10μm至200μm之间。在本实施例中，由激光元件100的下视图观之，第一电极垫结构902的形状与第二电极垫结构904的形状不同，以作为电性识别之用(如图3I所示)。
本发明的激光元件100可选择性包含一抗反射结构101位于永久基板10上方，且远离第一电极702及第二电极704。抗反射结构101可用以减少激光元件100发出的光在永久基板10与空气之间的界面反射，以避免激光元件100的发光效率降低或产生非理想的光形。抗反射结构101可以为单层或多层，当为单层时，抗反射结构101的折射率介于永久基板10的折射率及外界环境(例如：空气)的折射率之间，例如，抗反射结构101的折射率为1.1～1.65，单层的抗反射结构101的材料例如为SiOx、MgF2。抗反射结构101具有一厚度，较佳为活性结构204的发光波长的四分之一的整数倍，亦即，如发光波长为λ，则抗反射结构101的厚度为(λ/4)×n，n为大于或等于1的整数。抗反射结构101也可以为由高折射率材料和低折射率材料堆叠而成的多层结构，例如为SiOx/TiOx、SiOx/TiOx/SiOx。
在本实施例中，第一半导体结构202与第二半导体结构206包含多个不同折射率的膜层交互周期性的堆叠(例如：高铝含量的AlGaAs层及低铝含量的AlGaAs层交互周期性堆叠)，以形成分散式布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector，DBR)，使得由活性结构204发射的光可以在两个分散式布拉格反射镜中反射以形成同调光。第一半导体结构202的反射率低于第二半导体结构206的反射率，由此使同调光朝向永久基板10的方向射出。第一半导体结构202、第二半导体结构206及活性结构204的材料包含三五族化合物半导体，例如可以为AlGaInAs系列、AlGaInP系列、AlInGaN系列、AlAsSb系列、InGaAsP系列、InGaAsN系列、AlGaAsP系列等，例如AlGaInP、GaAs、InGaAs、AlGaAs、GaAsP、GaP、InGaP、AlInP、GaN、InGaN、AlGaN等化合物。在本揭露内容的实施例中，若无特别说明，上述化学表示式包含「符合化学剂量的化合物」及「非符合化学剂量的化合物」，其中，「符合化学剂量的化合物」例如为三族元素的总元素剂量与五族元素的总元素剂量相同，反之，「非符合化学剂量的化合物」例如为三族元素的总元素剂量与五族元素的总元素剂量不同。举例而言，化学表示式为AlGaInAs系列即代表包含三族元素铝(Al)及/或镓(Ga)及/或铟(In)，以及包含五族元素砷(As)，其中三族元素(铝及/或镓及/或铟)的总元素剂量可以与五族元素(砷)的总元素剂量相同或相异。另外，若上述由化学表示式表示的各化合物为符合化学剂量的化合物时，AlGaInAs系列即代表(Aly1Ga(1-y1))1-x1Inx1As，其中，0≤x1≤1，0≤y1≤1；AlGaInP系列即代表(Aly2Ga(1-y2))1-x2Inx2P，其中，0≤x2≤1，0≤y2≤1；AlInGaN系列即代表(Aly3Ga(1-y3))1- x3Inx3N，其中，0≤x3≤1，0≤y3≤1；AlAsSb系列即代表AlAsx4Sb(1-x4)，其中，0≤x4≤1；InGaAsP系列即代表Inx5Ga1-x5As1-y4Py4，其中，0≤x5≤1，0≤y4≤1；InGaAsN系列即代表Inx6Ga1-x6As1-y5Ny5，其中，0≤x6≤1，0≤y5≤1；AlGaAsP系列即代表Alx7Ga1-x7As1-y6Py6，其中，0≤x7≤1，0≤y6≤1。
视其材料不同，活性结构204可发出峰值波长(peak wavelength)介于700nm及1700nm的红外光、峰值波长介于610nm及700nm之间的红光、峰值波长介于530nm及570nm之间的黄光、峰值波长介于490nm及550nm之间的绿光、峰值波长介于400nm及490nm之间的蓝光或深蓝光、或是峰值波长介于250nm及400nm之间的紫外光。在本实施例中，活性结构204的峰值波长为介于750nm及1200nm之间的红外光。
电流局限层205的材料可以为上述的三五族半导体材料，在本实施例中，电流局限层205的材料为AlGaAs，且活性结构204、第一半导体结构202及第二半导体结构206的材料都包含铝。电流局限层205的铝含量大于活性结构204、第一半导体结构202及第二半导体结构206的铝含量，举例而言，电流局限层205的铝含量大于97％。在本实施例中，电流局限层205的电流限制区2051的氧含量大于电流导通区2052的氧含量，使电流限制区2051具有较电流导通区2052较低的导电率。粘合层40为对活性结构204发光具有高透光率的材料，如透光率大于80％，粘合层40的材料为绝缘材料，例如：苯并环丁烯树脂(B-stagedbisbenzocyclobutene，BCB)、环氧树脂(epoxy resin)、聚酰亚胺(polyimide)、SOG(spin-on glass)、硅氧树脂(silicone)或八氟环丁烷(Perfluorocyclobutane，PFCB)。
