CN111850520A - 一种含等离子体的气相沉积装置及其应用 - Google Patents

一种含等离子体的气相沉积装置及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种含等离子体的气相沉积装置及其应用，包括依次连接的进气系统、反应系统和废气处理系统；所述的进气系统向反应腔原位供应反应气体，进行气相沉积；所述反应系统中的反应腔内设有等离子体发生器和反应腔加热器，通过等离子控制器和温度控制显示器分别控制和实时监控等离子体发生器和反应腔内温度，对基底进行等离子体处理和气相沉积过程。与现有技术相比，本发明在较为简单的条件下利用等离子体技术对材料表面处理，并进行可控的气相沉积反应过程，满足了多层次制备新复合材料的技术需求；操作简单、反应条件温和、装置结构简单并且绿色环保。

Description

一种含等离子体的气相沉积装置及其应用
技术领域
本发明涉及材料制备和化学合成领域，尤其是涉及一种含等离子体的气相沉积装置及其应用。
背景技术
复合材料因具备多个单一材料的特点而得到了迅猛发展，其制备工艺至关重要。在诸多复合材料的制备方法中，气相沉积法通过在一定条件下将气体反应物沉积在另一反应物表面，得到包覆结构或核壳结构的复合材料，这种气相方法得到的沉积层厚度均匀可控，可用于复合材料的制备。
目前，化学气相沉积和原子层沉积是最常见的两种气相沉积法技术。化学气相沉积要求反应物本身为气体，而原子层沉积技术需要气相前驱体脉冲交替地通入反应器、在基底上化学吸附并发生表面反应，条件苛刻，液体反应物的使用受到限制，且化学活性低的基底(如碳布等)上难以沉积或沉积层易脱落，难以合成有稳定包覆结构或核壳结构的复合材料。
等离子体能提供足够高的能量引起分子激发、电离、化学键断裂或重组，快速、高效地改变材料表面性能，利于材料表面的气相沉积。区别于已有的物理气相沉积，等离子体技术有助于形成稳定的包覆结构或核壳结构，扩大基底物选择范围。
已有的等离子体化学气相沉积技术要求反应物为气体，限制了液体反应物的使用及其气相沉积。另外，温度影响液体反应物的气相沉积过程，尤其是在低压的情况下更易影响液体反应物的气化程度。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提出一种含等离子体的气相沉积反应装置，在较为简单的条件下利用等离子体技术对材料表面处理，并进行可控的多层次的气相沉积反应，满足了制备新的复合材料的技术需求，同时通过实时温度监控和调节，可实现高效的等离子气相沉积过程。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
本发明中含等离子体的气相沉积装置，包括依次连接的进气系统、反应系统和废气处理系统；
所述反应系统包括反应腔，所述反应腔中设有等离子体发生器和反应腔加热器，所述反应腔外部设有等离子体控制器和温度控制显示器，所述等离子体控制器与所述等离子体发生器电连接，所述温度控制显示器与所述反应腔加热器电连接，在设定温度后实时显示并控制反应腔内温度，基底置于反应腔中，进行等离子体气相沉积处理过程；
所述进气系统每条气路能直接通入气体，还能够向反应腔中原位供应反应气体，实现多层次的气相沉积；
所述废气处理系统向反应腔和进气系统提供真空环境并处理反应腔和进气系统中排出的尾气。
进一步地，温度控制显示器包括触屏显示器和微处理器，微处理器和显示器构成人机交互，所述微处理器与反应腔加热器电连接，通过电信号控制反应腔加热器的功率，以此实现温度的程序性调变。反应腔中设有热电偶，热电偶与微处理器电连接。
进一步地，所述微处理器为ARM处理器。
进一步地，所述进气系统与反应系统之间、反应系统与废气处理系统之间均通过电磁阀实现隔断或开度调整。
进一步地，所述进气系统包括依次连接的液体蒸发腔和气体稳定腔，所述液体蒸发腔中盛放有反应物液体。
进一步地，液体蒸发腔的进气口处设有流量控制仪，所述气体稳定腔靠近反应腔的一侧设有进气调节电磁阀，所述气体稳定腔通过进气调节电磁阀与所述反应腔连接。流量控制仪与本发明中的电磁阀均与微处理连接，以此在预设的程序下进行开度调节。
进一步地，所述废气处理系统包括相互连接的过滤腔和真空泵，所述过滤腔通过波纹管与所述反应腔的出口连接。
进一步地，所述过滤腔中装填有碳酸氢钠和活性炭。
进一步地，所述波纹管与所述反应腔的出口之间设有出气调节电磁阀和真空计，用于调控反应腔内的压强。
