CN107636623A - 基于电力状态的巡查刷洗时段 - Google Patents

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Abstract

在一个实现方式中，具有刷洗操作能力和可编程巡查刷洗时段的具有管芯上错误校正码(ECC)的存储器模块被耦合到存储器控制器，存储器控制器使得基于能量存储装置的电力状态执行错误校正操作。

Description

基于电力状态的巡查刷洗时段
背景技术
计算机通常使用存储装置(有时被称为存储器模块)存储数据。存储装置可包括易失性存储装置和非易失性存储装置，诸如只读存储器(ROM)或随机存取存储器(RAM)。
附图说明
图1和2是描绘用于巡查刷洗(patrol scrubbing)存储器模块的示例性系统的方框图。
图3是描绘示例性移动计算装置的方框图。
图4描绘用于实现用于巡查刷洗存储器模块的示例性系统的示例性操作。
图5和6是描绘用于巡查刷洗存储器模块的示例性方法的流程图。
具体实施方式
在下面的描述和附图中，描述用于巡查刷洗存储器模块的设备、系统和/或方法的一些示例性实现方式。使用RAM(诸如，动态RAM(DRAM))的系统可能经历由RAM内的内部数据损坏导致的错误值。例如，DRAM管芯内的存储电容器可能失去它们的电荷并且使位改变状态。另一示例是：杂散α粒子可能使DRAM管芯内的位自发地改变状态。错误校正码(ECC)存储器是允许检测和校正存储器内的错误的一种类型的计算机可读存储介质。ECC存储器可通常利用用于ECC数据的另外的存储位置。
ECC DRAM模块可通常包括专用于ECC操作(诸如，错误检测、错误跟踪和刷洗)的额外存储器芯片。ECC模块上的按需刷洗是由ECC校正感知存储器控制器执行的按需读操作，其中所述存储器控制器检测错误并且将经校正的数据写回到所述模块中。按需读操作通常由处理器资源发起。具有专用ECC存储器芯片的ECC存储器模块上的巡查刷洗可包括校正感知存储器控制器防止ECC模块中的坏位积累的示例性方法。例如，存储器控制器可顺序地读取每个可寻址位置，并且如果存储器控制器检测到错误，则存储器控制器将经校正的数据写回到ECC模块中。一个特定种类的ECC存储器模块是管芯上ECC存储器模块。管芯上ECC存储器模块可不包括专用于ECC操作的额外存储器芯片；并且管芯上ECC存储器模块可不附接到校正感知存储器控制器。例如，实现为具有管芯上ECC的存储器模块上的每个管芯可具有如下能力：在按需读操作的传送期间校正64位数据字符组中的单个坏位。在管芯上ECC示例中，存储器模块可能不具有将经校正的数据写回到存储位置的能力。另外，在管芯上ECC示例中，存储器控制器可以是校正透明存储器控制器。如这里所使用的，校正透明存储器控制器是不知道存储器模块从包含坏数据的位置传送经校正的数据的控制器。例如，校正透明存储器控制器不将经校正的数据写回到管芯上ECC模块上。在未经检查的情况下，这可能例如导致坏数据位的积累，坏数据位可能最终组合从而引起例如灾难性系统错误。为了防止这一点，附接到具有管芯上ECC的存储器模块的校正透明存储器控制器可向每个存储器位置发出刷洗命令(例如，执行如这里所讨论的巡查刷洗例程)。当管芯上ECC模块检测到刷洗命令时，该模块可在内部(例如，在没有来自存储器控制器的帮助的情况下在存储器模块上)读取被寻址的数据，检查错误，校正错误，并且将经校正的数据写回到例如原始位置。
ECC存储器模块通常能够允许按需刷洗和/或巡查刷洗。如这里所使用的，巡查刷洗包括在一时间段(在这里被称为巡查刷洗时段)上刷洗存储器模块的可寻址位置的操作。通常，巡查刷洗的目的是在巡查刷洗时段内访问安装的存储器模块的每个可寻址位置以发现错误。巡查刷洗可以是连续操作，或者另一方面可以例如利用计算资源。巡查刷洗可对例如存储器吞吐量和功耗具有负面影响。一些计算机系统基于电池，或者另一方面，利用能量存储装置为计算机系统供电。在使用能量存储装置(例如，在这里讨论为对能量存储装置进行放电)时发生的操作期间，电力可例如是减少的计算资源，并且后台操作(诸如，巡查刷洗操作)可能以所不希望的速率消耗该资源。
以下描述的各种示例涉及基于能量存储装置的电荷水平以可编程方式进行巡查刷洗时段。通过计及能量存储装置的电力状态，所述系统和/或移动计算装置可例如在由巡查刷洗例程引起的功耗方面是自适应的。
如这里所使用的，术语“包括”、“具有”及其变型与术语“包含”或其合适的变型的含义相同。另外，如这里所使用的，术语“基于”表示“至少部分地基于”。因此，描述为基于某种激励的特征可仅基于所述激励或包括所述激励的激励的组合。另外，如这里所使用的，术语“维持”(及其变型)表示“创建、删除、添加、去除、访问、更新和/或修改”。
图1和2是分别描绘用于巡查刷洗存储器模块102和202的示例性系统100和200的方框图。参照图1，图1的示例性系统100通常包括具有管芯上ECC 110的存储器模块102和存储器控制器104。通常，存储器控制器104可基于电力状态106设置存储器模块104的巡查刷洗时段。
如这里所使用的，存储器模块(诸如，存储器模块102)表示在具有能量存储装置的计算装置100内兼容的计算机可读存储装置。示例性存储器模块包括单数据速率同步随机存取存储器(SDR SDRAM)和双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)。具有能量存储装置的示例性计算装置包括利用来自电池或电容器的电力在未被插入到连续外部电源中的情况下运行的装置(诸如，基于电池的计算装置)。示例性基于电池的计算装置包括移动计算装置，诸如笔记本、平板计算机和移动电话。
在图1-3中描绘并且在这里讨论的存储器模块102、202和302表示具有管芯上ECC能力的存储器模块，而不是非ECC存储器模块。例如，图1的存储器模块102可包括具有管芯上错误校正码(ECC)的DRAM。具有非管芯上ECC的ECC存储器模块通常包括专用于执行由ECC限定的操作的额外存储器芯片。例如，包括八个存储器芯片以提供特定大小的存储空间的非ECC DDR4 SDRAM将会包括严格地用于存储ECC码的第九存储器芯片以实现ECC DDR4SDRAM，所述ECC码允许按需刷洗操作和/或巡查刷洗操作。如这里所使用的，错误校正操作是可由管芯上ECC存储器模块在读操作、写操作和巡查刷洗操作期间执行的操作。如这里所讨论的，具有管芯上ECC的存储器模块缺少ECC专用存储器芯片。例如，如图2和3中所示，每个存储器芯片(即，用于存储数据的集成电路)将会包括用于数据存储的电路以及用于ECC数据的另外的存储位置。以这种方式，由非管芯上ECC存储器模块中的ECC专用存储器芯片使用的资源可以被认为跨管芯上ECC存储器模块的存储器芯片分布以便实现错误校正操作的执行。
