CN111816784A - 显示装置 - Google Patents

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金智熙
南基贤
柳慜烈
刘相喜
李骏熙
郑多暎
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Abstract

本公开的实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；薄膜晶体管，位于基底上；第一电极，电连接到薄膜晶体管；发光层和第二电极，与第一电极叠置；第一间隔壁，位于第一电极与第二电极之间；以及第二间隔壁，与第一间隔壁叠置，其中，第一间隔壁包括黑色颜料和黑色染料中的至少一种，其中，第二间隔壁包括有机绝缘材料，其中，第二间隔壁的一部分与第一电极叠置。

Description

显示装置
本申请要求于2019年4月10日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0042015号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
发光显示装置包括两个电极和定位在其间的发光层。从作为一个电极的阴极注入的电子与从作为另一电极的阳极注入的空穴在发光层中彼此结合以产生激子，激子发射能量以发光。
发光显示装置包括包含发光二极管的多个像素，发光二极管包括阴极、阳极和发光层，每个像素包括用于驱动发光二极管的多个晶体管和电容器。
本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本公开的背景的理解，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本公开描述了一种显示装置，该显示装置关于外部光暴露在稳定性上是优异的，并且在该显示装置中控制了诸如暗点的缺陷。
本公开的实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；薄膜晶体管，位于基底上；第一电极，电连接到薄膜晶体管；发光层和第二电极，与第一电极叠置；第一间隔壁，位于第一电极与第二电极之间；以及第二间隔壁，与第一间隔壁叠置，其中，第一间隔壁包括黑色颜料和黑色染料中的至少一种，其中，第二间隔壁包括有机绝缘材料，其中，第二间隔壁的一部分与第一电极叠置。
第二间隔壁的端部可以接触第一电极，其中，第二间隔壁与第一电极彼此接触所处的区域的宽度是约2微米或更大。
第二间隔壁可以包括具有不同厚度的第一区域和第二区域。
显示装置还可以包括位于第二电极上的封装层，其中，第二区域支撑封装层。
第一电极可以包括第一层、第二层和第三层，其中，第一层和第三层中的每个包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO，其中，第二层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物。
第一电极的表面可以限定使第二层暴露的凹槽。
显示装置还可以包括位于第二间隔壁上的第三间隔壁。
第二间隔壁可以位于第一电极上，其中，第一间隔壁位于第二间隔壁上。
第二间隔壁可以包括具有不同厚度的第一区域和第二区域。
第一间隔壁可以位于第二间隔壁的上表面上。
第一间隔壁可以与第二间隔壁的上表面和两个侧表面叠置。
显示装置还可以包括位于第一间隔壁上的第三间隔壁。
第三间隔壁和第二间隔壁可以包括相同的材料。
第三间隔壁可以接触第二间隔壁的上表面。
显示装置还可以包括位于薄膜晶体管与第一电极之间的绝缘层，其中，第一间隔壁和第二间隔壁接触绝缘层。
第一间隔壁可以与第一电极间隔开。
本公开的另一实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；薄膜晶体管，位于基底上；第一电极，连接到薄膜晶体管；绝缘层，位于第一电极与薄膜晶体管之间；第一间隔壁和第二间隔壁，与绝缘层叠置；以及发光层和第二电极，与第一电极叠置，其中，第二间隔壁的端部接触第一电极的上表面。
第一间隔壁中的硫(S)的量可以比第二间隔壁中的硫(S)的量小。
第一间隔壁中的黑色颜料和黑色染料中的至少一种的量可以比第二间隔壁中包括的黑色颜料和黑色染料中的至少一种的量大。
第二间隔壁可以包括具有不同厚度的第一区域和第二区域。
显示装置还可以包括封装层，其中，第二区域的厚度比第一区域的厚度大，其中，第二区域支撑封装层。
发光层可以包括量子点。
第二间隔壁可以接触第一间隔壁的侧表面和第一电极的上表面。
根据描述的实施例，能够提供具有关于外部光的高可靠性以及低暗点缺陷率的显示装置。
附图说明
专利文件或申请文件包含至少一幅以彩色实施的附图。在提出请求并缴纳必要的费用之后，专利局将提供具有彩色附图的本专利公开或专利申请公开的副本。
图1示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
图2示出了根据实施例的显示装置的一部分的放大图。
图3示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
图4示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
图5示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
图6示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
图7示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
图8示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
图9示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
图10示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
图11示出了根据实施例的显示装置的剖视图。
图12A示出了根据实施例的“S”的含量的曲线图，图12B示出了第一间隔壁和第二间隔壁的EDS分析图像。
图13示出了第一间隔壁和第二间隔壁的TEM图像。
图14示出了暗点率相对于第一电极与第二间隔壁叠置所处的宽度的曲线图。
具体实施方式
通过参照实施例和附图的详细描述，可以更容易地理解发明构思的特征及实现特征的方法。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例。然而，所描述的实施例可以以各种不同的形式实施，并且不应当被解释为仅限于这里示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是透彻的且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明构思的方面和特征。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员而言对完全理解本发明构思的方面和特征不必要的工艺、元件和技术。
除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记表示同样的元件，因此，将不重复其描述。此外，可以不示出与实施例的描述无关的部分以使描述清楚。在附图中，为了清楚，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。
这里参照作为实施例和/或中间结构的示意图的剖面图来描述各种实施例。如此，将预计出现例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。此外，出于描述根据本公开的构思的实施例的目的，这里公开的具体结构或功能的描述仅是说明性的。因此，这里公开的实施例不应当被解释为限于具体示出的区域的形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏差。此外，如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