上述第一绝缘层32、第二绝缘层60及第三绝缘层80的材料包含非导电材料。非导电材料包含有机材料或无机材料。有机材料包含Su8、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、环烯烃聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)或氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)。无机材料包含硅胶(Silicone)或玻璃(Glass)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化钛(TiOx)、或氟化镁(MgFx)。在一实施例中，第一绝缘层32、第二绝缘层60及/或第三绝缘层80包含一层或多层(例如为布拉格反射镜(DBR)结构，通过交替堆叠两层副层来形成，例如SiOx副层和TiOx副层)。
第一连接层34及第二连接层50的材料可以包含金属，例如：铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、铂(Pt)、镍(Ni)、锗(Ge)、铍(Be)、金(Au)、钛(Ti)、钨(W)或锌(Zn)。第一电极702及第二电极704的材料可以为金属材料，例如金(Au)、锡(Sn)、钛(Ti)或其合金。在本实施例中，第一电极702可为一复层电极结构，例如往远离永久基板10的方向可分别包含钛(Ti)层及金(Au)层。第二电极704与第一电极702具有相同的材料及结构组成。第一电极垫结构902及第二电极垫结构可以为金属材料，例如金(Au)、锡(Sn)、钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)或其合金。第一电极702的材料与第一电极垫结构902不同，且第二电极704的材料与第二电极垫结构904不同，举例而言，第一电极垫结构902及第二电极垫结构904至少包含一元素，而第一电极702及第二电极704则未包含该元素，以避免固晶或在大电流操作下，外界的(含锡)焊料破坏第一电极702及第二电极704而产生电性失效，可进一步提高本发明的激光元件100的可靠度。上述的该元素可用以阻挡焊料扩散至第一电极702及第二电极704中，该元素例如为镍(Ni)及/或铂(Pt)。详言之，第一电极垫结构902及第二电极垫结构904可分别包含多层，例如朝远离基板10方向依序各别包含一中间层9021、9041及一结合层9022、9042，中间层9021、9041的材料不同于第一电极702及第二电极704，由此防止焊料(例如：锡或金锡合金(AuSn))扩散至第一电极702及第二电极704，因此中间层9021、9041的材料较佳的包含金(Au)、锡(Sn)和铜(Cu)以外的金属元素，例如镍(Ni)及/或铂(Pt)。结合层9022、9042的材料包含具有高延展性的金属材料，较佳的包含金(Au)。本实施例的中间层9021、9041材料为往远离永久基板10方向依序堆叠的铂(Pt)及镍(Ni)，结合层9022、9042的材料为金(Au)。换言之，往远离永久基板的方向，电极垫结构902，904包含镍层、铂层及金层。
图1B为图1A所示的激光元件100的下视图，即自第一电极垫结构902及第二电极垫结构904的方向(如图1A中箭头C所示的方向)观察激光元件100的视图，且图1A为沿着图1B中的线A-A’剖面所显示的剖面示意图。图1C为图1A所示的激光元件100的上视图，即自永久基板10的方向(如图1A中箭头D所示的方向)观察激光元件100的视图，且图1A为沿着图1C中的线B-B’剖面所显示的剖面示意图。
如图1A和1B所示，永久基板10具有中心区域和围绕中心区域的边缘区域。第二绝缘层60具有分布于激光元件100的周围区域的多个开口部，例如第一开口部602a、第二开口部602b、第三开口部602c、第四开口部602d。此外，有四个间距G11～G14位于开口部602a～602d之间。详言之，第一开口部602a与第四开口部602d之间相隔第一间距G11、第一开口部602a与第二开口部602b之间相隔第二间距G12、第二开口部602b与第三开口部602c之间相隔第三间距G13、第三开口部602c与第四开口部602d之间相隔第四间距G14。