ECC(诸如，图1的ECC 110)能够由存储器模块执行以执行错误校正操作。如这里所讨论的，错误校正操作包括与巡查刷洗技术关联的操作。例如，存储器控制器可执行包括错误校正操作的刷洗例程(例如，响应于由基本输入和输出系统(BIOS)设置的参数，所述BIOS调用存储器控制器以对刷洗时段进行编程)。对于具有管芯上ECC的另一示例，错误校正操作将会包括在存储器地址读操作期间执行的刷洗操作。在示例性刷洗操作中，访问存储器位置处的数据，并且通过在存储器模块上执行ECC来做出关于是否存在错误的位的确定，然后，如果检测到错误，则提供经校正的位值替代错误的位。如这里所使用的，刷洗操作包括用于刷洗存储器位置的操作，诸如从每个计算机存储器位置读取、检测位错误以及利用ECC校正位错误(如果存在任何位错误的话)。刷洗操作可区别于提供数据的动作处的读操作。在读操作中，经校正的数据在外部被提供给存储器控制器，而在刷洗操作中，经校正的数据被提供给存储器位置用于存储。刷洗操作可被视为没有外部数据的具有修改的写操作的内部刷洗操作，所述内部刷洗操作不同于从校正感知存储器控制器的刷洗操作，所述校正感知存储器控制器可通过在存储器控制器接收经校正的数据并且将经校正的数据写回到存储器模块上的存储器位置来跟踪并且执行刷洗操作。对于另一示例，刷洗操作可包括读操作，所述读操作基于由ECC限定的错误校正操作使RAM模块维持正确值。在一些示例性ECC实现方式中，刷洗操作可将经校正的数据写回到同一位置。在示例性管芯上ECC实现方式中，当所述确定在读操作期间识别出错误位时，正确值不被写回到存储器位置。
参照巡查刷洗时段(例如，刷洗存储器模块的每个可寻址存储器位置的时间帧)执行巡查刷洗。通过使用巡查刷洗时段，存储器模块能够按照调度表操作以便例如每个存储器位置在所述时间段期间被刷洗至少一次。如这里所讨论的，巡查刷洗时段是可编程的。例如，BIOS可调用针对存储器控制器(诸如，存储器控制器104)的函数，以将存储器模块(诸如，存储器模块102)上的可编程巡查刷洗时段设置为特定时间帧，诸如12小时、24小时或72小时。
如这里所讨论的，可基于能量存储装置的电力状态(诸如，图1的电力状态106)维持巡查刷洗时段。例如，电力状态106可标识基于电池的系统是被插入到外部电源中(例如，充电)中还是从能量存储装置放电(例如，基于电池电力操作)，并且巡查刷洗时段可基于电力状态106而被设置。在该示例中，当电力状态106指示系统100被插入到外部电源中时，巡查刷洗时段被设置到比第二时间帧短的第一时间帧，并且当电力状态106指示系统100正在从能量存储装置放电时，巡查刷洗时段被设置到比第一时间帧长的第二时间帧。在另一示例中，电力状态106可指示能量存储装置的电荷水平，并且可利用与电荷水平的反比例关系设置巡查刷洗时段。电力状态可以是基于电力事件(诸如，由电力管理单元(PMU)识别的电力状态变化)可自动地维持的，或者另一方面可由BIOS程序维持。如这里所使用的，能量存储装置是用于存储可由计算装置使用的能量的任何合适的电子装置，诸如电池、电容器或者其组合。示例性能量存储装置包括锂离子电池、镍镉电池、镍-金属氢化物电池、碱性电池、超级电容器、超级电容等。
经存储器控制器(诸如，存储器控制器104)设置确定的巡查刷洗时段。例如，通过进行针对存储器控制器的函数调用以基于电力状态设置巡查刷洗时段，BIOS操作可协调可编程巡查刷洗时段的设置。存储器控制器可通过设置可编程巡查刷洗时段来使错误校正操作在刷洗例程期间执行，这可使存储器模块基于设置的巡查刷洗时段按照调度表操作。
在管芯上ECC存储器模块中，存储器控制器可独立于由管芯上ECC执行的任何校正而操作。例如，存储器控制器可能不知道存储器模块的哪些存储器位置被管芯上ECC能力校正或由存储器模块的管芯上ECC能力执行的任何特定数据校正(例如，哪些值改变)。在这种示例中，因为校正无感知(即，校正透明)存储器控制器缺少错误跟踪特征(例如，用于跟踪由错误校正操作检测到的错误的电路或电路和可执行指令的组合)，存储器控制器可能能够从存储器模块检索错误校正统计数据，但可能不跟踪由错误校正操作检测到的个体错误，所述错误校正操作由存储器模块执行。如这里所讨论的，个体校正表示由单个刷洗操作做出的校正。个体校正的个体错误数据不同于多个校正的统计错误数据，诸如提供在特定时间帧期间发生的许多错误。例如，在特定存储器位置执行的特定刷洗操作期间，知道错误的数量不等同于知道哪个位是错误的。对于另一示例，个体错误数据可包括引起错误的存储器位置的地址，并且统计错误数据可能不包括任何特定存储器位置信息。
如这里所使用的，存储器控制器是用于维持计算装置的存储器模块的电路或电路与可执行指令的组合。如这里所使用的，电路可表示个体、分立的电子部件或由导电材料连接的电子部件的组合。例如，电路可由一下各项构造：由导线连接的分立部件，或焊接到由光刻技术在层叠的基底上生产的互连件的部件的组合。对于另一示例，电路可包括半导体，所述半导体具有以逻辑方式实现在所述半导体的材料中的操作。如这里所使用的，控制器包括电路或电路与可执行指令的组合，诸如具有可执行指令的存储器资源、处理器资源和输入/输出功能。例如，控制器可以是由计算单元(例如，微处理器)、可编程存储器(例如，电子可编程只读存储器)、工作存储器(例如，存储器模块，诸如RAM)和输入/输出电路构成的存储器芯片上的全操作系统。存储器控制器包括具有管理计算装置的存储器模块的任务的控制器。例如，存储器控制器可包括在硅上编程的逻辑，用于执行在这里描述的关于执行巡查刷洗的操作，诸如对刷洗时段进行编程以及使得执行刷洗操作。图1-3的存储器控制器104、204和304具有校正无感知的巡查刷洗能力(例如，具有在不知道在存储器位置是否存在错误位的情况下使存储器模块在存储器位置执行刷洗操作的能力)。存储器控制器的巡查刷洗能力可例如包括：维持巡查刷洗时段，使刷洗操作由存储器模块执行，和/或按照顺序次序跟踪用于执行刷洗操作的位置。