在具体实施方式中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的透彻理解。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种实施例。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免使各种实施例不必要地模糊。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应当受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了便于解释，这里可以使用诸如“在……下方”、“在……下面”，“下”，“在……之下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(其它)元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包含装置在使用中或在操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下面”、“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下面”和“在……之下”可以包含上方和下面两个方位。装置可以另外定位(例如，旋转90度或在其它方位处)，并且应当相应地解释这里使用的空间相对描述语。类似地，当第一部分被描述为布置“在”第二部分“上”时，这表示第一部分布置在第二部分的上侧或下侧处，而不限于基于重力方向的第二部分的上侧。
将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”另一元件、层、区域或组件或者“结合到”另一元件、层、区域或组件时，该元件、层、区域或组件可以直接在所述另一元件、层、区域或组件上、直接连接到所述另一元件、层、区域或组件或者直接结合到所述另一元件、层、区域或组件，或者可以存在一个或更多个中间元件、中间层、中间区域或中间组件。然而，“直接连接到/直接结合到”表示一个组件直接连接或直接结合到另一组件而没有中间组件。同时，可以类似地解释诸如“在……之间”、“直接在……之间”或者“与……相邻”和“与……直接相邻”的描述组件之间的关系的其它表述。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，它可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或唯一层，或者还可以存在一个或更多个中间元件或中间层。
出于本公开的目的，当诸如“……中的至少一个(者/种)”的表述位于一列元件(元素)之后时，修饰整列元件(元素)而不是修饰该列中的个别元件(元素)。例如，“X、Y和Z中的至少一个(者/种)”和“选自于由X、Y和Z组成的组中的至少一个(者/种)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的标号始终表示同样的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。
这里所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，而不意图限制本公开。如这里所使用的，单数形式“一”、“一个(者/种)”也意图包括复数形式，除非上下文明确地另外指出。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”、“具有”和“包含”及其变型时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。
如这里所使用的，术语“基本上(基本)”、“大约(约)”、“近似”和类似的术语用作近似术语而不用作程度术语，并且意图解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值的固有偏差。考虑到提及的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里所使用的“大约(约)”或“近似”包括所述值并意为在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差的范围内。例如，“大约(约)”可以意为在一个或更多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用表示“本公开的一个或更多个实施例”。
另外，这里公开和/或陈述的任何数值范围意图包括在陈述范围内包含的相同数值精度的所有子范围。例如，范围“1.0至10.0”意图包括在所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0之间(并且包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里陈述的任何最大数值限制意图包括包含在其中的所有较低的数值限制，本说明书中陈述的任何最小数值限制意图包括包含在其中的所有较高的数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确陈述包含在这里明确陈述的范围内的任何子范围。所有这样的范围意图在本说明书中被固有地描述，使得对明确陈述任何这样的子范围的修改将符合要求。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的语境和/或本说明书中的含义一致的含义，并且不应当被解释为理想化或过于形式化的意义，除非这里明确如此定义。
此外，在整个说明书中，短语“在平面上”意为从顶部观看目标部分，短语“在剖面上”意为从侧面观看通过竖直切割目标部分而形成的剖面。
在下文中，将参照图1和图2来描述根据实施例的显示装置。图1示出了根据实施例的显示装置的剖视图，图2示出了根据实施例的显示装置的一部分的放大图。
首先，参照图1，基底110可以包括透明玻璃基底，或者可以包括其中交替地堆叠有塑料层和阻挡层的基底。根据本实施例的基底110可以是平坦基底或者可以是可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。
缓冲层111定位在基底110上。缓冲层111可以减小或防止杂质等从基底110朝向显示装置的内部扩散。此外，当基底110的表面不均匀时，缓冲层111可以改善基底110的表面的平坦性。
缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮化硅等的无机绝缘材料或有机绝缘材料。缓冲层111可以是单层或多层。例如，当缓冲层111是双层时，其下层可以包括氮化硅，其上层可以包括氧化硅，但是本公开不限于此。
半导体层130定位在缓冲层111上。半导体层130可以包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等，但是不限于此。
半导体层130可以包括：源区132，连接到源电极153；漏区133，连接到漏电极155；以及沟道区131，定位在源区132与漏区133之间，稍后将对其描述。源区132和漏区133可以分别掺杂有杂质。
第一绝缘层141定位在半导体层130和缓冲层111上。第一绝缘层141可以包括诸如氮化硅、氧化硅、金属氧化物等的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料。第一绝缘层141可以是单个膜或多个膜。
栅电极124定位在第一绝缘层141上。栅电极124与半导体层130的沟道区131叠置。
