TW201516678A - 於多層式儲存記憶體存取資料之方法及其多層式儲存記憶裝置 - Google Patents

於多層式儲存記憶體存取資料之方法及其多層式儲存記憶裝置 Download PDF

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Abstract

一種於多層式儲存記憶體存取資料之方法，包含使用單層式儲存設定將一部分多層式儲存記憶體轉換為一單層式儲存區域，以形成複數個多層式記憶體單元及複數個單層式記憶體單元；當一資料分配至一多層式記憶體單元時，儲存該資料於複數個單層式記憶體單元；將多層式記憶體單元對應至複數個單層式記憶體單元；透過取得儲存於複數個單層式記憶體單元的資料來讀取該資料；以及當該多層式記憶體單元中的資料更新或一新資料分配至複數個單層式記憶體單元中至少一單層式記憶體單元時，使用多層式儲存設定重新配置複數個單層式記憶體單元。

Description

於多層式儲存記憶體存取資料之方法及其多層式儲存記憶裝 置
本發明係指一種於一多層式儲存(Multi-Level Cell，MLC)記憶體存取資料之方法及其多層式儲存記憶裝置，尤指一種可提升多層式儲存記憶裝置之資料可靠度的資料存取方法及其多層式儲存記憶裝置。
記憶體控制器常用於記憶體系統(特別是非揮發性記憶體系統)中，用來進行工作管理。一般來說，當非揮發性記憶體系統之電源關閉時，儲存於非揮發性記憶體系統的資料不會遺失，因此非揮發性記憶體系統可作為一種用來儲存系統資料的重要裝置。在各類非揮發性記憶體系統中，由於反及閘快閃記憶體(NAND Flash Memory)具有低功耗及速度快之優點，因此，伴隨近年來可攜式裝置的普及化，反及閘快閃記憶體已被廣為採用。
反及閘快閃記憶體之資料係儲存於記憶格(Memory Cell)中，而記憶格係由浮閘電晶體(Floating-Gate Transistor)所組成。傳統上，每一記憶格皆具有二種狀態，因此可儲存一位元的資料，即所謂的單層式儲存(Single-Level Cell，SLC)快閃記憶體。單層式儲存記憶體具有寫入速度快、低耗電及高耐受度等優點。然而，由於單層式儲存快閃記憶體中，每一記憶格僅能夠儲存一位元的資料，其儲存空間的單位成本較高。為了降低成本，反及閘快閃記憶體的製造商正致力於提高單位儲存密度，並推出一種多層式儲存(Multi-Level Cell，MLC)快閃記憶體。「多層式儲存」係指一記憶格可 儲存大於一位元的資料。多層式儲存快閃記憶體即是在快閃記憶體之每一記憶格中使用多層方式儲存資料的技術，使得相同數量的電晶體可儲存更多位元的資料。在單層式儲存技術中，每一記憶格具有二種狀態，可儲存一位元的資料。相較之下，多層式儲存快閃記憶體之每一記憶格可具有四種或更多種狀態，因此每一記憶格可儲存大於二位元的資料。在較高的資料儲存密度之下，多層式儲存快閃記憶體擁有單位資料儲存成本較低的優點。
然而，根據多層式儲存技術，記憶格中區隔不同狀態的餘裕空間較小，可能造成資料錯誤率增加，特別是在惡劣的環境(如高溫)之下。而在多層式儲存快閃記憶體量產的流程中，在記憶體晶片焊接上電路板之前，通常會在記憶體中預先寫入資料。若這些預寫資料係透過多層式儲存技術寫入時，在焊接過程容易受到高溫影響而損壞。即使多層式儲存快閃記憶體中通常具有一塊使用單層式儲存設定的暫存空間，此暫存空間的數量較少且往往不足以儲存預寫資料，因此，預寫資料必須佔用多層式儲存快閃記憶體之使用者區塊並以多層式儲存設定進行儲存，因而提高了焊接過程造成資料損毀的風險。有鑑於此，習知技術實有改進之必要。
