CN111833924A - 存储器参考电流的生成方法、生成系统以及存储器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种存储器参考电流的生成方法和生成系统以及存储器，所述存储器包括校验单元，所述参考电流的生成方法包括：获取多个预设电流挡位；从多个预设电流挡位中确定参考电流挡位，其中，参考电流挡位为其对应电流作为参考电流而使校验单元正确读出数据的电流挡位；根据参考电流挡位生成存储器的参考电流。本发明解决了现有技术中存储器数据读取困难的技术问题。

Description

存储器参考电流的生成方法、生成系统以及存储器

技术领域

本发明涉及存储器的技术领域，具体涉及一种存储器参考电流的生成方法、生成系统以及存储器。

背景技术

存储器由大量存储单元组成，每个存储单元能够存放1位二进制数据 (“0”或“1”)。存储器中的一部分存储单元被用来作为预置单元和配置寄存器，其中，预置单元存储的数据断电不丢失但数据读取缓慢，而配置寄存器存储的数据断电丢失但数据读取迅速。

目前，存储器常常通过预置单元存储内部配置参数，并在上电时通过读取电路将预置单元中的一些内部配置参数读取到配置寄存器，以便这些内部配置参数被快速调用。并且，预置单元中的数据被读出时，是读取电路将各预置单元的输出电流和存储器的参考电流进行比较，若输出电流大于参考电流则对应存储单元读出了二进制数据“1”，若输出电流不大于参考电流则对应存储单元读出了二进制数据“0”，其中，存储器的参考电流和存储器的供电电压相关联。

然而，存储器的供电电压会因种种原因并不始终是预设电压，例如，供电电源的电压值在上电阶段降低到正常工作阶段以下，且上电阶段的持续时长会因电源类型的不同而不同；又例如，供电电源在正常工作阶段的电压值发生不确定的波动；再例如，某一存储器生产的检测工艺中上电终止电压的检查点发生波动，导致该存储器使用中的上电终止电压出现偏差。因而，和存储器供电电压相关联的参考电流也常常围绕设定好的电流而发生相应波动，这使得存储器数据读取的稳定性和精确性变差，存储器的数据读取难度增大。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种存储器参考电流的生成方法、生成系统以及存储器，用于解决现有技术中存储器数据读取困难的技术问题。

根据本发明的第一方面，提供一种参考电流的生成方法，所述存储器包括校验单元，所述参考电流的生成方法包括：

获取多个预设电流挡位；

从多个所述预设电流挡位中确定参考电流挡位，其中，所述参考电流挡位为其对应电流作为参考电流而使所述校验单元正确读出数据的电流挡位；

根据所述参考电流挡位生成所述存储器的参考电流。

可选地，所述存储器包括两个所述校验单元，每个所述校验单元存储一位二进制的校验码，且两个所述校验单元存储的校验码互不相同；以及，

所述校验单元正确读出数据的确定方法，包括：两个所述校验单元读出各自存储的校验码并且在读出的两个校验码互不相同的情况下，确定两个所述校验单元为正确读出数据。

可选地，从多个所述预设电流挡位中确定参考电流挡位，包括：

将位于备用挡位序列中间的一个电流挡位确定为所述参考电流挡位，

其中，所述备用挡位序列为多个备用电流挡位按电流值排序而得到的一个序列；以及，

所述备用电流挡位为所述参考电流挡位的一个备选的电流挡位。

可选地，将位于备用挡位序列中间的一个电流挡位确定为所述参考电流挡位，包括：

从电流值最大的所述预设电流挡位开始往下遍历多个所述预设电流挡位，以及，在首次遍历到所述备用电流挡位时，将遍历到的当前电流挡位确定为所述参考电流挡位，并开始执行如下步骤：

判断步骤，判断在所述当前电流挡位之后遍历的两个连续电流挡位是否为所述备用电流挡位，若是则执行替换步骤，若否则结束遍历；

所述替换步骤，将确定为所述参考电流挡位的所述当前电流挡位替换为所述当前电流挡位之后遍历的一个电流挡位，并执行所述判断步骤。

可选地，所述存储器包括两个数据阵列，每个所述数据阵列包括多个数据单元，每个所述数据单元存储一位二进制的数据码；

以及，两个所述数据阵列的对应数据单元存储不同的数据码，且两个所述数据阵列在所述参考电流生成后依据所述参考电流读出数据；

所述参考电流的生成方法，还包括：在两个所述数据阵列依据所述参考电流读出数据的过程中，矫正所述参考电流。

可选地，在两个所述数据阵列依据所述参考电流读出数据的过程中，矫正所述参考电流，包括：

在两个所述数据阵列对应的一组当前数据单元组读出一对数据码后，判断读出的数据码是否相同；

在读出的数据码相同的情况下，根据读出的数据码的类型进行对所述参考电流的调整过程；

以及，进行所述调整过程直到一组所述当前数据单元读出不同的数据码时停止，以得到矫正后的所述参考电流，矫正后的所述参考电流用于两个所述数据阵列对应的下一组数据单元读出所存储的数据码。