栅电极124可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种。栅电极124可以包括单个膜或多个膜。
第二绝缘层142可以定位在栅电极124和第一绝缘层141上。第二绝缘层142可以包括诸如氮化硅、氧化硅或金属氧化物的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料。
源电极153和漏电极155可以定位在第二绝缘层142上。
源电极153和漏电极155可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种。源电极153和漏电极155可以包括单个膜或多个膜。
源电极153和漏电极155中的每个可以通过第一绝缘层141和第二绝缘层142的接触孔分别连接到半导体层130的源区132和漏区133。
第三绝缘层160定位在源电极153和漏电极155上。第三绝缘层160可以覆盖源电极153和漏电极155以使其平坦化或在其上提供平坦的层。第三绝缘层160可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。第三绝缘层160可以是单个膜或多个膜。
第一电极191定位在第三绝缘层160上。第一电极191可以通过第三绝缘层160的接触孔连接到漏电极155。
第一电极191可以是透明电极、透反射电极或反射电极。当第一电极191是透明电极或透反射电极时，作为示例，第一电极191可以由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO形成。当第一电极191是反射电极时，第一电极191可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其混合物的反射膜以及包含ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO的层。然而，第一电极191不限于此，第一电极191可以包括各种材料，并且可以具有不同地修改的结构，诸如单层结构或多层结构。根据本实施例的第一电极191可以具有三层结构，并且可以具有其中顺序地堆叠有ITO、Ag和ITO的多层结构。
间隔壁360可以定位在第一电极191上和第三绝缘层160上。间隔壁360包括使第一电极191的一部分暴露的开口部分365。发光层370可以定位在开口部分365中。未被间隔壁360覆盖的暴露的区域可以是发光区域，其中定位有间隔壁360的区域可以是非发光区域。
间隔壁360可以包括第一间隔壁361和第二间隔壁362。第一间隔壁361的第一开口部分365a的尺寸和第二间隔壁362的第二开口部分365b的尺寸可以不同。第一间隔壁361的第一开口部分365a的平面尺寸可以比第二间隔壁362的第二开口部分365b的平面尺寸大。第一开口部分365a的侧表面可以与第二间隔壁362接触。第二间隔壁362的端部可以在覆盖第一间隔壁361的端部的同时接触第一电极191的上表面191p。
第一间隔壁361可以与第一电极191的一部分叠置。根据实施例，第一间隔壁361可以与第一电极191的端部叠置，并且第一间隔壁361可以定位在第三绝缘层160上。第一间隔壁361可以定位在第三绝缘层160与第二间隔壁362之间。例如，第一间隔壁361可以接触第三绝缘层160。
第一间隔壁361可以包括诸如丙烯酸有机化合物、聚酰亚胺和/或聚酰胺的有机绝缘材料，但是不限于此。此外，第一间隔壁361还可以包括光引发剂等。第一间隔壁361可以通过使用负性光敏树脂组合物形成。
根据本实施例的第一间隔壁361可以包括黑色颜料和黑色染料中的至少一种。根据本实施例的黑色颜料可以包括用于吸收外部光的黑色颜料颗粒，并且可以包括结合到黑色颜料颗粒的分散剂，但是不限于此，而是可以仅包括其中省略了分散剂的黑色颜料颗粒。此外，根据本实施例的黑色染料可以包括用于吸收外部光的黑色染料颗粒和结合到黑色染料颗粒的分散剂，但是不限于此，而是可以仅包括其中省略了分散剂的黑色染料颗粒。
第一间隔壁361可以吸收外部光，并且/或者可以减少或防止漏光。例如，包括黑色颜料和黑色染料中的至少一种的第一间隔壁361减少或防止外部光穿透到第三绝缘层160中，从而减少或防止在第三绝缘层160等中发生排气(out-gassing)。否则当发生排气时，会发生第一电极191等的氧化，因而会使显示装置的可靠性劣化。
此外，第一间隔壁361可以减少其中外部光被诸如栅极线或数据线的金属布线反射而被视为漏光的现象。因此，第一间隔壁361从而提高了显示装置的显示质量。
第二间隔壁362可以定位在第一间隔壁361上。第二间隔壁362可以与第一电极191的一部分叠置。
第二间隔壁362可以包括诸如丙烯酸有机化合物、聚酰亚胺和/或聚酰胺的有机绝缘材料。第二间隔壁362可以通过使用例如正性光敏树脂组合物被制成透明的，但是不限于此。
与第一间隔壁361不同，第二间隔壁362可以省略黑色颜料和黑色染料。因此，包括在第一间隔壁361中的黑色颜料和黑色染料中的至少一种的量可以比包括在第二间隔壁362中的黑色颜料和黑色染料中的至少一种的量大。
第二间隔壁362可以包括由化学式1表示的化合物。由化学式1表示的化合物可以包含S-O键。因此，第二间隔壁362中包含的硫(S)的量可以比第一间隔壁361中包含的硫(S)的量大。
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第二间隔壁362可以包括第一区域362a和第二区域362b。第一区域362a的最大厚度(在下文中，也称作第一厚度)ta和第二区域362b的最大厚度(在下文中，也称作第二厚度)tb可以不同。在一些实施例中，第二区域362b的最大厚度tb可以是第一区域362a的最大厚度ta的至少两倍。
第二间隔壁362的第二区域362b可以具有相对厚的厚度。第二区域362b可以用作间隔件。第二间隔壁362可以具有弹性(例如，预定的弹性)，并且可以支撑稍后描述的封装层400。
可以通过同一工艺制造第一区域362a和第二区域362b。例如，与第二开口部分365b叠置的区域可以通过被掩模开口部分暴露来制造，与第一区域362a叠置的区域可以通过与半色调掩模叠置来制造，并且与第二区域362b叠置的区域可以通过与掩模阻光部分叠置来制造。可以消除被掩模开口部分暴露的部分以形成第二开口部分365b，并且与掩模阻光部分叠置的区域可以形成具有第二厚度tb的第二区域362b，而与半色调掩模叠置的区域可以形成具有第一厚度ta的第一区域362a。在这种情况下，与半色调掩模叠置的区域的第一厚度ta可以根据曝光量而改变。当曝光量增加时，第一厚度ta可以减小。然而，即使曝光量增加，第二厚度tb也可以是恒定的。
根据本实施例的第一间隔壁361的厚度t1可以是约0.5微米至约3微米。第二间隔壁362的第一厚度ta和第二厚度tb可以是约0.3微米至约1微米，并且它们可以满足上面提及的条件。
第二间隔壁362可以接触第一电极191的上表面191p。其中第二间隔壁362与第一电极191的上表面191p彼此接触的区域的宽度被称作第一宽度w1。第一宽度w1可以是约2微米或更大。当第一宽度w1小于约2微米时，暗点的缺陷率会是约10％或更大。为了减小显示装置的暗点的缺陷率，第一宽度w1可以满足上面提及的值。
在下文中，将参照图2更具体地描述实施例。
参照图2，根据本实施例的第一电极191可以具有三层结构。第一电极191可以包括第一层191a、第二层191b和第三层191c。在这种情况下，第一层191a和第三层191c可以包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO中的至少一种，第二层191b可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和它们的混合物中的至少一种。
由三层形成的第一电极191的上表面191p可能包括部分凹陷的凹槽A。凹槽A可能是在形成第一电极191的工艺中自然形成的表面形状。