因此，本發明之主要目的即在於提供一種存取資料於多層式儲存(Multi-Level Cell，MLC)記憶體之方法及其多層式儲存記憶裝置，其可透過單層式儲存(Single-Level Cell，SLC)設定將資料儲存於多層式儲存記憶裝置中，並且在資料更新時，使用多層式儲存設定重新配置單層式儲存區域，進而提升多層式儲存記憶裝置中的資料可靠度。
本發明揭露一種於一多層式儲存記憶體存取資料之方法，包含有使用單層式儲存設定將一部分該多層式儲存記憶體中複數個記憶體單元轉換為一單層式儲存區域，以形成複數個多層式記憶體單元及複數個單層式記憶 體單元；當一資料分配至一多層式記憶體單元時，儲存該資料於該複數個單層式記憶體單元；將該多層式記憶體單元對應至該複數個單層式記憶體單元；透過取得儲存於對應於該多層式記憶體單元之該複數個單層式記憶體單元的資料來讀取該資料；以及當該多層式記憶體單元中的資料更新或一新資料分配至該複數個單層式記憶體單元中至少一單層式記憶體單元時，使用多層式儲存設定重新配置該複數個單層式記憶體單元。
本發明另揭露一種多層式儲存記憶裝置，包含有一多層式儲存記憶體及一記憶體控制器。該多層式儲存記憶體包含有複數個記憶體單元。該記憶體控制器耦接於該多層式儲存記憶體，可藉由執行以下步驟來存取資料於該多層式儲存記憶體：使用單層式儲存設定將一部分該多層式儲存記憶體中該複數個記憶體單元轉換為一單層式儲存區域，以形成複數個多層式記憶體單元及複數個單層式記憶體單元；當一資料分配至一多層式記憶體單元時，儲存該資料於該複數個單層式記憶體單元；將該多層式記憶體單元對應至該複數個單層式記憶體單元；透過取得儲存於對應於該多層式記憶體單元之該複數個單層式記憶體單元的資料來讀取該資料；以及當該多層式記憶體單元中的資料更新或一新資料分配至該複數個單層式記憶體單元中至少一單層式記憶體單元時，使用多層式儲存設定重新配置該複數個單層式記憶體單元。
本發明另揭露一種於一多層式儲存記憶體存取資料之方法，包含有於該多層式儲存記憶體中轉換一多層式儲存區域之一部分以形成一單層式儲存區域，以儲存一資料於該單層式儲存區域；當一新資料分配至該單層式儲存區域或該資料更新時，從該單層式儲存區域搬移該資料至該多層式儲存區域；以及將該單層式儲存區域轉換為該多層式儲存區域之該部分。
本發明另揭露一種多層式儲存記憶裝置，包含有一多層式儲存記 憶體及一記憶體控制器。該多層式儲存記憶體包含有一多層式儲存區域，可用來儲存資料。該記憶體控制器耦接於該多層式儲存記憶體，可藉由執行以下步驟來存取資料於該多層式儲存記憶體：於該多層式儲存記憶體中轉換該多層式儲存區域之一部分以形成一單層式儲存區域，以儲存一資料於該單層式儲存區域；當一新資料分配至該單層式儲存區域或該資料更新時，從該單層式儲存區域搬移該資料至該多層式儲存區域；以及將該單層式儲存區域轉換為該多層式儲存區域之該部分。
10‧‧‧多層式儲存記憶裝置
102‧‧‧記憶體控制器
104‧‧‧主機端
M1‧‧‧多層式儲存記憶體
T1、T3、T4‧‧‧三層式儲存記憶體
S1~S3‧‧‧單層式儲存區域
A0、B0、C0‧‧‧三層式記憶體單元
A1~A3、B1~B3、C1~C3‧‧‧單層式記憶體單元
D0~D3‧‧‧預寫資料
DN‧‧‧新資料
X0、Y0、Z0‧‧‧實體三層式記憶體單元
a1~a3‧‧‧實體單層式記憶體單元
80‧‧‧多層式儲存記憶體配置流程
800~812‧‧‧步驟
90‧‧‧重新配置流程
