CN104571938A - 在多层单元存储器存取数据的方法及其多层单元存储装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种在多层单元存储器存取数据的方法及其多层单元存储装置，所述方法包括使用单层单元设定将一部分多层单元存储器转换为一单层单元存储区域，以形成多个多层存储单元及多个单层存储单元；当一数据分配至一多层存储单元时，将所述数据存储在多个单层存储单元；将多层存储单元对应至多个单层存储单元；通过取得存储在多个单层存储单元的数据来读取所述数据；以及当所述多层存储单元中的数据更新或一新数据分配至多个单层存储单元中至少一单层存储单元时，使用多层单元设定重新配置多个单层存储单元，进而提升多层单元存储装置中的数据可靠度。

Description

在多层单元存储器存取数据的方法及其多层单元存储装置

技术领域

本发明涉及一种在一多层单元（Multi-Level Cell，MLC）存储器存取数据的方法及其多层单元存储装置，尤其涉及一种可提升多层单元存储装置的数据可靠度的数据存取方法及其多层单元存储装置。

背景技术

存储器控制器常用于存储器系统（特别是非易失性存储器系统）中，用来进行工作管理。一般来说，当非易失性存储器系统的电源关闭时，存储在非易失性存储器系统的数据不会遗失，因此非易失性存储器系统可作为一种用来存储系统数据的重要装置。在各类非易失性存储器系统中，由于与非门型闪速存储器（NAND Flash Memory）具有低功耗及速度快的优点，因此，伴随近年来便携设备的普及化，与非门型闪速存储器已被广为采用。

与非门型闪速存储器的数据存储在记忆细胞（Memory Cell）中，而记忆细胞是由浮栅晶体管（Floating-Gate Transistor）所组成。传统上，每一记忆细胞都具有两种状态，因此可存储一位的数据，即所谓的单层单元（Single-Level Cell，SLC）闪速存储器。单层单元存储器具有写入速度快、低耗电及高耐受度等优点。然而，由于单层单元闪速存储器中，每一记忆细胞仅能够存储一位的数据，其存储空间的单位成本较高。为了降低成本，与非门型闪速存储器的制造商正致力于提高单位存储密度，并推出一种多层单元（Multi-Level Cell，MLC）闪速存储器。“多层单元”中的一记忆细胞可存储大于一位的数据。多层单元闪速存储器即是在闪速存储器的每一记忆细胞中使用多层方式存储数据的技术，使得相同数量的晶体管可存储更多数据位。在单层单元技术中，每一记忆细胞具有两种状态，可存储一位的数据。相较之下，多层单元闪速存储器的每一记忆细胞可具有四种或更多种状态，因此每一记忆细胞可存储大于两位的数据。在较高的数据存储密度之下，多层单元闪速存储器拥有单位数据存储成本较低的优点。

然而，根据多层单元技术，记忆细胞中区隔不同状态的余裕空间较小，可能造成数据错误率增加，特别是在恶劣的环境（如高温）之下。而在多层单元闪速存储器量产的流程中，在存储器芯片焊接上电路板以前，通常会在存储器中预先写入数据。若这些预写数据通过多层单元技术写入时，在焊接过程容易受到高温影响而损坏。即使多层单元闪速存储器中通常具有一块使用单层单元设定的暂存空间，此暂存空间的数量较少且往往不足以存储预写数据，因此，预写数据必须占用多层单元闪速存储器的用户区块并以多层单元设定进行存储，因而提高了焊接过程造成数据损毁的风险。有鉴于此，公知技术实有改进的必要。

发明内容

因此，本发明的主要目的即在于提供一种在多层单元（Multi-Level Cell，MLC）存储器存取数据的方法及其多层单元存储装置，其可通过单层单元（Single-Level Cell，SLC）设定将数据存储在多层单元存储装置中，并且在数据更新时，使用多层单元设定重新配置单层单元存储区域，进而提升多层单元存储装置中的数据可靠度。