第二层191b中包括的金属会穿过凹槽A生长，例如，金属会在第一间隔壁361中生长。因此，第二层191b中包括的金属会产生如图2中所示的膨胀状态的金属缺陷B。此外，在其它示例中，在第一电极191的端部处暴露的第二层191b也会沿第一间隔壁361生长。
根据本实施例的显示装置包括覆盖第一间隔壁361的第二间隔壁362。第二间隔壁362可以减少或防止上述金属缺陷B生长。通过控制金属缺陷B可以减少像素缺陷。第二间隔壁362可以包括由化学式1表示的化合物，并且化合物中包括的S-O键可以限制金属缺陷B的生长。
在不存在第二间隔壁362的情况下，金属缺陷B会继续生长，在这种情况下，当金属缺陷B接触共电极270时会发生短路，或者同时在对应的区域中发生场聚集(fieldconcentration)。包括金属缺陷B的像素成为暗点以导致像素缺陷。
再次参照图1，发光层370定位在被开口部分365暴露的第一电极191上。作为与基底110的前表面叠置的第二电极的共电极270定位在发光层370和间隔壁360上。第一电极191、发光层370和共电极270可以形成发光二极管。
共电极270可以是透明电极、透反射电极或反射电极。当共电极270是透明电极或透反射电极时，共电极270可以包括包含具有小逸出功的金属(例如，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和/或它们的混合物)的层，并且可以包括诸如ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的透明层或者透反射导电层。当共电极270是反射电极时，其可以包括例如包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和/或它们的混合物的层。共电极270的材料和堆叠结构不限于此，其各种修改是可能的。
这里，第一电极191是作为空穴注入电极的阳极，共电极270是作为电子注入电极的阴极。然而，本实施例不限于此，根据显示装置的驱动方法，第一电极191可以是阴极，共电极270可以是阳极。空穴和电子分别从第一电极191和共电极270注入到发光层370，由注入的空穴和电子结合产生的激子从激发态回落到基态以发光。
同时，发光层370可以包括低分子有机材料或诸如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)的聚合物有机材料。发光层370可以包括包含发光层以及空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个的多层。当包括所有这些层时，空穴注入层定位在作为阳极的第一电极191上，空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层可以顺序地堆叠在其上。
然而，本公开不限于此，发光层370可以包括量子点材料。量子点的核可以选自于II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和/或它们的组合。
II-VI族化合物可以选自于：二元素化合物，选自于CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和/或它们的混合物；三元素化合物，选自于CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和/或它们的混合物；以及四元素化合物，选自于HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和/或它们的混合物。
III-V族化合物可以选自于：二元素化合物，选自于GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和/或它们的混合物；三元素化合物，选自于GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和/或它们的混合物；以及四元素化合物，选自于GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和/或它们的混合物。
IV-VI族化合物可以选自于：二元素化合物，选自于SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和/或它们的混合物；三元素化合物，选自于SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和/或它们的混合物；以及四元素化合物，选自于SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和/或它们的混合物。
IV族元素可以选自于Si、Ge和/或它们的混合物。
IV族化合物可以是选自于SiC、SiGe和/或它们的混合物的二元素化合物。
在这种情况下，二元素化合物、三元素化合物或四元素化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者它们可以被划分为具有部分不同的浓度的状态而分别存在于同一颗粒中。此外，其中一些量子点包围其它量子点的核/壳结构可以是可能的。核与壳之间的界面可以具有其中壳的元素的浓度靠近其中心降低的浓度梯度。
在一些实施例中，量子点可以具有核-壳结构，所述核-壳结构包括核和围绕核的壳。量子点的壳可以用作用于保持半导体特性的钝化层，并且/或者可以用作用于通过减少或防止核的化学变性而将电泳特性施加到量子点的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有其中壳的元素的浓度靠近其中心降低的浓度梯度。量子点的壳的示例包括金属氧化物或非金属氧化物、半导体化合物或它们的组合。
例如，金属氧化物或非金属氧化物可以是诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO等的二元素化合物，或者诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4等的三元素化合物，但是本公开不限于此。
此外，半导体化合物可以是CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是本公开不限于此。
量子点可以具有等于或小于约45nm、等于或小于约40nm或者等于或小于约30nm的发光波长光谱的半峰全宽(FWHM)，在该范围内，可以改善色纯度或颜色再现性。此外，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可以改善光的视角。
此外，量子点的形状不具体限于本领域中通常使用的形状，而可以是球形、角锥形、多臂形或立方形纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片颗粒形状等。
量子点可以根据其颗粒尺寸来控制发射的光的颜色，因此量子点可以具有各种发光颜色，诸如蓝色、红色和绿色。
用于保护发光二极管的封装层400可以定位在共电极270上。封装层400可以通过密封剂结合到基底110。封装层400可以由诸如玻璃、石英、陶瓷、塑料和/或金属的各种材料形成。
尽管本说明书中示出了平坦的封装层400，但是本公开不限于此，实施例可以包括在不使用密封剂的情况下定位在共电极270上的封装层400。在这种情况下，封装层400可以包括无机膜的单层或有机膜的单层，或者可以包括其中交替地堆叠有无机膜和有机膜的层。例如，封装层400可以包括两层无机膜和定位在两层无机膜之间的有机膜。与附图中所示的结构不同，根据本实施例的封装层400可以定位在共电极270上，并且可以被形成为不与共电极270间隔开。