900~908‧‧‧步驟
100‧‧‧重新配置流程
1000~1010‧‧‧步驟
第1圖為本發明實施例一多層式儲存記憶裝置之示意圖。
第2A圖及第2B圖為本發明實施例一三層式儲存記憶體之示意圖。
第3圖為本發明實施例一三層式儲存記憶體之示意圖。
第4圖為本發明實施例另一三層式儲存記憶體之示意圖。
第5圖為在三層式儲存記憶體中讀取預寫資料之示意圖。
第6圖為在三層式儲存記憶體之三層式記憶體單元寫入資料之示意圖。
第7圖為在三層式儲存記憶體之單層式記憶體單元寫入資料之示意圖。
第8圖為本發明實施例一多層式儲存記憶體配置流程之示意圖。
第9圖為本發明實施例一重新配置流程之示意圖。
第10圖為本發明實施例一重新配置流程之示意圖。
如上所述，在一多層式儲存(Multi-Level Cell，MLC)記憶體中，可使用單層式儲存(Single-Level Cell，SLC)設定取代多層式儲存設定來儲存資料。如此一來，有必要對多層式儲存記憶體中的資料進行良好配置。
請參考第1圖，第1圖為本發明實施例一多層式儲存記憶裝置10 之示意圖。多層式儲存記憶裝置10包含有一記憶體控制器102及一多層式儲存記憶體M1。多層式儲存記憶體M1包含有複數個記憶體單元，可用來儲存資料。當資料儲存在多層式儲存記憶體M1時，多層式儲存記憶體M1中部分記憶體單元可轉換為使用單層式儲存設定，因此，如第1圖所示，多層式儲存記憶體M1包含有多層式儲存區域及單層式儲存區域。舉例來說，每一記憶格(Memory Cell)具有N位元設定之多層式儲存記憶體可包含N個單層式儲存區域。控制器102耦接於多層式儲存記憶體M1，可存取資料於多層式儲存記憶體M1。一般而言，多層式儲存記憶裝置10可由一主機端104進行管理，如第1圖所示。
請參考第2A圖及第2B圖，第2A圖及第2B圖為本發明實施例一三層式儲存(Triple-Level Cell，TLC)記憶體T1之示意圖。如第2A圖及第2B圖所示，在三層式儲存記憶體T1中，每一記憶格皆可儲存一筆三位元大小的資料，而此筆資料可在三層式儲存記憶體T1中分配三個單層式儲存區域進行儲存。三層式儲存區域及單層式儲存區域的配置方式可任意決定，舉例來說，可將三個單層式儲存區域散佈在三層式儲存記憶體T1中，如第2A圖所示。亦可將三個單層式儲存區域集中配置於三層式儲存記憶體T1，如第2B圖所示。一般而言，三層式儲存區域及單層式儲存區域的配置可根據儲存資料的大小來決定。若有較多資料欲儲存於三層式儲存記憶體T1時，則需配置較大的單層式儲存區域。
值得注意的是，上述在多層式儲存記憶體中配置單層式儲存區域的方式係用來儲存焊接前寫入的資料，以避免資料在焊接過程中因高溫而損壞。由於單層式儲存設定相較於多層式儲存設定具有更高的可靠度，因此重要性較高的資料或需要更高可靠度的資料亦可透過單層式儲存設定進行儲存，而不限於焊接前寫入的資料。為求簡潔，下文將這些資料稱為預寫資料。
請參考第3圖，第3圖為本發明實施例一三層式儲存記憶體T3之示意圖。三層式儲存記憶體T3包含有三單層式儲存區域S1~S3，其係以第2A圖所示之方式配置。在此實施例中，記憶體控制器欲將9單位預寫資料寫入三層式儲存記憶體T3。記憶體控制器先在三層式儲存區域中分配3個三層式記憶體單元A0、B0及C0來儲存9單位預寫資料，其中每一三層式記憶體單元具有3單位資料的儲存容量。記憶體單元A0、B0及C0分別對應於單層式記憶體單元A1~A3、B1~B3及C1~C3，其中，單層式記憶體單元A1、B1及C1位於單層式儲存區域S1，單層式記憶體單元A2、B2及C2位於單層式儲存區域S2，單層式記憶體單元A3、B3及C3則位於單層式儲存區域S3。實際上，此9單位預寫資料不儲存於三層式記憶體單元A0、B0及C0，而是儲存於單層式記憶體單元A1~A3、B1~B3及C1~C3，其中9個單層式記憶體單元恰好可儲存9單位的資料。更具體而言，主機端會將預寫資料視為儲存於三層式記憶體單元，然而資料實際儲存的位置是對應於三層式記憶體單元之單層式記憶體單元。