进一步地，所述液体蒸发腔的进气口处设有流量控制仪，用于控制进入反应腔中气体流量。
进一步地，所述进气口处连接有惰性气体、氧气、氢气的发生器或储罐。
进一步地，本发明中的进气系统为多路并联结构，可通过电磁阀控制其中一路或多路的开启。
进一步地，反应腔材质为刚玉玻璃，腔内温度范围为25～1400℃，可观察基底物在反应过程中的形状、颜色等变化。
进一步地，液体蒸发腔、蒸发槽、气体稳定腔是玻璃材质。
进一步地，所述的蒸发槽中反应物为液体，通过低压气化形成气体。
进一步地，本发明中含金属的组件表面涂均有聚四氟乙烯，防止被腐蚀。
进一步地，所述的进气系统的组件和反应腔外侧均缠有加热带，使系统维持在预设温度，温度设定范围为20～200℃。
本发明中上述气相沉积装置在气相沉积制备中的应用，包括以下步骤：
S1：将反应腔中放入基底物于处，打开真空泵，反应腔体达到预设真空度后，从进气口通入预设量气体到另一预设真空度后，关闭进气调节电磁阀和出气调节电磁阀，通过离子体控制器程序设定等离子体发生器的使用参数，对基底物进行等离子体处理，得到处理后的材料，打开出气调节电磁阀和真空泵，将产生的废气排出；
S2：在进行等离子体处理之后，在进气系统的液体蒸发槽中加入液体反应物，打开真空泵使整个装置达到预设真空度，通过控温加热带使液体反应物低压气化形成稳定气体，同时利用温度控制显示器使反应腔维持设定的温度，将一定量的反应物气体通入到反应腔后，进气调节电磁阀关闭，反应物气体在基底物表面沉积，得到复合材料，反应结束后，打开真空泵、出气调节电磁阀和进气调节电磁阀，将废气处理。
进一步地，S2过程中，可同一液体反应物重复多次发生并进行沉积，或通过并联的气路程序性地将多种液体气化并向反应腔供给，得到多层次气相沉积的复合材料。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
1)本发明中气相沉积装置产生的等离子体能提供足够高的能量引起分子激发、电离、化学键断裂或重组，例如在表面引入—COOH,—C＝O,—NH2,—OH等基团，使材料表面发生多种物理和化学变化，能快速、高效地改变材料表面性能，表面改性的材料更利于发生气相沉积过程并形成稳定的包覆结构或核壳结构，扩大了基底物的选择范围。
2)本发明中的气相沉积装置基于液相物质(反应物)沸点随压强的降低而增强的特性，使气化的反应物在表面改性的材料上气相沉积并(或)发生反应，扩大反应物的选择范围，得到包覆结构或核壳结构的复合材料。
3)本发明中的气相沉积装置实时显示并调控反应腔内的温度变化，保证等离子体和气相沉积过程温度的稳定性。
4)本发明通过等离子体表面改性和气相沉积制备多层次的复合纳米材料，整体技术方案操作简单、反应条件温和、装置结构简单并且绿色环保。
附图说明
图1为本发明中含等离子体的气相沉积装置的结构示意图。
图中：1、反应系统，2、进气系统，3、废气处理系统，4、反应腔，5、等离子体发生器，6、反应腔加热器，7、等离子体控制器，8、温度控制显示器，9、出气调节电磁阀，10、真空计，11、液体蒸发腔，12、蒸发槽，13、气体稳定腔，14、控温加热带，15、进气口，16、进气调节电磁阀，17、进气管，18、流量控制仪，19、真空计，20、波纹管，21、气体过滤腔，22、真空泵。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1：
本实施例中含等离子体的气相沉积装置，如图1所示，包括反应系统1、进气系统2和废气处理系统3。
反应系统1包括反应腔4、等离子体发生器5、反应腔加热器6、等离子体控制器7、温度控制显示器8、出气调节电磁阀9和真空计10；等离子体发生器5和反应腔加热器6置于反应腔4内，等离子体控制器7置于反应腔外侧，可设定等离体子体使用的电压、时间等；反应腔4两端分别与进气系统2和废气处理系统3相联通。温度控制显示器包括触屏显示器和微处理器，微处理器和显示器构成人机交互，所述微处理器与反应腔加热器6电连接，通过电信号控制反应腔加热器6的功率，以此实现温度的程序性调变。反应腔4中设有热电偶，热电偶与微处理器电连接。
进气系统2包括液体蒸发腔11、蒸发槽12、气体稳定腔13、控温加热带14、进气口15、进气调节电磁阀16、进气管17、流量控制仪18，真空计19。蒸发槽12置于液体蒸发腔11内；液体蒸发腔11一端是连接流量控制仪18的进气口15，另一端依次连接气体稳定腔13、进气调节电磁阀16，组成了进气系统的一条气路；两条相同气路与一个真空计19连接后，连通到反应腔4的一端。流量控制仪18与本发明中的电磁阀均与微处理连接，以此在预设的程序下进行开度调节。