此外，如图1C所示，在本实施例中，第一连接层34形成有数个标记结构344A～344D，两个相对的标记结构344B、344D之间的连线为L1。两个相对的标记结构344A、344C之间的连线为L2。L1与L2的交点即定义为激光元件100的中心位置O，便于机器识别以利后续封装制作工艺的进行。如图1B及1C所示，第一间距G11的位置与标记结构344A相对应、第二间距G12的位置与标记结构344B相对应、第三间距G13的位置与标记结构344C相对应、第四间距G14的位置与标记结构344D相对应。需特别说明，图1B、图1C的虚线线条表示该结构由下视图/上视图无法直接观察到，仅可视虚线线条的轮廓。
在本实施例中，第二型半导体结构206大致为置中位于永久基板10上，即第二型半导体结构206的任一侧边至相邻的永久基板10的一侧面的距离大致相等。在另一实施例中，第一电极垫结构902及第二电极垫结构904(或者使第一电极702及第二电极704)可配置于激光元件100对称于L1的位置上，有利于后续进行封装程序的结构设计，并提高有效连接于外部电路的区域面积。如图1B所示，由激光元件100的第二半导体结构206朝向活性结构204的方向观之，永久基板10具有与第一侧边S11相邻的一第一侧面C1、以及与该第一侧面C1相对且与第二侧边S12相邻的一第二侧面C2，第一侧面C1及第二侧面C2互相对应且各设置于永久基板10的侧边。第一侧边S11与第一侧面C1之间的一第一最短距离D1与第二侧边S12与第二侧面C2之间的一第二最短距离D2的差距小于第一最短距离D1的30％；亦即，第一最短距离D1和第二最短距离D2之间的差距0≤(D1-D2)/D1<30％，在另一实施例中，0≤(D1-D2)/D1<20％；较佳地，0≤(D1-D2)/D1<15％。在另一实施例中，1％<(D1-D2)/D1<10％。在本实施例中，第一最短距离D1等于第二最短距离D2。
以下参照图2A至图2L，说明本发明的激光元件100的制作流程。
如图2A所示，第二半导体叠层2060、活性叠层2040与第一半导体叠层2020依序以外延方式成长成长基板2000上。外延方式包含、但不限于金属有机化学气相沉积法、氢化物气相外延法、分子束外延法、液相外延法等。成长基板2000包含三五族材料，且其晶格常数与第二半导体叠层2060、活性叠层2040与第一半导体叠层2020互相匹配，本实施例的成长基板2000的材料为砷化镓(GaAs)。在其他实施例中，成长基板2000的材料可以为磷化铟(InP)、蓝宝石(sapphire)、氮化镓(GaN)或碳化硅(SiC)等。
接着，实施蚀刻程序，以蚀刻去除部分的第一半导体叠层2020以及部分的活性叠层2040，从而形成多个柱状结构P，并暴露出第二半导体叠层2060的端面2061。至此，各柱状结构P包含一第一半导体结构202及一活性结构204，且具有上表面P1及第一侧表面P2，第一侧表面P2连接上表面P1及端面2061，如图2B所示。
接着，在各柱状结构P中形成电流局限层205，从而形成如第2C图所示的结构。在本实施例中，在各第一半导体结构202和各活性结构204之间形成电流局限层205，各电流局限层205包含电流限制区2051及电流限制区2051所环绕的电流导通区2052。电流局限层205的形成方法可以是通过氧化制作工艺以将预定形成电流限制区2051的区域产生材料氧化。举例来说，第一半导体结构202包含多个不同折射率的高铝含量的AlGaAs层及低铝含量的AlGaAs层交互周期性堆叠，且活性结构204、第一半导体结构202及第二半导体结构206的材料都包含铝。第一半导体结构202中的其中一层的铝含量大于97％(定义为电流局限层205)且大于活性结构204、第一半导体结构202的其他层及第二半导体结构206的铝含量。由于电流局限层205的铝含量大于活性结构204、第一半导体结构202及第二半导体结构206的铝含量，在进行氧化制作工艺后，仅有电流局限层205明显被氧化，进而形成具有低导电率的电流限制区2051。或者，可通过离子注入(ion implant)制作工艺在多个柱状结构P中形成低导电率的电流限制区2051，并通过光罩同时定义上述的电流导通区2052。离子注入可以是通过在预定形成电流限制区2051的区域注入氢离子(H+)、氦离子(He+)或氩离子(Ar+)等来实现，电流限制区2051的离子浓度大于电流导通区2052，使电流限制区2051具有较低的导电率。在另一实施例中，氧化制作工艺与离子注入制作工艺可同时被用于多个柱状结构P中，例如，有些柱状结构P中的电流限制区2051是用离子注入制作工艺来形成，另一些柱状结构P中的电流限制区2051是用氧化制作工艺来形成。或者，有些柱状结构P具有通过离子注入制作工艺形成的电流限制区，同时也具有通过氧化制作工艺形成的电流限制区(图未示)。
如图2D所示，形成第一绝缘层32覆盖于柱状结构P的第一侧表面P2、第二半导体结构206及部分的上表面P1。第一绝缘层32形成有第一开口322，以暴露出部分的上表面P1。第一开口322的上视形状可以为例如圆形、椭圆形、正方形、不规则形状等。在本实施例中，由上视观之，第一开口322的形状为圆环状(并参下述关于图3B的说明)，但不以此为限。在本实施例中，柱状结构P的各上表面P1上具有一个第一开口322位于上。在另一实施例中，各柱状结构P的各上表面P1上具有多个第一开口322。