在一些示例中，可结合参照图4-6中的任何附图在这里描述的功能提供参照图1-3中的任何附图在这里描述的功能。
参照图2，用于巡查刷洗存储器模块的示例性系统200可包括与存储器模块102和存储器控制器104相同的存储器模块202和存储器控制器204，并且为了简洁，未完全重复它们的关联描述。示例性系统200还包括电池208、电力管理单元(PMU)212、处理器资源222和存储器资源220。
如以上所讨论的，存储器控制器可包括用于执行维持存储器模块的操作的可执行指令和电路(例如，处理器资源，诸如图2的处理器资源222)。例如，存储器控制器204可包括刷洗程序代码228，当执行刷洗程序代码228时，刷洗程序代码228使得错误校正操作(诸如，刷洗操作)由存储器模块202基于电力状态206执行。例如，存储器控制器204可包括校正透明存储器控制器(即，独立于由存储器模块的ECC能力执行的各个校正的知识而操作的存储器控制器)，所述校正透明存储器控制器包括计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质具有存储在它上面的指令集，当由处理器资源执行所述指令集时，所述指令集使存储器控制器根据基于巡查刷洗时段的调度表引起刷洗操作在存储器模块202(例如，RAM模块)的存储器位置处执行。ECC 210被描绘为在存储器模块202的每个存储器芯片236(在这里也被讨论为管芯或集成电路，诸如图3中的集成电路336)上可用的管芯上ECC。
PMU 212是控制电池208的协调器。例如，PMU可以是控制计算装置的电力功能的控制器(例如，微控制器)，并且可包括用于测量时间间隔的定时器以及用于测量计算机的电源(例如，主电池)的电压的模数转换器。
PMU可维持电池的属性。电池的示例性属性包括电力连接属性和电池电量属性。电力连接属性表示系统是否以可操作方式连接到外部电源。电池电量属性表示可由能量存储装置使用的电荷水平。PMU可使用标识符(即，能够表示一个或多个属性的任何合适的值、数字、字符、字符串或分类)表示电池的属性。例如，电力连接属性可以是表示关于基于电池的系统是否连接到外部电源的标识的标签，并且电池电量属性可以是用于表示基于电池的系统的能量存储装置的电荷值的百分比。
图2描绘示例性系统200可包括存储器资源220，存储器资源220以可操作方式耦合到处理器资源222。处理器资源222可以以可操作方式耦合到存储器控制器204和PMU 212。处理器资源222与存储器资源220的组合可实现例如BIOS以协调对巡查刷洗时段进行编程，如图3中所述。对于另一示例，存储器资源220和/或处理器资源222可被实现在半导体(诸如，控制器的一部分)上以执行以逻辑方式实现在硅上的操作。
参照图2，存储器资源220可包含可由处理器资源222执行的指令集。当所述指令集由处理器资源222执行时，所述指令集可操作为使处理器资源222执行系统200的操作。存储在存储器资源220上的所述指令集可被表示为检索程序代码224和调度程序代码226。处理器资源222可实施指令集以执行检索程序代码224、调度程序代码226和/或系统200的部件之中和/或与系统200的部件关联的任何其它合适的操作。例如，处理器资源222可实施指令集以作为控制程序接口进行操作，所述控制程序接口具有这样的功能：检索计算装置的电力状态(诸如，从PMU 212检索电池208的电力状态206)，并且基于检索的电池208的电力状态来维持用于刷洗存储器模块(例如，DDR RAM模块)的多个地址的巡查刷洗时段。对于另一示例，处理器资源222可实施一指令集以确定电力状态206指示能量存储装置(例如，电池208)正在充电还是放电，当电力状态指示能量存储装置正在充电时，将可编程巡查刷洗时段设置为第一持续时间，并且当电力状态指示能量存储装置正在放电时，将可编程巡查刷洗时段设置为第二持续时间(例如，比第一持续时间长的时间段)。对于再另一示例，处理器资源222可实施一指令集以确定能量存储装置的电荷量(例如，经对PMU 212的请求识别电池208的电荷水平)，并且基于由可编程巡查刷洗时段和电荷量之间的反比例关系限定的函数计算可编程巡查刷洗时段。如这里所使用的，控制程序接口表示用于操作与计算装置的电路对接的控制程序的系统，诸如BIOS或统一可扩展固件接口(UEFI)。
虽然关于图2和其它示例性实现方式图示并且讨论了这些特定模块和各种其它模块，但模块的其它组合或子组合可被包括在其它实现方式内。换句话说，虽然在图2中图示并且在其它示例性实现方式中讨论的模块在这里讨论的示例中执行特定功能，但可在不同模块或在照模块的组合处完成、实现或获得这些和其它功能。例如，图示和/或讨论为分开的两个或更多个模块可被组合成执行关于所述两个模块讨论的功能的模块。作为另一示例，如关于这些示例所讨论的在一个模块处执行的功能可在一个或多个不同模块处被执行。图4描绘了功能可如何被组织成模块的又另一示例。
处理器资源是能够处理(例如，计算)指令的任何合适的电路，诸如能够从存储器资源检索并且执行那些指令的一个或多个处理元件。例如，处理器资源222可以是中央处理单元(CPU)，该中央处理单元通过取回、解码和执行指令224和226来实现巡查刷洗存储器模块。示例性处理器资源包括至少一个CPU、基于半导体的微处理器、可编程逻辑器件(PLD)等。示例性PLD包括专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、可编程阵列逻辑(PAL)、复杂可编程逻辑器件(CPLD)和可擦除可编程逻辑器件(EPLD)。处理器资源可包括集成在单个装置中或跨各装置分布的多个处理元件。处理器资源可连续地、并行地或部分并行地处理指令。
存储器资源表示用于存储如下数据的介质：该数据由系统利用和/或产生以巡查刷洗存储器模块。所述介质是能够以电子方式存储数据(诸如，系统的指令(例如，程序代码224和226)和/或由系统使用的数据)的任何非暂态介质或非暂态介质的组合。例如，所述介质可以是不同于暂态传送介质(诸如，信号)的存储介质。所述介质可以是机器可读(诸如，计算机可读)的。所述介质可以是能够包含(即，存储)可执行指令的电子、磁、光学或其它物理存储装置。存储器资源220可以被认为存储程序指令，当由处理器资源222执行所述程序指令时，所述程序指令使处理器资源222实现图2的系统200的功能。存储器资源可被与处理器资源集成在同一装置中，或者它可以是分开的，但可由所述装置和处理器资源访问。存储器资源可跨各装置分布。