在本说明书中，已经描述了一个薄膜晶体管定位在显示区域中的每个像素处，并且已经描述了发光二极管连接到薄膜晶体管。然而，一个像素可以包括至少两个薄膜晶体管和一个电容器，但是其不限于此，一个像素可以包括三个或更多个薄膜晶体管和/或两个或更多个电容器。这里，像素是用于显示图像的最小单元。
当仅包括第一间隔壁361时，暗点缺陷率会在约10％至约50％的范围内，当仅包括第二间隔壁362时，暗点缺陷率可以小于约1％。然而，当仅包括第二间隔壁362时，会发生漏光现象，或者抵抗外部光的可靠性会低。根据本实施例的显示装置可以包括第一间隔壁361以减少或防止漏光现象和排气，并且可以包括第二间隔壁362以通过减小暗点缺陷率来提供具有优异的显示质量的显示装置。
在下文中，将参照图3至图11来描述根据实施例的显示装置。图3至图11分别示出了根据实施例的显示装置的剖视图。可以省略与上面参照图1和图2描述的构成元件相同的构成元件的重复描述。
首先参照图3，间隔壁360可以定位在第一电极191和第三绝缘层160上。间隔壁360包括第一间隔壁361、第二间隔壁362和第三间隔壁363。
第一间隔壁361可以包括诸如丙烯酸有机化合物、聚酰亚胺和/或聚酰胺的有机绝缘材料，但是不限于此。此外，第一间隔壁361还可以包括光引发剂等。第一间隔壁361可以通过使用负性光敏树脂组合物形成。
第一间隔壁361可以包括黑色颜料和黑色染料中的至少一种。根据本实施例的黑色颜料可以包括用于吸收外部光的黑色颜料颗粒，并且可以包括结合到黑色颜料颗粒的分散剂，但是本实施例不限于此，本实施例可以仅包括其中省略了分散剂的黑色颜料颗粒。此外，根据本实施例的黑色染料可以包括用于吸收外部光的黑色染料颗粒，并且也包括结合到黑色染料颗粒的分散剂，但是本实施例不限于此，而是本实施例可以仅包括其中省略了分散剂的黑色染料颗粒。
第二间隔壁362可以定位在第一间隔壁361上。第二间隔壁362可以与第一电极191的一部分叠置。第二间隔壁362可以整体具有相同的厚度。
根据本实施例的第一间隔壁361的最大厚度t1可以是约0.5微米至约3微米。第二间隔壁362的最大厚度t2可以是约0.3微米至约1微米。
第二间隔壁362可以包括诸如丙烯酸有机化合物、聚酰亚胺和/或聚酰胺的有机绝缘材料。第二间隔壁362可以通过使用正性光敏树脂组合物形成，但是本实施例不限于此。与第一间隔壁361不同，第二间隔壁362可以省略黑色颜料或黑色染料，可选地，第二间隔壁362可以是透明的。第二间隔壁362可以包括由化学式1表示的化合物。
第三间隔壁363可以定位在第二间隔壁362上。第三间隔壁363可以仅定位在第二间隔壁362的上表面362p上。可以在形成第二间隔壁362之后通过单独的工艺形成第三间隔壁363。
第三间隔壁363可以包括与第二间隔壁362的材料相同的材料。尽管在本示例中将第二间隔壁362和第三间隔壁363示出为单独的构成元件，但是包括相同材料的第二间隔壁362和第三间隔壁363可以被视为大致单个层。
第三间隔壁363可以与第二间隔壁362的一部分叠置。第三间隔壁363可以用作间隔件，并且可以支撑如上面描述的封装层400。
参照图4，间隔壁360可以定位在第一电极191和第三绝缘层160上。间隔壁360可以包括第一间隔壁361和第二间隔壁362。
第二间隔壁362可以定位在第三绝缘层160上，第一间隔壁361可以定位在第二间隔壁362上。第二间隔壁362可以定位在第一间隔壁361与第三绝缘层160之间。根据本实施例，第二间隔壁362可以直接接触第三绝缘层160。
第二间隔壁362可以包括诸如丙烯酸有机化合物、聚酰亚胺和/或聚酰胺的有机绝缘材料。第二间隔壁362可以通过使用正性光敏树脂组合物形成，但是不限于此。与第一间隔壁361不同，第二间隔壁362可以省略黑色颜料和黑色染料，并且可以是透明的。第二间隔壁362可以包括由化学式1表示的化合物。
第二间隔壁362可以包括第一区域362a和第二区域362b。第一区域362a的最大厚度ta和第二区域362b的最大厚度tb可以不同。第二区域362b的最大厚度tb可以是第一区域362a的最大厚度ta的至少两倍。
可以在同一工艺中制造第一区域362a和第二区域362b。例如，与第二开口部分365b叠置的区域可以通过被掩模开口部分暴露来制造，与第一区域362a叠置的区域可以通过与半色调掩模叠置来制造，并且与第二区域362b叠置的区域可以通过与掩模阻光部分叠置来制造。可以消除被掩模开口部分暴露的部分以形成第二开口部分365b，与掩模阻光部分叠置的区域可以形成具有第二厚度tb的第二区域362b，而与半色调掩模叠置的区域可以形成具有第一厚度ta的第一区域362a。在这种情况下，与半色调掩模叠置的区域可以具有根据曝光量而改变的第一厚度ta。当曝光量增加时，第一厚度ta可以减小。然而，即使曝光量增加，第二厚度tb也可以保持恒定。
第一间隔壁361可以定位在第二间隔壁362上。第一间隔壁361可以与第一电极191的一部分叠置。在这种情况下，第一间隔壁361的端部可以接触第一电极191的上表面191p。
第一间隔壁361的第一开口部分365a的尺寸和第二间隔壁362的第二开口部分365b的尺寸可以不同。第一间隔壁361的第一开口部分365a的平面尺寸可以比第二间隔壁362的第二开口部分365b的平面尺寸小。限定第二开口部分365b的侧表面可以与第一间隔壁361接触。第一间隔壁361可以围绕第二开口部分365b的侧表面(例如，可以围绕第二间隔壁362的侧表面)。第一间隔壁361的端部可以接触第一电极191的上表面191p同时定位在第二开口部分365b内部。
第一间隔壁361可以包括诸如丙烯酸有机化合物、聚酰亚胺和/或聚酰胺的有机绝缘材料，但是不限于此。此外，第一间隔壁361还可以包括光引发剂等。第一间隔壁361可以通过使用负性光敏树脂组合物形成。
根据本实施例的第一间隔壁361可以包括黑色颜料和黑色染料中的至少一种。根据本实施例的黑色颜料可以包括用于吸收外部光的黑色颜料颗粒，并且可以包括结合到黑色颜料颗粒的分散剂，但是黑色颜料不限于此。例如，黑色颜料可以仅包括其中省略了分散剂的黑色颜料颗粒。根据本实施例的黑色染料可以包括用于吸收外部光的黑色染料颗粒，并且可以包括结合到黑色染料颗粒的分散剂，但是不限于此。例如，黑色染料可以仅包括其中省略了分散剂的黑色染料颗粒。
接下来，参照图5，第二间隔壁362和第一间隔壁361可以顺序地定位在第一电极191和第三绝缘层160上。
第二间隔壁362可以包括诸如丙烯酸有机化合物、聚酰亚胺和/或聚酰胺的有机绝缘材料。第二间隔壁362可以通过使用正性光敏树脂组合物形成，但是不限于此。与第一间隔壁361不同，第二间隔壁362可以不包括黑色颜料和黑色染料，并且可以是透明的。第二间隔壁362可以包括由化学式1表示的化合物。
第二间隔壁362可以包括第一区域362a和第二区域362b。第一区域362a的最大厚度ta和第二区域362b的最大厚度tb可以不同。第二区域362b的最大厚度tb可以是第一区域362a的最大厚度ta的至少两倍。
第一间隔壁361可以定位在第二间隔壁362上方，并且可以不接触第一电极191。尽管这里示出了其中第一间隔壁361仅定位在第二间隔壁362的上表面362p上的实施例，但是本公开不限于此。例如，在本实施例中，第一间隔壁361可以具有不接触第一电极191的上表面191p同时与第二间隔壁362的侧表面叠置的任何结构。
根据本实施例的第一间隔壁361可以包括黑色颜料和黑色染料中的至少一种。根据本实施例的黑色颜料可以包括用于吸收外部光的黑色颜料颗粒，并且可以包括结合到黑色颜料颗粒的分散剂，但是不限于此，而可以仅包括黑色颜料颗粒同时省略分散剂。根据本实施例的黑色染料可以包括用于吸收外部光的黑色染料颗粒以及结合到黑色染料颗粒的分散剂，但是不限于此，而可以仅包括其中省略了分散剂的黑色染料颗粒。
第一间隔壁361的第一开口部分365a的尺寸和第二间隔壁362的第二开口部分365b的尺寸可以不同。第一间隔壁361的第一开口部分365a的平面尺寸可以比第二间隔壁362的第二开口部分365b的平面尺寸大。
参照图6，第二间隔壁362、第一间隔壁361和第三间隔壁363可以顺序地定位在第一电极191和第三绝缘层160上。