記憶體控制器可設定一旗標，用來標示記憶體單元是否儲存有預寫資料。如第3圖所示，在三層式儲存區域中，三層式記憶體單元A0、B0及C0皆分配到預寫資料，因此相對應的旗標皆設為1，而其它三層式記憶體單元的旗標則設為0。在單層式儲存區域S1~S3中，單層式記憶體單元A1~A3、B1~B3及C1~C3分別對應至三層式儲存單元A0、B0及C0並用來儲存預寫資料，因此相對應的旗標皆設為1，而其它單層式記憶體單元的旗標則設為0。換句話說，若對應於一記憶體單元之旗標設為1時，此記憶體單元(可能是單層式記憶體單元或三層式記憶體單元)即相關於預寫資料的儲存。除此之外，記憶體控制器可使用一對應表來記錄三層式記憶體單元及單層式記憶體單元之間的對應關係。相關於對應表的實現方式應為本領域具 通常知識者所熟知，於此不贅述。
值得注意的是，三層式儲存區域中的三層式記憶體單元與單層式儲存區域中的單層式記憶體單元之間的對應關係可依任何方式安排。舉例來說，請參考第4圖，第4圖為本發明實施例另一三層式儲存記憶體T4之示意圖。如第4圖所示，記憶體單元A0係對應至單層式記憶體單元A1、B1及C1，記憶體單元B0係對應至單層式記憶體單元A2、B2及C2，且記憶體單元C0則對應至單層式記憶體單元A3、B3及C3。三層式儲存記憶體T4與三層式儲存記憶體T3之主要差異在於，三層式儲存記憶體T4之單層式儲存區域中單層式記憶體單元的配置方式係不同於三層式儲存記憶體T3之方式。
請參考第5圖，第5圖為在三層式儲存記憶體T3中讀取預寫資料之示意圖。如第5圖所示，三層式記憶體單元A0已記錄預寫資料D0，而預寫資料D0係分割為預寫資料D1~D3並分別儲存於單層式記憶體單元A1~A3。如上所述，主機端會將預寫資料視為儲存於三層式記憶體單元，因此，當主機端欲讀取預寫資料D0時，記憶體控制器會先存取三層式記憶體單元A0。接著，記憶體控制器會檢查用來指示三層式記憶體單元A0是否儲存有預寫資料的旗標，並得知此旗標值為1。在此情況下，記憶體控制器會根據對應表，取得單層式儲存區域中單層式記憶體單元A1、A2及A3的位址。接著，記憶體控制器於單層式記憶體單元A1、A2及A3讀取預寫資料，並加以輸出至主機端。
請參考第6圖，第6圖為在三層式儲存記憶體T3之三層式記憶體單元A0寫入資料之示意圖。如第6圖所示，三層式記憶體單元A0已記錄預寫資料D0，而預寫資料D0係分割為預寫資料D1~D3並分別儲存於單層式記憶體單元A1~A3。當記憶體控制器欲寫入新資料DN以更新三層式記憶 體單元A0中的預寫資料D0時，記憶體控制器會檢查用來指示三層式記憶體單元A0是否儲存有預寫資料的旗標，並得知此旗標值為1，同時得知目標記憶體單元A0係位於三層式儲存區域。在此情況下，記憶體控制器會分配一實體三層式記憶體單元X0，並將其映射至三層式記憶體單元A0以儲存新資料DN。若新資料DN的大小小於實體三層式記憶體單元X0的大小時，實體三層式記憶體單元X0中其它空間則必須填補來自於單層式記憶體單元A1~A3之有效資料(Valid Data)。換句話說，新資料DN及單層式記憶體單元A1~A3中的有效資料皆儲存於實體三層式記憶體單元X0。在單層式記憶體單元A1~A3中的有效資料搬移至實體三層式記憶體單元X0之後，即可解除單層式記憶體單元A1~A3之映射關係。而原來映射至單層式記憶體單元A1~A3之實體單層式記憶體單元a1~a3即可轉為使用三層式儲存設定。