本发明公开一种在多层单元存储器存取数据的方法，包括有使用单层单元设定将一部分所述多层单元存储器中多个存储单元转换为一单层单元存储区域，以形成多个多层存储单元及多个单层存储单元；当一数据分配至一多层存储单元时，将所述数据存储在所述多个单层存储单元；将所述多层存储单元对应至所述多个单层存储单元；通过取得存储在对应于所述多层存储单元的所述多个单层存储单元的数据来读取所述数据；以及当所述多层存储单元中的数据更新或一新数据分配至所述多个单层存储单元中至少一单层存储单元时，使用多层单元设定重新配置所述多个单层存储单元。

本发明还公开一种多层单元存储装置，包括有一多层单元存储器及一存储器控制器。所述多层单元存储器包括有多个存储单元。所述存储器控制器耦接至所述多层单元存储器，可通过执行以下步骤在所述多层单元存储器存取数据：使用单层单元设定将一部分所述多层单元存储器中所述多个存储单元转换为一单层单元存储区域，以形成多个多层存储单元及多个单层存储单元；当一数据分配至一多层存储单元时，将所述数据存储在所述多个单层存储单元；将所述多层存储单元对应至所述多个单层存储单元；通过取得存储在对应于所述多层存储单元的所述多个单层存储单元的数据来读取所述数据；以及当所述多层存储单元中的数据更新或一新数据分配至所述多个单层存储单元中至少一单层存储单元时，使用多层单元设定重新配置所述多个单层存储单元。

本发明还公开一种在多层单元存储器存取数据的方法，包括有在所述多层单元存储器中转换一多层单元存储区域的一部分以形成一单层单元存储区域，以将一数据存储在所述单层单元存储区域；当一新数据分配至所述单层单元存储区域或所述数据更新时，从所述单层单元存储区域搬移所述数据至所述多层单元存储区域；以及将所述单层单元存储区域转换为所述多层单元存储区域的所述部分。

本发明还公开一种多层单元存储装置，包括有一多层单元存储器及一存储器控制器。所述多层单元存储器包括有一多层单元存储区域，可用来存储数据。所述存储器控制器耦接至所述多层单元存储器，可通过执行以下步骤在所述多层单元存储器存取数据：在所述多层单元存储器中转换所述多层单元存储区域的一部分以形成一单层单元存储区域，以将一数据存储在所述单层单元存储区域；当一新数据分配至所述单层单元存储区域或所述数据更新时，从所述单层单元存储区域搬移所述数据至所述多层单元存储区域；以及将所述单层单元存储区域转换为所述多层单元存储区域的所述部分。

附图说明

图1为本发明实施例一多层单元存储装置的示意图。

图2A及图2B为本发明实施例一三层单元存储器的示意图。

图3为本发明实施例一三层单元存储器的示意图。

图4为本发明实施例另一三层单元存储器的示意图。

图5为在三层单元存储器中读取预写数据的示意图。

图6为在三层单元存储器的三层存储单元写入数据的示意图。

图7为在三层单元存储器的单层存储单元写入数据的示意图。

图8为本发明实施例一多层单元存储器配置流程的示意图。

图9为本发明实施例一重新配置流程的示意图。

图10为本发明实施例一重新配置流程的示意图。

其中，附图标记说明如下：

10                       多层单元存储装置

102                      存储器控制器

104                      主机端

M1                       多层单元存储器

T1、T3、T4               三层单元存储器

S1～S3                   单层单元存储区域

A0、B0、C0               三层存储单元

A1～A3、B1～B3、C1～C3   单层存储单元

D0～D3                   预写资料

DN                       新资料

X0、Y0、Z0               物理三层存储单元

a1～a3                   物理单层存储单元

80                       多层单元存储器配置流程

800～812                 步骤

90                       重新配置流程

900～908                 步骤

100                      重新配置流程

1000～1010               步骤

具体实施方式

如上所述，在一多层单元（Multi-Level Cell，MLC）存储器中，可使用单层单元（Single-Level Cell，SLC）设定取代多层单元设定来存储数据。如此一来，有必要对多层单元存储器中的数据进行良好配置。