系统100和200的部件已被描述为电路或电路与可执行指令的组合，并且可被以许多方式实现。参照图2，可执行指令可以是存储在存储器资源220上的处理器可执行指令(诸如，程序指令)，存储器资源220是有形非暂态计算机可读存储介质，并且电路可以是用于执行那些指令的电子电路(诸如，处理器资源222)。驻留在存储器资源220上的指令可包括要由处理器资源222直接(诸如，机器代码)或间接(诸如，脚本)执行的任何指令集。
在一些示例中，系统200可包括可执行指令，所述可执行指令可以是安装包的一部分，当所述安装包被安装时，所述安装包可由处理器资源222执行以执行系统200的操作(诸如，关于图4-6描述的方法)。在该示例中，存储器资源220可以是便携式介质，诸如压缩盘、数字视频盘、闪存驱动器或由服务器装置维持的存储器，安装包可从所述服务器装置被下载并且安装。在另一示例中，所述可执行指令可以是已经安装的一个或多个应用的一部分。存储器资源220可以是非易失性存储器资源(诸如，只读存储器(ROM))、易失性存储器资源(诸如，随机存取存储器(RAM))、存储装置或者其组合。存储器资源220的示例性形式包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存等。存储器资源220可包括集成存储器，诸如硬盘驱动器(HD)、固态驱动器(SSD)或光学驱动器。
图3描绘示例性移动计算装置300。示例性移动计算装置300包括类似于图2的系统200的系统。通常，示例性移动计算装置300包括电池308、BIOS 334、存储器控制器304和RAM302，其中电池208、存储器控制器204和存储器模块202的描述分别适用于电池308、存储器控制器304和RAM 302，并且为了简洁而不重复。移动装置300还可包含PMU 312以帮助从电池308检索电力状态或者另一方面维持移动计算装置300的供电能力。
BIOS 334包括实现为处理器资源322和存储器资源320的电路和可执行指令的组合，存储器资源320包含检索程序代码324和调度程序代码326，检索程序代码324和调度程序代码326分别与图2的检索程序代码224和调度程序代码226相同。存储器控制器304包括实现为处理器资源332和存储器资源330的电路和可执行指令的组合，存储器资源330包含刷洗程序代码328，刷洗程序代码328与图2的刷洗程序代码228相同。
移动计算装置300的存储器模块是RAM模块302。RAM模块302包括多个集成电路336(例如，芯片)。所述多个集成电路336中的每个集成电路336包含存储在它上面的ECC 310。以这种方式，RAM模块302不具有专用于ECC的额外集成电路。
参照图3，除非这里另外描述，否则所述系统的指令(例如，程序代码324、326和328)可跨各装置(例如，跨BIOS 334、存储器控制器304和存储器模块302)分布。当执行所述指令时，所述指令可完成或帮助完成在描述另一指令集时执行的操作。因此，虽然各种引擎和模块在图2和3中被示出为分开的指令集，但在其它实现方式中，多个指令集的功能可被实现为单个指令集或被划分在各种指令集中。在某个示例中，系统100、200和/或300可执行结合图4-6描述的示例性方法。
图4描绘用于实现用于巡查刷洗存储器模块的示例性系统的示例性操作。参照图4，图4的示例性程序代码集通常包括检索程序代码434、调度程序代码436和刷洗程序代码438。图4的示例性程序代码集可被实现在计算装置(诸如，图3的移动计算装置300)上。
在发生事件454(诸如，与外部电源断开连接或来自BIOS的请求)时，检索程序代码434可由处理器资源执行。检索程序代码434可包括诸如PMU访问程序代码440和状态程序代码442之类的程序代码以帮助检索能量存储装置的电力状态。PMU访问程序代码440表示如下指令：当所述指令由处理器资源执行时，所述指令使处理器资源访问与能量存储装置关联的PMU并且检索能量存储装置的属性456。状态程序代码442表示如下指令：当所述指令由处理器资源执行时，所述指令使处理器资源基于属性456识别能量存储装置的电力状态458。电力状态458可包括属性456。
由执行检索程序代码434的处理器资源将电力状态458提供给执行调度程序代码436的处理器资源。调度程序代码436表示如下指令：当执行所述指令时，所述指令识别为管芯上ECC存储器模块上的巡查刷洗设置的时间段460(例如，巡查刷洗时段)。调度程序代码436可包括诸如计算程序代码444和设置程序代码446之类的程序代码以帮助设置巡查刷洗时段。计算程序代码444表示如下指令：当所述指令由处理器资源执行时，所述指令使处理器资源基于电力状态458确定巡查刷洗时段。例如，通过将最大刷洗时间(例如，72小时)除以电荷因子，执行计算程序代码444的处理器资源可确定巡查刷洗时段，所述电荷因子基于由电力状态458提供或者另一方面由电力状态458指示的剩余电荷百分比。如这里所使用的，电荷因子表示用于基于能量存储装置的电荷量修改所述预定刷洗时间的数值，其中所述数值基于电荷量和巡查刷洗时段之间的反比关系。例如，处于75％电荷的电池能够被表示为四分之一的因子以计算最大刷洗时段的四分之一作为巡查刷洗时段最大刷洗时段，而处于25％电荷的电池能够被表示为四分之三的因子以计算最大刷洗时段的四分之三作为巡查刷洗时段。设置程序代码446表示如下指令：当所述指令由处理器资源执行时，所述指令使处理器资源调用函数以使存储器控制器将管芯上ECC存储器模块的巡查刷洗时段设置为由执行计算程序代码444的处理器资源确定的巡查刷洗时段。
