CN111816781B - 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种有机电致发光器件及其制备方法，显示装置，所述有机电致发光器件包括：在衬底上依次设置的第一电极、发光层、电子传输层和第二电极，还包括，设置在所述电子传输层和所述第二电极之间的辅助电子传输层，且所述辅助电子传输层的平坦度大于所述电子传输层的平坦度。本实施例中，通过设置平坦度大的辅助电子传输层，改善电子传输层由于溶液浸泡造成的表面损伤，改善电子传输层与第二电极的界面接触，提高光电性能。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请实施例涉及但不限于显示技术，尤指一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电、反应速度快、色彩鲜艳、薄型化可弯曲等优点。随着显示技术的不断发展，OLED技术越来越多的应用各种显示装置中，成为目前市场的主流。高分辨率OLED显示在虚拟现实(Virtual Reality，VR)/增强现实(Augmented Reality，AR)等近眼显示设备上具有重要的应用场景需求，光刻工艺进行OLED图案化技术是近来发展的一种超高分辨率(＞1000像素密度(Pixels Per Inch，PPI))显示制备技术。光刻工艺图案化OLED显示技术是通过半导体微纳加工技术中的光刻、显影和剥离技术实现高分辨率OLED像素单元的图案化。该技术选择与OLED结构中膜层材料相兼容的特定光刻胶、显影液和剥离液，使得在光刻、显影和剥离工艺过程中所使用的化学药剂不会对OLED膜层材料产生溶解、化学反应、残留等破坏性影响。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

一方面，本申请实施例提供了一种有机电致发光器件，包括：在衬底上依次设置的第一电极、发光层、电子传输层和第二电极，还包括，设置在所述电子传输层和所述第二电极之间的辅助电子传输层，且所述辅助电子传输层的平坦度大于所述电子传输层的平坦度。

在一示例性实施例中，所述电子传输层的材料包括石墨烯。

在一示例性实施例中，所述电子传输层的材料包括掺杂纳米金属颗粒的石墨烯。

在一示例性实施例中，所述纳米金属颗粒包括以下至少之一：纳米银颗粒、纳米镁颗粒、纳米铝颗粒、纳米钙颗粒、纳米锂颗粒、纳米银镁合金颗粒、纳米钙铝合金颗粒、纳米锂铝合金颗粒。

在一示例性实施例中，所述辅助电子传输层设置为在剥离限定出所述发光层所在的子像素单元区的光刻胶T型柱后形成。

在一示例性实施例中，所述辅助电子传输层的厚度为0.5纳米至10纳米。

在一示例性实施例中，所述第一电极和所述发光层之间还设置有以下至少之一：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；所述第二电极和所述发光层之间还设置有以下至少之一：空穴阻挡层、电子注入层。

又一方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括上述有机电致发光器件。

再一方面，本申请实施例提供一种有机电致发光器件的制备方法，包括：

在衬底上依次形成第一电极和发光层；

在所述发光层远离所述第一电极一侧形成电子传输层；

在所述电子传输层远离所述发光层一侧形成辅助电子传输层；所述辅助电子传输层的平坦度大于所述电子传输层的平坦度；

在所述辅助电子传输层远离所述电子传输层一侧形成第二电极。

在一示例性实施例中，形成所述发光层前，还包括：

在所述衬底上形成光刻胶T型柱以限定出子像素单元区；

所述形成发光层和电子传输层包括：

在所述子像素单元区依次形成所述发光层和电子传输层；

在所述发光层远离所述第一电极一侧形成电子传输层之后，在所述电子传输层远离所述发光层一侧形成辅助电子传输层前，包括：

剥离所述光刻胶T型柱。

在一示例性实施例中，在所述电子传输层远离所述发光层一侧形成辅助电子传输层包括：

通过卷对卷制程将制备好的石墨烯薄膜转移到所述电子传输层上以形成所述辅助电子传输层；或者，通过浸渍提拉法在所述电子传输层表面沉积石墨烯薄膜，形成所述辅助电子传输层。

在一示例性实施例中，在所述电子传输层远离所述发光层一侧形成辅助电子传输层包括：

通过卷对卷制程将制备好的石墨烯薄膜转移到所述电子传输层上；或者，通过浸渍提拉法在所述电子传输层表面沉积石墨烯薄膜；

在所述石墨烯薄膜上沉积纳米金属颗粒，形成所述辅助电子传输层。

在一示例性实施例中，所述纳米金属颗粒包括以下至少之一：纳米银颗粒、纳米镁颗粒、纳米铝颗粒、纳米钙颗粒、纳米锂颗粒、纳米银镁合金颗粒、纳米钙铝合金颗粒、纳米锂铝合金颗粒。