废气处理系统3包括波纹管20，气体过滤腔21和真空泵22。真空泵22通过波纹管20连通气体过滤腔21、并连通反应系统1的真空计10。
装置正常工作时，将反应腔4中放入基底物于6处，打开真空泵22，反应腔体4达到预设真空度后，从进气口15通入预设量气体到另一预设真空度后，关闭进气调节电磁阀16和出气调节电磁阀9，通过离子体控制器7程序设定等离子体发生器5的使用参数，对基底物进行等离子体处理，得到处理后的材料，打开出气调节电磁阀9和真空泵22，将产生的废气排出；
在进行等离子体处理之后，在进气系统的液体蒸发槽12中加入液体反应物，打开真空泵22使整个装置达到预设真空度，通过控温加热带14使液体反应物低压气化形成稳定气体，同时利用温度控制显示器8使反应腔4维持设定的温度，将一定量的反应物气体通入到反应腔4后，进气调节电磁阀16关闭，反应物气体在基底物表面沉积，得到复合材料，反应结束后，打开真空泵22、出气调节电磁阀9和进气调节电磁阀16，将废气处理。
可同一液体反应物重复多次发生并进行沉积，或通过并联的气路程序性地将多种液体气化并向反应腔4供给，得到多层次气相沉积的复合材料。
基底物为固态物质，可以为碳材料(如碳纤维)或其复合物。反应物为一种中性液态物质：三异丙氧基氧化钒(C9H21O4V)。进气口通入的气体可以是惰性气体(如氮气、氩气等)，也可以是氧气、氢气、二氧化碳。
具体实施时，反应腔材质为刚玉玻璃，腔内温度范围为25～1400℃。液体蒸发腔11、蒸发槽12、气体稳定腔13是玻璃材质。蒸发槽中反应物为液体，通过低压气化形成气体。含金属的组件表面涂均有聚四氟乙烯，防止被腐蚀。进气系统的组件外侧都缠有加热带，来维持进气系统的温度，保持反应物是气体状态，温度范围为20～200℃。
本实施例的含等离子体的气相沉积装置通过等离子体表面改性和降低反应真空度(压强)进行气相沉积反应，并实时监控反应温度，制备纳米复合材料。该方案操作简单、反应条件温和、装置结构简单且绿色环保。
实施例2：
本实施例与实施例1基本相同，不同之处在于，本实施例中，反应物为一种碱性液态物质：氨水。
实施例3：
本实施例与实施例1基本相同，不同之处在于，本实施例中，基底为无机非金属材料(如五氧化二钒块体)，进气系统有两个气路：第一个气路的反应物为酸性液态：盐酸，第二个气路的反应物为导电聚合物的单体：苯胺。
实施例4：
本实施例与实施例1基本相同，不同之处在于，本实施例中，进气系统有三个气路，第一个气路的反应物为酸性液态：盐酸，另外两个气路的反应物为2种不同的导电聚合物单体：吡咯和苯胺，二者可程序性地交替进行气相沉积过程，制备多层次复合材料。
上述的对实施例的描述是为便于该技术领域的普通技术人员能理解和使用发明。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其他实施例中而不必经过创造性的劳动。因此，本发明不限于上述实施例，本领域技术人员根据本发明的揭示，不脱离本发明范畴所做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种含等离子体的气相沉积装置，其特征在于，包括依次连接的进气系统(2)、反应系统(1)和废气处理系统(3)；
所述反应系统(1)包括反应腔(4)、等离子体控制器(7)和温度控制显示器(8)，所述反应腔(4)中设有等离子体发生器(5)和反应腔加热器(6)，所述等离子体控制器(7)与所述等离子体发生器(5)电连接，离子体控制器(7)程序性控制等离子体处理过程，所述温度控制显示器(8)与反应腔加热器(6)连接，温度控制显示器(8)实时显示并控制反应腔内温度，基底物置于反应腔加热器(6)附近；
所述进气系统(2)有至少一个气路，能够程序性向反应腔(4)中原位供应反应气体；
所述废气处理系统(3)向反应腔(4)提供真空环境并处理反应腔(4)中排出的尾气。
2.根据权利要求1所述的一种含等离子体的气相沉积装置，其特征在于，所述进气系统(2)与反应系统(1)之间、反应系统(1)与废气处理系统(3)之间均通过程序性电磁阀切换实现隔断或开度调整。
3.根据权利要求1所述的一种含等离子体的气相沉积装置，其特征在于，所述进气系统(2)包括依次连接的液体蒸发腔(11)和气体稳定腔(13)，所述液体蒸发腔(11)中盛放有反应物液体。