请参考图1，图1为本发明实施例一多层单元存储装置10的示意图。多层单元存储装置10包括有一存储器控制器102及一多层单元存储器M1。多层单元存储器M1包括有多个存储单元，可用来存储数据。当数据存储在多层单元存储器M1时，多层单元存储器M1中部分存储单元可转换为使用单层单元设定，因此，如图1所示，多层单元存储器M1包括有多层单元存储区域及单层单元存储区域。举例来说，每一记忆细胞（Memory Cell）具有N位设定的多层单元存储器可包括N个单层单元存储区域。存储器控制器102耦接至多层单元存储器M1，可在多层单元存储器M1存取数据。一般而言，多层单元存储装置10可由一主机端104进行管理，如图1所示。

请参考图2A及图2B，图2A及图2B为本发明实施例一三层单元（Triple-Level Cell，TLC）存储器T1的示意图。如图2A及图2B所示，在三层单元存储器T1中，每一记忆细胞都可存储一笔三位的数据，而此笔数据可在三层单元存储器T1中分配三个单层单元存储区域进行存储。三层单元存储区域及单层单元存储区域的配置方式可任意决定，举例来说，可将三个单层单元存储区域散布在三层单元存储器T1中，如图2A所示。也可将三个单层单元存储区域集中配置于三层单元存储器T1，如图2B所示。一般而言，三层单元存储区域及单层单元存储区域的配置可根据存储数据的大小来决定。若有较多数据欲存储在三层单元存储器T1时，则需配置较大的单层单元存储区域。

值得注意的是，上述在多层单元存储器中配置单层单元存储区域的方式是用来存储焊接前写入的数据，以避免数据在焊接过程中因高温而损坏。由于单层单元设定相较于多层单元设定具有更高的可靠度，因此重要性较高的数据或需要更高可靠度的数据也可通过单层单元设定进行存储，而不限于焊接前写入的数据。为求简洁，下文将这些数据称为预写数据。

请参考图3，图3为本发明实施例一三层单元存储器T3的示意图。三层单元存储器T3包括有三单层单元存储区域S1～S3，其以图2A所示的方式配置。在此实施例中，存储器控制器欲将9单位预写数据写入三层单元存储器T3。存储器控制器先在三层单元存储区域中分配3个三层存储单元A0、B0及C0来存储9单位预写数据，其中每一三层存储单元具有3单位数据的存储容量。存储单元A0、B0及C0分别对应于单层存储单元A1～A3、B1～B3及C1～C3，其中，单层存储单元A1、B1及C1位于单层单元存储区域S1，单层存储单元A2、B2及C2位于单层单元存储区域S2，单层存储单元A3、B3及C3则位于单层单元存储区域S3。实际上，此9单位预写数据不存储在三层存储单元A0、B0及C0，而是存储在单层存储单元A1～A3、B1～B3及C1～C3，其中9个单层存储单元恰好可存储9单位的数据。更具体而言，主机端会将预写数据视为存储在三层存储单元，然而数据实际存储的位置是对应于三层存储单元的单层存储单元。

存储器控制器可设定一旗标，用来标示存储单元是否存储有预写数据。如图3所示，在三层单元存储区域中，三层存储单元A0、B0及C0都分配到预写数据，因此相对应的旗标都设为1，而其它三层存储单元的旗标则设为0。在单层单元存储区域S1～S3中，单层存储单元A1～A3、B1～B3及C1～C3分别对应至三层存储单元A0、B0及C0并用来存储预写数据，因此相对应的旗标都设为1，而其它单层存储单元的旗标则设为0。换句话说，若对应于一存储单元的旗标设为1时，此存储单元（可能是单层存储单元或三层存储单元）即相关于预写数据的存储。除此之外，存储器控制器可使用一对应表来记录三层存储单元及单层存储单元之间的对应关系。相关于对应表的实现方式应为本领域的技术人员所熟知，在此不赘述。