本申请实施例提供一种有机电致发光器件，包括：在衬底上依次设置的第一电极、发光层、电子传输层和第二电极，还包括，设置在所述电子传输层和所述第二电极之间的辅助电子传输层，且所述辅助电子传输层的平坦度大于所述电子传输层的平坦度。本实施例中，通过设置平坦度大的辅助电子传输层，改善电子传输层与第二电极的界面接触，提高有机电致发光器件的光电性能。

本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本申请实施例技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请实施例一起用于解释技术方案，并不构成对技术方案的限制。

图1为一技术方案提供的有机电致发光器件的示意图；

图2为一技术方案提供的光刻胶T型柱示意图；

图3为本申请实施例提供的有机电致发光器件的示意图；

图4为形成光刻胶T型柱图案后的示意图；

图5为形成第一电极图案后的示意图；

图6为形成电子传输层图案后的示意图；

图7为剥离光刻胶T型柱后的示意图；

图8为形成辅助电子传输层图案后的示意图；

图9为另一实施例提供的有机电致发光器件示意图；

图10为本申请实施例提供的有机电致发光器件的制备方法流程图。

具体实施方式

下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。

本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，并不表示任何顺序、数量或者重要性。

在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在公开中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本公开中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。

在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

目前通过真空蒸镀方式制备的OLED膜层，在经过光刻、显影和剥离过程中溶剂的冲洗和浸泡等过程，不可避免地会在膜层表面形成凹坑等表面粗糙度增大的损伤行为，最终影响到OLED器件的光电性能。图1为一技术方案提供的有机电致发光器件的示意图。如图1所示，有机电致发光器件包括衬底1、第一电极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层(ETL)6和第二电极8。第一电极2为阳极，第二电极8为阴极。本实施例中，第一电极2设置在衬底1上，在另一实施例中，可以是第二电极8设置在衬底1上。所述衬底1比如为玻璃或柔性塑料衬底，通过光刻工艺在衬底上制备出具有像素结构的氧化铟锡(Indium tinoxide，ITO)/银(Ag)/ITO阳极图案。光刻工艺图案化OLED膜层结构如图2所示，通过光刻工艺制备出光刻胶T型柱9，由光刻胶T型柱9定义出子像素单元区，在子像素单元区通过蒸镀方式，依次蒸镀空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5和电子传输层6。通过溶液浸泡方式剥离衬底上的光刻胶T型柱9，在该溶液剥离过程中，电子传输层6的上表面因接触溶液浸泡，其表面粗糙度增大，出现纳米级尺度的凹坑起伏。有机电致发光器件的不同膜层间的界面特性对于有机电致发光器件的性能影响很大。由此，有必要对电子传输层6的界面进行改进。如果采用先剥离光刻胶T型柱，再形成电子传输层6的方案，由于发光层5比较敏感，在剥离液中浸泡对发光层5的影响更大。因此，本申请实施例中，在蒸镀阴极膜层之前，为改善阴极与粗糙化ETL膜层之间的界面接触，在粗糙化的ETL膜层上制作一层辅助电子传输层，提高有机电致发光器件的性能。

图3为本申请实施例提供的一种有机电致发光器件的示意图。如图3所示，本申请实施例提供的有机电致发光器件包括：衬底1、设置在衬底1上的第一电极2，设置在第一电极2远离所述衬底1一侧的发光层5，设置在所述发光层5远离所述衬底1一侧的电子传输层6，设置在所述电子传输层6远离所述衬底1一侧的辅助电子传输层7，设置在所述辅助电子传输层7远离所述基底1一侧的第二电极8，所述辅助电子传输层7的平坦度大于所述电子传输层6的平坦度。本实施例中，平坦度包括膜层表面的平整度。本实施例中，通过设置平坦度大的辅助电子传输层，改善电子传输层与第二电极的界面接触，提高有机电致发光器件的光电性能。

在一示例性实施例中，第一电极2比如为阳极，第二电极8比如为阴极。阳极的材料包括：ITO、氧化铟锌(IZO)、ITO/Ag/ITO多层结构等；阴极的材料包括镁、铝、银、或者镁银合金材料等。