根据本发明的第二方面，提供一种参考电流的生成系统，所述存储器包括校验单元，所述参考电流的生成系统包括：

获取模块，用于获取多个预设电流挡位；

确定模块，用于从多个所述预设电流挡位中确定参考电流挡位，其中，所述参考电流挡位为其对应电流作为参考电流而使所述校验单元正确读出数据的电流挡位；

生成模块，用于根据所述参考电流挡位生成所述存储器的参考电流。

可选地，所述存储器包括两个所述校验单元，每个所述校验单元存储一位二进制的校验码，且两个所述校验单元存储的校验码互不相同；以及，

所述校验单元正确读出数据的确定方法，包括：两个所述校验单元读出各自存储的校验码并且在读出的两个校验码互不相同的情况下，确定两个所述校验单元为正确读出数据。

可选地，所述确定模块用于：

将位于备用挡位序列中间的一个电流挡位确定为所述参考电流挡位，

其中，所述备用挡位序列为多个备用电流挡位按电流值排序而得到的一个序列；以及，

所述备用电流挡位为所述参考电流挡位的一个备选的电流挡位。

可选地，所述确定模块用于：

从电流值最大的所述预设电流挡位开始往下遍历多个所述预设电流挡位，以及，在首次遍历到所述备用电流挡位时，将遍历到的当前电流挡位确定为所述参考电流挡位，并开始执行如下步骤：

判断步骤，判断在所述当前电流挡位之后遍历的两个连续电流挡位是否为所述备用电流挡位，若是则执行替换步骤，若否则结束遍历；

所述替换步骤，将确定为所述参考电流挡位的所述当前电流挡位替换为所述当前电流挡位之后遍历的一个电流挡位，并执行所述判断步骤。

可选地，所述存储器包括两个数据阵列，每个所述数据阵列包括多个数据单元，每个所述数据单元存储一位二进制的数据码；

以及，两个所述数据阵列的对应数据单元存储不同的数据码，且两个所述数据阵列在所述参考电流生成后依据所述参考电流读出数据；

所述参考电流的生成系统，还包括：矫正模块，用于在两个所述数据阵列依据所述参考电流读出数据的过程中，矫正所述参考电流。

可选地，所述矫正模块用于：

在两个所述数据阵列对应的一组当前数据单元组读出一对数据码后，判断读出的数据码是否相同；

在读出的数据码相同的情况下，根据读出的数据码的类型进行对所述参考电流的调整过程；

以及，进行所述调整过程直到一组所述当前数据单元读出不同的数据码时停止，以得到矫正后的所述参考电流，矫正后的所述参考电流用于两个所述数据阵列对应的下一组数据单元读出所存储的数据码。

根据本发明的第三方面提供一种存储器，包括读取电路和第二方面所述的参考电流的生成系统，其中，

所述读取电路和所述参考电流的生成系统连接以接收所述参考电流，并基于所述参考电流读取所述存储器中存储的数据。

本发明具有以下优点或有益效果：

本发明中的存储器包括校验单元，存储器在生成参考电流时是从多个预设电流挡位中确定参考电流挡位，然后根据参考电流挡位生成存储器的参考电流，且上述参考电流挡位为其对应电流作为参考电流而使校验单元正确读出数据的电流挡位，校验单元又是存储器所有存储单元中的一部分，因而，存储器所生成的参考电流确保了各存储单元中的数据被正确读出，从而解决了现有技术中存储器因供电电压波动而导致的数据读取困难的技术问题。

附图说明

通过参照以下附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1是根据本发明第一实施例的一种参考电流的生成方法流程图；

图2是根据本发明第一实施例的将位于备用挡位序列中间的一个电流挡位确定为参考电流挡位的一种执行流程图；

图3是根据本发明第一实施例的一种存储器存储区域示意图；

图4是根据本发明第一实施例的一种参考电流矫正流程图；

图5是根据本发明第二实施例的一种参考电流的生成系统结构框图；

图6是根据本发明第三实施例的一种存储器的结构框图。

具体实施方式

以下基于实施例对本发明进行描述，但是本发明并不仅仅限于这些实施例。在下文对本发明的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本发明。为了避免混淆本发明的实质，公知的方法、过程、流程没有详细叙述。另外附图不一定是按比例绘制的。