刷洗程序代码438可包含用于帮助对存储器模块执行巡查刷洗的指令(诸如，间隔程序代码448、地址程序代码450和跟踪程序代码452)。间隔程序代码448表示如下指令：当所述指令由处理器资源执行时，所述指令使处理器资源基于时段460识别用于刷洗存储器模块的可寻址位置的调度表(例如，刷洗地址的速率)。所述调度表可以是例如时间段460除以存储器模块的可寻址存储器位置的数量。地址程序代码450表示如下指令：当所述指令由处理器资源执行时，所述指令使处理器资源基于时间段460识别用于执行刷洗的存储器位置462(例如，基于所确定的调度表的下一个存储器位置)。跟踪程序代码452表示如下程序指令：当所述程序指令由处理器资源执行时，所述程序指令使处理器资源跟踪在巡查刷洗时段期间刷洗的存储器位置。以这种方式，随着例如巡查刷洗时段基于能量存储装置的电荷量而变化，管芯上ECC存储器模块可继续基于更新的电力状态以更新的速率按照所述预定次序执行刷洗操作。执行刷洗程序代码438的结果可以是在存储器位置462的存储器访问操作，并且可导致存储器访问请求464和在存储器位置462执行的刷洗操作。管芯上ECC存储器模块的ECC可包括刷洗程序代码438。
图5和6是描绘用于巡查刷洗存储器模块的示例性方法的流程图。参照图5，用于巡查刷洗存储器模块的示例性方法可通常包括：检索能量存储装置的电力状态；基于电力状态设置巡查刷洗时段；识别存储器位置；在存储器位置引起刷洗操作；以及使管芯上ECC在刷洗操作期间执行。可对一系统执行如这里所描述的用于巡查刷洗存储器模块的示例性方法，所述系统用于巡查刷洗基于电池的计算机系统的具有管芯上ECC的存储器模块，所述基于电池的计算机系统包括一存储器控制器，所述存储器控制器不支持具有额外ECC存储器芯片的存储器模块。可使用所述示例性方法的示例性系统分别包括图1、2和3的系统100、200和300。
在块502，诸如通过经基于电池的系统的BIOS的电力状态检索操作来检索基于电池的计算机系统的电池的电力状态。例如，在块502的(一个或多个)操作可由包括检索程序代码(诸如，图2的检索程序代码224或图3的BIOS 334)的系统直接或间接执行。电力状态检索操作可基于电池的属性(诸如，可由PMU识别并且由PMU维持的属性)提供电力状态。
在块504，基于电力状态设置巡查刷洗时段。可响应于确定电池正在放电(诸如，根据由外部电源的断开连接引起的事件)而设置巡查刷洗时段。诸如通过引起程序代码(诸如，关于图4的调度程序代码436标识的程序代码)的执行，BIOS(诸如，图3的BIOS)可执行电池放电状态的确定、巡查刷洗时段的计算和巡查刷洗时段的设置。BIOS可使用针对基于电池的计算机系统的PMU、存储器控制器或其它管理子系统的函数调用来引起这里描述的操作的执行(例如，BIOS可通过使操作由特定子系统执行来间接地执行所述操作)。
在块506，使存储器模块(诸如，图1的存储器模块102)的存储器位置被识别为将要在巡查刷洗时段期间被刷洗。例如，BIOS可基于在块504的函数调用对存储器控制器进行编程，并且响应于巡查刷洗时段的变化，存储器控制器基于巡查刷洗时段确定更新的巡查刷洗调度表并且利用所述调度表识别对其执行刷洗操作的下一个可寻址存储器位置。例如，存储器控制器可跟踪用于执行顺序刷洗操作的次序，并且利用存储器位置作为参数向存储器模块做出刷洗请求。对于另一示例，存储器模块可顺序地经过可寻址存储器位置，每次从存储器控制器做出请求时，在接收到刷洗请求时按照顺序次序增加到下一个地址，并且在超过可寻址存储器范围时重置到第一位置(例如，位置零)。在该示例中，控制器可执行巡查刷洗请求，而没有跟踪存储器位置以确定待刷洗的下一个存储器位置的开销。
在块508，使得刷洗操作基于从块504处的巡查刷洗时段得出的调度表在存储器位置处被执行。刷洗操作可包括在所述存储器位置处的读操作，在存储器位置处读操作提供如关于块510所讨论的使用管芯上ECC处理的数据。可在确定所述存储器位置处的值包含错误期间或响应于确定所述存储器位置处的值包含错误而执行刷洗操作。在块510，使ECC由存储器模块在刷洗操作期间执行。例如，可使存储器模块的多个存储器芯片在存储器位置处的刷洗操作期间执行管芯上ECC。BIOS(诸如，图3的BIOS 334)和/或存储器模块(诸如，图1的存储器模块102)可直接或间接执行与块506和508关联的(一个或多个)操作。
图6包括与图5的块类似的块，并且提供另外的块和细节。具体来说，图6描绘大体上关于确定巡查刷洗时段以及读取存储器模块的所有位置的另外的块和细节。块602、612、616、618和620与图5的块502、504、506、508和510相同，并且为了简洁，不重复它们相应的描述。
在块604，基于电力状态确定巡查刷洗时段，其中电力状态包括电力连接属性和电池电量属性。例如，BIOS(诸如，图3的BIOS 334)可基于关于基于电池的系统是否连接到外部电源的识别和基于电池的系统的电荷值确定巡查刷洗时段。在该示例中，电力连接属性表示关于基于电池的系统是否以可操作方式连接到外部电源的识别，并且电池电量属性表示基于电池的系统的电荷值(诸如，表示电荷量的范围的百分比或种类)。
可基于与基于电池的系统的电荷水平的反比例关系确定巡查刷洗时段。例如，图4的计算程序代码444可包括一函数，该函数中所获得的巡查刷洗时段随着作为所述函数的输入提供的电池电量减小而增加。以这种方式，巡查刷洗时段可被延长以便例如减少正在从能量存储装置放电的移动计算装置上的功耗。可基于从预定电荷量水平得出的电荷水平种类确定巡查刷洗时段。例如，巡查刷洗时段可具有电荷量的三个范围：第一种类针对高于66％的电荷量的第一范围、第二种类针对从33％到66％的第二范围，并且第三种类针对小于33％的电荷量的第三范围。
用于基于与电荷水平的反比例关系确定巡查刷洗时段的示例性方法由块606、608和610描绘。在块606，识别基于电池的系统的电荷水平。在块608，与包括所述电荷水平的电荷水平范围关联的电荷种类。在块610，选择与所述电荷种类关联的巡查刷洗时段。例如，可在块606识别出45％的电荷水平，其中在块608识别出与从33％到66％的范围关联的电荷种类，以及诸如当存在与12小时关联的第一种类、与24小时关联的第二种类和与48小时关联的第三种类时，基于电荷种类选择24小时的巡查刷洗时段。
在块614，在巡查刷洗时段内读取存储器模块的所有位置。存储器模块可具有ECC，所述ECC重复地刷洗存储器模块的每个可寻址存储器位置。存储器位置被刷洗的速率可基于调度表，所述调度表基于计算系统的能量存储装置的电力状态。存储器模块(诸如，基于电路和可执行指令(例如，刷洗程序代码)的组合)可在块616重复地识别存储器位置，执行刷洗操作618，并且在块620在刷洗操作期间执行ECC(例如，检测错误并且如果检测到错误，则发送经校正的值)。可通过设置巡查刷洗时段来引起这些重复。例如，存储器控制器和/或存储器模块可被编程为按照基于巡查刷洗时段的速率顺序地经过高速缓存行以读取各个值，在检测到错误的情况下执行刷洗操作，并且可向存储器控制器发送正确的位。