在一示例性实施例中，所述辅助电子传输层7设置为在剥离限定出所述发光层所在的子像素单元区的光刻胶T型柱后形成。如图1所示，电子传输层6由于在进行溶液浸泡方式剥离衬底上的光刻胶T型柱9的过程中，被溶液浸泡造成表面损伤，而本实施例中，辅助电子传输层7在剥离光刻胶T型柱后形成，可以避免被溶液浸泡造成表面损伤，从而使得辅助电子传输层7的平坦度大于电子传输层6的平坦度。在另一实施例中，如果未形成光刻胶T型柱，即使用其他方式形成各膜层，可以无剥离光刻胶T型柱的步骤。

在一示例性实施例中，辅助电子传输层7可以使用电子迁移率高和空穴迁移率高的材料制备，比如，石墨烯，碳纳米管等，即可以使用石墨烯薄膜作为辅助电子传输层7，或者，使用碳纳米管薄膜作为辅助电子传输层7。其中，石墨烯的电子迁移率大于碳纳米管，使用石墨烯的效果好于使用碳纳米管，另外，石墨烯具有极大的比表面积和表面平整度，可以较好的改善电子传输层的表面损伤。

在一示例性实施例中，所述辅助电子传输层7可以掺杂纳米金属颗粒，比如在上述石墨烯薄膜、碳纳米管薄膜中掺杂纳米金属颗粒。所述纳米金属颗粒可以为低功函数的纳米金属颗粒，比如，纳米银颗粒、纳米镁颗粒、纳米铝颗粒、纳米钙颗粒、纳米锂颗粒、纳米银镁合金颗粒、纳米钙铝合金颗粒、纳米锂铝合金颗粒等。即，可以使用掺杂纳米银颗粒的石墨烯形成辅助电子传输层，或者，使用掺杂纳米镁颗粒的石墨烯形成辅助电子传输层，等等。掺杂纳米金属颗粒可以降低辅助电子传输层7的功函数，降低辅助电子传输层7与第二电极8的接触势垒。

在一示例性实施例中，所述辅助电子传输层7的厚度比如为0.5纳米(nm)至10纳米。所述石墨烯薄膜的厚度比如为0.35nm至5nm，所述纳米金属颗粒的厚度比如为0.5nm至5nm。所述厚度为沿垂直于所述衬底1的方向的尺寸。

下面通过本实施例有机电致发光器件的制备过程说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺或光刻工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺或光刻工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺或光刻工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。

图4至图8为本申请实施例的有机电致发光器件的制备过程示意图。制备过程包括：

1)在衬底上形成光刻胶T型柱；

通过光刻工艺在衬底1上形成光刻胶T型柱9，如图4所示。所述衬底1可以是玻璃衬底或者柔性塑料衬底。所述光刻胶T型柱9限定出子像素单元区，后续的发光层即形成在子像素单元区。

2)形成第一电极图案；

在形成前述图案的衬底1上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成第一电极2图案，如图5所示。第一金属薄膜可以是ITO、氧化铟锡(IZO)等。第一电极2的厚度可以是70nm至300nm。在另一实施例中，可以先形成第一电极2，再形成光刻胶T型柱9。

3)形成发光层、电子传输层图案

在形成前述图案基础上，通过真空蒸镀方式，依次形成发光层5和电子传输层6图案。如图6所示。发光层5的材料可以根据所发射光颜色的不同进行选择。发光材料可以是荧光发光材料或者磷光发光材料。通常采用掺杂体系，即在主体发光材料中掺杂材料得到可用的发光材料。发光层材料比如为：三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)，三(5-甲基-8-喹啉醇合)铝(Almq3)等。电子传输层6的材料比如为8-羟基喹啉铝(AlQ)，1，2，4一三唑衍生物(1，2，4-Triazoles，TAZ),2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)，八羟基喹啉铍(Beq2)，4,4′二(2,2-二苯乙烯基)1,1′联苯(DPVBi)。蒸镀条件比如为真空度低于5*10-4Pa，蒸镀的速率可以为0.01～0.5nm/s，比如为0.1nm/s。发光层5的厚度可以是50nm至200nm。电子传输层6的厚度可以是10nm至200nm。

4)剥离光刻胶T型柱

将上述步骤得到的结构浸泡到剥离液中，剥离光刻胶T型柱9，如图7所示。

5)形成辅助电子层7图案

在所述电子传输层6上形成石墨烯薄膜；可以通过roll-to-roll转移的方式，将预先制备(比如通过化学气相沉积法制备)的石墨烯薄膜转移至电子传输层6的表面，或者将上述形成的结构浸没到石墨烯溶液中，通过浸渍提拉法在电子传输层6表面沉积一层石墨烯；所述石墨烯薄膜可以改善电子传输层6的表面粗糙度与界面损伤。所述石墨烯薄膜的厚度可以是0.35nm至5nm。