图1所示为本发明第一实施例所提供的存储器参考电流的生成方法流程图，所述存储器包括校验单元。参照图1，所述参考电流的生成方法，包括：

步骤S101，获取多个预设电流挡位。

需要说明的是，每个预设电流挡位对应一个电流，且不同的预设电流挡位所对应的电流互不相等。例如，多个预设电流挡位为D₁，D₂，…， D_n(n为电流挡位的数量)，且预设电流挡位D₁对应电流I₁，预设电流挡位D₂对应电流I₂，…，预设电流挡位D_n对应电流I_n，则I₁≠I₂≠…≠I_n。

具体地，多个电流挡位所对应的电流可以按电流挡位的排次而顺次减小，即I₁>I₂>…>I_n,本发明实施例的以下叙述中皆依次为例。

步骤S102，从多个预设电流挡位中确定参考电流挡位，其中，参考电流挡位为其对应电流作为参考电流而使校验单元正确读出数据的电流挡位。

例如，D_i(1≤i≤n)为参考电流挡位，则I_i作为参考电流时校验单元正确读出了其内所存储的数据。

步骤S103，根据参考电流挡位生成存储器的参考电流。

具体地，即以参考电流挡位所对应的电流值作为要生成的参考电流的电流值，来生成参考电流。

应当理解的是，校验单元作为存储器大量存储单元中的部分存储单元，其和其它用于存储数据的存储单元是使用同一个参考电流，因而，在参考电流挡位对应电流作为参考电流而确保校验单元正确读出数据时，存储器的其它存储单元也可以正确读出所存储的数据。

本发明实施例中，校验单元作为存储器的一个用于检验参考电流的存储单元，在存储器生成参考电流时，先从多个预设电流挡位中确定可以使校验单元正确读出数据的参考电流挡位，然后根据参考电流挡位生成存储器的参考电流，从而确保了存储器的所有存储单元可以正确读出数据，解决了现有技术中存储器因供电电压波动而导致的数据读取困难的技术问题。

在一个可选的实施例中，存储器包括两个校验单元A₀和B₀，每个校验单元存储一位二进制的校验码，且两个校验单元存储的校验码互不相同；以及，校验单元正确读出数据的确定方法，包括：两个校验单元读出各自存储的校验码并且在读出的两个校验码互不相同的情况下，确定两个校验单元为正确读出数据。

例如，若校验单元A₀中存储的校验码为二进制的数据“0”，则校验单元B₀中存储的校验码为二进制的数据“1”；若校验单元A₀中存储的校验码为二进制的数据“1”，则校验单元B₀中存储的校验码为二进制的数据“0”。以及，校验单元A₀和B₀读出各自存储的校验码后，若两个校验码互不相同则确定校验单元A₀和B₀都正确读出数据。

需要说明的是，校验单元A₀和B₀不会同时读错数据而使得校验单元 A₀和B₀读出两个互不相同的校验码，这是基于发明人发现的如下事实：

以校验单元A₀中存储的校验码为二进制的数据“0”，校验单元B₀中存储的校验码为二进制的数据“1”为例，且假设参考电流的预设值为I₀，则校验单元A₀和B₀读出各自存储的校验码时，校验单元A₀输出的输出电流 I_A<I₀，且验单元B₀读出数据时输出的输出电流I_B>I₀。

若参考电流发生波动后的波动值I₀'<I₀且I₀'<I_A，即参考电流发生波动使得校验单元A₀读出错误的二进制数据“1”，但此时一定有I_B>I₀'，即，校验单元B₀读出正确的二进制数据“1”，可见：校验单元B₀不会和校验单元A₀一样地读错数据。

若参考电流发生波动后的波动值I₀”>I₀且I₀”>I_B，即参考电流发生波动使得校验单元B₀读出错误的二进制数据“0”，但此时一定有I_A<I₀”，即，校验单元A₀读出正确的二进制数据“0”，可见：校验单元A₀不会和校验单元B₀一样地读错数据。