請參考第7圖，第7圖為在三層式儲存記憶體T3之單層式記憶體單元A3寫入資料之示意圖。如第7圖所示，三層式記憶體單元A0已記錄預寫資料D0，而預寫資料D0係分割為預寫資料D1~D3並分別儲存於單層式記憶體單元A1~A3。當記憶體控制器欲將新資料DN寫入單層式記憶體單元A3時，記憶體控制器會檢查用來指示單層式記憶體單元A3是否儲存有預寫資料的旗標，並得知此旗標值為1，同時得知目標記憶體單元A3係位於單層式儲存區域。在此情況下，記憶體控制器會分配一新的實體三層式記憶體單元Y0來儲存新資料DN。記憶體控制器同時分配一實體三層式記憶體單元Z0，並將其映射至三層式記憶體單元A0，以儲存原來儲存於單層式記憶體單元A1~A3中的預寫資料D1~D3。換句話說，原來儲存在單層式記憶體單元A1~A3中的預寫資料D1~D3係儲存在實體三層式記憶體單元Z0，新資料DN則儲存在實體三層式記憶體單元Y0。原來記憶體單元A3的邏輯位址則改為映射至實體三層式記憶體單元Y0。在預寫資料D1~D3搬移至實體三層式記憶體單元Z0之後，即可解除單層式記憶體單元A1~A3之映射關係。而 原來映射至單層式記憶體單元A1~A3之實體單層式記憶體單元a1~a3即可轉為使用三層式儲存設定。
值得注意的是，本發明提供了一種於多層式儲存記憶體存取資料的方法及多層式儲存記憶裝置，其可透過單層式儲存設定將預寫資料儲存在多層式儲存記憶體中，並在相關於預寫資料之儲存位置需要更新時，以多層式儲存設定重新配置單層式儲存區域，進而在不使多層式儲存記憶裝置之儲存容量降低的情況下，提升預寫資料的可靠度。本領域具通常知識者當可據以進行修飾或變化，而不限於此。舉例來說，上述實施例皆以三層式儲存記憶體作為範例，但在其它實施例，本發明所揭露的方法亦可套用於其它類型的多層式儲存記憶體，其每一記憶格可儲存任何數目的資料位元。此外，單層式儲存區域的安排及配置方式亦可根據系統需求任意調整，而不限於此。除此之外，上述記憶體單元代表可儲存一單位資料之單位記憶體，其可為一記憶體區塊(Block)、一記憶體分頁(Page)、一記憶體群組(Cluster)或任何可用來儲存使用者資料的單位。
上述關於記憶體控制器的運作方式可歸納為一多層式儲存記憶體配置流程80，如第8圖所示。多層式儲存記憶體配置流程80包含以下步驟：步驟800：開始。
步驟802：使用單層式儲存設定將一部分多層式儲存記憶體中複數個記憶體單元轉換為一單層式儲存區域，以形成複數個多層式記憶體單元及複數個單層式記憶體單元。
步驟804：當一資料分配至一多層式記憶體單元時，儲存此資料於複數個單層式記憶體單元。
步驟806：將多層式記憶體單元對應至複數個單層式記憶體單元。
步驟808：透過取得儲存於對應於多層式記憶體單元之複數個單層式記憶體單元的資料來讀取該資料。
步驟810：當多層式記憶體單元中的資料更新或一新資料分配至複數個單層式記憶體單元中至少一單層式記憶體單元時，使用多層式儲存設定重新配置複數個單層式記憶體單元。
步驟812：結束。
於步驟810中，當多層式記憶體單元中的資料更新時，記憶體控制器另執行一重新配置流程90，如第9圖所示。重新配置流程90包含以下步驟：步驟900：開始。