利用蒸镀方式，向石墨烯薄膜上沉积一层Ag纳米颗粒(即纳米银颗粒)，掺杂有纳米银颗粒的石墨烯薄膜即构成辅助电子传输层7，如图8所示。所述纳米银颗粒的厚度可以是0.5nm至5nm，比如，可以是1nm。

浸渍提拉法是将整个洗净的基板(即上述各步骤形成的结构)浸入预先制备好的石墨烯溶液之中，然后以精确控制的均匀速度将基板平稳地从石墨烯溶液中提拉出来，在粘度和重力作用下基板表面形成一层均匀的液膜，紧接着溶剂迅速蒸发，于是附着在基板表面的液膜迅速凝胶化而形成一层凝胶膜。石墨烯溶液的牯度可以是2～5×10-2泊，提拉速度可以为1～20cm/min。石墨烯薄膜的厚度取决于石墨烯溶液的浓度、粘度和提拉速度。可以进行多次浸渍提拉生成石墨烯薄膜。

在另一实施例中，可以使用化学气相沉积法直接在电子传输层6上制备石墨烯薄膜。

辅助电子传输层7可以改善电子传输层6在剥离光刻胶T型柱过程中造成的表面损伤、凹坑问题，辅助电子传输层7与第二电极8的界面接触好于未设置辅助电子传输层7时电子传输层6与第二电极8的界面接触，提高了该有机电致发光器件的光电性能。

5)形成第二电极8图案

在形成前述图案的衬底上沉积第二金属薄膜，形成第二电极8，如图3所示。第二金属薄膜可以采用镁、银、铝、铜和锂中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。第二电极8的厚度比如为10nm至300nm。

在另一实施例中，如果不形成光刻胶T型柱，而采用其他方式生成空穴注入层3至电子传输层6，也可以设置辅助电子传输层7，改善电子传输层6与第二电极8的接触势垒。

图9为另一实施例提供的有机电致发光器件示意图。如图9所示，所述有机电致发光器件包括依次设置的衬底1、第一电极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6和辅助电子传输层7。所述辅助电子传输层7的平坦度大于所述电子传输层6的平坦度。空穴注入层3的厚度比如为5nm至50nn，空穴传输层4的厚度比如为50nm至200nm。本实施例中，通过设置平坦度大的辅助电子传输层7，改善电子传输层6由于溶液浸泡造成的表面损伤平坦度不够(电子传输层6的表面粗糙度更大)的问题，改善电子传输层与第二电极的界面接触，提高光电性能。

上述有机电致发光器件的结构及制备方法仅为示例。在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。比如，可以设置更多发光层；又比如，可以在辅助电子传输层7和第二电极8之间设置电子注入层，可以在发光层5和电子传输6之间设置空穴阻挡层(厚度可以是5nm至50nm)；可以在发光层5和空穴传输层4之间设置电子阻挡层(厚度可以是5nm至50nm)，等等，本申请实施例对此不作限定。

本申请实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的有机电致发光器件。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

图10为本申请实施例提供的一种有机电致发光器件的制备方法流程图。如图10所示，本申请实施例提供的有机电致发光器件的制备方法，包括：

步骤1001，在衬底上依次形成第一电极和发光层；

步骤1002，在所述发光层远离所述第一电极一侧形成电子传输层；

步骤1003，在所述电子传输层远离所述发光层一侧形成辅助电子传输层；所述辅助电子传输层的平坦度大于所述电子传输层的平坦度；

步骤1004，在所述辅助电子传输层远离所述电子传输层一侧形成第二电极。

在一示例性实施例中，形成所述发光层前，还包括：

在所述衬底上形成光刻胶T型柱以限定出子像素单元区；

所述形成发光层和电子传输层包括：

在所述子像素单元区依次形成所述发光层和电子传输层；

在所述发光层远离所述第一电极一侧形成电子传输层之后，在所述电子传输层远离所述发光层一侧形成辅助电子传输层前，包括：

剥离所述光刻胶T型柱。

在一示例性实施例中，在所述电子传输层远离所述发光层一侧形成辅助电子传输层包括：

通过卷对卷制程将制备好的石墨烯薄膜转移到所述电子传输层上以形成所述辅助电子传输层；或者，通过浸渍提拉法在所述电子传输层表面沉积石墨烯薄膜，形成所述辅助电子传输层。