第二间隔壁362可以包括诸如丙烯酸有机化合物、聚酰亚胺和/或聚酰胺的有机绝缘材料。作为示例，第二间隔壁362可以通过使用正性光敏树脂组合物形成，但是不限于此。与第一间隔壁361不同，第二间隔壁362可以省略黑色颜料和黑色染料，并且可以是透明的。第二间隔壁362可以包括由化学式1表示的化合物。
第一间隔壁361可以定位在第二间隔壁362上。第一间隔壁361可以与第一电极191的一部分叠置。在这种情况下，第一间隔壁361的端部可以接触第一电极191的上表面191p。
根据本实施例的第一间隔壁361可以包括黑色颜料和黑色染料中的至少一种。根据本实施例的黑色颜料可以包括用于吸收外部光的黑色颜料颗粒和结合到黑色颜料颗粒的分散剂，但是不限于此，而可以仅包括其中省略了分散剂的黑色颜料颗粒。根据本实施例的黑色染料可以包括用于吸收外部光的黑色染料颗粒和结合到黑色染料颗粒的分散剂，但是不限于此，而可以仅包括其中省略了分散剂的黑色染料颗粒。
第三间隔壁363可以定位在第一间隔壁361上。第三间隔壁363可以与第一间隔壁361的上表面361p叠置。此外，第三间隔壁363可以包括与第二间隔壁362的材料相同的材料。
第三间隔壁363可以与第一间隔壁361的一部分叠置。第二间隔壁362、第一间隔壁361和第三间隔壁363可以在其中定位有第三间隔壁363的区域中彼此叠置，并且该区域类似于间隔件可以支撑上面提及的封装层400等。
参照图7，第二间隔壁362、第一间隔壁361和第三间隔壁363可以顺序地定位在第一电极191和第三绝缘层160上。
第二间隔壁362可以与第一电极191的一部分叠置同时定位在第三绝缘层160上。
第二间隔壁362可以包括诸如丙烯酸有机化合物、聚酰亚胺和/或聚酰胺的有机绝缘材料。第二间隔壁362可以通过使用正性光敏树脂组合物形成，但是不限于此。与第一间隔壁361不同，第二间隔壁362可以省略黑色颜料和黑色染料，并且可以是透明的。第二间隔壁362可以包括由化学式1表示的化合物。
第一间隔壁361可以定位在第二间隔壁362上。尽管这里示出了其中第一间隔壁361仅定位在第二间隔壁362的上表面362p上的实施例，但是本公开不限于此，第一间隔壁361可以与第二间隔壁362的侧表面叠置。然而，第一间隔壁361可以被定位为不接触第一电极191的上表面191p。
根据本实施例的第一间隔壁361可以包括黑色颜料和黑色染料中的至少一种。根据本实施例的黑色颜料可以包括用于吸收外部光的黑色颜料颗粒和结合到黑色颜料颗粒的分散剂，但是不限于此，而可以仅包括其中省略了分散剂的黑色颜料颗粒。此外，根据本实施例的黑色染料可以包括用于吸收外部光的黑色染料颗粒和结合到黑色染料颗粒的分散剂，但是不限于此，而可以仅包括其中省略了分散剂的黑色染料颗粒。
第三间隔壁363可以定位在第一间隔壁361上。第三间隔壁363可以与第一间隔壁361的上表面361p叠置。第二间隔壁362、第一间隔壁361和第三间隔壁363在其中定位有第三间隔壁363的区域中彼此叠置，并且该区域可以用作间隔件。
第三间隔壁363可以包括与第二间隔壁362的材料相同的材料。
参照图8，第二间隔壁362、第一间隔壁361和第三间隔壁363可以定位在第三绝缘层160和第一电极191上。
第二间隔壁362可以与第一电极191的端部叠置。第一电极191的端部可以被第二间隔壁362覆盖。由于第二间隔壁362，第一电极191中包括的金属可以被控制为不生长成金属缺陷。
第二间隔壁362可以由透明材料制成。第二间隔壁362可以包括诸如丙烯酸有机化合物、聚酰亚胺和/或聚酰胺的有机绝缘材料。作为示例，第二间隔壁362可以通过使用正性光敏树脂组合物形成，但是不限于此。与第一间隔壁361不同，第二间隔壁362可以省略黑色颜料和黑色染料。第二间隔壁362可以包括由化学式1表示的化合物。
第一间隔壁361可以定位在第三绝缘层160、第二间隔壁362和第一电极191上。在剖视图中，第一间隔壁361可以具有围绕或接触第二间隔壁362的上表面362p和侧表面362s的形状。第一间隔壁361可以接触第一电极191的上表面191p同时围绕或接触第二间隔壁362的侧表面362s。
根据本实施例的第一间隔壁361可以包括黑色颜料和黑色染料中的至少一种。根据本实施例的黑色颜料可以包括用于吸收外部光的黑色颜料颗粒和结合到黑色颜料颗粒的分散剂，但是不限于此，而可以仅包括其中省略了分散剂的黑色颜料颗粒。此外，根据本实施例的黑色染料可以包括用于吸收外部光的黑色染料颗粒和结合到黑色染料颗粒的分散剂，但是不限于此，而可以仅包括其中省略了分散剂的黑色染料颗粒。
第三间隔壁363可以定位在第一间隔壁361上。第三间隔壁363可以包括与第二间隔壁362的材料相同的材料。第三间隔壁363可以与第二间隔壁362的一部分叠置。
第三间隔壁363可以与第一间隔壁361的一部分叠置。其中定位有第三间隔壁363的区域与第二间隔壁362的一部分和/或第一间隔壁361的一部分叠置，并且该区域可以用作间隔件。
参照图9，第一间隔壁361可以定位在第三绝缘层160上。在这种情况下，第一间隔壁361可以被定位为不与第一电极191叠置。第一电极191和第一间隔壁361在平面图中可以彼此间隔开。
第二间隔壁362可以定位在第三绝缘层160、第一电极191和第一间隔壁361上。第二间隔壁362可以定位在第一电极191与第一间隔壁361之间的空间中。第二间隔壁362可以通过所述空间与第三绝缘层160的上表面160s接触。
第二间隔壁362可以包括第一区域362a和第二区域362b。第一区域362a的最大厚度ta和第二区域362b的最大厚度tb可以不同。第二区域362b的最大厚度tb可以是第一区域362a的最大厚度ta的至少两倍。
第二间隔壁362的第二区域362b可以具有相对厚的厚度。第二区域362b可以用作间隔件。第二间隔壁362可以具有弹性(例如，预定的弹性)，并且可以支撑上面描述的封装层400。
第二间隔壁362可以包括诸如丙烯酸有机化合物、聚酰亚胺和/或聚酰胺的有机绝缘材料。作为示例，第二间隔壁362可以通过使用正性光敏树脂组合物形成，但是不限于此。与第一间隔壁361不同，第二间隔壁362可以省略黑色颜料和黑色染料，并且可以是透明的。第二间隔壁362可以包括由化学式1表示的化合物。
参照图10，第二间隔壁362、第一间隔壁361和第三间隔壁363可以顺序地定位在第一电极191和第三绝缘层160上。
第二间隔壁362可以与第一电极191的一部分叠置。第二间隔壁362可以包括诸如丙烯酸有机化合物、聚酰亚胺和/或聚酰胺的有机绝缘材料。作为示例，第二间隔壁362可以通过使用正性光敏树脂组合物形成，但是不限于此。与第一间隔壁361不同，第二间隔壁362可以省略黑色颜料和黑色染料，并且可以是透明的。第二间隔壁362可以包括由化学式1表示的化合物。
第一间隔壁361可以定位在第二间隔壁362上。根据本实施例的第一间隔壁361可以与第二间隔壁362的上表面362p叠置。
第三间隔壁363可以定位在第二间隔壁362和第一间隔壁361上。第三间隔壁363可以与第一间隔壁361的侧表面361s叠置同时覆盖第一间隔壁361的上表面361p。第三间隔壁363可以与第二间隔壁362的上表面362p叠置。尽管这里示出了其中第三间隔壁363的边缘和第二间隔壁362的边缘对齐的实施例，但是本公开不限于此，第三间隔壁363的端部可以与第二间隔壁362的侧表面叠置。
第三间隔壁363可以包括第一区域363a和第二区域363b。第一区域363a的最大厚度ta和第二区域363b的最大厚度tb可以不同。例如，第二区域363b的最大厚度tb可以是第一区域363a的最大厚度ta的至少两倍。
第二间隔壁362、第一间隔壁361和第三间隔壁363的第二区域363b可以在其中定位有第二区域363b的区域中彼此叠置，并且该区域可以用作间隔件。第二区域363b可以支撑上面描述的封装层400。
参照图11，间隔壁360可以定位在第一电极191和第三绝缘层160上。间隔壁360包括第一间隔壁361、第二间隔壁362和第三间隔壁363。