如图2E所示，在第一绝缘层32上形成第一连接层34，所述第一连接层34覆盖第一绝缘层32并填充至第一开口322中，由此与第一半导体结构202电连接。第一连接层34具有多个第二开口342在柱状结构P的上表面P1侧，从而暴露出下方的第一绝缘层32，使得活性结构204产生的光线可由第二开口342射出激光元件100。第一连接层34的第二开口342的上视形状可以为例如圆形、椭圆形、正方形、不规则形状等。在本实施例中，由上视观之，第二开口342的形状为圆形(并参下述关于图3C的说明)，但不以此为限。在本实施例中，第一连接层34具有多个第二开口342，且各第二开口342大致位于各柱状结构P的上表面P1的中心位置，意即柱状结构P及第二开口342为一对一的对应关系。在另一实施例中，各柱状结构P的各上表面P1上具有多个第二开口342，意即柱状结构P及第二开口342为一对多的对应关系。
如图2F所示，通过粘合层40将柱状结构P1及第二半导体叠层2060接合至永久基板10。本实施例的永久基板10为对活性结构204发光具有高透光率的材料，如透光率大于80％的蓝宝石。接合至永久基板10后，第一凸出部341a及第二凸出部341b较第一半导体结构202远离永久基板10。接着，移除位于第二半导体叠层2060侧的成长基板2000，形成如图2G所示的结构。
如图2H所示，接着，在去除成长基板2000后所暴露出的第二半导体叠层2060上形成一第二连接层50，且由剖视观之，第二连接层50的宽度W1小于第二半导体叠层2060的宽度以暴露一部分的第二半导体叠层2060。第二连接层50的宽度W1也小于永久基板10的宽度W2。
如图2I所示，接着实施蚀刻程序，移除第二半导体叠层2060的周围区域，例如靠近永久基板10的第一侧面C1及第二侧面C2的第二半导体叠层2060，以形成第二半导体结构206。第二半导体结构206为凸出于第一连接层34的一高台。多个柱状结构P具有靠近第一侧面C1的一第一边缘E1，第二半导体结构206具有靠近第一侧面C1的第一侧边S11，且在图中X轴的方向，第一侧边S11较该第一边缘E1靠近该第一侧面C1。此外，第二连接层50具有一侧面较第一边缘E1靠近该第一侧面C1，更者，第二连接层第二连接层50的所有侧面较多个柱状结构P的边缘靠近侧面。换句话说，第二连接层50覆盖的所有柱状结构P1。在另一实施例中，第二连接层50的所有侧面较多个柱状结构P的边缘远离侧面，换言之，第二连接层50仅覆盖部分的柱状结构P1。
除了朝向永久基板10的端面2061外，第二半导体结构206还包含下表面2062远离永久基板10且相对应端面2061。第一侧边S11及第二侧边S12连接端面2061及下表面2062。
如图2J所示，在第二半导体结构206上形成第二绝缘层60，覆盖第一侧边S11、第二侧边S12、部分的下表面2062以及部分第二接触金属层50。接着，移除位于第一连接层34的周围区域上的部分第一绝缘层32以及第二绝缘层60以形成四个开口部602a～602d，并将部分第一连接层34(例如：第一和第二凸出部341a、341b)暴露出来。第二绝缘层60于第二连接层50上形成有第五开口部603，以暴露出部分的第二连接层50。
接着，如图2K所示，在第二绝缘层60上形成一第一电极702及一第二电极704，第一电极702通过开口部602a～602d(图2K仅显示第一开口部602a和第二开口部602b)直接接触并电连接于第一连接层34，第二电极704通过第五开口部603连接第二连接层50。
接着，如图2L所示，形成第三绝缘层80覆盖于部分的第一电极702及部分的第二电极704。第三绝缘层80具有第三开口802以暴露第一电极702及第四开口804以暴露第二电极704。
之后，在第一绝缘层80上形成第一电极垫结构902及第二电极垫结构904，第一电极垫结构902通过第三开口802与第一电极702电连接，第二电极垫结构904则通过第四开口804与第二电极704电连接，以形成如图1A所示的激光元件100。部分的第一电极垫结构902的表面与第二电极垫结构904的表面实质上具有相同的水平高度，以利于后续使用焊料将激光元件100连接至外界电路。
图3A至图3I为本申请案的一实施例的激光元件制作流程的各步骤中所完成的结构的上视或下视示意图。图3A至图3C为由第一半导体结构202朝向活性结构204的方向观之的上视图，图3D至图3I为由活性结构204朝向第一半导体结构202的方向观之的下视图。
图3A为对照图2B所示的结构的上视图，在本实施例中，柱状结构P的个数为621个，且多个柱状结构P以最密堆积的方式规则排列为一阵列。
图3B为对照图2D所示的结构的上视图及其部分放大图，第一绝缘层32覆盖于多个柱状结构P上，且具有多个第一开口322，由此各别将多个柱状结构P的上表面P1暴露出来。