步驟902：使用多層式記憶體單元儲存更新後的資料及複數個單層式記憶體單元中的有效資料。
步驟904：解除複數個單層式記憶體單元中每一單層式記憶體單元的映射關係。
步驟906：使用多層式儲存設定將原來映射至複數個單層式記憶體單元之複數個實體單層式記憶體單元轉換為複數個實體多層式記憶體單元。
步驟908：結束。
除此之外，當新資料分配至複數個單層式記憶體單元中一單層式記憶體單元時，記憶體控制器另執行一重新配置流程100，如第10圖所示。重新配置流程100包含以下步驟：步驟1000：開始。
步驟1002：將資料從複數個單層式記憶體單元搬移至多層式記憶體單元。
步驟1004：儲存新資料於一新的實體多層式記憶體單元。
步驟1006：解除複數個單層式記憶體單元的映射關係。
步驟1008：使用多層式儲存設定將原來映射至複數個單層式記憶體單元之複數個實體單層式記憶體單元轉換為複數個實體多層式記憶體單元。
步驟1010：結束。
當預寫資料儲存於多層式儲存記憶體時，多層式儲存記憶體之一部分會轉換為一單層式儲存區域，單層式儲存區域可透過單層式儲存設定進行資料儲存。當資料需要更新或單層式儲存區域被分配到新資料時，單層式儲存區域中儲存的資料會搬移至多層式儲存區域，接著，單層式儲存區域即可轉換為多層式儲存區域。
在習知技術中，針對多層式儲存快閃記憶體的量產流程，在記憶體晶片焊接上電路板之前，通常會在記憶體中預先寫入資料。若這些預寫資料係透過多層式儲存技術寫入時，在焊接過程中容易受到高溫影響而損壞。相較之下，本發明之預寫資料可使用單層式儲存設定進行儲存。在焊接流程結束之後，當相關於預寫資料之記憶體單元中資料須更新時，可對使用單層式儲存設定來儲存預寫資料的單層式儲存區域重新進行配置，以改用多層式儲存設定，進而在不使多層式儲存記憶裝置之儲存容量降低的情況下，提升預寫資料的可靠度。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
80‧‧‧多層式儲存記憶體配置流程
800~812‧‧‧步驟

Claims (20)

  1. 一種於一多層式儲存(Multi-Level Cell，MLC)記憶體存取資料之方法，包含有：使用單層式儲存(Single-Level Cell，SLC)設定將一部分該多層式儲存記憶體中複數個記憶體單元轉換為一單層式儲存區域，以形成複數個多層式記憶體單元及複數個單層式記憶體單元；當一資料分配至一多層式記憶體單元時，儲存該資料於該複數個單層式記憶體單元；將該多層式記憶體單元對應至該複數個單層式記憶體單元；透過取得儲存於對應於該多層式記憶體單元之該複數個單層式記憶體單元的資料來讀取該資料；以及當該多層式記憶體單元中的資料更新或一新資料分配至該複數個單層式記憶體單元中至少一單層式記憶體單元時，使用多層式儲存設定重新配置該複數個單層式記憶體單元。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該多層式儲存記憶體係一三層式儲存(Triple-Level Cell，TLC)記憶體，該多層式記憶體單元係一三層式記憶體單元，且該多層式記憶體單元係對應至三單層式記憶體單元。
  3. 如請求項1所述之方法，其中當該多層式記憶體單元中的資料更新時，該方法另包含有：使用該多層式記憶體單元儲存更新後的資料及該複數個單層式記憶體單元中的有效資料(Valid Data)；解除該複數個單層式記憶體單元中每一單層式記憶體單元的映射關係；以及 使用多層式儲存設定將原來映射至該複數個單層式記憶體單元之複數個實體單層式記憶體單元轉換為複數個實體多層式記憶體單元。