第一间隔壁361可以与第一电极191的一部分叠置，并且可以定位在第三绝缘层160的上表面上。
第一间隔壁361可以包括诸如丙烯酸有机化合物、聚酰亚胺和/或聚酰胺的有机绝缘材料，但是不限于此。此外，第一间隔壁361还可以包括光引发剂等。此外，第一间隔壁361可以通过使用负性光敏树脂组合物形成。
根据本实施例的第一间隔壁361可以包括黑色颜料和黑色染料中的至少一种。根据本实施例的黑色颜料可以包括用于吸收外部光的黑色颜料颗粒和结合到黑色颜料颗粒的分散剂，但是不限于此，而可以仅包括其中省略了分散剂的黑色颜料颗粒。此外，根据本实施例的黑色染料可以包括用于吸收外部光的黑色染料颗粒和结合到黑色染料颗粒的分散剂，但是不限于此，而可以仅包括其中省略了分散剂的黑色染料颗粒。
第二间隔壁362可以定位在第一电极191的上表面191p上。第二间隔壁362与第一电极191叠置同时与第一间隔壁361的侧表面361s叠置。第二间隔壁362可以具有围绕第一间隔壁361的开口部分的侧表面的形状。另外所描述的金属缺陷会容易在第一间隔壁361与第一电极191之间的边界处发生，通过用第二间隔壁362围绕所述边界可以减少或防止金属缺陷的生长。
第二间隔壁362可以包括诸如丙烯酸有机化合物、聚酰亚胺和/或聚酰胺的有机绝缘材料。作为示例，第二间隔壁362可以通过使用正性光敏树脂组合物形成，但是不限于此。与第一间隔壁361不同，第二间隔壁362可以省略黑色颜料和黑色染料，并且可选地可以是透明的。第二间隔壁362可以包括由化学式1表示的化合物。
第三间隔壁363可以定位在第一间隔壁361的上表面361p上。第三间隔壁363可以包括与第二间隔壁362的材料相同的材料。第三间隔壁363可以用作间隔件，并且可以支撑如上面描述的封装层400。
在下文中，将参照图12A至图14描述根据本实施例的显示装置。图12A是根据本实施例的“S”的含量的曲线图，图12B是关于第一间隔壁和第二间隔壁的EDS分析图像，图13是关于第一间隔壁和第二间隔壁的TEM图像，图14是暗点率相对于第一电极与第二间隔壁叠置所处的宽度的曲线图。
根据本实施例的第二间隔壁可以由透明材料形成，并且可以包括由化学式1表示的化合物。此外，第一间隔壁可以包括黑色颜料。
参照图12A，随着溅射时间过去，可以顺序地比较包括在显示装置中的盖层、阴极、电子辅助层、发光层、空穴辅助层和间隔壁的S元素含量。当溅射时间在约0秒至约500秒的范围内时，S元素含量表现出相似的结果(与盖层、阴极、电子辅助层、发光层和空穴辅助层对应的区域)。在图12A中，根据本实施例的间隔壁对应于约500秒至约600秒的情况。因为第二间隔壁A包括由化学式1表示的化合物，所以能够看出，随着执行TOF-SIMS分析，相对于第一间隔壁B，S元素的强度增加。也就是说，通过如图12A中所示分析S元素的含量，可以区别第一间隔壁B和第二间隔壁A。
参照作为关于第一间隔壁和第二间隔壁的EDS分析图像的图12B，难以通过元素C、F和Cl来区分第一间隔壁和第二间隔壁，但是可以通过它们的S元素含量之间的差异来区分第一间隔壁和第二间隔壁。此外，如图13中所示，能够看出，通过TEM图像第一间隔壁(BPDL)和第二间隔壁(PS/PI)也被划分成单独的层。
参照图14，示出了关于第二间隔壁与第一电极叠置所处的宽度(叠置量)的增加的暗点率。图14中示出了基于改变与图1的w1对应的第一宽度的暗点率。当与w1对应的第一宽度是0时(即，当第二间隔壁与第一电极的叠置宽度是零时)，暗点率可以是约84％。随着叠置宽度增加，暗点率减小，当叠置宽度是约2.2微米或更大时，暗点率可以基本上是0％，并且对于第二间隔壁与第一电极叠置所处的宽度是至少2.0微米，暗点率可以是适当的。
尽管已经结合目前被认为是可行的实施例描述了本公开的实施例，但是将要理解的是，发明不限于所公开的实施例，而是相反，意图覆盖包括在所附权利要求的精神和范围之内的各种修改和等同布置，并且其功能等同物将要包括在其中。
标号的描述
110：基底
191：第一电极
370：发光层
270：第二电极
361：第一间隔壁
362：第二间隔壁

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
薄膜晶体管，位于所述基底上；
第一电极，电连接到所述薄膜晶体管；
发光层和第二电极，与所述第一电极叠置；
第一间隔壁，位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及
第二间隔壁，与所述第一间隔壁叠置，
其中，所述第一间隔壁包括黑色颜料和黑色染料中的至少一种，
其中，所述第二间隔壁包括有机绝缘材料，并且
其中，所述第二间隔壁的一部分与所述第一电极叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二间隔壁的端部接触所述第一电极，并且
其中，所述第二间隔壁与所述第一电极彼此接触所处的区域的宽度是2微米或更大。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二间隔壁包括具有不同厚度的第一区域和第二区域，
其中，所述显示装置还包括位于所述第二电极上的封装层，并且
其中，所述第二区域支撑所述封装层。
4.根据权利要求1所述的显示装置，所述第一电极包括第一层、第二层和第三层，
其中，所述第一层和所述第三层中的每个包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO，
其中，所述第二层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物，并且
其中，所述第一电极的表面限定使所述第二层暴露的凹槽。
5.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第二间隔壁上的第三间隔壁。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二间隔壁位于所述第一电极上，并且
其中，所述第一间隔壁位于所述第二间隔壁上。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二间隔壁包括具有不同厚度的第一区域和第二区域。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一间隔壁位于所述第二间隔壁的上表面上，并且
其中，所述第一间隔壁与所述第二间隔壁的所述上表面和两个侧表面叠置。
9.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第一间隔壁上的第三间隔壁，其中，所述第三间隔壁接触所述第二间隔壁的上表面。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述薄膜晶体管与所述第一电极之间的绝缘层，
其中，所述第一间隔壁和所述第二间隔壁接触所述绝缘层。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220034987A (ko) 2020-09-11 2022-03-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220053728A (ko) 2020-10-22 2022-05-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치와, 이의 제조방법
KR20220079758A (ko) * 2020-12-04 2022-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20230024448A (ko) 2021-08-11 2023-02-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것을 포함하는 전자 장치