值得注意的是，三层单元存储区域中的三层存储单元与单层单元存储区域中的单层存储单元之间的对应关系可依任何方式安排。举例来说，请参考图4，图4为本发明实施例另一三层单元存储器T4的示意图。如图4所示，存储单元A0对应至单层存储单元A1、B1及C1，存储单元B0对应至单层存储单元A2、B2及C2，且存储单元C0则对应至单层存储单元A3、B3及C3。三层单元存储器T4与三层单元存储器T3的主要差异在于，三层单元存储器T4的单层单元存储区域中单层存储单元的配置方式不同于三层单元存储器T3的方式。

请参考图5，图5为在三层单元存储器T3中读取预写数据的示意图。如图5所示，三层存储单元A0已记录预写数据D0，而预写数据D0可分割为预写数据D1～D3并分别存储在单层存储单元A1～A3。如上所述，主机端会将预写数据视为存储在三层存储单元，因此，当主机端欲读取预写数据D0时，存储器控制器会先存取三层存储单元A0。接着，存储器控制器会检查用来指示三层存储单元A0是否存储有预写数据的旗标，并得知此旗标值为1。在此情况下，存储器控制器会根据对应表，取得单层单元存储区域中单层存储单元A1、A2及A3的地址。接着，存储器控制器在单层存储单元A1、A2及A3读取预写数据，并加以输出至主机端。

请参考图6，图6为在三层单元存储器T3的三层存储单元A0写入数据的示意图。如图6所示，三层存储单元A0已记录预写数据D0，而预写数据D0可分割为预写数据D1～D3并分别存储在单层存储单元A1～A3。当存储器控制器欲写入新数据DN以更新三层存储单元A0中的预写数据D0时，存储器控制器会检查用来指示三层存储单元A0是否存储有预写数据的旗标，并得知此旗标值为1，同时得知目标存储单元A0位于三层单元存储区域。在此情况下，存储器控制器会分配一物理三层存储单元（Physical TLC MemoryUnit）X0，并将其映射至三层存储单元A0以存储新数据DN。若新数据DN的大小小于物理三层存储单元X0的大小时，物理三层存储单元X0中其它空间则必须填补来自于单层存储单元A1～A3的有效数据（Valid Data）。换句话说，新数据DN及单层存储单元A1～A3中的有效数据都存储在物理三层存储单元X0。在单层存储单元A1～A3中的有效数据搬移至物理三层存储单元X0以后，即可解除单层存储单元A1～A3的映射关系。而原来映射至单层存储单元A1～A3的物理单层存储单元a1～a3即可转为使用三层单元设定。

请参考图7，图7为在三层单元存储器T3的单层存储单元A3写入数据的示意图。如图7所示，三层存储单元A0已记录预写数据D0，而预写数据D0可分割为预写数据D1～D3并分别存储在单层存储单元A1～A3。当存储器控制器欲将新数据DN写入单层存储单元A3时，存储器控制器会检查用来指示单层存储单元A3是否存储有预写数据的旗标，并得知此旗标值为1，同时得知目标存储单元A3位于单层单元存储区域。在此情况下，存储器控制器会分配一新的物理三层存储单元Y0来存储新数据DN。存储器控制器同时分配一物理三层存储单元Z0，并将其映射至三层存储单元A0，以存储原来存储在单层存储单元A1～A3中的预写数据D1～D3。换句话说，原来存储在单层存储单元A1～A3中的预写数据D1～D3是存储在物理三层存储单元Z0，新数据DN则存储在物理三层存储单元Y0。原来存储单元A3的逻辑地址则改为映射至物理三层存储单元Y0。在预写数据D1～D3搬移至物理三层存储单元Z0以后，即可解除单层存储单元A1～A3的映射关系。而原来映射至单层存储单元A1～A3的物理单层存储单元a1～a3即可转为使用三层单元设定。