本发明实施例中，通过两个校验单元存储两个不同的一位二进制数据，对校验单元是否正确读取数据提供了一种简便且准确的判别方法，有利于快速地生成存储器的准确参考电流。

上述多个预设电流挡位多根据经验设置，偶尔会出现多个预设电流挡位的对应电流作为参考电流而使校验单元正确读出数据的情形，针对此种情况，在另一个可选的实施例中，步骤S102，从多个预设电流挡位中确定参考电流挡位，包括：将位于备用挡位序列中间的一个电流挡位确定为参考电流挡位，其中，备用挡位序列为多个备用电流挡位按电流值排序而得到的一个序列；以及，备用电流挡位为参考电流挡位的一个备选的电流挡位，从而，对参考电流挡位存在多个备用电流挡位的情况给出了一种优化处理方法，即取较优的备用电流挡位赋予给参考电流挡位。

需要说明的是，备用电流挡位为参考电流挡位的一个备选的电流挡位，即，备用电流挡位满足参考电流挡位所需满足的条件：对应电流作为参考电流而使校验单元正确读出数据。

并且，将位于备用挡位序列中间的一个电流挡位确定为参考电流挡位，具体即为：若备用挡位序列包括两个备用电流挡位，则参考电流挡位可以选用任一个备用电流挡位；若备用挡位序列包括三个备用电流挡位，则参考电流挡位选用电流值居中的一个备用电流挡位；若备用挡位序列包括大于三个的备用电流挡位，则参考电流挡位可以选用备用挡位序列中除去第一个和最后一个电流挡位后剩余的任一个电流挡位。

本发明实施例所提供的参考电流的生成方法，尤其适用于存在多个备用电流挡位的情形，在多个预设电流挡位中存在多个备用电流挡位的情况下将位于备用挡位序列中间的一个电流挡位确定为参考电流挡位，能够使得选出的参考电流挡位应对较大范围的供电电压波动，从而有利于存储器的所有存储单元准确且稳定地读出数据。

进一步，将位于备用挡位序列中间的一个电流挡位确定为参考电流挡位，包括：

从电流值最大的预设电流挡位开始往下(即从电流值从大到小的顺序)遍历多个预设电流挡位，以及，在首次遍历到备用电流挡位时，将遍历到的当前电流挡位(即首次遍历到的为备用电流挡位的预设电流挡位)确定为参考电流挡位，并开始执行如下步骤：

判断步骤，判断在当前电流挡位之后遍历的两个连续电流挡位(即，备用挡位序列中位于当前电流挡位的小电流一侧且和当前电流挡位相邻的两个连续电流挡位)是否为备用电流挡位，若是则执行替换步骤，若否则结束遍历；

替换步骤，将确定为参考电流挡位的当前电流挡位替换为当前电流挡位之后遍历的一个电流挡位(即将当前电流挡位之后遍历的一个电流挡位确定为参考电流挡位，且将当前电流挡位之后遍历的一个电流挡位确定为当前电流挡位)，并返回执行判断步骤。

具体地，参照图2，将位于备用挡位序列中间的一个电流挡位确定为参考电流挡位，可以通过如下步骤来执行：

步骤S201，获取备用挡位序列D，其中，D＝{D₁，D₂，…，D_n}，且预设电流挡位D_i对应电流I_i，I₁>I₂>…>I_n，n为电流挡位的数量；

步骤S202，将j赋值为1，即令j＝1；

步骤S203，以D_j的对应电流I_j为参考电流，校验单元A₀读取校验码X_A，校验单元B₀读取校验码X_B；

步骤S204，判断步骤S203读出的校验码X_A和校验码X_B是否正确，其中，若否则令j自加1(即j＝j+1)后返回执行步骤S203，若是则执行步骤 S205；

步骤S205，令k＝j,以及，令参考电流挡位D₀＝D_k；

步骤S206，判断预设电流挡位D_j是否为最小电流挡位(即判断j＝＝n)，其中，若否则执行步骤S207，若是则结束；

步骤S207，令j自加1后以D_j对应电流I_j为参考电流，使校验单元A₀读取校验码X_A，校验单元B₀读取校验码X_B；

步骤S208，判断步骤S207读出的校验码X_A和校验码X_B是否正确，其中，若否则结束，若是则执行步骤S209；

步骤S209，判断预设电流挡位D_j是否为最小电流挡位，其中，若否则执行步骤S210，若是则结束；

步骤S210，令j自加1后以D_j对应电流I_j为参考电流，使校验单元A₀读取校验码X_A，校验单元B₀读取校验码X_B；

步骤S211，判断步骤S210读出的校验码X_A和校验码X_B是否正确，其中，若否则结束，若是则执行步骤S212；

步骤S212，判断预设电流挡位D_j是否为最小电流挡位，其中，若是则结束，若否则执行步骤S213；

步骤S213，令k自加1(即k＝k+1)后令参考电流挡位D₀＝D_k，并返回执行步骤S207。

应当理解的是，上述步骤S209中是给参考电流挡位D₀重新赋值。

需要说明的是，在上述步骤结束后，通过读出D₀则获得了参考电流挡位。

以n＝10为例进行说明，即D＝{D₁，D₂，D₃，D₄，D₅，D₆，D₇，D₈，D₉，D₁₀} 且如上I₁>I₂>I₃>I₄>I₅>I₆>I₇>I₈>I₉>I₁₀，那么：