4.根据权利要求3所述的一种含等离子体的气相沉积装置，其特征在于，液体蒸发腔(11)的进气口(15)处设有流量控制仪(18)，所述气体稳定腔(13)靠近反应腔(4)的一侧设有进气调节电磁阀(16)，所述气体稳定腔(13)通过进气调节电磁阀(16)与所述反应腔(4)连接。
5.根据权利要求1所述的一种含等离子体的气相沉积装置，其特征在于，所述废气处理系统(3)包括相互连接的过滤腔(21)和真空泵(22)，所述过滤腔(21)通过波纹管(20)与所述反应腔(4)的出口连接。
6.根据权利要求5所述的一种含等离子体的气相沉积装置，其特征在于，所述过滤腔(21)中装填有碳酸氢钠和活性炭。
7.根据权利要求3所述的一种含等离子体的气相沉积装置，其特征在于，所述波纹管(20)与所述反应腔(4)的出口之间设有出气调节电磁阀(9)和真空计(10)。
8.根据权利要求3所述的一种含等离子体的气相沉积装置，其特征在于，所述液体蒸发腔(11)的进气口(15)处设有流量控制仪(18)，以控制进气量；
所述进气口(15)处连接有惰性气体、氧气、氢气的发生器或储罐。
9.如权利要求1～8中任一项气相沉积装置在等离子气相沉积制备中的应用，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将反应腔(4)中放入基底物于(6)处，打开真空泵(22)，反应腔体(4)达到预设真空度后，从进气口(15)通入预设量气体到另一预设真空度后，关闭进气调节电磁阀(16)和出气调节电磁阀(9)，通过离子体控制器(7)程序设定等离子体发生器(5)的使用参数，对基底物进行等离子体处理，得到处理后的材料，打开出气调节电磁阀(9)和真空泵(22)，将产生的废气排出；
S2：在进行等离子体处理之后，在进气系统的液体蒸发槽(12)中加入液体反应物，打开真空泵(22)使整个装置达到预设真空度，通过控温加热带(14)使液体反应物低压气化形成稳定气体，同时利用温度控制显示器(8)使反应腔(4)维持设定的温度，将一定量的反应物气体通入到反应腔(4)后，进气调节电磁阀(16)关闭，反应物气体在基底物表面沉积，得到复合材料，反应结束后，打开真空泵(22)、出气调节电磁阀(9)和进气调节电磁阀(16)，将废气处理。
10.根据权利要求9中气相沉积装置在等离子气相沉积制备中的应用，其特征在于，S2过程中，可同一液体反应物重复多次发生并进行沉积，或通过并联的气路程序性地将多种液体气化并向反应腔(4)供给，得到多层次气相沉积的复合材料。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1978699A (zh) * 2006-11-30 2007-06-13 浙江大学 聚合物高分子材料表面改性的方法及其装置
CN105695956A (zh) * 2016-03-30 2016-06-22 同济大学 一种气相沉积装置
CN106868473A (zh) * 2017-01-23 2017-06-20 无锡荣坚五金工具有限公司 一种梯度递减结构防液涂层的制备方法
WO2018065321A1 (fr) * 2016-10-04 2018-04-12 Kobus Sas Procede d'injection d'especes chimiques en phase gazeuse sous forme pulsee avec plasma

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1978699A (zh) * 2006-11-30 2007-06-13 浙江大学 聚合物高分子材料表面改性的方法及其装置
CN105695956A (zh) * 2016-03-30 2016-06-22 同济大学 一种气相沉积装置
WO2018065321A1 (fr) * 2016-10-04 2018-04-12 Kobus Sas Procede d'injection d'especes chimiques en phase gazeuse sous forme pulsee avec plasma
CN106868473A (zh) * 2017-01-23 2017-06-20 无锡荣坚五金工具有限公司 一种梯度递减结构防液涂层的制备方法

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