值得注意的是，本发明提供了一种在多层单元存储器存取数据的方法及多层单元存储装置，其可通过单层单元设定将预写数据存储在多层单元存储器中，并在相关于预写数据的存储位置需要更新时，以多层单元设定重新配置单层单元存储区域，进而在不使多层单元存储装置的存储容量降低的情况下，提升预写数据的可靠度。本领域的技术人员当可据以进行修饰或变化，而不限于此。举例来说，上述实施例都以三层单元存储器作为范例，但在其它实施例，本发明所公开的方法也可套用于其它类型的多层单元存储器，其每一记忆细胞可存储任何数目的数据位。此外，单层单元存储区域的安排及配置方式也可根据系统需求任意调整，而不限于此。除此之外，上述存储单元代表可存储一单位数据的单位存储器，其可为一存储块（Block）、一存储页（Page）、一存储群组（Cluster）或任何可用来存储用户数据的单位。

上述关于存储器控制器的运作方式可归纳为一多层单元存储器配置流程80，如图8所示。多层单元存储器配置流程80包括以下步骤：

步骤800：开始。

步骤802：使用单层单元设定将一部分多层单元存储器中多个存储单元转换为一单层单元存储区域，以形成多个多层存储单元及多个单层存储单元。

步骤804：当一数据分配至一多层存储单元时，将此数据存储在多个单层存储单元。

步骤806：将多层存储单元对应至多个单层存储单元。

步骤808：通过取得存储在对应于多层存储单元的多个单层存储单元的数据来读取此数据。

步骤810：当多层存储单元中的数据更新或一新数据分配至多个单层存储单元中至少一单层存储单元时，使用多层单元设定重新配置多个单层存储单元。

步骤812：结束。

在步骤810中，当多层存储单元中的数据更新时，存储器控制器还执行一重新配置流程90，如图9所示。重新配置流程90包括以下步骤：

步骤900：开始。

步骤902：使用多层存储单元存储更新后的数据及多个单层存储单元中的有效数据。

步骤904：解除多个单层存储单元中每一单层存储单元的映射关系。

步骤906：使用多层单元设定将原来映射至多个单层存储单元的多个物理单层存储单元转换为多个物理多层存储单元。

步骤908：结束。

除此之外，当新数据分配至多个单层存储单元中一单层存储单元时，存储器控制器还执行一重新配置流程100，如图10所示。重新配置流程100包括以下步骤：

步骤1000：开始。

步骤1002：将数据从多个单层存储单元搬移至多层存储单元。

步骤1004：将新数据存储在一新的物理多层存储单元。

步骤1006：解除多个单层存储单元的映射关系。

步骤1008：使用多层单元设定将原来映射至多个单层存储单元的多个物理单层存储单元转换为多个物理多层存储单元。

步骤1010：结束。

当预写数据存储在多层单元存储器时，多层单元存储器的一部分会转换为一单层单元存储区域，单层单元存储区域可通过单层单元设定进行数据存储。当数据需要更新或单层单元存储区域被分配到新数据时，单层单元存储区域中存储的数据会搬移至多层单元存储区域，接着，单层单元存储区域即可转换为多层单元存储区域。

在公知技术中，针对多层单元闪速存储器的量产流程，在存储器芯片焊接上电路板以前，通常会在存储器中预先写入数据。若这些预写数据通过多层单元技术写入时，在焊接过程中容易受到高温影响而损坏。相较之下，本发明的预写数据可使用单层单元设定进行存储。在焊接流程结束以后，当相关于预写数据的存储单元中数据须更新时，可对使用单层单元设定来存储预写数据的单层单元存储区域重新进行配置，以改用多层单元设定，进而在不使多层单元存储装置的存储容量降低的情况下，提升预写数据的可靠度。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种在多层单元存储器存取数据的方法，包括：