(1)若只有D₂为备用电流挡位，则D₂是参考电流挡位；

(2)若只有D₂和D₃为备用电流挡位，则D₂是参考电流挡位；

(3)若只有D₂，D₃和D₄为备用电流挡位，则D₃是参考电流挡位；

(4)若只有D₂，D₃，D₄和D₅皆为备用电流挡位，则D₃是参考电流挡位；

(5)若只有D₂，D₃，D₄，D₅和D₆皆为备用电流挡位，则D₄是参考电流挡位；

(6)若只有D₂，D₃，D₄，D₅，D₆和D₇皆为备用电流挡位，则D₄是参考电流挡位；

(7)若只有D₂，D₃，D₄，D₅，D₆，D₇和D₈皆为备用电流挡位，则D₅是参考电流挡位；

(8)若只有D₂，D₃，D₄，D₅，D₆，D₇，D₈和D₉皆为备用电流挡位，则 D₅是参考电流挡位；

(9)若只有D₂，D₃，D₄，D₅，D₆，D₇，D₈，D₉和D₁₀皆为备用电流挡位，则D₅是参考电流挡位。

由上可见：将位于备用挡位序列中间的一个电流挡位确定为参考电流挡位的该种方法，能根据备用电流挡位的个数自动地选出备用挡位序列中较为居中的一个预设电流挡位为参考电流挡位D₀，进一步确保了存储器各存储单元读取数据的准确性和稳定性。

参照图3，在本发明的另一个可选的实施例中，存储器的存储区域包括校验区100和数据区200，其中，

校验区100包括校验单元A₀和校验单元B₀；

数据区200包括数据阵列210和数据阵列220，数据阵列210包括多个数据单元A₁、A₂，…，A_m，数据阵列220包括多个数据单元B₁、B₂，…，B_m (m为各个数据阵列中数据单元的数量)，每个数据单元存储一位二进制的数据码，两个数据阵列的对应数据单元存储不同的数据码，且两个数据阵列在参考电流生成后依据参考电流读出数据；

以及，参考电流的生成方法，还包括：在两个数据阵列依据参考电流读出数据的过程中，矫正参考电流以确保参考电流的实时更正。

应当理解的是，各数据单元中存储的数据包括但不限于存储器的一些内部配置参数。

需要说明的是，数据阵列210和数据阵列220中数据单元的数量是相同的；两个数据阵列的对应数据单元即指：数据单元A₁和数据单元B₁对应，数据单元A₂和数据单元B₂对应，…，数据单元A_m和数据单元B_m对应；两个数据阵列的对应数据单元存储不同的数据码，即，数据单元A₁和数据单元B₁所存储数据码不同，数据单元A₂和数据单元B₂所存储数据码不同，…，数据单元A_m和数据单元B_m所存储数据码不同，例如，若数据单元A₁中存储一位二进制数据“1”则数据单元B₁中存储一位二进制数据“0”。

具体地，数据阵列210和数据阵列220中只有一个用于存储数据码所组成的数据流，另一个是用于在两个数据阵列读出数据过程中矫正参考电流。例如，若令数据阵列210用于存储数据码所组成的数据流“10011”，则数据阵列220是用于在两个数据阵列读出数据时矫正参考电流，且数据阵列220存储有数据流“01100”。

进一步，在两个数据阵列依据参考电流读出数据的过程中，矫正参考电流，包括：

在两个数据阵列对应的一组当前数据单元组读出一对数据码后，判断读出的数据码是否相同；

在读出的数据码相同的情况下确定出当前的参考电流需要矫正，然后根据读出的数据码的类型进行对参考电流的调整过程；

以及，进行调整过程直到两个数据阵列的对应一组当前数据单元读出不同的数据码时停止，以得到矫正后的参考电流，矫正后的参考电流用于两个数据阵列对应的下一组数据单元读出所存储的数据码。

应当理解的是，根据上述校验单元A₀和B₀的描述，可以得出：根据两个数据阵列中一组对应数据单元是否读出相同的数据码，则可以确定读出的数据码是否正确，继而得出当前的参考电流是否需要矫正，这里关于其中的原因不再赘述。