图3C为对照图2E所示的结构的上视图，第一连接层34覆盖于第一绝缘层32上，且具有多个第二开口342，第二开口342对应地位于多柱状结构P的上表面P1上，从而形成激光元件100的多个出光孔。第一连接层34的四个边缘分别具有四个标记结构344A～344D，且两个相对的标记结构344B、344D之间的连线L1与两个相对的标记结构344A、344C之间的连线L2的交点即定义为激光元件100的中心位置O。
图3D为对照图2H所示的结构的下视图，在第二半导体叠层2060上形成第二连接层50。
图3E为对照图2I所示的结构的下视图。移除第二半导体叠层2060的周围区域，形成第二半导体结构206。
图3F为对照图2J所示的结构的下视图。如图3F所示，形成第二绝缘层60，接着移除部分的第二绝缘层60以及第一绝缘层32以形成第一开口部602a、第二开口部602b、第三开口部602b和第四开口部602D，并暴露出部份第一连接层34，例如图2J所示的第一凸出部341a及第二凸出部341b。第二绝缘层60另具有第五开口部603以暴露出第二连接层50。在此实施例中，开口部602a～602d围绕在第二半导体结构206的周围。每一开口部602a～602d的形状为L型。四个开口部602a～602d彼此不相连且四个间距G11～G14位于相邻的开口部之间，四个开口部602a～602d的位置分别对应于第一连接层34的标记结构344A～344D。在其他实施例中，如图4所示，第二绝缘层60的四个开口部602a～602d可互相连接(即不具有四个间距G11～G14)，且形成环绕于激光元件100的周围区域的一环状配置。换言之，第二绝缘层60仅具有一个开口部，其形状为口型。
图3G为对照图2K所示的结构的下视图，第一电极702及第二电极704各位于第一连接层34及第二连接层50上。在本实施例中，第一电极702包含一本体部7021及连接于本体部7021的一环绕部7022，且第一电极702的上视面积大于第二电极704的上视面积。图3G的虚线代表本体部7021及环绕部7022之间的侧面。本体部7021的形状为方形，且环绕部7022的形状为口型。如图4所示，当第二绝缘层60仅具有一个开口部时，环绕部7022(参考图3C)与开口部具有相同的形状(例如：口型)。此外，环绕部7022完全覆盖开口部且具有一上视面积大于开口部的一上视面积。
请参照图2K及图3G所示，环绕部7022环绕第二电极704且通过开口部602a～602d与第一连接层34接触，由此电连接第一半导体结构202及第一电极702；第二电极704通过第五开口部603与第二连接层50接触，由此电连接第二半导体结构206及第二电极704。此外，本体部7021与第二电极704具有一第二间隙G2，环绕部7022与第二电极704具有一第三间隙G3，第三间隙G3小于第二间隙G2。
图3H为对照图2L所示的结构的下视图，第三绝缘层80位于第一电极702及第二电极704上，第三绝缘层80具有第三开口802及第四开口804，由此分别暴露第一电极702的本体部7021及第二电极704。
图3I为对照图1A所示结构的下视图，请参照图1A及图3I，此步骤形成第一电极垫结构902及第二电极垫结构904，且第一电极垫结构902通过第三开口802连接第一电极702，且第二电极垫结构904通过第四开口804连接第二电极704。
本发明的一实施例的激光元件100属倒装芯片式激光元件，其可在短脉冲、高电流的条件下操作。相较于传统垂直型激光元件采电极形成于永久基板的相对两侧，并作金属打线连接的电极架构，本实施例的激光元件100无需额外的金属打线即可在高电流条件下操作，进以提高激光元件100的发光亮度，并且增加感测距离(例如达10公尺)。同时，由于本发明的激光元件100无需通过设置额外的金属打线与外界电路连接，可改善寄生电容的问题，以利于高频操作时具有快速的反应时间。此外，本发明的激光元件100也具有较快的反应速度，例如信号上升时间(rise time，Tr)及信号下降时间(fall time，Tf)都较短，并可强化其可靠度。
又如图1A所示，本发明一实施例中的第一电极702高度H实质上主要为对应第二半导体结构206的外延层厚度，第一电极70的高度H小于8.5μm，例如为5μm～8μm，或者为5.5μm～7μm。第一电极70的高度于上述范围可有效避免第一电极702的材料在制作工艺过程中，因侧壁披覆性不佳而造成电性失效的风险，并且也能缩短激光元件100的电流路径以利电流传送效率。
此外，本发明一实施例的激光元件100的第一电极702及第二电极704与第一、二电极垫结构902、904之间都进一步设有第三绝缘层80电极垫结构，进而避免激光元件100在大电流应用下，其焊料(如:金属锡膏)容易因高热而与电极材料(例如金)形成共晶结构，进而影响电极的效能。因此，本发明的激光元件100的可靠度能够有效提升。