使用单层单元设定将一部分所述多层单元存储器中多个存储单元转换为一单层单元存储区域，以形成多个多层存储单元及多个单层存储单元；

当一数据分配至一多层存储单元时，将所述数据存储在所述多个单层存储单元；

将所述多层存储单元对应至所述多个单层存储单元；

通过取得存储在对应于所述多层存储单元的所述多个单层存储单元的数据来读取所述数据；以及

当所述多层存储单元中的数据更新或一新数据分配至所述多个单层存储单元中至少一单层存储单元时，使用多层单元设定重新配置所述多个单层存储单元。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多层单元存储器是一三层单元存储器，所述多层存储单元是一三层存储单元，且所述多层存储单元对应至三单层存储单元。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述多层存储单元中的数据更新时，所述方法还包括：使用所述多层存储单元存储更新后的数据及所述多个单层存储单元中的有效数据；

解除所述多个单层存储单元中每一单层存储单元的映射关系；以及

使用多层单元设定将原来映射至所述多个单层存储单元的多个物理单层存储单元转换为多个物理多层存储单元。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述新数据分配至所述多个单层存储单元中一单层存储单元时，所述方法还包括：

将所述数据从所述多个单层存储单元搬移至所述多层存储单元；

将所述新数据存储在一新的物理多层存储单元；

解除所述多个单层存储单元的映射关系；以及

使用多层单元设定将原来映射至所述多个单层存储单元的多个物理单层存储单元转换为多个物理多层存储单元。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

使用一旗标来标示所述单层单元存储区域中以单层单元设定存储数据的存储单元及所述多层单元存储区域中相对应的存储单元；以及

记录相关于所述多层单元存储区域中的存储单元对应至所述单层单元存储区域中的存储单元的对应信息。

6.一种多层单元存储装置，包括：

一多层单元存储器，包括多个存储单元；以及

一存储器控制器，耦接至所述多层单元存储器，通过执行以下步骤在所述多层单元存储器存取数据：

使用单层单元设定将一部分所述多层单元存储器中所述多个存储单元转换为一单层单元存储区域，以形成多个多层存储单元及多个单层存储单元；

当一数据分配至一多层存储单元时，将所述数据存储在所述多个单层存储单元；

将所述多层存储单元对应至所述多个单层存储单元；

通过取得存储在对应于所述多层存储单元的所述多个单层存储单元的数据来读取所述数据；以及

当所述多层存储单元中的数据更新或一新数据分配至所述多个单层存储单元中至少一单层存储单元时，使用多层单元设定重新配置所述多个单层存储单元。

7.如权利要求6所述的多层单元存储装置，其特征在于，所述多层单元存储器是一三层单元存储器，所述多层存储单元是一三层存储单元，且所述多层存储单元对应至三单层存储单元。

8.如权利要求6所述的多层单元存储装置，其特征在于，当所述多层存储单元中的数据更新时，所述存储器控制器还执行以下步骤，以在所述多层单元存储器存取数据：

使用所述多层存储单元存储更新后的数据及所述多个单层存储单元中的有效数据；

解除所述多个单层存储单元中每一单层存储单元的映射关系；以及

使用多层单元设定将原来映射至所述多个单层存储单元的多个物理单层存储单元转换为多个物理多层存储单元。

9.如权利要求6所述的多层单元存储装置，其特征在于，当所述新数据分配至所述多个单层存储单元中一单层存储单元时，所述存储器控制器还执行以下步骤，以在所述多层单元存储器存取数据：