在块622，可使存储器位置被跟踪。在基于巡查刷洗时段的时间帧期间刷洗的存储器位置可被跟踪以允许例如合适的巡查刷洗执行。在块622执行的(一个或多个)操作可由例如执行图4的跟踪程序代码452的处理器执行。对存储器位置的跟踪可允许巡查刷洗在巡查刷洗时段被改变时按照刷洗执行次序在同一个点继续进行。例如，存储器控制器和/或存储器模块可被编程为顺序地经过高速缓存行，并且当巡查刷洗时段被改变时，存储器模块在所述改变发生时在顺序高速缓存行中在所述点处继续进行刷洗操作。以这种方式，维持可寻址存储器位置被刷洗的次序，而每次刷洗之间的时间差可根据巡查刷洗时段的任何变化而变化。当巡查刷洗时段被编程为更长的时段时，由于巡查刷洗操作而导致的功耗可减少，并且继而例如为基于电池的计算机系统提供更长的电池寿命。
虽然图4-6的流程图图示特定执行次序，但执行次序可不同于图示的执行次序。例如，各个块的执行次序可相对于示出的次序被扰乱。此外，连续示出的各个块可被并行或部分并行执行。所有这种变化落在本描述的范围内。
在本说明书(包括任何所附权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征和/或这样公开的任何方法或过程的所有元件可被按照任何组合(除了这种特征和/或元件中的至少一些互相排斥情况下的组合)被组合。
已参照前面的示例示出和描述了本描述。然而，应该理解，可在不脱离下面的权利要求的精神和范围的情况下做出其它形式、细节和示例。权利要求中的词语“第一”、“第二”或相关术语的使用并不用于将要求保护的元件限制于一定次序或位置，而是仅用于区分不同的要求保护的元件。

Claims (15)

1.一种系统，包括：
存储器模块，具有管芯上错误校正码(ECC)，当执行管芯上ECC时，管芯上ECC使所述存储器模块执行包括刷洗操作的错误校正操作；和
存储器控制器，用于在可编程巡查刷洗时段中使错误校正操作在刷洗例程期间执行，所述可编程巡查刷洗时段能够基于能量存储装置的电力状态来维持，存储器控制器独立于能够由管芯上ECC执行的校正而操作。
2.如权利要求1所述的系统，其中
所述存储器控制器缺少错误跟踪特征并且不知道存储器模块的哪些存储器位置被存储器模块上的所述管芯上ECC校正。
3.如权利要求1所述的系统，其中所述能量存储装置是电池、电容器或者其组合。
4.如权利要求1所述的系统，还包括：
计算机可读存储介质，包括指令集，所述指令集能够由处理器资源执行以通过控制程序接口操作来检索所述电力状态。
5.如权利要求4所述的系统，其中可执行的指令集还：
确定电力状态指示能量存储装置正在充电还是在放电；
当电力状态指示能量存储装置正在充电时，将可编程巡查刷洗时段设置为第一持续时间；以及
当电力状态指示能量存储装置正在放电时，将可编程巡查刷洗时段设置为第二持续时间，第二持续时间比第一持续时间长。
6.如权利要求4所述的系统，其中可执行的指令集还：
确定能量存储装置的电荷量；以及
基于由可编程巡查刷洗时段和电荷量之间的反比例关系限定的函数计算可编程巡查刷洗时段。
7.一种移动计算装置，包括：
电池；
随机存取存储器(RAM)模块，包括多个集成电路，所述多个集成电路中的每个集成电路包含存储在它上面的错误校正码(ECC)；
基本输入和输出系统(BIOS)，包括第一计算机可读存储介质，第一计算机可读存储介质具有存储在它上面的第一指令集，当第一指令集由第一处理器资源执行时，所述第一指令集使第一处理器资源：
检索电池的电力状态；
基于所述电力状态维持用于刷洗RAM模块的多个地址的巡查刷洗时段；和
校正透明存储器控制器，包括第二计算机可读存储介质，第二计算机可读存储介质具有存储在它上面的第二指令集，当第二指令集由第二处理器资源执行时，所述第二指令集使存储器控制器根据基于巡查刷洗时段的调度表引起针对RAM模块的存储器位置的刷洗操作的执行，其中刷洗操作包括读操作，所述读操作使RAM模块基于由ECC限定的错误校正操作提供正确值。
8.如权利要求7所述的装置，其中所述第二指令集能够由处理器资源执行以：
跟踪在巡查刷洗时段期间刷洗的存储器位置。
9.如权利要求7所述的装置，包括：
电力管理单元(PMU)，维持所述电池的属性，
其中所述基本输入操作系统(BIOS)的第一指令集包括电力状态检索操作，电力状态检索操作基于能够由PMU识别的属性提供所述电力状态。
10.如权利要求7所述的装置，其中所述第一指令集能够由处理器资源执行以：
通过将最大刷洗时间除以基于剩余电荷百分比的电荷因子来确定巡查刷洗时段。
11.一种用于巡查刷洗基于电池的计算机系统的具有管芯上错误校正码(ECC)的存储器模块的方法，所述基于电池的计算机系统包括存储器控制器，所述存储器控制器不支持具有额外ECC存储器芯片的存储器模块，所述方法包括：
经基本输入操作系统(BIOS)检索基于电池的计算机系统的电池的电力状态；
响应于确定所述电池正在放电，由基本输入操作系统(BIOS)经存储器控制器基于所述电力状态设置巡查刷洗时段；
识别将要在巡查刷洗时段期间刷洗的存储器模块的存储器位置；
由存储器模块基于从巡查刷洗时段得出的调度表使刷洗操作在所述存储器位置执行，所述刷洗操作包括在所述存储器位置的读操作，所述读操作提供使用管芯上ECC处理的数据；以及
由存储器模块上的多个存储器芯片使管芯上ECC在所述存储器位置处在所述刷洗操作期间执行。
12.如权利要求11所述的方法，包括：
在基于所述巡查刷洗时段的时间帧期间使所述存储器位置被跟踪和刷洗；以及
在巡查刷洗时段内读取存储器模块的所有位置。
13.如权利要求11所述的方法，包括：
基于下面各项确定所述巡查刷洗时段：
关于基于电池的系统是否连接到外部电源的识别；和
基于电池的系统的电荷的值，
其中所述电力状态包括表示所述识别的电力连接属性和表示所述值的电池电量属性。
14.如权利要求11所述的方法，包括：
基于与基于电池的系统的电荷水平的反比例关系确定所述巡查刷洗时段。
15.如权利要求14所述的方法，包括：
识别基于电池的系统的电荷水平；