具体地，基于备用挡位序列D＝{D₁，D₂，…，D_n}，且备用电流挡位 D_i对应电流I_i，I₁>I₂>…>I_n，n为备用电流挡位的数量，则参照图4，在两个数据阵列依据参考电流读出数据的过程中，矫正参考电流，可以通过如下步骤来执行：

步骤S401，初始化w，具体地，w由数据流中第一个待读出数据码决定，例如，所有待读取数据码是存储在数据阵列210的数据单元A₃到数据单元A₇，则初始化w以使w＝3；

步骤S402，以参考电流I₀(参考电流挡位D₀所对应电流，且D₀＝D_k，1≤k≤n)读出存储地址Aw(即数据单元Aw的地址)的数据码Y_A(w),以及存储地址Bw(即数据单元Bw的地址)的数据码Y_B(w)；

步骤S403，通过Y_A(w)和Y_B(w)是否相同来判断Y_A(w)和Y_B(w)是否正确，其中，若不正确则执行步骤S404，若正确则执行步骤S407；

步骤S404，判断Y_A(w)和Y_B(w)皆为二进制数据“0”还是皆为二进制数据“1”，其中，若皆为“1”则执行步骤S405，若皆为“0”则执行步骤S406；

步骤S405，增大参考电流，具体可以是增大到大电流值的相邻预设电流挡位所对应电流(即令I_k＝I_(k+1)，其中，k＝n时可以向工作人员请求键入I_(k+1))，并返回执行步骤S402；

步骤S406，减小参考电流，具体可以是减小到小电流值的相邻预设电流挡位所对应电流(即令I_k＝I_(k-1)，其中，k＝1时可以向工作人员请求键入I_(k-1))，并返回执行步骤S402；

步骤S407，以最新的参考电流I_k读出存储地址Aw及存储地址Bw的数据码，并更新所使用的参考电流挡位为最新的参考电流I_k；

步骤S408，判断是否完成所有待读取数据码的读取，其中，若否则令w自加1(即w＝w+1)后返回执行步骤S402，若是则结束对所有待读取数据码的读取。

图5所示为本发明第二实施例所提供的存储器参考电流的生成系统，其中，存储器包括校验单元。参照图5，该参考电流的生成系统包括：

获取模块1，用于获取多个预设电流挡位；

确定模块2，用于从多个预设电流挡位中确定参考电流挡位，其中，参考电流挡位为其对应电流作为参考电流而使校验单元正确读出数据的电流挡位；

生成模块3，用于根据参考电流挡位生成存储器的参考电流。

本发明实施例中，存储器包括校验单元，存储器的参考电流生成系统在生成参考电流时是从多个预设电流挡位中确定参考电流挡位，然后根据参考电流挡位生成存储器的参考电流，且上述参考电流挡位为其对应电流作为参考电流而使校验单元正确读出数据的电流挡位，校验单元又是存储器所有存储单元中的一部分，因而，存储器所生成的参考电流确保了各存储单元中的数据被正确读出，从而解决了现有技术中存储器因供电电压波动而导致的数据读取困难的技术问题。

在可选的实施例中，存储器包括两个校验单元，每个校验单元存储一位二进制的校验码，且两个校验单元存储的校验码互不相同；以及，校验单元正确读出数据的确定方法，包括：两个校验单元读出各自存储的校验码并且在读出的两个校验码互不相同的情况下，确定两个校验单元为正确读出数据。