  4. 如請求項1所述之方法，其中當該新資料分配至該複數個單層式記憶體單元中一單層式記憶體單元時，該方法另包含有：將該資料從該複數個單層式記憶體單元搬移至該多層式記憶體單元；儲存該新資料於一新的實體多層式記憶體單元；解除該複數個單層式記憶體單元的映射關係；以及使用多層式儲存設定將原來映射至該複數個單層式記憶體單元之複數個實體單層式記憶體單元轉換為複數個實體多層式記憶體單元。
  5. 如請求項1所述之方法，另包含有：使用一旗標來標示該單層式儲存區域中以單層式儲存設定儲存資料的記憶體單元及該多層式儲存區域中相對應的記憶體單元；以及記錄相關於該多層式儲存區域中的記憶體單元對應至該單層式儲存區域中的記憶體單元之對應資訊。
  6. 一種多層式儲存(Multi-Level Cell，MLC)記憶裝置，包含有：一多層式儲存記憶體，包含有複數個記憶體單元；以及一記憶體控制器，耦接於該多層式儲存記憶體，藉由執行以下步驟來存取資料於該多層式儲存記憶體：使用單層式儲存(Single-Level Cell，SLC)設定將一部分該多層式儲存記憶體中該複數個記憶體單元轉換為一單層式儲存區域，以形成複數個多層式記憶體單元及複數個單層式記憶體單元；當一資料分配至一多層式記憶體單元時，儲存該資料於該複數個單層式記憶體單元； 將該多層式記憶體單元對應至該複數個單層式記憶體單元；透過取得儲存於對應於該多層式記憶體單元之該複數個單層式記憶體單元的資料來讀取該資料；以及當該多層式記憶體單元中的資料更新或一新資料分配至該複數個單層式記憶體單元中至少一單層式記憶體單元時，使用多層式儲存設定重新配置該複數個單層式記憶體單元。
  7. 如請求項6所述之多層式儲存記憶裝置，其中該多層式儲存記憶體係一三層式儲存(Triple-Level Cell，TLC)記憶體，該多層式記憶體單元係一三層式記憶體單元，且該多層式記憶體單元係對應至三單層式記憶體單元。
  8. 如請求項6所述之多層式儲存記憶裝置，其中當該多層式記憶體單元中的資料更新時，該記憶體控制器另執行以下步驟，以於該多層式儲存記憶體存取資料：使用該多層式記憶體單元儲存更新後的資料及該複數個單層式記憶體單元中的有效資料(Valid Data)；解除該複數個單層式記憶體單元中每一單層式記憶體單元的映射關係；以及使用多層式儲存設定將原來映射至該複數個單層式記憶體單元之複數個實體單層式記憶體單元轉換為複數個實體多層式記憶體單元。
  9. 如請求項6所述之多層式儲存記憶裝置，其中當該新資料分配至該複數個單層式記憶體單元中一單層式記憶體單元時，該記憶體控制器另執行以下步驟，以於該多層式儲存記憶體存取資料：將該資料從該複數個單層式記憶體單元搬移至該多層式記憶體單元； 儲存該新資料於一新的實體多層式記憶體單元；解除該複數個單層式記憶體單元的映射關係；以及使用多層式儲存設定將原來映射至該複數個單層式記憶體單元之複數個實體單層式記憶體單元轉換為複數個實體多層式記憶體單元。
  10. 如請求項6所述之多層式儲存記憶裝置，其中該記憶體控制器另執行以下步驟，以於該多層式儲存記憶體存取資料：使用一旗標來標示該單層式儲存區域中以單層式儲存設定儲存資料的記憶體單元及該多層式儲存區域中相對應的記憶體單元；以及記錄相關於該多層式儲存區域中的記憶體單元對應至該單層式儲存區域中的記憶體單元之對應資訊。