在一示例性实施例中，在所述电子传输层远离所述发光层一侧形成辅助电子传输层包括：

通过卷对卷制程将制备好的石墨烯薄膜转移到所述电子传输层上；或者，通过浸渍提拉法在所述电子传输层表面沉积石墨烯薄膜；

在所述石墨烯薄膜上沉积纳米金属颗粒，形成所述辅助电子传输层。

在一示例性实施例中，所述纳米金属颗粒包括以下至少之一：纳米银颗粒、纳米镁颗粒、纳米铝颗粒、纳米钙颗粒、纳米锂颗粒、纳米银镁合金颗粒、纳米钙铝合金颗粒、纳米锂铝合金颗粒等。

本实施例提供的有机电致发光器件的制备方法，通过在电子传输层6上制备一层辅助电子传输层，改善了电子传输层6界面粗糙导致的界面接触问题，提高了有机电致发光器件的光电功能。另外，该制备方法可以采用现有成熟的工艺设备和工艺流程，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此工艺实现简单，易于实施，生产效率高。

有以下几点需要说明：

(1)本申请实施例附图只涉及到与本申请实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本申请实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

(3)在不冲突的情况下，本申请实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (8)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：在衬底上依次设置的第一电极、发光层、电子传输层和第二电极，还包括，设置在所述电子传输层和所述第二电极之间的辅助电子传输层，且所述辅助电子传输层的平坦度大于所述电子传输层的平坦度；

所述辅助电子传输层设置为在剥离限定出所述发光层所在的子像素单元区的光刻胶T型柱后形成；

所述辅助电子传输层的材料包括掺杂纳米金属颗粒的石墨烯，所述纳米金属颗粒为低功函数的纳米金属颗粒；

所述辅助电子传输层的厚度为0.5纳米至10纳米。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述纳米金属颗粒包括以下至少之一：纳米银颗粒、纳米镁颗粒、纳米铝颗粒、纳米钙颗粒、纳米锂颗粒、纳米银镁合金颗粒、纳米钙铝合金颗粒、纳米锂铝合金颗粒。

3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电极和所述发光层之间还设置有以下至少之一：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；所述第二电极和所述发光层之间还设置有以下至少之一：空穴阻挡层、电子注入层。

4.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至3任一所述的有机电致发光器件。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，包括：

在衬底上依次形成第一电极和发光层；

在所述发光层远离所述第一电极一侧形成电子传输层；

在所述电子传输层远离所述发光层一侧形成辅助电子传输层；所述辅助电子传输层的平坦度大于所述电子传输层的平坦度；所述辅助电子传输层的材料包括掺杂纳米金属颗粒的石墨烯，所述纳米金属颗粒为低功函数的纳米金属颗粒；所述辅助电子传输层的厚度为0.5纳米至10纳米；

在所述辅助电子传输层远离所述电子传输层一侧形成第二电极；

形成所述发光层前，还包括：

在所述衬底上形成光刻胶T型柱以限定出子像素单元区；

所述形成发光层和电子传输层包括：

在所述子像素单元区依次形成所述发光层和电子传输层；

在所述发光层远离所述第一电极一侧形成电子传输层之后，在所述电子传输层远离所述发光层一侧形成辅助电子传输层前，包括：

剥离所述光刻胶T型柱。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述电子传输层远离所述发光层一侧形成辅助电子传输层包括：

通过卷对卷制程将制备好的石墨烯薄膜转移到所述电子传输层上以形成所述辅助电子传输层；或者，通过浸渍提拉法在所述电子传输层表面沉积石墨烯薄膜，形成所述辅助电子传输层。

7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述电子传输层远离所述发光层一侧形成辅助电子传输层包括：

通过卷对卷制程将制备好的石墨烯薄膜转移到所述电子传输层上；或者，通过浸渍提拉法在所述电子传输层表面沉积石墨烯薄膜；

在所述石墨烯薄膜上沉积纳米金属颗粒，形成所述辅助电子传输层。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述纳米金属颗粒包括以下至少之一：纳米银颗粒、纳米镁颗粒、纳米铝颗粒、纳米钙颗粒、纳米锂颗粒、纳米银镁合金颗粒、纳米钙铝合金颗粒、纳米锂铝合金颗粒。