在可选的实施例中，确定模块2用于：

将位于备用挡位序列中间的一个电流挡位确定为参考电流挡位，

其中，备用挡位序列为多个备用电流挡位按电流值排序而得到的一个序列；以及，

备用电流挡位为参考电流挡位的一个备选的电流挡位。

在可选的实施例中，确定模块2用于：

从电流值最大的预设电流挡位开始往下遍历多个预设电流挡位，以及，在首次遍历到备用电流挡位时，将遍历到的当前电流挡位确定为参考电流挡位，并开始执行如下步骤：

判断步骤，判断在当前电流挡位之后遍历的两个连续电流挡位是否为备用电流挡位，若是则执行替换步骤，若否则结束遍历；

替换步骤，将确定为参考电流挡位的当前电流挡位替换为当前电流挡位之后遍历的一个电流挡位，并执行判断步骤。

在可选的实施例中，存储器包括两个数据阵列，每个数据阵列包括多个数据单元，每个数据单元存储一位二进制的数据码；

以及，两个数据阵列的对应数据单元存储不同的数据码，且两个数据阵列在参考电流生成后依据参考电流读出数据；

参考电流的生成系统，还包括：矫正模块，用于在两个数据阵列依据参考电流读出数据的过程中，矫正参考电流。

在可选的实施例中，矫正模块用于：

在两个数据阵列对应的一组当前数据单元组读出一对数据码后，判断读出的数据码是否相同；

在读出的数据码相同的情况下，根据读出的数据码的类型进行对参考电流的调整过程；

以及，进行调整过程直到一组当前数据单元读出不同的数据码时停止，以得到矫正后的参考电流，矫正后的参考电流用于两个数据阵列对应的下一组数据单元读出所存储的数据码。

关于本发明实施例中参考电流生成系统的具体工作方式，可以参照上述参考电流生成方法的执行过程，这里不再赘述。

应当注意的是，虽然在参考电流生成系统以及系统图例中给出本发明实施例的模块以及模块的连接关系，但是所述模块实现规定逻辑功能的可执行指令可以重新组合，从而生成新的模块，因而，参考电流生成系统还可以由其它方法划分的模块组建。

图6所示为本发明第三实施例所提供的存储器的结构框图。参照图 6，该存储器包括读取电路和实施例一所述的参考电流的生成系统，其中，读取电路和参考电流的生成系统连接以接收参考电流I₀，并基于参考电流I0读取存储器中存储单元所存储的数据，从而基于参考电流的生成系统所生成的参考电流I0，使得存储器各存储单元准确且稳定地读取出数据，解决了现有技术中存储器因供电电压波动而导致的数据读取困难的技术问题。

附图中的流程图、框图图示了本发明实施例的系统、方法、装置的可能的体系框架、功能和操作，流程图和框图上的方框可以代表一个模块、程序段或仅仅是一段代码，所述模块、程序段和代码都是用来实现规定逻辑功能的可执行指令。

系统的各个模块或单元可以通过硬件、固件或软件实现。软件例如包括采用JAVA、C/C++/C#、SQL等各种编程语言形成的编码程序。虽然在方法以及方法图例中给出本发明实施例的步骤以及步骤的顺序，但是所述步骤实现规定的逻辑功能的可执行指令可以重新组合，从而生成新的步骤。所述步骤的顺序也不应该仅仅局限于所述方法以及方法图例中的步骤顺序，可以根据功能的需要随时进行调整。例如将其中的某些步骤并行或按照相反顺序执行。

根据本发明的系统和方法可以部署在单个或多个服务器上。例如，可以将不同的模块分别部署在不同的服务器上，形成专用服务器。或者，可以在多个服务器上分布式部署相同的功能单元、模块或系统，以减轻负载压力。所述服务器包括但不限于在同一个局域网以及通过Internet 连接的多个PC机、PC服务器、刀片机、超级计算机等。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域技术人员而言，本发明可以有各种改动和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种存储器参考电流的生成方法，其特征在于，所述存储器包括校验单元，所述参考电流的生成方法包括：

获取多个预设电流挡位；

从多个所述预设电流挡位中确定参考电流挡位，其中，所述参考电流挡位为其对应电流作为参考电流而使所述校验单元正确读出数据的电流挡位；

根据所述参考电流挡位生成所述存储器的参考电流。

2.根据权利要求1所述的参考电流的生成方法，其特征在于，

所述存储器包括两个所述校验单元，每个所述校验单元存储一位二进制的校验码，且两个所述校验单元存储的校验码互不相同；以及，

所述校验单元正确读出数据的确定方法，包括：两个所述校验单元读出各自存储的校验码并且在读出的两个校验码互不相同的情况下，确定两个所述校验单元为正确读出数据。

3.根据权利要求2所述的参考电流的生成方法，其特征在于，从多个所述预设电流挡位中确定参考电流挡位，包括：

将位于备用挡位序列中间的一个电流挡位确定为所述参考电流挡位，

其中，所述备用挡位序列为多个备用电流挡位按电流值排序而得到的一个序列；以及，

所述备用电流挡位为所述参考电流挡位的一个备选的电流挡位。

4.根据权利要求3所述的参考电流的生成方法，其特征在于，将位于备用挡位序列中间的一个电流挡位确定为所述参考电流挡位，包括：

从电流值最大的所述预设电流挡位开始往下遍历多个所述预设电流挡位，以及在首次遍历到所述备用电流挡位时，将遍历到的当前电流挡位确定为所述参考电流挡位，并开始执行如下步骤：