  11. 一種於一多層式儲存(Multi-Level Cell，MLC)記憶體存取資料之方法，包含有：於該多層式儲存記憶體中轉換一多層式儲存區域之一部分以形成一單層式儲存(Single-Level Cell，SLC)區域，以儲存一資料於該單層式儲存區域；當一新資料分配至該單層式儲存區域或該資料更新時，從該單層式儲存區域搬移該資料至該多層式儲存區域；以及將該單層式儲存區域轉換為該多層式儲存區域之該部分。
  12. 如請求項11所述之方法，其中該多層式儲存記憶體係一三層式儲存(Triple-Level Cell，TLC)記憶體。
  13. 如請求項11所述之方法，其中當該資料更新時，該方法另包含有：使用該多層式儲存區域儲存更新後的資料及該單層式儲存區域中的有效 資料(Valid Data)；解除該單層式儲存區域的映射關係；以及使用多層式儲存設定將原來映射至該單層式儲存區域之一實體單層式儲存區域轉換為一實體多層式儲存區域。
  14. 如請求項11所述之方法，其中當該新資料分配至該單層式儲存區域時，該方法另包含：將該資料從該單層式儲存區域搬移至該多層式儲存區域；儲存該新資料於該多層式儲存區域；解除該單層式儲存區域的映射關係；以及使用多層式儲存設定將原來映射至該單層式儲存區域之一實體單層式儲存區域轉換為一實體多層式儲存區域。
  15. 如請求項11所述之方法，另包含有：使用一旗標來標示以單層式儲存設定儲存資料的該單層式儲存區域及該多層式儲存區域中相對應的記憶體單元；以及記錄相關於該多層式儲存區域對應至該單層式儲存區域之對應資訊。
  16. 一種多層式儲存(Multi-Level Cell，MLC)記憶裝置，包含有：一多層式儲存記憶體，包含有一多層式儲存區域，用來儲存資料；以及一記憶體控制器，耦接於該多層式儲存記憶體，藉由執行以下步驟來存取資料於該多層式儲存記憶體：於該多層式儲存記憶體中轉換該多層式儲存區域之一部分以形成一單層式儲存(Single-Level Cell，SLC)區域，以儲存一資料於該單層式儲存區域；當一新資料分配至該單層式儲存區域或該資料更新時，從該單層式 儲存區域搬移該資料至該多層式儲存區域；以及將該單層式儲存區域轉換為該多層式儲存區域之該部分。
  17. 如請求項16所述之方法，其中該多層式儲存記憶體係一三層式儲存(Triple-Level Cell，TLC)記憶體。
  18. 如請求項16所述之方法，其中當該資料更新時，該記憶體控制器另執行以下步驟，以於該多層式儲存記憶體存取資料：使用該多層式儲存區域儲存更新後的資料及該單層式儲存區域中的有效資料(Valid Data)；解除該單層式儲存區域的映射關係；以及使用多層式儲存設定將原來映射至該單層式儲存區域之一實體單層式儲存區域轉換為一實體多層式儲存區域。
  19. 如請求項16所述之方法，其中當該新資料分配至該單層式儲存區域時，該記憶體控制器另執行以下步驟，以於該多層式儲存記憶體存取資料：將該資料從該單層式儲存區域搬移至該多層式儲存區域；儲存該新資料於該多層式儲存區域；解除該單層式儲存區域的映射關係；以及使用多層式儲存設定將原來映射至該單層式儲存區域之一實體單層式儲存區域轉換為一實體多層式儲存區域。
  20. 如請求項16所述之方法，其中該記憶體控制器另執行以下步驟，以於該多層式儲存記憶體存取資料：使用一旗標來標示以單層式儲存設定儲存資料的該單層式儲存區域及該多層式儲存區域中相對應的記憶體單元；以及記錄相關於該多層式儲存區域對應至該單層式儲存區域之對應資訊。
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