更甚者，根据本发明一实施例的激光元件100具有优良的结构对称性，其有利于后续封装程序的进行。具体而言，本发明的激光元件100中，第二半导体结构206位于激光元件100的实质中心位置，使第一电极垫结构902及第二电极垫结构904也可配置于激光元件100的对称位置上，故有利于后续进行封装程序的结构设计，并提高有效区域面积。
请参照图5所示，本发明一实施例的半导体装置300包含激光元件100、光学阵列B1及电路载板B2。激光元件100位于电路载板B2上，且电连接于电路载板B2的第一电极垫B21及第二电极垫B22，详言之，激光元件100的第一电极垫结构902及第二电极垫结构904可以通过焊料(solder，图未示)电连接至第一电极垫B21及第二电极垫B22，且光学阵列B1包含多个光学结构B11。在一些实施例中，光学阵列B1可以为微米镜阵列(microlens array)，光学结构B11可为规则排列或非规则排列，用以将由激光元件100射出的光展开，以具有较大的视野(Field of View，FOV)。上述激光元件100、光学阵列B1及电路载板B2可以通过支架B3整合在一起。本发明的实施例中所述的激光元件100具有高散热效率，特别适用于飞时测距(ToF：Time of Flight)的3D感测装置或泛光照明器(Flood illuminator)等，但是激光元件100的应用领域并不限于此。
需注意的是，本发明所提的前述实施例仅用于例示说明本发明，而非用于限制本发明的范围。熟悉本发明所属领域技术的人对本发明所进行的诸般修饰和变化都不脱离本发明的精神与范畴。不同实施例中相同或相似的构件、或不同实施例中以相同元件符号表示的构件具有相同的物理或化学特性。此外，在适当的情况下，本发明的上述实施例可互相组合或替换，而非仅限于上文所描述的特定实施例。在一实施例中所描述的特定构件与其他构件的连接关系也可应用于其他实施例中，其都落于本发明如附权利要求的范畴。

Claims (10)

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：
永久基板，具有第一侧面及第二侧面；
外延结构，位于该永久基板上且包含半导体结构，该半导体结构具有第一侧边邻近该第一侧面及第二侧边邻近该第二侧面；
第一连接层，位于该外延结构与永久基板之间，且具有第一凸出部向外延伸超出该第一侧边及第二凸出部向外延伸超出该第二侧边；及
第一电极，位于该第一连接层上，且接触该第一凸出部及第二凸出部。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一电极包含本体部及环绕部，该环绕部连结该本体部且覆盖该第一侧边及该第二侧边。
3.如权利要求1所述的半导体元件，另包含一第二电极，被该第一电极所环绕。
4.如权利要求2所述的半导体元件，另包含一第二电极，其中，该本体部与第二电极具有第一间隙，该环绕部与该第二电极具有第二间隙，第二间隙小于第一间隙。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一电极具有一高度小于8.5μm。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中，在一剖视图中，该第一侧边与该第一侧面之间的第一距离D1与该第二侧边与该第二侧面之间的第二距离D2的差距小于该第一距离的30％。
7.如权利要求1所述的半导体元件，另包含绝缘层，该绝缘层具有环状的开口部。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中，该第一电极包含本体部及环绕部，该环绕部完全覆盖该开口部且具有一上视面积大于该开口部的一上视面积。
9.如权利要求1所述的半导体元件，另包含抗反射层，覆盖该永久基板。
10.一种半导体元件，其特征在于，包括：
电路载板；
如权利要求1所述的半导体元件位于该电路载板上；
光学阵列位于该半导体元件上。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023160589A1 (zh) * 2022-02-25 2023-08-31 晶智达光电股份有限公司 半导体激光器及其封装结构

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11810908B2 (en) 2021-05-21 2023-11-07 Meta Platforms Technologies, Llc Wafer-level 3D integration of high voltage optical transformer