WO2023190317A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 東レ株式会社 表示装置
TWI847662B (zh) * 2022-05-11 2024-07-01 大陸商台州觀宇科技有限公司 發光元件及其製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006089597A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光吸収性ポリイミド組成物、光吸収性シロキサン組成物、および光吸収性樹脂、並びに表示装置
CN103988582A (zh) * 2011-12-09 2014-08-13 索尼公司 显示装置和电子设备
KR20170142304A (ko) * 2016-06-17 2017-12-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180000975A (ko) * 2016-06-24 2018-01-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US20180033848A1 (en) * 2016-08-01 2018-02-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5545927A (en) 1995-05-12 1996-08-13 International Business Machines Corporation Capped copper electrical interconnects
US6023130A (en) * 1995-09-06 2000-02-08 Kyocera Corporation Plasma display substrate and a production method thereof
JP3541625B2 (ja) 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
JP3705283B2 (ja) 2002-10-03 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器
KR100573134B1 (ko) 2004-02-26 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 표시장치
KR100782458B1 (ko) 2006-03-27 2007-12-05 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR101348408B1 (ko) * 2008-12-02 2014-01-07 엘지디스플레이 주식회사 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR100989135B1 (ko) 2009-01-07 2010-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101146991B1 (ko) * 2010-05-07 2012-05-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102105287B1 (ko) 2012-08-01 2020-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101958392B1 (ko) 2014-01-23 2019-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시판 및 표시 장치
US10020351B2 (en) * 2016-06-24 2018-07-10 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescence display device
KR102629936B1 (ko) * 2016-07-29 2024-01-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101878186B1 (ko) 2016-07-29 2018-08-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10141377B2 (en) * 2016-07-29 2018-11-27 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
KR20180047592A (ko) 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
KR20180062293A (ko) 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10930716B2 (en) * 2016-12-28 2021-02-23 Lg Display Co. Ltd. Electroluminescent display device with flatness improvement of emission layer
JP2019012595A (ja) 2017-06-29 2019-01-24 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子、および発光素子を有する表示装置
JP2019102153A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子、および表示装置
KR102513383B1 (ko) * 2017-12-05 2023-03-22 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
KR102664157B1 (ko) * 2018-12-03 2024-05-07 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치
KR20200078242A (ko) * 2018-12-21 2020-07-01 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006089597A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光吸収性ポリイミド組成物、光吸収性シロキサン組成物、および光吸収性樹脂、並びに表示装置
CN103988582A (zh) * 2011-12-09 2014-08-13 索尼公司 显示装置和电子设备
KR20170142304A (ko) * 2016-06-17 2017-12-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180000975A (ko) * 2016-06-24 2018-01-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US20180033848A1 (en) * 2016-08-01 2018-02-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display

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Publication number Publication date
US11296159B2 (en) 2022-04-05
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