将所述数据从所述多个单层存储单元搬移至所述多层存储单元；

将所述新数据存储在一新的物理多层存储单元；

解除所述多个单层存储单元的映射关系；以及

使用多层单元设定将原来映射至所述多个单层存储单元的多个物理单层存储单元转换为多个物理多层存储单元。

10.如权利要求6所述的多层单元存储装置，其特征在于，所述存储器控制器还执行以下步骤，以在所述多层单元存储器存取数据：

使用一旗标来标示所述单层单元存储区域中以单层单元设定存储数据的存储单元及所述多层单元存储区域中相对应的存储单元；以及

记录相关于所述多层单元存储区域中的存储单元对应至所述单层单元存储区域中的存储单元的对应信息。

11.一种在多层单元存储器存取数据的方法，包括：

在所述多层单元存储器中转换一多层单元存储区域的一部分以形成一单层单元存儲区域，以将一数据存储在所述单层单元存储区域；

当一新数据分配至所述单层单元存储区域或所述数据更新时，从所述单层单元存储区域搬移所述数据至所述多层单元存储区域；以及

将所述单层单元存储区域转换为所述多层单元存储区域的所述部分。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述多层单元存储器是一三层单元存储器。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，当所述数据更新时，所述方法还包括：

使用所述多层单元存储区域存储更新后的数据及所述单层单元存储区域中的有效数据；

解除所述单层单元存储区域的映射关系；以及

使用多层单元设定将原来映射至所述单层单元存储区域的一物理单层单元存储区域转换为一物理多层单元存储区域。

14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，当所述新数据分配至所述单层单元存储区域时，所述方法还包括：

将所述数据从所述单层单元存储区域搬移至所述多层单元存储区域；

将所述新数据存储在所述多层单元存储区域；

解除所述单层单元存储区域的映射关系；以及

使用多层单元设定将原来映射至所述单层单元存储区域的一物理单层单元存储区域转换为一物理多层单元存储区域。

15.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

使用一旗标来标示以单层单元设定存储数据的所述单层单元存储区域及所述多层单元存储区域中相对应的存储单元；以及

记录相关于所述多层单元存储区域对应至所述单层单元存储区域的对应信息。

16.一种多层单元存储装置，包括：

一多层单元存储器，包括有一多层单元存储区域，用来存储数据；以及

一存储器控制器，耦接至所述多层单元存储器，通过执行以下步骤在所述多层单元存储器存取数据：

在所述多层单元存储器中转换所述多层单元存储区域的一部分以形成一单层单元存储区域，以将一数据存储在所述单层单元存储区域；

当一新数据分配至所述单层单元存储区域或所述数据更新时，从所述单层单元存储区域搬移所述数据至所述多层单元存储区域；以及

将所述单层单元存储区域转换为所述多层单元存储区域的所述部分。

17.如权利要求16所述的多层单元存储装置，其特征在于，所述多层单元存储器是一三层单元存储器。

18.如权利要求16所述的多层单元存储装置，其特征在于，当所述数据更新时，所述存储器控制器还执行以下步骤，以在所述多层单元存储器存取数据：

使用所述多层单元存储区域存储更新后的数据及所述单层单元存储区域中的有效数据；

解除所述单层单元存储区域的映射关系；以及

使用多层单元设定将原来映射至所述单层单元存储区域的一物理单层单元存储区域转换为一物理多层单元存储区域。

19.如权利要求16所述的多层单元存储装置，其特征在于，当所述新数据分配至所述单层单元存储区域时，所述存储器控制器还执行以下步骤，以在所述多层单元存储器存取数据：

将所述数据从所述单层单元存储区域搬移至所述多层单元存储区域；

将所述新数据存储在所述多层单元存储区域；

解除所述单层单元存储区域的映射关系；以及

使用多层单元设定将原来映射至所述单层单元存储区域的一物理单层单元存储区域转换为一物理多层单元存储区域。

20.如权利要求16所述的多层单元存储装置，其特征在于，所述存储器控制器还执行以下步骤，以在所述多层单元存储器存取数据：

使用一旗标来标示以单层单元设定存储数据的所述单层单元存储区域及所述多层单元存储区域中相对应的存储单元；以及

记录相关于所述多层单元存储区域对应至所述单层单元存储区域的对应信息。