识别与包括所述电荷水平的电荷水平范围关联的电荷种类；以及
选择与电荷种类关联的巡查刷洗时段。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180358989A1 (en) * 2017-06-09 2018-12-13 Western Digital Technologies, Inc. Non-volatile Storage Systems With Application-Aware Error-Correcting Codes
US10310989B2 (en) * 2017-09-29 2019-06-04 Intel Corporation Time tracking with patrol scrub
KR102410022B1 (ko) * 2017-11-24 2022-06-21 에스케이하이닉스 주식회사 에러스크럽방법 및 이를 이용한 반도체모듈
KR102393427B1 (ko) * 2017-12-19 2022-05-03 에스케이하이닉스 주식회사 반도체장치 및 반도체시스템
US11334457B1 (en) 2019-06-27 2022-05-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device and memory system including the same
CN112307131B (zh) * 2020-10-23 2024-04-12 彩讯科技股份有限公司 设备巡检方法、系统、电子设备及存储介质
KR20230003766A (ko) * 2021-06-30 2023-01-06 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러의 구동 방법, 이를 수행하는 메모리 컨트롤러 및 이를 포함하는 메모리 시스템
US11605441B1 (en) * 2021-08-30 2023-03-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same
KR20230073915A (ko) * 2021-11-19 2023-05-26 에스케이하이닉스 주식회사 에러체크 및 스크럽동작방법 및 이를 이용한 반도체시스템
US20240303156A1 (en) * 2023-03-09 2024-09-12 Arm Limited Patrol scrubbing cycle for data storage circuitry

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030191888A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-09 Klein Dean A. Method and system for dynamically operating memory in a power-saving error correction mode
US20110231697A1 (en) * 2010-03-17 2011-09-22 Dell Products L.P. Systems and methods for improving reliability and availability of an information handling system
CN104167224A (zh) * 2014-06-12 2014-11-26 上海新储集成电路有限公司 降低dram软错误的方法
CN104407896A (zh) * 2014-12-02 2015-03-11 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种简化计算机系统bios功能选项配置的方法
CN104484274A (zh) * 2014-12-24 2015-04-01 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种基于itp工具的内存轮巡检查功能测试方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6088760A (en) * 1997-03-07 2000-07-11 Mitsubishi Semiconductor America, Inc. Addressing system in a multi-port RAM having main and cache memories
US7058782B2 (en) * 2003-07-31 2006-06-06 International Business Machines Corporation Method and apparatus for coordinating dynamic memory deallocation with a redundant bit line steering mechanism
US7012835B2 (en) * 2003-10-03 2006-03-14 Sandisk Corporation Flash memory data correction and scrub techniques
US20070089032A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-19 Intel Corporation Memory system anti-aliasing scheme
US7573773B2 (en) * 2007-03-28 2009-08-11 Sandisk Corporation Flash memory with data refresh triggered by controlled scrub data reads
US8255772B1 (en) * 2008-06-18 2012-08-28 Cisco Technology, Inc. Adaptive memory scrub rate