判断步骤，判断在所述当前电流挡位之后遍历的两个连续电流挡位是否为所述备用电流挡位，若是则执行替换步骤，若否则结束遍历；

所述替换步骤，将确定为所述参考电流挡位的所述当前电流挡位替换为所述当前电流挡位之后遍历的一个电流挡位，并执行所述判断步骤。

5.根据权利要求1所述的参考电流的生成方法，其特征在于，

所述存储器包括两个数据阵列，每个所述数据阵列包括多个数据单元，每个所述数据单元存储一位二进制的数据码；

以及，两个所述数据阵列的对应数据单元存储不同的数据码，且两个所述数据阵列在所述参考电流生成后依据所述参考电流读出数据；

所述参考电流的生成方法，还包括：在两个所述数据阵列依据所述参考电流读出数据的过程中，矫正所述参考电流。

6.根据权利要求5所述的参考电流的生成方法，其特征在于，在两个所述数据阵列依据所述参考电流读出数据的过程中，矫正所述参考电流，包括：

在两个所述数据阵列对应的一组当前数据单元组读出一对数据码后，判断读出的数据码是否相同；

在读出的数据码相同的情况下，根据读出的数据码的类型进行对所述参考电流的调整过程；

以及，进行所述调整过程直到一组所述当前数据单元读出不同的数据码时停止，以得到矫正后的所述参考电流，矫正后的所述参考电流用于两个所述数据阵列对应的下一组数据单元读出所存储的数据码。

7.一种存储器参考电流的生成系统，其特征在于，所述存储器包括校验单元，所述参考电流的生成系统包括：

获取模块，用于获取多个预设电流挡位；

确定模块，用于从多个所述预设电流挡位中确定参考电流挡位，其中，所述参考电流挡位为其对应电流作为参考电流而使所述校验单元正确读出数据的电流挡位；

生成模块，用于根据所述参考电流挡位生成所述存储器的参考电流。

8.根据权利要求7所述的参考电流的生成系统，其特征在于，

所述存储器包括两个所述校验单元，每个所述校验单元存储一位二进制的校验码，且两个所述校验单元存储的校验码互不相同；以及，

所述校验单元正确读出数据的确定方法，包括：两个所述校验单元读出各自存储的校验码并且在读出的两个校验码互不相同的情况下，确定两个所述校验单元为正确读出数据。

9.根据权利要求8所述的参考电流的生成系统，其特征在于，所述确定模块用于：

将位于备用挡位序列中间的一个电流挡位确定为所述参考电流挡位，

其中，所述备用挡位序列为多个备用电流挡位按电流值排序而得到的一个序列；以及，

所述备用电流挡位为所述参考电流挡位的一个备选的电流挡位。

10.根据权利要求9所述的参考电流的生成系统，其特征在于，所述确定模块用于：

从电流值最大的所述预设电流挡位开始往下遍历多个所述预设电流挡位，以及在首次遍历到所述备用电流挡位时，将遍历到的当前电流挡位确定为所述参考电流挡位，并开始执行如下步骤：

判断步骤，判断在所述当前电流挡位之后遍历的两个连续电流挡位是否为所述备用电流挡位，若是则执行替换步骤，若否则结束遍历；

所述替换步骤，将确定为所述参考电流挡位的所述当前电流挡位替换为所述当前电流挡位之后遍历的一个电流挡位，并执行所述判断步骤。

11.根据权利要求7所述的参考电流的生成系统，其特征在于，

所述存储器包括两个数据阵列，每个所述数据阵列包括多个数据单元，每个所述数据单元存储一位二进制的数据码；

以及，两个所述数据阵列的对应数据单元存储不同的数据码，且两个所述数据阵列在所述参考电流生成后依据所述参考电流读出数据；

所述参考电流的生成系统，还包括：矫正模块，用于在两个所述数据阵列依据所述参考电流读出数据的过程中，矫正所述参考电流。

12.根据权利要求11所述的参考电流的生成系统，其特征在于，所述矫正模块用于：

在两个所述数据阵列对应的一组当前数据单元组读出一对数据码后，判断读出的数据码是否相同；

在读出的数据码相同的情况下，根据读出的数据码的类型进行对所述参考电流的调整过程；

以及，进行所述调整过程直到一组所述当前数据单元读出不同的数据码时停止，以得到矫正后的所述参考电流，矫正后的所述参考电流用于两个所述数据阵列对应的下一组数据单元读出所存储的数据码。

13.一种存储器，其特征在于，包括读取电路和权利要求7-12中任一项所述的参考电流的生成系统，其中，

所述读取电路和所述参考电流的生成系统连接以接收所述参考电流，并基于所述参考电流读取所述存储器中存储的数据。

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