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080279241A1 (en) * 2007-04-18 2008-11-13 Sony Corporation Light-emitting element and method for manufacturing the same
US20100232465A1 (en) * 2009-01-08 2010-09-16 Furukawa Electric Co., Ltd Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof
JP2014090071A (ja) * 2012-10-30 2014-05-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法
CN103975491A (zh) * 2011-12-15 2014-08-06 索尼公司 激光二极管元件和制造激光二极管元件的方法
WO2018035322A1 (en) * 2016-08-17 2018-02-22 The Regents Of The University Of California Contact architectures for tunnel junction devices

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8995485B2 (en) 2009-02-17 2015-03-31 Trilumina Corp. High brightness pulsed VCSEL sources
JP5465514B2 (ja) * 2009-11-19 2014-04-09 日本オクラロ株式会社 光半導体装置
ITTO20130931A1 (it) * 2013-11-15 2015-05-16 St Microelectronics Srl Sensore di forza microelettromeccanico di tipo capacitivo e relativo metodo di rilevamento di forza
US10535799B2 (en) 2017-05-09 2020-01-14 Epistar Corporation Semiconductor device
WO2019023401A1 (en) 2017-07-25 2019-01-31 Trilumina Corp. VCSEL LASERS NETWORK CONNECTED IN ONE-CHIP SERIES
US11264780B2 (en) 2018-01-26 2022-03-01 Oepic Semiconductors, Inc. Flip chip backside emitting VCSEL package
US10461507B1 (en) 2018-04-04 2019-10-29 Mellanox Technologies, Ltd. Substrate emitting vertical-cavity surface-emitting laser

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080279241A1 (en) * 2007-04-18 2008-11-13 Sony Corporation Light-emitting element and method for manufacturing the same
US20100232465A1 (en) * 2009-01-08 2010-09-16 Furukawa Electric Co., Ltd Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof
CN103975491A (zh) * 2011-12-15 2014-08-06 索尼公司 激光二极管元件和制造激光二极管元件的方法
JP2014090071A (ja) * 2012-10-30 2014-05-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法
WO2018035322A1 (en) * 2016-08-17 2018-02-22 The Regents Of The University Of California Contact architectures for tunnel junction devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023160589A1 (zh) * 2022-02-25 2023-08-31 晶智达光电股份有限公司 半导体激光器及其封装结构

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