US8756486B2 (en) * 2008-07-02 2014-06-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for repairing high capacity/high bandwidth memory devices
US20100329293A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-30 Battelle Memorial Institute Methods and Apparatus for Efficient, Low-noise, Precision Current Control
US8898408B2 (en) 2011-12-12 2014-11-25 Dell Products L.P. Memory controller-independent memory mirroring
US9829951B2 (en) 2011-12-13 2017-11-28 Intel Corporation Enhanced system sleep state support in servers using non-volatile random access memory
US20130191833A1 (en) * 2012-01-23 2013-07-25 Dell Products L.P. System and method for assuring performance of data scrubbing operations
JP2014052978A (ja) * 2012-09-10 2014-03-20 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリの制御方法及びメモリシステム
US9318182B2 (en) 2013-01-30 2016-04-19 Intel Corporation Apparatus, method and system to determine memory access command timing based on error detection
US9269436B2 (en) * 2013-03-12 2016-02-23 Intel Corporation Techniques for determining victim row addresses in a volatile memory
US9280419B2 (en) * 2013-12-16 2016-03-08 International Business Machines Corporation Dynamic adjustment of data protection schemes in flash storage systems based on temperature, power off duration and flash age
US9361030B2 (en) * 2014-08-20 2016-06-07 Sandisk Technologies Inc. Temperature accelerated stress time
US9589645B2 (en) * 2014-10-06 2017-03-07 Sandisk Technologies Llc Block refresh to adapt to new die trim settings
EP3268865B1 (en) * 2015-06-26 2021-08-04 Hewlett Packard Enterprise Development LP Self-tune controller
US9864653B2 (en) * 2015-07-30 2018-01-09 International Business Machines Corporation Memory scrubbing in a mirrored memory system to reduce system power consumption

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030191888A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-09 Klein Dean A. Method and system for dynamically operating memory in a power-saving error correction mode
US20110231697A1 (en) * 2010-03-17 2011-09-22 Dell Products L.P. Systems and methods for improving reliability and availability of an information handling system
CN104167224A (zh) * 2014-06-12 2014-11-26 上海新储集成电路有限公司 降低dram软错误的方法
CN104407896A (zh) * 2014-12-02 2015-03-11 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种简化计算机系统bios功能选项配置的方法
CN104484274A (zh) * 2014-12-24 2015-04-01 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种基于itp工具的内存轮巡检查功能测试方法

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Publication number Publication date
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US10521294B2 (en) 2019-12-31
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